JPH0351781B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351781B2 JPH0351781B2 JP62055872A JP5587287A JPH0351781B2 JP H0351781 B2 JPH0351781 B2 JP H0351781B2 JP 62055872 A JP62055872 A JP 62055872A JP 5587287 A JP5587287 A JP 5587287A JP H0351781 B2 JPH0351781 B2 JP H0351781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- weight
- present
- frame material
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Description
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、IC等の半導体用リードフレームに
好適な鉄系リードフレーム材に関する。 (従来の技術) 近年、ICの高集積化、量産化に伴い、これに
用いられる材料の開発も飛躍的に進んでいるが、
個々の部材については、その要求特性と価格レベ
ルとの兼ね合いからさらなる開発が望まれている
分野も多い。 例えば、ICに用いられる半導体用のリードフ
レーム材としては、従来、半導体素子と熱膨脹係
数が近似しているFe−42重量%NiやFe−26重量
%Ni−17重量%Co等が使用されている。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来より使用されて
いるFe−42重量%NiやFe−26重量%Ni−17重量
%Co等の鉄系リードフレーム材は、合金成分と
して高価なNiやCoを使用しているためコストが
高く、また素材自体が強磁性体であるために、そ
の回路に流れる電流によつて、リードフレーム自
体が磁化されてしまい周辺の鉄粉を吸着したり、
このリードフレームより発生する磁場によつて他
の部品の磁界を乱したりするという問題があり、
これらが原因して回路のソフトエラーを発生しや
すいという難点があつた。 本発明はこのような従来の難点を解消するため
になされたもので、従来の鉄系リードフレーム材
と熱膨脹係数が同等で、かつ価格的にも安く、リ
ードフレーム自体が磁化されて発生する回路のソ
フトエラー等を生じる恐れのない非磁性体である
リードフレーム材を提供することを目的とする。 [発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のリードフレーム材は、Mn25〜45重量
%を含有し残部がFeおよび不可避的不純物から
なること、およびMn25〜45重量%を含有して、
かつNi1〜8重量%および/またはCr1〜8重量
%を含有し残部がFeおよび不可避的不純物から
なることを特徴としている。 本発明におけるリードフレーム材としては、ま
ずMn25〜45重量%、好ましくは30〜40重量%を
含有し残部がFeおよび不可避的不純物からなる
合金が挙げられる。このMnの含有量を上記の範
囲とした理由は次のとおりである。すなわちMn
の含有量が上記範囲を外れると室温における安定
したオーステナイト相が得られなくなり、本発明
の非磁性リードフレーム材の高価が十分に得られ
ず、さらにMnの含有量が25重量%未満であると
熱膨脹係数が急激に増加傾向を示し、半導体素子
として使用しているSiチツプとの熱膨脹係数の差
が大きくなりボンデイングに際して障害となる。 本発明のリードフレーム材には、上記の含有成
分の他にさらにNi1〜8重量%および/または
Cr1〜8重量%をオーステナイト相をよりいつそ
う安定させる目的や、耐食性と強度の向上のため
に含有させることができる。Niの添加量が1重
量%未満であるとオーステナイト相の安定化の効
果を及ぼしにくく、8重量%を超えて使用しても
それ以上の安定化効果が得られないばかりか、コ
ストアツプにつながる。Crの添加量が1重量%
未満であると強度の向上や耐食性の向上の効果を
及ぼしにくく、8重量%を超えると変態を生じて
強磁性体となる可能性が高まる。 本発明のリードフレーム材は、例えば次のよう
にして製造される。 すなわちまず、上記した各含有成分の組成比を
満足させた合金成分を鋳造し、熱間加工を施す。
次いで、冷間加工を行つた後、700〜1100℃およ
び1分〜3時間で焼鈍し、冷間加工と焼鈍を繰返
して完成させる。 (作用) 以上の手段により、本発明のリードフレーム材
は、組織が均一でかつ安定したオーステナイト相
となり、これにより30℃〜300℃での熱膨脹率が
80〜150×10-7/℃とSiチツプとモールド樹脂材
との中間であつて、かつ透磁率μ≦1.02という良
好な非磁性体となる。 (実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。 実施例 1〜5 第1表に示す組成の合金成分をそれぞれ溶解、
鋳造した後、約1000℃〜1200℃で鋳造してビレツ
トを形成した。次いで、1000℃〜1200℃で熱間圧
延した。そして、冷間加工と焼鈍を繰返し行ない
厚さ0.25mmの条材とした。
好適な鉄系リードフレーム材に関する。 (従来の技術) 近年、ICの高集積化、量産化に伴い、これに
用いられる材料の開発も飛躍的に進んでいるが、
個々の部材については、その要求特性と価格レベ
ルとの兼ね合いからさらなる開発が望まれている
分野も多い。 例えば、ICに用いられる半導体用のリードフ
レーム材としては、従来、半導体素子と熱膨脹係
数が近似しているFe−42重量%NiやFe−26重量
%Ni−17重量%Co等が使用されている。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来より使用されて
いるFe−42重量%NiやFe−26重量%Ni−17重量
%Co等の鉄系リードフレーム材は、合金成分と
して高価なNiやCoを使用しているためコストが
高く、また素材自体が強磁性体であるために、そ
の回路に流れる電流によつて、リードフレーム自
体が磁化されてしまい周辺の鉄粉を吸着したり、
このリードフレームより発生する磁場によつて他
の部品の磁界を乱したりするという問題があり、
これらが原因して回路のソフトエラーを発生しや
すいという難点があつた。 本発明はこのような従来の難点を解消するため
になされたもので、従来の鉄系リードフレーム材
と熱膨脹係数が同等で、かつ価格的にも安く、リ
ードフレーム自体が磁化されて発生する回路のソ
フトエラー等を生じる恐れのない非磁性体である
リードフレーム材を提供することを目的とする。 [発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のリードフレーム材は、Mn25〜45重量
%を含有し残部がFeおよび不可避的不純物から
なること、およびMn25〜45重量%を含有して、
かつNi1〜8重量%および/またはCr1〜8重量
%を含有し残部がFeおよび不可避的不純物から
なることを特徴としている。 本発明におけるリードフレーム材としては、ま
ずMn25〜45重量%、好ましくは30〜40重量%を
含有し残部がFeおよび不可避的不純物からなる
合金が挙げられる。このMnの含有量を上記の範
囲とした理由は次のとおりである。すなわちMn
の含有量が上記範囲を外れると室温における安定
したオーステナイト相が得られなくなり、本発明
の非磁性リードフレーム材の高価が十分に得られ
ず、さらにMnの含有量が25重量%未満であると
熱膨脹係数が急激に増加傾向を示し、半導体素子
として使用しているSiチツプとの熱膨脹係数の差
が大きくなりボンデイングに際して障害となる。 本発明のリードフレーム材には、上記の含有成
分の他にさらにNi1〜8重量%および/または
Cr1〜8重量%をオーステナイト相をよりいつそ
う安定させる目的や、耐食性と強度の向上のため
に含有させることができる。Niの添加量が1重
量%未満であるとオーステナイト相の安定化の効
果を及ぼしにくく、8重量%を超えて使用しても
それ以上の安定化効果が得られないばかりか、コ
ストアツプにつながる。Crの添加量が1重量%
未満であると強度の向上や耐食性の向上の効果を
及ぼしにくく、8重量%を超えると変態を生じて
強磁性体となる可能性が高まる。 本発明のリードフレーム材は、例えば次のよう
にして製造される。 すなわちまず、上記した各含有成分の組成比を
満足させた合金成分を鋳造し、熱間加工を施す。
次いで、冷間加工を行つた後、700〜1100℃およ
び1分〜3時間で焼鈍し、冷間加工と焼鈍を繰返
して完成させる。 (作用) 以上の手段により、本発明のリードフレーム材
は、組織が均一でかつ安定したオーステナイト相
となり、これにより30℃〜300℃での熱膨脹率が
80〜150×10-7/℃とSiチツプとモールド樹脂材
との中間であつて、かつ透磁率μ≦1.02という良
好な非磁性体となる。 (実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。 実施例 1〜5 第1表に示す組成の合金成分をそれぞれ溶解、
鋳造した後、約1000℃〜1200℃で鋳造してビレツ
トを形成した。次いで、1000℃〜1200℃で熱間圧
延した。そして、冷間加工と焼鈍を繰返し行ない
厚さ0.25mmの条材とした。
【表】
このようにして製造した各リードフレーム材の
熱膨脹係数、透磁率、引張強さを測定した。その
結果を第2表に示す。
熱膨脹係数、透磁率、引張強さを測定した。その
結果を第2表に示す。
【表】
なお、上表中の透磁率は、磁気磁束計により測
定したものである。 第2表からも明らかなように、この実施例のリ
ードフレーム材は、Fe−42重量%NiやFe−26重
量%Ni−17重量%Co等の従来の鉄系リードフレ
ーム材と同等の熱膨脹係数を有し、かつ良好な非
磁性体であるので、リードフレーム自体が磁化し
て発生するソフトエラー等を有効に防止でき、
IC等の回路自体の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。 [発明の効果] 以上説明したように本発明のリードフレーム材
によれば、組織を安定したオーステナイト相にす
ることによつて、良好な非磁性体となり、リード
フレーム自体が磁化されることによつて生じるソ
フトエラー等を防止でき、かつ従来のFe系リー
ドフレーム材と同等の熱膨脹係数が得られる。ま
た、価格的にも高価なNi、Coを安価なMnに置換
えることによつて、コストが下がり経済的であ
る。
定したものである。 第2表からも明らかなように、この実施例のリ
ードフレーム材は、Fe−42重量%NiやFe−26重
量%Ni−17重量%Co等の従来の鉄系リードフレ
ーム材と同等の熱膨脹係数を有し、かつ良好な非
磁性体であるので、リードフレーム自体が磁化し
て発生するソフトエラー等を有効に防止でき、
IC等の回路自体の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。 [発明の効果] 以上説明したように本発明のリードフレーム材
によれば、組織を安定したオーステナイト相にす
ることによつて、良好な非磁性体となり、リード
フレーム自体が磁化されることによつて生じるソ
フトエラー等を防止でき、かつ従来のFe系リー
ドフレーム材と同等の熱膨脹係数が得られる。ま
た、価格的にも高価なNi、Coを安価なMnに置換
えることによつて、コストが下がり経済的であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Mn25〜45重量%を含有し残部がFeおよび不
可避的不純物からなることを特徴とするリードフ
レーム材。 2 Mn25〜45重量%を含有して、かつNi1〜8
重量%および/またはCr1〜8重量%を含有し残
部がFeおよび不可避的不純物からなることを特
徴とするリードフレーム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055872A JPS63223141A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | リ−ドフレ−ム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055872A JPS63223141A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | リ−ドフレ−ム材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63223141A JPS63223141A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH0351781B2 true JPH0351781B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=13011180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055872A Granted JPS63223141A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | リ−ドフレ−ム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63223141A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112022000491T5 (de) * | 2021-02-02 | 2023-11-23 | Rohm Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62055872A patent/JPS63223141A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63223141A (ja) | 1988-09-16 |
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