JPH0352688B2 - - Google Patents

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JPH0352688B2
JPH0352688B2 JP58163148A JP16314883A JPH0352688B2 JP H0352688 B2 JPH0352688 B2 JP H0352688B2 JP 58163148 A JP58163148 A JP 58163148A JP 16314883 A JP16314883 A JP 16314883A JP H0352688 B2 JPH0352688 B2 JP H0352688B2
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JP
Japan
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circuit
output
input
circuits
flip
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JP58163148A
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JPS6055726A (ja
Inventor
Mitsuo Usami
Masao Suzuki
Katsuji Horiguchi
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Hitachi Ltd
NTT Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPS6055726A publication Critical patent/JPS6055726A/ja
Publication of JPH0352688B2 publication Critical patent/JPH0352688B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors

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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、バイポーラトランジスタにより構
成されるフリツプフロツプ回路に関し、特にノン
シユレツシヨールドロジツク回路を基本回路とし
てマスタスライス法により形成されるフリツプフ
ロツプ回路に関する。
マスタスライス法により形成される論理LSI
(以下マスタスライスLSIと称する)を構成する
基本回路として、例えば第1図に示すようなエミ
ツタカツプルドロジツク回路(以下ECL回路と
称する)や、第2図に示すようなノンシユレツシ
ヨールドロジツク回路(以下NTL回路と称する)
がある。
ECL回路は、出力としてOR出力とNOR出力を
取り出すことができる。一方、NTL回路はしき
い値電圧を有しないため、ECL回路に比べて動
作速度は速いという利点がある。しかし従来の
NTL回路は、第2図に示すように、一出力
(NOR)のみであつたため、E、CL回路に比べ
て機能が少ないという不都合があつた。
これに応じて、NTL回路により構成されるフ
リツプフロツプ回路は、回路段数が多くなり、動
作速度が速いというNTL回路の特徴を充分に生
かすことができないでいた。
そこで、この発明は、回路段数が少なく、高速
動作が可能とされたNTL回路使用のフリツプフ
ロツプ回路を提供することを目的とする。
以下図面に基づいてこの発明を説明する。
第3図は本発明の理解を容易にするための、
NTL回路からなる3入力2出力のNOR回路を示
す。
並列に設けられた3個の入力トランジスタ
Tr1,Tr2,Tr3のコレクタおよびエミツタは、そ
れぞれ互いに接続されており、入力トランジスタ
Tr1〜Tr3のコレクタと回路の接地点(GND)と
の間には抵抗R1が接続されている。また、入力
トランジスタTr1〜Tr3のエミツタと電源電圧VEE
との間には抵抗R2が接続されている。上記入力
トランジスタTr1〜Tr3と抵抗R1,R2とによつて
入力段が構成される。NTL回路の出力段は、特
に制限されないが、2個のエミツタフオロワEF
1,EF2からなり、上記入力トランジスタTr1〜
Tr3のコレクタと抵抗R1との接続ノードn1の電位
が、上記エミツタフオロワEF1,EF2を構成す
る出力トランジスタTr4とTr5のベースに供給さ
れるようにされている。
上記NTL回路は、入力信号Vio1〜Vio3のうち、
少なくとも一つがハイレベルにされると、ハイレ
ベルの入力信号が供給された入力トランジスタが
オンされて、抵抗R1に電流が流される。すると、
ノードn1がロウレベルにされ、これによつてエミ
ツタフオロワを構成する出力トランジスタTr4と
Tr5を通して、2出力がともにロウレベルに変化
される。
また、入力信号Vio1〜Vio3がすべてロウレベル
にされると、入力トランジスタTr1〜Tr3がすべ
てオフされて、ノードn1はハイレベルにされる。
そのため、出力トランジスタTr4,Tr5を通して、
2出力はハイレベルに変化される。
このようにして、第3図のNTL回路は3入力
2出力のNOR回路として動作される。
上記のごとく構成されたマルチ出力NOR回路
においては、エミツタフオロワEF1とEF2の出
力インピーダンスが低いため、複数個のマルチ出
力NOR回路の出力ラインを互いに結束させるこ
とによりワイヤードORをとることができる。
第5図の実施例のクロツク同期型のセツト・リ
セツト付フリツプフロツプ回路は、上述のような
マルチ出力NOR回路の組み合せから構成されて
いる。すなわち、フリツプフロツプ回路は、以下
説明するような第1ないし第4NOR回路から構成
されている。
第1NOR回路は、図面の左上端に位置された3
入力NOR回路であり、データ信号Dとクロツク
信号とセツト信号とをその入力としている。
第2NOR回路は、図面の左側中央に位置された
3入力NOR回路であり、上記クロツク信号と
上記セツト信号Sと図示の2入力NOR回路(第
4NOR回路)の一方の出力とをその入力としてい
る。
第3NOR回路は、図面の左下端に位置された3
入力NOR回路であり、上記クロツク信号に対
し逆相にされたクロツク信号CKと上記セツト信
号Sと上記第4NOR回路の上記一方の出力とをこ
の入力としている。
上記第4NOR回路は、その入力にリセツト信号
Rと上記第1ないし第3NOR回路の一方の出力の
ワイヤドオア出力とを受ける。
第1ないし第3NOR回路の他方の出力のワイヤ
ドオア出力はフリツプフロツプ回路の反転出力
とされ、第4NOR回路の他方の出力はフリツプフ
ロツプ回路の非反転出力Qとされる。
第5図の実施例のフリツプフロツプ回路は、第
4図に示したような従来のフリツプフロツプ回路
との対比から明らかなように、回路段数が減少さ
れ、それ故に高速動作が可能である。
すなわち、第4図の場合は、図示のように3個
の3入力NOR回路及び1個の2入力NOR回路と
ともに、出力Q,を形成するための1入力構成
のゲート回路からなる2個の出力バツフア回路を
設けるものである。第4図においては、かかる2
つの出力バツフア回路は、出力,Qにつながる
図示しない外部負荷容量が、3つの3入力NOR
回路と1つに2入力NOR回路とによつて構成さ
れるいわば内部回路ループに影響を与えることが
ないように作用する。これによつて内部回路ルー
プでの良好な動作が、外部負荷容量にかかわらず
に可能となるようにされる。
しかしながら、第4図のフリツプフロツプ回路
においては、出力バツフア回路の設定によつて、
明らかに回路段数が多くなり、これが回路の高速
動作の上での障害となる。
これに対して、第5図の実施例の場合、各
NOR回路を第3図に示したような複数出力タイ
プの構成とすることによつて、出力バツフア回路
の追加なしに、内部回路ループでの動作に実質的
に影響を与えないようにしながら、2つの出力
Q,Qを得ることができる。
なお、第3図の回路においては、破線Aで示す
ように、2個のエミツタフオロワEF1とEF2の
出力ノードN1,N2間を接続させることにより、
回路の負荷駆動能力を2倍に向上させることがで
きる。
つまり、出力ノードN1とN2との間を配線によ
つて接続させると、出力段(エミツタフオロワ)
の抵抗R3とR4は並列接続にされるため、抵抗値
が2分の1に変化される。そのため、出力段に流
される電流IEFが2倍に増加され、出力側に接続
された配線上の浮遊容量等を充放電させる速度が
速くなつて、信号の負荷おくれが小さくされる。
その結果、回路全体の動作速度が向上される。
上記第3図の参考例では、一例として3入力2
出力のNOR回路について説明したが、入力トラ
ンジスタの数を変えて、2入力あるいは4入力以
上のNOR回路を構成することができる。また、
入力段のノードn1にエミツタフオロワを3個以上
接続させることにより、更に多くのNOR出力を
取り出せるように構成して、論理機能の強化を図
ることも可能である。しかも、3個以上のエミツ
タフオロワを設けた場合にも、各エミツタフオロ
ワの出力ノード間を選択的に接続させることによ
り、負荷駆動能力を向上させることができる。
特に、マスタスライスLSIにおいては、出力ノ
ードと次段の回路とを結ぶ配線が比較的長くされ
てしまうことが多い。このような場合において、
予めマスタスライスLSIの基本回路を、第3図に
示すようなマルチ出力タイプのNTL回路に形成
しておけば、各ゲート回路の論理機能の強化を図
ることができる。しかも、出力側の配線が長くさ
れてしまうようなNTL回路では、マスタスライ
スのアルミ配線形成時に、前述のごとく、出力段
の各エミツタフオロワの出力ノード間を選択的に
接続させて、負荷駆動能力を高めてやることによ
り、負荷おくれを小さくすることができる。これ
によつて、各ゲート回路における信号の遅延時間
が短くされ、マスタスライス回路全体の動作速度
が向上され、NTL回路の高速動作特性と相俟つ
て高速の論理LSIの実現が可能とされる。しか
も、上記実施例の回路によれば、比較的ロウパワ
ーで回路の動作速度を向上させることができる。
以上説明したようにこの発明によれば、NTL
回路の出力段に複数個のエミツタフオロワが設け
られた回路のよりフリツプフロツプ回路を構成す
るので、NTL回路の特徴である高速度特性を充
分に生かしたフリツプフロツプ回路を得ることが
でるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は公知のECL回路の一例を示す回路図、
第2図は公知のNTL回路の一例を示す回路図、
第3図は参考例のマルチ出力NOR回路の回路図、
第4図は従来の1出力のNOR回路を使つて構成
されたフリツプフロツプの一例を示す回路図、第
5図は本発明の実施例に係るマルチ出力NOR回
路を使つて構成されたフリツプフロツプの一例を
示す回路図である。 Tr1,Tr2,Tr3……入力トランジスタ、Tr4,
Tr5……出力トランジスタ、EF1,EF2……エ
ミツタフオロワ、N1,N2……出力ノード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 それぞれ、第1ワイヤドオア接続点に共通接
    続されてなる出力と、第2ワイヤドオア接続点に
    共通接続されてなる出力とをもつてなる複数の第
    1NOR回路と、 上記第1ワイヤドオア接続点に接続されてなる
    入力と、上記複数の第1NOR回路の所望の入力に
    結合されてなる出力と、他の出力とを少なくとも
    持つてなる第2NOR回路と を備え、上記第2ワイヤドオア接続点と上記他の
    出力とから出力を得るようにしてなり、 上記第1、第2NOR回路のそれぞれが、互いに
    並列に設けられた複数の入力トランジスタを含む
    NTL回路からなる入力段と、この入力段から供
    給される同一の電位をベースに受ける複数の出力
    トランジスタを含む複数のエミツタフオロワ回路
    とからなり、かかる複数のエミツタフオロワ回路
    によつて複数の出力を形成するようにされてなる
    ことを特徴とするフリツプフロツプ回路。
JP58163148A 1983-09-07 1983-09-07 フリップフロップ回路 Granted JPS6055726A (ja)

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JP58163148A JPS6055726A (ja) 1983-09-07 1983-09-07 フリップフロップ回路

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JP58163148A JPS6055726A (ja) 1983-09-07 1983-09-07 フリップフロップ回路

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JPS6055726A JPS6055726A (ja) 1985-04-01
JPH0352688B2 true JPH0352688B2 (ja) 1991-08-12

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DE2751881A1 (de) * 1977-11-21 1979-05-23 Siemens Ag Monolithische digitale halbleiterschaltung mit mehreren bipolartransistoren

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