JPH0625024B2 - 誘電体磁器の製造方法 - Google Patents

誘電体磁器の製造方法

Info

Publication number
JPH0625024B2
JPH0625024B2 JP1136677A JP13667789A JPH0625024B2 JP H0625024 B2 JPH0625024 B2 JP H0625024B2 JP 1136677 A JP1136677 A JP 1136677A JP 13667789 A JP13667789 A JP 13667789A JP H0625024 B2 JPH0625024 B2 JP H0625024B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
heat treatment
treatment step
composition
porcelain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1136677A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02225367A (ja
Inventor
健裕 日向
和順 松本
哲也 向井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP1136677A priority Critical patent/JPH0625024B2/ja
Priority to DE68912724T priority patent/DE68912724T2/de
Priority to CA002003027A priority patent/CA2003027C/en
Priority to EP89311824A priority patent/EP0369768B1/en
Priority to US07/536,520 priority patent/US5039637A/en
Publication of JPH02225367A publication Critical patent/JPH02225367A/ja
Publication of JPH0625024B2 publication Critical patent/JPH0625024B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、誘電体磁器の製造方法に関し、特に組成の変
更を行わないでも温度特性制御が可能である、高周波用
として好適な誘電体磁器の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
一般に誘電体磁器の温度特性の制御は、その組成すなわ
ち成分元素の種類や含有率を変えることにより行なわれ
ている。特にマイクロ波帯で用いる誘電帯磁器では、比
誘電率および無負荷Ｑが高く、共振周波数の温度特性が
優れていることが要求される。このような要求を満す誘
電体磁器の組成とてしては、例えば複合ペロブスカイト
型の結晶構造を有するBa(Zn,Ni)1/3(Ta,Nb)2/3O3系の磁
器が挙げられる。
〔発明が解決しようとする課題〕
この組成の磁器では、温度特性を改善するためにZnイオ
ンの一部がNiイオンで置換されているが、この置換は比
誘電率と無負荷Ｑを低下させるように作用する。これを
補償するためTaイオンの一部がNbイオンで置換され比誘
電率の改善が図られているが、これにより温度特性と無
負荷Ｑが悪化する。このように組成を変更させるだけで
は、要求されるすべての特性を向上させることができな
いばかりでなく、組成変更を行うたびに製造前に製造装
置の洗浄を十分に実施する必要が生じる等の問題があっ
た。
本発明の目的は、上記のような問題点を解消し、誘電体
磁器の組成変更を行なわずに、所望の特性を得ることの
できる誘電体磁器の製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、上記目的を達成するものとして、 一般式（Ｉ）： BaxＡyＢ1-x-yＦzＯw （Ｉ） 〔ここで、ＡはMg，Zn，Ni及びCoから選ばれる少なくと
も１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少なくとも１
種であり、ｘ，ｙおよびｚは、それぞれ０．４８≦ｘ≦
０．５２、０．１５≦ｙ≦０．１９、及び0.00025 ≦ｚ
≦０．０５で表わされる数であり、ｗはBa，Ａ及びＢの
陽イオンおよびＦの陰イオンの合計の電荷を中和し、該
磁器全体として電気的に中性となる数である〕 で表わされる組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体磁器を、該組成に応じて混合された原
料粉末を仮焼し、該仮焼物を粉砕し、整粒後成形して得
られた成形体を熱処理することにより製造する方法にお
いて、 前記熱処理工程が、前記成形体を100 〜1600℃／分の速
度で1500〜1700℃の温度まで昇温後、該温度に１分間以
上保持する第一熱処理工程と、 該第一熱処理工程を経た製品を1200〜1600℃で１０分間
以上保持する第二熱処理工程とからなることを特徴とす
る誘電体磁器の製造方法を提供するものである。
本発明の方法において、第一熱処理工程である急速温度
焼成工程は100 〜1600℃／分の昇温速度で加熱する必要
があり、更に望ましくは300 〜1600℃／分がよい。該昇
温速度が 100℃／分未満であると、得られる誘電体磁器
の焼結密度が不十分であり、1600℃／分を超えると該誘
電体磁器の組織が脆弱となる。
該昇温後の保持温度は1500〜1700℃、望ましくは1550〜
1650℃が好適であり、1500℃未満では該誘電体磁器の焼
結密度が十分に高まらず、一方1700℃を超えると却っ
て、組織的に脆弱となりやすい。該急速昇温度の保持時
間は１分間以上、好ましくは２分〜４時間であるが、保
持温度が高い場合はより短時間、低い場合はより長時間
保持すればよい。
該第一熱処理工程を行ったあと、そのまま次の焼成工程
である第二熱処理工程に継続して供してもよいし、一旦
室温まで冷却した後改めて第二熱処理工程に供してもよ
い。
該第二熱処理工程は焼成温度が1200〜1600℃、好ましく
は1400〜1500℃で行われる。焼成時間は10分間以上あれ
ばよく、通常10〜50時間である。該焼成温度が1200℃未
満であると得られる誘電体磁器の温度特性（τｆ）が十
分に改善されず、1600℃を超えると、成分の蒸発が活発
となり組成的変化を起し易い。この第二熱処理工程を行
うために、所定温度まで昇温する場合、昇温速度には特
に制約はない。
本発明の方法においては、上記第二熱処理工程における
焼成温度及び保持時間を制御することにより、同一組成
でありながら、誘電体特性、即ち無負荷Ｑ、比誘電率及
び共振周波数の温度特性を調節することができる。
上記の二つの熱処理工程を行う際の雰囲気は特に限定さ
れず、酸化雰囲気、還元雰囲気、不活性雰囲気のいずれ
でも差し支えない。また、焼結を促進させるための助
剤、例えば、マンガン、リチウム、あるいは、微量の置
換元素として、アンチモン、ジルコニウム、チタン、バ
ナジウム等の金属元素、あるいは塩素等陰イオンなどを
添加しても、本発明の方法にとって何ら差し支えない。
本発明の方法は、一般式（Ｉ）： BaxＡyＢ1-x-yＦzＯw （Ｉ） 〔ここで、ＡはMg，Zn，Ni及びCoから選ばれる少なくと
も１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少なくとも１
種であり、ｘ，ｙおよびｚは、それぞれ０．４８≦ｘ≦
０．５２、０．１５≦ｙ≦０．１９、及び0.00025 ≦ｘ
≦０．０５で表わされる数であり、ｗはBa，Ａ及びＢの
陽イオンおよびＦの陰イオンの合計の電荷を中和し、該
磁器全体として電気的に中性となる数である〕 で表わされる組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体磁器を与える。
一般式（Ｉ）において、ｘは０．４８≦ｘ≦０．５２、
望ましくは０．４９≦ｘ≦０．５１の数であり、ｙは
０．１５≦ｙ≦０．１９、望ましくは０．１６≦ｙ≦
０．１８の数であり、ｚは0.00025 ≦ｘ≦０．０５、望
ましくは0.0005≦ｚ≦０．０１の数である。ｗはBa，Ａ
およびＢの陽イオンおよびＦの陰イオンの合計の電荷を
中和し、一般式（Ｉ）で表される磁器全体として電気的
に中性となる数であり、ｗの値はｘ，ｙの値が（ＡがCo
を含む場合にはその原子価も）決まると自動的に定ま
る。ｗは、通常1.49〜1.51の範囲の数である。
本発明の方法により、一般式（Ｉ）で表される複合ペロ
ブスカイト型結晶構造を有する誘導体磁器を製造するに
は、目的組成に応じて構成金属成分の原料粉末を秤量
し、所要の割合に混合、乾燥の後、粉砕後、本発明の方
法に供すればよい。このとき、通常行われるように、必
要に応じ、成分の蒸発性の難易を考慮して原料粉末の配
合を行えばよい。
高周波用誘電体磁器には、一般に比誘電率が２４以上、
無負荷Ｑが6000以上のものが望まれるが、本発明の方法
により得られる、一般式（Ｉ）の前記磁器はかかる要求
特性を備えたものとして得られる。
〔作用〕
本発明の方法における第一熱処理工程である急速昇温焼
成は一般式（Ｉ）で表されるフッ素を含む誘電体磁器の
組織緻密化に効果があり、その際に存在するフッ素成分
も焼成を促進する作用を示すため両者の相乗作用により
一層の緻密化が達成される。次の第二熱処理工程での焼
成によって、更に組織の秩序配列性を高められる結果、
比誘電率を十分な値に維持しつつ、無負荷Ｑと温度特性
（τｆ）とを向上させることができるものと推測され
る。
〔実施例〕 純度９９．９重量％以上の炭酸バリウム、酸化マグネシ
ウム、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タ
ンタル、酸化ニオブ、フッ化バリウムおよびフッ化マグ
ネシウムから所要粉末を選び、第１表に示す７種の組成
で配合した配合物試料No.１〜４８（No.１〜３６が実施
例、No.３７〜４８が比較例）を各々純水とともにボー
ルミル用ポットに入れ、樹脂コーティングしたボールを
用いて１６時間湿式混合した。
得られた混合物をポットから取り出し、１５０℃で３時
間乾燥した後、酸素中において1000℃で２時間仮焼を行
った。仮焼後、粉砕し、４２メッシュの篩を通して整粒
した。得られた粉末を金型を用いて圧力５００kg／cm２
で直径１０mm、厚さ約５mmの円板状に一次成形した後、
圧力2000kg／cm２で静水圧プレスによって圧縮い、加圧
成形体とした。次にこれらの成形体を酸素雰囲気下で、
第２表に示す熱処理条件でそれぞれ処理し、誘電体磁器
を得た。得られた誘電体磁器の組成および比誘電率（δ
ｒ）、無負荷Ｑ（Ｑｕ）、および共振周波数の温度計数
（τｆ）の測定結果を第２表に示す。
第２表から明らかなように、本発明の実施例である試料
No.１〜３６ではεｒやＱｕを高く維持したまま、同一
組成の誘電体磁器の温度係数（τｆ）を変化させること
ができる。
また、実施例である試料No.３５〜３６と、比較例であ
る試料No.３７〜３８とを比較すると、本発明の方法に
より得られるフッ素を含む誘電体磁器は、微量のフッ素
を含む以外は、ほぼ同一の組成であり、同一の熱処理工
程を経た誘電体磁器よりも、高い、εｒやＱｕを有する
ことがわかる。
試料No.５の誘電体磁器を粉砕し、得られた粉末をＸ線
回析に供したところ、第１図に示すＸ線回折図が得られ
た。図中の指数付けした回折線は、六方晶の規則型ぺロ
ブスカイト型結晶構造に由来するものであり、それ以外
の結晶構造に由来する回折線はたかだか、主相の最強回
折線(110) と(102) の10／100以下であり、実質的に複
合ペロブスカイト構造であった。試料No.１〜３８の誘
電体磁器も同様に実質的に複合ペロブスカイト型結晶構
造を有することが確認された。
〔発明の効果〕
本発明の製造方法によれば、同一の組成でありながら熱
処理の条件のみ変えることにより、誘電体特性、即ち無
負荷Ｑ、比誘電率及び共振周波数の温度特性（τｆ）を
調節することができる。さらには、比誘電率に影響を与
えずに無負荷Ｑと温度特性（τｆ）とを向上させたり、
あるいは比誘電率および無負荷Ｑを高く維持したまま温
度特性を調節することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の方法で得られた誘電体磁器のＸ線回折
図を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式（Ｉ）： BaxＡyＢ1-x-yＦzＯw （Ｉ） 〔ここで、ＡはMg，Zn，Ni及びCoから選ばれる少なくと
    も１種であり、ＢはTa及びNbから選ばれる少なくとも１
    種であり、ｘ，ｙおよびｚは、それぞれ０．４８≦ｘ≦
    ０．５２、０．１５≦ｙ≦０．１９、及び0.00025 ≦ｚ
    ≦０．０５で表わされる数であり、ｗはBa，Ａ及びＢの
    陽イオンおよびＦの陰イオンの合計の電荷を中和し、該
    磁器全体として電気的に中性となる数である〕 で表わされる組成を有する複合ペロブスカイト型結晶構
    造を有する誘電体磁器を、該組成に応じて混合された原
    料粉末を仮焼し、該仮焼物を粉砕し、整粒後成形して得
    られた成形体を熱処理することにより製造する方法にお
    いて、 前記熱処理工程が、前記成形体を100 〜1600℃／分の速
    度で1500〜1700℃の温度まで昇温後、該温度に１分間以
    上保持する第一熱処理工程と、 該第一熱処理工程を経た製品を1200〜1600℃で１０分間
    以上保持する第二熱処理工程とからなることを特徴とす
    る誘電体磁器の製造方法。
JP1136677A 1988-11-16 1989-05-30 誘電体磁器の製造方法 Expired - Fee Related JPH0625024B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1136677A JPH0625024B2 (ja) 1988-11-16 1989-05-30 誘電体磁器の製造方法
DE68912724T DE68912724T2 (de) 1988-11-16 1989-11-15 Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Keramik.
CA002003027A CA2003027C (en) 1988-11-16 1989-11-15 Process for producing a dielectric ceramic
EP89311824A EP0369768B1 (en) 1988-11-16 1989-11-15 Process for producing a dielectric ceramic
US07/536,520 US5039637A (en) 1988-11-16 1990-06-12 Process for producing a dielectric ceramic

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-287821 1988-11-16
JP28782188 1988-11-16
JP1136677A JPH0625024B2 (ja) 1988-11-16 1989-05-30 誘電体磁器の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02225367A JPH02225367A (ja) 1990-09-07
JPH0625024B2 true JPH0625024B2 (ja) 1994-04-06

Family

ID=26470182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1136677A Expired - Fee Related JPH0625024B2 (ja) 1988-11-16 1989-05-30 誘電体磁器の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5039637A (ja)
EP (1) EP0369768B1 (ja)
JP (1) JPH0625024B2 (ja)
CA (1) CA2003027C (ja)
DE (1) DE68912724T2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0732323B2 (ja) * 1989-05-30 1995-04-10 住友金属鉱山株式会社 共振周波数の温度係数を調整可能な共振器
US5462009A (en) * 1992-11-06 1995-10-31 The Boeing Company Method and apparatus for producing perovskite compositions
EP0838446B1 (en) * 1996-10-25 2007-08-15 Ngk Spark Plug Co., Ltd A dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same
US6413896B1 (en) * 1998-06-22 2002-07-02 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Method for producing dielectric porcelain composition for electronic device
JP4541985B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-08 株式会社デンソー 多結晶体の製造方法
DE102006017902B4 (de) * 2006-04-18 2009-11-12 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Keramisches Dielektrikum, Herstellverfahren für Dünn- und/oder Dickschichten enthaltend mindestens ein keramisches Dielektrikum und Verwendung davon
US8187525B2 (en) * 2007-08-31 2012-05-29 Corning Incorporated Method of firing green bodies into porous ceramic articles
JP5281786B2 (ja) * 2007-11-14 2013-09-04 日本碍子株式会社 （Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料、及びその製造方法
CN114195515B (zh) * 2021-11-23 2022-11-29 昆明理工大学 一种氧化物颗粒优化钽酸镍陶瓷材料及其应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2641701C3 (de) * 1976-09-16 1980-04-17 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung eines Kondensatordielektrikums mit inneren Sperrschichten
US4121941A (en) * 1977-11-10 1978-10-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Low microwave loss ceramics and method of manufacturing the same
US4264548A (en) * 1979-12-20 1981-04-28 Ford Motor Company Method of making silicon nitride based cutting tools-I
DE3138177A1 (de) * 1981-09-25 1983-04-14 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg "verfahren zur herstellung eines dielektrikums"
JPS58206003A (ja) * 1982-05-26 1983-12-01 日本放送協会 低損失マイクロ波誘電材料
EP0155364B1 (en) * 1983-11-30 1989-03-08 Taiyo Yuden Co., Ltd. Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture
JPS61107609A (ja) * 1984-10-30 1986-05-26 住友金属鉱山株式会社 高周波用誘電体磁器の製造方法
JPS61142601A (ja) * 1984-12-15 1986-06-30 株式会社村田製作所 高周波用誘電体磁器組成物
JPS62143859A (ja) * 1985-12-17 1987-06-27 科学技術庁無機材質研究所長 高密度Ｂａ〔Ｚｎ▲１／３▼（Ｔａ及び又はＮｂ）▲２／３▼〕Ｏ↓３ペロブスカイトセラミツクスの製造方法
JPS62170102A (ja) * 1986-01-21 1987-07-27 住友金属鉱山株式会社 誘電体磁器およびその製法
JPS6337507A (ja) * 1986-07-31 1988-02-18 住友金属鉱山株式会社 誘電体磁器
DE3776164D1 (de) * 1986-03-14 1992-03-05 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Verfahren zur herstellung von komplexen perovskittypverbindungen.
JPS63152815A (ja) * 1986-07-09 1988-06-25 住友金属鉱山株式会社 誘電体磁器
JPH0719485B2 (ja) * 1987-12-16 1995-03-06 住友金属鉱山株式会社 誘電体磁器及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2003027A1 (en) 1990-05-16
JPH02225367A (ja) 1990-09-07
CA2003027C (en) 1994-07-26
US5039637A (en) 1991-08-13
EP0369768A2 (en) 1990-05-23
EP0369768B1 (en) 1994-01-26
EP0369768A3 (en) 1991-06-12
DE68912724T2 (de) 1994-07-28
DE68912724D1 (de) 1994-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8557724B2 (en) Semiconductor porcelain composition and method of producing the same
EP0642140B1 (en) Positive temperature coefficient thermistor and fabrication method thereof
KR20090007283A (ko) 반도체 자기 조성물
JPH0625024B2 (ja) 誘電体磁器の製造方法
JPH01251512A (ja) 誘電体磁器及びその製造方法
JPH08319162A (ja) 誘電体磁器及びその製造方法
JP2645815B2 (ja) 粒界絶縁型半導体磁器
JPH0625025B2 (ja) 誘電体磁器の製造方法
JP2649341B2 (ja) 粒界絶縁型半導体磁器
JP3401834B2 (ja) 誘電体材料
JP2008063188A (ja) Ｐｔｃサーミスタ用配合材料およびｐｔｃサーミスタ用半導体磁器組成物
JPH04220905A (ja) 高周波誘電体用焼結体の製造方法
JPH0338802A (ja) 正特性半導体磁器の製造方法
JPH04303512A (ja) 誘電体磁器用仮焼物の製造方法
JPH06131915A (ja) 高周波誘電体セラミックスおよびその製造方法
JP3243873B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH06325620A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH05194017A (ja) 誘電体磁器の製造方法
JPH035356A (ja) 誘電体磁器の製造方法
JPH06325621A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0365513A (ja) 超電導体用原料及びその製造法並びに該原料を用いた超電導体の製造法
JPH0766691B2 (ja) 高周波誘電体用焼結体の製造方法
JP2003226575A (ja) 電子デバイス用誘電体磁器組成物
JPH06333422A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0688836B2 (ja) 焦電性磁器材料及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees