JPH0352885A - チオフェンジカルボン酸ジエステルを製造する方法 - Google Patents
チオフェンジカルボン酸ジエステルを製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はチオフエンジカルボン酸ジエステルを製造する
方法に関する。チオフエンジカルボン酸ジエステルは、
機能性材料、医薬、農薬等を製造する際の重要な中間体
として広く知られている。例えば、チオフエンジカルボ
ン酸ジエステルとアミノフェノール誘導体を反応して得
られるジベンズオキサゾリル化合物は、プラスチック用
の蛍光増白剤として従来からよく使用されている。また
該ジエステルは加水分解により容易に公知の有用物質で
あるチオフエンジカルボン酸に導くことができる。
方法に関する。チオフエンジカルボン酸ジエステルは、
機能性材料、医薬、農薬等を製造する際の重要な中間体
として広く知られている。例えば、チオフエンジカルボ
ン酸ジエステルとアミノフェノール誘導体を反応して得
られるジベンズオキサゾリル化合物は、プラスチック用
の蛍光増白剤として従来からよく使用されている。また
該ジエステルは加水分解により容易に公知の有用物質で
あるチオフエンジカルボン酸に導くことができる。
(従来の技術)
(発明が解決しようとする問題点)
従来、チオフエンジカルボン酸誘導体を製造する方法は
いくつか知られている。例えば(1)アジピン酸と塩化
チオニルをピリジン触媒の存在下に反応せしめ、チオフ
ェン2.5−ジカルボン酸ジクロライドとし、これを加
水分解してチオフエン2.5−ジカルボン酸とする方法
。
いくつか知られている。例えば(1)アジピン酸と塩化
チオニルをピリジン触媒の存在下に反応せしめ、チオフ
ェン2.5−ジカルボン酸ジクロライドとし、これを加
水分解してチオフエン2.5−ジカルボン酸とする方法
。
一・・・東独特許第129488号
(2)α,α′−ジクロロアジピン酸から得られるテト
ラヒド口チオフエン2.5−ジカルボン酸にオキシ塩化
リンと三塩化リンを反応させ、引き続き塩素を作用させ
、ジクロロテトラヒド口チオフエン2.5−ジカルボン
酸ジクロライドとし、これよりチオフエン2.5−ジカ
ルボン酸を得る方法。
ラヒド口チオフエン2.5−ジカルボン酸にオキシ塩化
リンと三塩化リンを反応させ、引き続き塩素を作用させ
、ジクロロテトラヒド口チオフエン2.5−ジカルボン
酸ジクロライドとし、これよりチオフエン2.5−ジカ
ルボン酸を得る方法。
特公昭39−3434
(3)α,α′−ジクロロアジピン酸のナトリウム塩と
硫化ナトリウムを水中で反応させ、そのまま系内に塩素
を吹き込み、チオフエン2.5−ジカルボン酸を得る方
法。
硫化ナトリウムを水中で反応させ、そのまま系内に塩素
を吹き込み、チオフエン2.5−ジカルボン酸を得る方
法。
特公昭39−3842
(4)テトラヒドロチオフエン2.5−ジカルボン酸ジ
メチルエステルとイオウ原子を反応させ、チオフエン2
.5−ジカルボン酸ジメチルエステルを得る方法。
メチルエステルとイオウ原子を反応させ、チオフエン2
.5−ジカルボン酸ジメチルエステルを得る方法。
・−チェコスロバキア特許第140878号(5)テト
ラヒドロチオフエン2.5−ジカルボン酸ジメチルエス
テルを塩素化し、3,4−ジクロロテトラヒド口チオフ
ェン2.5−ジカルボン酸ジメチルエステルとし、さら
に加熱することにより、チオフエン2.5−ジカルボン
酸ジメチルエステルを得る方法。
ラヒドロチオフエン2.5−ジカルボン酸ジメチルエス
テルを塩素化し、3,4−ジクロロテトラヒド口チオフ
ェン2.5−ジカルボン酸ジメチルエステルとし、さら
に加熱することにより、チオフエン2.5−ジカルボン
酸ジメチルエステルを得る方法。
〜 −チェコスロバキア特許第137032号等が知ら
れている。
れている。
しかしながら、何れの方法も、反応時間が長く収率が悪
い等、コスト的に満足できるものはなく、中には、塩化
水素、二酸化イオウが廃ガスとして副生するものもあり
、工業的に実施するには、有利な方法とはいえない。
い等、コスト的に満足できるものはなく、中には、塩化
水素、二酸化イオウが廃ガスとして副生するものもあり
、工業的に実施するには、有利な方法とはいえない。
前記状況に鑑みて本発明者らは、チオフエンジカルボン
酸ジエステルの工業的に有利な製造方法について鋭意検
討した結果、原料としてテトラヒドロチオフエンジカル
ボン酸ジエステルを用い、これをハロゲン化した後に、
脱ハロゲン化水素反応を行えば、容易に、チオフェンジ
カルボン酸ジエステルが得られることを見い出し、平戒
1年3月13日に「チオフエンジカルボン酸ジエステル
およびその製造方法」として特許出願した。(特願平1
61185)特願平1−61185記載の方法は、
一般式(I′)で表されるチオフエンジカルボン酸ジ(
式中R′はCエ〜C8のアルキル基、フェニル基、核置
換フェニル基またはベンジル基を示す。) を製造するに際し、一般式(■′)で表されるテトラヒ
ド口チオフェンジカルボン酸ジエステ(式中R′は上記
定義と同じである。)をハロゲン化して一般式(III
)で表される(式中XはCIまたはBrを示し、R′は
上記定義と同じである。) ジハロテトラヒドロチオフェンジカルボン酸ジエステル
となし、引き続き、添加剤の存在下に脱ハロゲン化水素
反応を行うことを特徴とする一般式(工′)で表される
化合物の製造方法である。
酸ジエステルの工業的に有利な製造方法について鋭意検
討した結果、原料としてテトラヒドロチオフエンジカル
ボン酸ジエステルを用い、これをハロゲン化した後に、
脱ハロゲン化水素反応を行えば、容易に、チオフェンジ
カルボン酸ジエステルが得られることを見い出し、平戒
1年3月13日に「チオフエンジカルボン酸ジエステル
およびその製造方法」として特許出願した。(特願平1
61185)特願平1−61185記載の方法は、
一般式(I′)で表されるチオフエンジカルボン酸ジ(
式中R′はCエ〜C8のアルキル基、フェニル基、核置
換フェニル基またはベンジル基を示す。) を製造するに際し、一般式(■′)で表されるテトラヒ
ド口チオフェンジカルボン酸ジエステ(式中R′は上記
定義と同じである。)をハロゲン化して一般式(III
)で表される(式中XはCIまたはBrを示し、R′は
上記定義と同じである。) ジハロテトラヒドロチオフェンジカルボン酸ジエステル
となし、引き続き、添加剤の存在下に脱ハロゲン化水素
反応を行うことを特徴とする一般式(工′)で表される
化合物の製造方法である。
(■′)
(m)
(1′ )
本発明者らは、前記反応についてさらに検討を加えた結
果、脱ハロゲン化水素反応の際に添加剤として金属ある
いは金属イオンを用いれば触媒量の使用量で、より温和
な条件で上記反応が進行し、高純度のチオフエンジカル
ボン酸ジエステルが収率よく得られることを見出し、本
発明に到達した。脱ハロゲン化水素反応は単に加熱のみ
で行うことができるのであるが、この場合、反応を約1
50℃の高温で行わなければならないため、熱履歴によ
るタール化が起こり、収率の低下を避けることができな
い。しかるに本発明の触媒量の安価な金属または金属イ
オンの添加によって後記実施例に示すような収率が得ら
れたことは驚くべき効果である。
果、脱ハロゲン化水素反応の際に添加剤として金属ある
いは金属イオンを用いれば触媒量の使用量で、より温和
な条件で上記反応が進行し、高純度のチオフエンジカル
ボン酸ジエステルが収率よく得られることを見出し、本
発明に到達した。脱ハロゲン化水素反応は単に加熱のみ
で行うことができるのであるが、この場合、反応を約1
50℃の高温で行わなければならないため、熱履歴によ
るタール化が起こり、収率の低下を避けることができな
い。しかるに本発明の触媒量の安価な金属または金属イ
オンの添加によって後記実施例に示すような収率が得ら
れたことは驚くべき効果である。
金属としては銅、鉄、亜鉛、錫等が使用できる。また金
属イオンとしてはl価.2価の銅イオン、2価,3価の
鉄イオン、2価の亜鉛イオン、2価,4価の錫イオン等
が使用できる。これらの金属イオンは、実用上塩酸塩、
硫酸塩、硝酸塩等として使用されるため、使用する塩の
具体例としては、塩化第一銅、塩化第二銅、硫酸第二銅
、塩化第二鉄、塩化亜鉛、塩化第二錫等を挙げることが
できる。
属イオンとしてはl価.2価の銅イオン、2価,3価の
鉄イオン、2価の亜鉛イオン、2価,4価の錫イオン等
が使用できる。これらの金属イオンは、実用上塩酸塩、
硫酸塩、硝酸塩等として使用されるため、使用する塩の
具体例としては、塩化第一銅、塩化第二銅、硫酸第二銅
、塩化第二鉄、塩化亜鉛、塩化第二錫等を挙げることが
できる。
金属あるいは金属イオンの添加量はジハロテトラヒドロ
チオフェンジカルボン酸ジエステルに対してo.ooi
〜0.1倍モル、好ましくは0.005〜0.05倍モ
ル使用する。
チオフェンジカルボン酸ジエステルに対してo.ooi
〜0.1倍モル、好ましくは0.005〜0.05倍モ
ル使用する。
使用量が少なすぎると添加効果が認められず、多すぎて
もそれに見合う効果がなく、有利な効果は得られない。
もそれに見合う効果がなく、有利な効果は得られない。
反応温度は70〜130℃の範囲であり、好ましくは8
0〜120℃の範囲で行う。反応温度が130゜Cを超
える時は、副反応のため収率が低下し、一方反応温度が
70℃未満の時は、反応速度が事実上遅すぎるので好ま
しくない。
0〜120℃の範囲で行う。反応温度が130゜Cを超
える時は、副反応のため収率が低下し、一方反応温度が
70℃未満の時は、反応速度が事実上遅すぎるので好ま
しくない。
一方、反応原料として用いるテトラヒドロチオフェンジ
カルボン酸ジエステルについては、種々の製造方法が公
知であるが、特願平1−61185記載の方法を用いる
ことにより有利に製造することができる。本願発明にお
いては、先ずテトラヒドロチオフエンジカルボン酸ジエ
ステルをハロゲン化するのであるが、この時に用いるハ
ロゲン化剤としては、塩素、臭素、塩化スルフリル、臭
化スルフリル等を用いることができ、その使用量はテト
ラヒド口チオフエンジカルボン酸ジエステルに対し、2
.0〜4,0倍モル、好ましくは2. 0〜3.0倍
モルである。ハロゲン化剤の使用量が少なすぎると収率
が低く、逆に多すぎると副反応が起きるので前記範囲内
で使用するのが好ましい。ハロゲン化反応は、無溶媒あ
るいは溶媒の存在下で行うことができる。溶媒を用いる
場合、特に限定されるものではないが、ベンゼン、トル
エン、キシレン、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン等
の芳香族化合物、n−へキサン、シクロヘキサン、n−
へブタン等の脂肪族炭化水素、クロロホルム、ジクロル
エタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素等を挙げる
ことができる。反応温度は通常−20℃〜40℃の範囲
であり、好ましくは、−15℃〜30℃の範囲で行う。
カルボン酸ジエステルについては、種々の製造方法が公
知であるが、特願平1−61185記載の方法を用いる
ことにより有利に製造することができる。本願発明にお
いては、先ずテトラヒドロチオフエンジカルボン酸ジエ
ステルをハロゲン化するのであるが、この時に用いるハ
ロゲン化剤としては、塩素、臭素、塩化スルフリル、臭
化スルフリル等を用いることができ、その使用量はテト
ラヒド口チオフエンジカルボン酸ジエステルに対し、2
.0〜4,0倍モル、好ましくは2. 0〜3.0倍
モルである。ハロゲン化剤の使用量が少なすぎると収率
が低く、逆に多すぎると副反応が起きるので前記範囲内
で使用するのが好ましい。ハロゲン化反応は、無溶媒あ
るいは溶媒の存在下で行うことができる。溶媒を用いる
場合、特に限定されるものではないが、ベンゼン、トル
エン、キシレン、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン等
の芳香族化合物、n−へキサン、シクロヘキサン、n−
へブタン等の脂肪族炭化水素、クロロホルム、ジクロル
エタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素等を挙げる
ことができる。反応温度は通常−20℃〜40℃の範囲
であり、好ましくは、−15℃〜30℃の範囲で行う。
反応温度が40℃をこえるときは副反応のため目的物の
収率は低下し、一方反応温度が−20℃未満のように低
くても特に有利な効果を得ることはできない。
収率は低下し、一方反応温度が−20℃未満のように低
くても特に有利な効果を得ることはできない。
かくして得られたジハロテトラヒド口チオフエンジカル
ボン酸ジエステルを前記した添加剤の存在下に脱ハロゲ
ン化水素反応を行うことにより、目的とするチオフエン
ジカルボン酸ジエステルを高純度で収率よく製造するこ
とができる。
ボン酸ジエステルを前記した添加剤の存在下に脱ハロゲ
ン化水素反応を行うことにより、目的とするチオフエン
ジカルボン酸ジエステルを高純度で収率よく製造するこ
とができる。
(実施例)
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明寸る。
実施例1
(チオフエン2.5−ジカルボン酸ジーn−プチルエス
テルの合成) テトラヒドロチオフエン2.5−ジカルボン酸ジーn−
ブチルエステルを塩素化し、引き続き添加剤として触媒
量の金属あるいは金属イオンの存在下で、脱塩化水素反
応させることによりチオフエンジカルボン酸ジーn−ブ
チルエステルを得た。すなわち、攪拌機、温度計、ガス
吹込管および冷却器を備えた300ml4ツロフラスコ
に、テトラヒドロチオフエン2,5−ジカルボン酸ジー
n−ブチルエステル28.8g(0.10モル)および
シクロヘキサン100mlを仕込み、攪拌下−10℃〜
−5℃にて塩素14.9g (0.21モル)をl時間
で導入した。その後同温度で1時間熟成し、塩素化反応
を行った。添加剤として、銅粉末0.318g(0.0
050モル)を加え、溶媒であるシクロヘキサンを留出
させながら105℃にて8時間攪拌し、脱塩化水素反応
を行った。反応終了後、残留物を減圧蒸留することによ
り、無色の液体であるチオフエン2.5−ジカルボン酸
ジーn−ブチルエステル27.3gを得た。テトラヒド
ロチオフェン2.5−ジカルボン酸ジーnーブチルエス
テルに対する収率は、96.0%、ガスクロマトグラフ
ィーによる純度測定結果は99.0%以上であった。
テルの合成) テトラヒドロチオフエン2.5−ジカルボン酸ジーn−
ブチルエステルを塩素化し、引き続き添加剤として触媒
量の金属あるいは金属イオンの存在下で、脱塩化水素反
応させることによりチオフエンジカルボン酸ジーn−ブ
チルエステルを得た。すなわち、攪拌機、温度計、ガス
吹込管および冷却器を備えた300ml4ツロフラスコ
に、テトラヒドロチオフエン2,5−ジカルボン酸ジー
n−ブチルエステル28.8g(0.10モル)および
シクロヘキサン100mlを仕込み、攪拌下−10℃〜
−5℃にて塩素14.9g (0.21モル)をl時間
で導入した。その後同温度で1時間熟成し、塩素化反応
を行った。添加剤として、銅粉末0.318g(0.0
050モル)を加え、溶媒であるシクロヘキサンを留出
させながら105℃にて8時間攪拌し、脱塩化水素反応
を行った。反応終了後、残留物を減圧蒸留することによ
り、無色の液体であるチオフエン2.5−ジカルボン酸
ジーn−ブチルエステル27.3gを得た。テトラヒド
ロチオフェン2.5−ジカルボン酸ジーnーブチルエス
テルに対する収率は、96.0%、ガスクロマトグラフ
ィーによる純度測定結果は99.0%以上であった。
実施例2〜12
第1表に示すテトラヒドロチオフエンジカルボン酸ジエ
ステル(0.10モル)、反応溶媒(100ml)、ハ
ロゲン化剤(0.21モル)を用い、添加剤としての金
属あるいは金属イオンの種類、使用量を変えた以外は、
実施例1と同様な操作を行い、目的物が液体のものは減
圧蒸留により単離し、固体のものは、反応終了後濾過、
精製することによりチオフエンジカルボン酸ジエステル
を得た。結果を表1に示した。
ステル(0.10モル)、反応溶媒(100ml)、ハ
ロゲン化剤(0.21モル)を用い、添加剤としての金
属あるいは金属イオンの種類、使用量を変えた以外は、
実施例1と同様な操作を行い、目的物が液体のものは減
圧蒸留により単離し、固体のものは、反応終了後濾過、
精製することによりチオフエンジカルボン酸ジエステル
を得た。結果を表1に示した。
なお、得られたチオフエンジカルボン酸ジエステルの純
度は、すべて99.0%以上であった(発明の効果) テトラヒドロチオフエンジカルボン酸ジエステルをハロ
ゲン化し、その後、脱ハロゲン化水素反応してチオフエ
ンジカルボン酸ジエステルを製造する際に、各種の金属
または金属イオンを添加することにより該ジエステルを
収率よく高純度で得ることができた。銅、鉄、亜鉛、錫
等の安価な金属またはその塩を触媒量用いるだけで前記
の効果を得ることができるため、本発明の方法は工業的
利用価値の極めて大きいものである。
度は、すべて99.0%以上であった(発明の効果) テトラヒドロチオフエンジカルボン酸ジエステルをハロ
ゲン化し、その後、脱ハロゲン化水素反応してチオフエ
ンジカルボン酸ジエステルを製造する際に、各種の金属
または金属イオンを添加することにより該ジエステルを
収率よく高純度で得ることができた。銅、鉄、亜鉛、錫
等の安価な金属またはその塩を触媒量用いるだけで前記
の効果を得ることができるため、本発明の方法は工業的
利用価値の極めて大きいものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)一般式( I ′) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ′) (式中R′はC_1〜C_8のアルキル基、フェニル基
、核置換フェニル基またはベンジル基を示す。) で表されるチオフェンジカルボン酸ジエステルを製造す
るに際し、 一般式(II′) ▲数式、化学式、表等があります▼(II′) (式中R′は上記定義と同じである。) で表されるテトラヒドロチオフェンジカルボン酸ジエス
テルをハロゲン化して 一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中XはClまたはBrを示し、R′は上記定義と同
じである。) で表されるジハロテトラヒドロチオフェンジカルボン酸
ジエステルとなし、引き続き添加剤の存在下に脱ハロゲ
ン化水素反応させることを特徴とする一般式( I ′)
で表されるチオフェンジカルボン酸ジエステルを製造す
る方法。 (2)ハロゲン化温度が−15〜30℃である請求項(
1)記載の方法。 (3)脱ハロゲン化反応の際に用いる添加剤が金属ある
いは金属イオンである請求項(1)記載の方法。 (4)金属あるいは金属イオンが銅あるいは銅イオンで
ある請求項(3)記載の方法。 (5)金属あるいは金属イオンが鉄あるいは鉄イオンで
ある請求項(3)記載の方法。 (6)金属あるいは金属イオンが亜鉛または亜鉛イオン
である請求項(3)記載の方法。(7)金属あるいは金
属イオンが錫または錫イオンである請求項(3)記載の
方法。 (8)金属あるいは金属イオンの添加量が、ジハロテト
ラヒドロチオフェンジカルボン酸ジエステルに対して0
.001〜0.1倍モルである請求項(3)記載の方法
。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188546A JPH082895B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | チオフェンジカルボン酸ジエステルを製造する方法 |
| DE69029754T DE69029754T2 (de) | 1989-03-13 | 1990-03-09 | Herstellung von Thiophen-2,5-Dicarbonsäurediestern und Tetrahydrothiophen-2,5-dicarbonsäurediestern |
| DE69032378T DE69032378T2 (de) | 1989-03-13 | 1990-03-09 | Ein Verfahren zur Herstellung von Dibenzoxazolylthiophenen |
| EP90104556A EP0387725B1 (en) | 1989-03-13 | 1990-03-09 | Production of thiophene-2,5-dicarboxylic acid diesters and tetrahydrothiophene-2,5-dicarboxylic acid diesters |
| EP96101671A EP0719774B1 (en) | 1989-03-13 | 1990-03-09 | A method for production of dibenzoxazolyl thiophenes |
| US07/492,072 US5093504A (en) | 1989-03-13 | 1990-03-12 | Production of thiophene-2,5-dicarboxylic acid diesters, tetrahydrothiophene-2,5-dicarboxylic acid diesters and dibenzoxazolylthiophenes |
| KR1019900003361A KR0142667B1 (ko) | 1989-03-13 | 1990-03-12 | 티오펜-2,5-디카르복실산 디에스테르, 테트라하이드로 티오펜-2,5-디카르복실산 디에스테르 및 디벤족사졸릴 티오펜의 제조방법 |
| CA002011948A CA2011948C (en) | 1989-03-13 | 1990-03-12 | Production of thiophene-2, 5-dicarboxylic acid diesters, tetrahydrothiophene-2, 5-dicarboxylic acid diesters and dibenzoxazolylthiophenes |
| US07/753,088 US5221749A (en) | 1989-03-13 | 1991-08-30 | Production of dibenzoxazolylthiophenes |
| US08/005,463 US5310940A (en) | 1989-03-13 | 1993-01-19 | Production of thiophene-2,5-dicarboxylic acid diesters, tetrahydrothiophene-2,5-dicarboxylic acid diesters and dibenzoxazolylthiophenes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188546A JPH082895B2 (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | チオフェンジカルボン酸ジエステルを製造する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352885A true JPH0352885A (ja) | 1991-03-07 |
| JPH082895B2 JPH082895B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=16225593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188546A Expired - Fee Related JPH082895B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-07-19 | チオフェンジカルボン酸ジエステルを製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH082895B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543129A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Dechlorination of chlorine-containing polymer |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1188546A patent/JPH082895B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543129A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Dechlorination of chlorine-containing polymer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH082895B2 (ja) | 1996-01-17 |
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