JPH0351781B2 - - Google Patents

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JPH0351781B2
JPH0351781B2 JP62055872A JP5587287A JPH0351781B2 JP H0351781 B2 JPH0351781 B2 JP H0351781B2 JP 62055872 A JP62055872 A JP 62055872A JP 5587287 A JP5587287 A JP 5587287A JP H0351781 B2 JPH0351781 B2 JP H0351781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
weight
present
frame material
thermal expansion
Prior art date
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Expired
Application number
JP62055872A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63223141A (ja
Inventor
Hirozo Sugai
Nobuaki Nakajima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP62055872A priority Critical patent/JPS63223141A/ja
Publication of JPS63223141A publication Critical patent/JPS63223141A/ja
Publication of JPH0351781B2 publication Critical patent/JPH0351781B2/ja
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、IC等の半導体用リードフレームに
好適な鉄系リードフレーム材に関する。 (従来の技術) 近年、ICの高集積化、量産化に伴い、これに
用いられる材料の開発も飛躍的に進んでいるが、
個々の部材については、その要求特性と価格レベ
ルとの兼ね合いからさらなる開発が望まれている
分野も多い。 例えば、ICに用いられる半導体用のリードフ
レーム材としては、従来、半導体素子と熱膨脹係
数が近似しているFe−42重量%NiやFe−26重量
%Ni−17重量%Co等が使用されている。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来より使用されて
いるFe−42重量%NiやFe−26重量%Ni−17重量
%Co等の鉄系リードフレーム材は、合金成分と
して高価なNiやCoを使用しているためコストが
高く、また素材自体が強磁性体であるために、そ
の回路に流れる電流によつて、リードフレーム自
体が磁化されてしまい周辺の鉄粉を吸着したり、
このリードフレームより発生する磁場によつて他
の部品の磁界を乱したりするという問題があり、
これらが原因して回路のソフトエラーを発生しや
すいという難点があつた。 本発明はこのような従来の難点を解消するため
になされたもので、従来の鉄系リードフレーム材
と熱膨脹係数が同等で、かつ価格的にも安く、リ
ードフレーム自体が磁化されて発生する回路のソ
フトエラー等を生じる恐れのない非磁性体である
リードフレーム材を提供することを目的とする。 [発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のリードフレーム材は、Mn25〜45重量
%を含有し残部がFeおよび不可避的不純物から
なること、およびMn25〜45重量%を含有して、
かつNi1〜8重量%および/またはCr1〜8重量
%を含有し残部がFeおよび不可避的不純物から
なることを特徴としている。 本発明におけるリードフレーム材としては、ま
ずMn25〜45重量%、好ましくは30〜40重量%を
含有し残部がFeおよび不可避的不純物からなる
合金が挙げられる。このMnの含有量を上記の範
囲とした理由は次のとおりである。すなわちMn
の含有量が上記範囲を外れると室温における安定
したオーステナイト相が得られなくなり、本発明
の非磁性リードフレーム材の高価が十分に得られ
ず、さらにMnの含有量が25重量%未満であると
熱膨脹係数が急激に増加傾向を示し、半導体素子
として使用しているSiチツプとの熱膨脹係数の差
が大きくなりボンデイングに際して障害となる。 本発明のリードフレーム材には、上記の含有成
分の他にさらにNi1〜8重量%および/または
Cr1〜8重量%をオーステナイト相をよりいつそ
う安定させる目的や、耐食性と強度の向上のため
に含有させることができる。Niの添加量が1重
量%未満であるとオーステナイト相の安定化の効
果を及ぼしにくく、8重量%を超えて使用しても
それ以上の安定化効果が得られないばかりか、コ
ストアツプにつながる。Crの添加量が1重量%
未満であると強度の向上や耐食性の向上の効果を
及ぼしにくく、8重量%を超えると変態を生じて
強磁性体となる可能性が高まる。 本発明のリードフレーム材は、例えば次のよう
にして製造される。 すなわちまず、上記した各含有成分の組成比を
満足させた合金成分を鋳造し、熱間加工を施す。
次いで、冷間加工を行つた後、700〜1100℃およ
び1分〜3時間で焼鈍し、冷間加工と焼鈍を繰返
して完成させる。 (作用) 以上の手段により、本発明のリードフレーム材
は、組織が均一でかつ安定したオーステナイト相
となり、これにより30℃〜300℃での熱膨脹率が
80〜150×10-7/℃とSiチツプとモールド樹脂材
との中間であつて、かつ透磁率μ≦1.02という良
好な非磁性体となる。 (実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。 実施例 1〜5 第1表に示す組成の合金成分をそれぞれ溶解、
鋳造した後、約1000℃〜1200℃で鋳造してビレツ
トを形成した。次いで、1000℃〜1200℃で熱間圧
延した。そして、冷間加工と焼鈍を繰返し行ない
厚さ0.25mmの条材とした。
【表】 このようにして製造した各リードフレーム材の
熱膨脹係数、透磁率、引張強さを測定した。その
結果を第2表に示す。
【表】 なお、上表中の透磁率は、磁気磁束計により測
定したものである。 第2表からも明らかなように、この実施例のリ
ードフレーム材は、Fe−42重量%NiやFe−26重
量%Ni−17重量%Co等の従来の鉄系リードフレ
ーム材と同等の熱膨脹係数を有し、かつ良好な非
磁性体であるので、リードフレーム自体が磁化し
て発生するソフトエラー等を有効に防止でき、
IC等の回路自体の信頼性を大幅に向上させるこ
とができる。 [発明の効果] 以上説明したように本発明のリードフレーム材
によれば、組織を安定したオーステナイト相にす
ることによつて、良好な非磁性体となり、リード
フレーム自体が磁化されることによつて生じるソ
フトエラー等を防止でき、かつ従来のFe系リー
ドフレーム材と同等の熱膨脹係数が得られる。ま
た、価格的にも高価なNi、Coを安価なMnに置換
えることによつて、コストが下がり経済的であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Mn25〜45重量%を含有し残部がFeおよび不
    可避的不純物からなることを特徴とするリードフ
    レーム材。 2 Mn25〜45重量%を含有して、かつNi1〜8
    重量%および/またはCr1〜8重量%を含有し残
    部がFeおよび不可避的不純物からなることを特
    徴とするリードフレーム材。
JP62055872A 1987-03-11 1987-03-11 リ−ドフレ−ム材 Granted JPS63223141A (ja)

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JPS63223141A JPS63223141A (ja) 1988-09-16
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DE112022000491T5 (de) * 2021-02-02 2023-11-23 Rohm Co., Ltd. Halbleitervorrichtung

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JPS63223141A (ja) 1988-09-16

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