JPH0353071A - 管状体及び容器の内面への被膜形成方法及び装置 - Google Patents
管状体及び容器の内面への被膜形成方法及び装置Info
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- JPH0353071A JPH0353071A JP18591389A JP18591389A JPH0353071A JP H0353071 A JPH0353071 A JP H0353071A JP 18591389 A JP18591389 A JP 18591389A JP 18591389 A JP18591389 A JP 18591389A JP H0353071 A JPH0353071 A JP H0353071A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は管状体及び容器の内面への被膜形戒方法及び装
置に関する。
置に関する。
この種の方法及び装置としては、二種以上の原料ガスを
、該原料ガスの反応温度以上に加熱された管状体及び容
器（以下「管状体」という）内に導入して、該管状体の
内面に被膜を形戒する化学気相蒸着（ＣＶＤ）によるも
のが知られている。
、該原料ガスの反応温度以上に加熱された管状体及び容
器（以下「管状体」という）内に導入して、該管状体の
内面に被膜を形戒する化学気相蒸着（ＣＶＤ）によるも
のが知られている。
例えば、長手の管状体に被膜を形戒する装置としては、
従来、添付図面の第２図に示されているごとくのものが
ある。
従来、添付図面の第２図に示されているごとくのものが
ある。
第２図において、管状体Ｐの一端（図において左端）に
二種の原料ガスをそれぞれ導入するノズル５１Ａ，５１
Ｂ 、他端に真空排気管５２が接続されている。該真空
排気管５２は真空ボンプ５３を介して排ガス処理設備５
４につながっている。
二種の原料ガスをそれぞれ導入するノズル５１Ａ，５１
Ｂ 、他端に真空排気管５２が接続されている。該真空
排気管５２は真空ボンプ５３を介して排ガス処理設備５
４につながっている。
一方、上記ノズル５１Ａ，５１Ｂは、適宜流量制御手段
５５Ａ，５５Ｂと開閉弁５６Ａ，５６Ｂとを介して、そ
れぞれの原料ガス供給源５７Ａ，５７Ｂに接続されてい
る。
５５Ａ，５５Ｂと開閉弁５６Ａ，５６Ｂとを介して、そ
れぞれの原料ガス供給源５７Ａ，５７Ｂに接続されてい
る。
さらに、上記管状体Ｐの周囲には、その長平方向の一部
に加熱手段としてのヒータ５８Ａ ． ５８Ｂが設けら
れている。
に加熱手段としてのヒータ５８Ａ ． ５８Ｂが設けら
れている。
かかる装置において、二種の原料ガスをノズル５１Ａ，
５１Ｂから管状体Ｐ内に連続的に導入しながらヒータ
５８Ａ，５８Ｂを管状体の長手方向に移動させることに
より、管状体の各部分を順次ＣＶＤ反応温度まで加熱し
、管状体の長平方向に均一な膜厚の被膜を形戒せんとす
るものである。
５１Ｂから管状体Ｐ内に連続的に導入しながらヒータ
５８Ａ，５８Ｂを管状体の長手方向に移動させることに
より、管状体の各部分を順次ＣＶＤ反応温度まで加熱し
、管状体の長平方向に均一な膜厚の被膜を形戒せんとす
るものである。
しかしながら、上述の従来の手法によるＣＶＤ法で管状
体のような長尺物の内面に被膜を形戒する際に、次の二
つの問題があった。
体のような長尺物の内面に被膜を形戒する際に、次の二
つの問題があった。
■ 原料ガスの気相反応にもとづく粒子の生或をいかに
抑制するか。
抑制するか。
■ 管状体の長手方向にいかに均一な膜厚でかっ欠陥の
ない膜質（結晶構造）とするか。
ない膜質（結晶構造）とするか。
先ず、第一の問題に関しては、従来の装置は二種以上の
原料ガスを管状体内に供給する際、それぞれ別々の系統
で供給し、管状体内で混合させることにより、気相にお
けるガス同士の反応を抑制し、混合前における粒子の発
生を防ごうとしている。しかし、管状体内において混合
が充分に行われないために局所で高濃度ゾーンができ、
そこで粒子が発生し易くなるという問題がある。
原料ガスを管状体内に供給する際、それぞれ別々の系統
で供給し、管状体内で混合させることにより、気相にお
けるガス同士の反応を抑制し、混合前における粒子の発
生を防ごうとしている。しかし、管状体内において混合
が充分に行われないために局所で高濃度ゾーンができ、
そこで粒子が発生し易くなるという問題がある。
次に第二には、長尺の管状体内に原料ガスを導入すると
、入口側の膜厚が最大となり、出口に向かうにつれて膜
厚が減少する傾向がある。これに対し上記従来の装置は
、外部ヒータ５３Ａ，５８Ｂを長手方向に移動させる（
管状体の局所加熱位置を変える）ことにより、原料ガス
の反応ゾーンを制限して戒膜の均一を図っている。しか
しヒータが存在する加熱ゾーンとヒータの存在しない非
加熱ゾーンの間には、主として管状体自体の熱伝導によ
る中間温度ゾーンが必ずできる。一般にＣＶＤ反応では
反応温度が異なると、膜の結晶構造および或膜速度が異
なってくるため、中間温度ゾーンで生戒する膜は結晶構
造が所定のものとならず乱れを生じるという問題がある
。
、入口側の膜厚が最大となり、出口に向かうにつれて膜
厚が減少する傾向がある。これに対し上記従来の装置は
、外部ヒータ５３Ａ，５８Ｂを長手方向に移動させる（
管状体の局所加熱位置を変える）ことにより、原料ガス
の反応ゾーンを制限して戒膜の均一を図っている。しか
しヒータが存在する加熱ゾーンとヒータの存在しない非
加熱ゾーンの間には、主として管状体自体の熱伝導によ
る中間温度ゾーンが必ずできる。一般にＣＶＤ反応では
反応温度が異なると、膜の結晶構造および或膜速度が異
なってくるため、中間温度ゾーンで生戒する膜は結晶構
造が所定のものとならず乱れを生じるという問題がある
。
本発明は上記２つの問題点を解決するためになされたも
ので、管状体内面に欠陥のない均一膜質・均一膜厚の戒
膜を行う、管状体の内面への被膜形戒方法及び装置を提
供することを目的としている。
ので、管状体内面に欠陥のない均一膜質・均一膜厚の戒
膜を行う、管状体の内面への被膜形戒方法及び装置を提
供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によれば、上記目的は、その方法に関して、
管状体及び容器の開口を閉塞して該管状体及び容器内に
ノズルから二種以上の原料ガスを導入すると共に、上記
管状体及び容器を上記原料ガスの反応温度以上に加熱す
ることにより、上記管状体及び容器の内面に上記原料ガ
スを化学気相蒸着せしめて被膜を形戒する方法において
、 二種以上の原料ガスを、それぞれのガス溜め内に所定圧
のもとに貯留し、 少なくとも内面が反応温度以上に加熱された管状体及び
容器の内部空間を所定真空圧まで真空排気し、 上記それぞれのガス溜め内の原料ガスを反応温度以下で
予混合室内で予混合した後に上記内部空間へ瞬時だけ導
入し、 反応時間経過後に、上記真空排気そして予混合ガスの瞬
時導入を所定回数だけ交互に繰り返す、ことにより達戒
される。
ノズルから二種以上の原料ガスを導入すると共に、上記
管状体及び容器を上記原料ガスの反応温度以上に加熱す
ることにより、上記管状体及び容器の内面に上記原料ガ
スを化学気相蒸着せしめて被膜を形戒する方法において
、 二種以上の原料ガスを、それぞれのガス溜め内に所定圧
のもとに貯留し、 少なくとも内面が反応温度以上に加熱された管状体及び
容器の内部空間を所定真空圧まで真空排気し、 上記それぞれのガス溜め内の原料ガスを反応温度以下で
予混合室内で予混合した後に上記内部空間へ瞬時だけ導
入し、 反応時間経過後に、上記真空排気そして予混合ガスの瞬
時導入を所定回数だけ交互に繰り返す、ことにより達戒
される。
さらに、上記方法を実施するための装置に関しては、
管状体及び容器の開口を閉塞して該管状体及び容器内に
ノズルから二種以上の原料ガスを導入すると共に、上記
管状体及び容器を上記原料ガスの反応温度以上に加熱す
ることにより、上記管状体及び容器の内面に上記原料ガ
スを化学気相蒸着せしめて被膜を形威する装置において
、 二種以上の原料ガスの各原料ガス供給源に接続され、各
原料ガスを所定圧のもとてそれぞれ貯留するガス溜めと
、 各ガス溜めと接続されて、該各ガス溜めのそれぞれの原
料ガスを受けこれらを反応温度以下で予混合する予混合
室と、 予ｌ昆合室と接続されて、開口が閉塞された管状体及び
容器の内部空間内に予混合ガスを導入するノズルと、 上記内部空間を真空排気する真空排気手段と、管状体及
び容器の少なくとも内面を反応温度以上に加熱する加熱
手段とを、 備えることにより達或される。
ノズルから二種以上の原料ガスを導入すると共に、上記
管状体及び容器を上記原料ガスの反応温度以上に加熱す
ることにより、上記管状体及び容器の内面に上記原料ガ
スを化学気相蒸着せしめて被膜を形威する装置において
、 二種以上の原料ガスの各原料ガス供給源に接続され、各
原料ガスを所定圧のもとてそれぞれ貯留するガス溜めと
、 各ガス溜めと接続されて、該各ガス溜めのそれぞれの原
料ガスを受けこれらを反応温度以下で予混合する予混合
室と、 予ｌ昆合室と接続されて、開口が閉塞された管状体及び
容器の内部空間内に予混合ガスを導入するノズルと、 上記内部空間を真空排気する真空排気手段と、管状体及
び容器の少なくとも内面を反応温度以上に加熱する加熱
手段とを、 備えることにより達或される。
上記のごとくの本発明にあっては、二種以上の原料ガス
はノズルから管状体に導入される前に、反応温度以下で
予混合されて均一な混合状態となる。しかる後にこの混
合された原料ガスは、内面が一様に反応温度以上の温度
となっている管状体にノズルから導入されるために、上
記内面にて反応して均一な被膜を形成する。
はノズルから管状体に導入される前に、反応温度以下で
予混合されて均一な混合状態となる。しかる後にこの混
合された原料ガスは、内面が一様に反応温度以上の温度
となっている管状体にノズルから導入されるために、上
記内面にて反応して均一な被膜を形成する。
［実施例］
以下、添付図面にもとづき本発明の実施例を説明する。
第１図において、Ｐは内面が被膜形威されるべき管状体
である。該管状体Ｐの一端（図において左端）には原料
ガスを管状体Ｐ内に導入するためのノズル１がフランジ
２を介して取付けられている。また、他端には管状体Ｐ
の内部空間を真空引きするための真空排気管３がフラン
ジ４を介して取付けられている。
である。該管状体Ｐの一端（図において左端）には原料
ガスを管状体Ｐ内に導入するためのノズル１がフランジ
２を介して取付けられている。また、他端には管状体Ｐ
の内部空間を真空引きするための真空排気管３がフラン
ジ４を介して取付けられている。
一方、原料ガスの供給系統は、本実施例では最も簡単な
場合として二種のガスを供給するためのものが示されて
おり、二種の原料ガス供給源５Ａ，５１３を有している
。これらの原料ガス供給源５Ａ，５Ｂは、圧力調整弁６
Ａ，６Ｂそして開閉弁７Ａ，７Ｂを介して、それぞれガ
ス溜め８Ａ，８Ｂに接続されている。言亥ガス溜め８Ａ
，８Ｂにおいては、それぞれの原料ガスがノズルからの
噴出に適した圧力となるように上記圧力調整弁６Ａ ，
６Ｂで圧力調整された後貯留されている。
場合として二種のガスを供給するためのものが示されて
おり、二種の原料ガス供給源５Ａ，５１３を有している
。これらの原料ガス供給源５Ａ，５Ｂは、圧力調整弁６
Ａ，６Ｂそして開閉弁７Ａ，７Ｂを介して、それぞれガ
ス溜め８Ａ，８Ｂに接続されている。言亥ガス溜め８Ａ
，８Ｂにおいては、それぞれの原料ガスがノズルからの
噴出に適した圧力となるように上記圧力調整弁６Ａ ，
６Ｂで圧力調整された後貯留されている。
上記ガス溜め８Ａ，８Ｂは、開閉弁９Ａ ， ９Ｂそし
て逆止弁１０Ａ， ＩＯＢを介して上記ノズル１に接続
されている。該ノズル１はその入口側に、上記ガス溜め
８Ａ，８Ｂからの二種のガスを受け入れた際に両方のガ
スを反応温度以下で予混合するような予混合室１１を有
している。該予混合室１１は、図示の例のごとくノズル
と一体的に形威しても、また別体に形成してもよい。
て逆止弁１０Ａ， ＩＯＢを介して上記ノズル１に接続
されている。該ノズル１はその入口側に、上記ガス溜め
８Ａ，８Ｂからの二種のガスを受け入れた際に両方のガ
スを反応温度以下で予混合するような予混合室１１を有
している。該予混合室１１は、図示の例のごとくノズル
と一体的に形威しても、また別体に形成してもよい。
上記管状体Ｐの周囲には、その全長にわたり加熱手段（
ヒータ） １２Ａ，１２Ｂが配設されている。該ヒータ
１２Ａ．１２Ｂは、上記管状体Ｐの少なくとも被膜形威
されるべき内面を一様に反応温度以上に加熱するように
設定されている。
ヒータ） １２Ａ，１２Ｂが配設されている。該ヒータ
１２Ａ．１２Ｂは、上記管状体Ｐの少なくとも被膜形威
されるべき内面を一様に反応温度以上に加熱するように
設定されている。
次に、上記管状体Ｐの真空排気管３には、開閉弁ｌ３を
介し真空ポンプ１４そして排ガス処理設備１５が接続さ
れている。
介し真空ポンプ１４そして排ガス処理設備１５が接続さ
れている。
かかる本実施例装置を用いて、管状体の内面には次の要
領で被膜が形威される。
領で被膜が形威される。
先ず、原料ガス供給源５Ａ，５Ｂからの二種のガスを、
圧力調整弁６Ａ，６Ｂを用いてそれぞれ所定圧のもとに
ガス溜め８Ａ，８Ｂに貯留する。
圧力調整弁６Ａ，６Ｂを用いてそれぞれ所定圧のもとに
ガス溜め８Ａ，８Ｂに貯留する。
一方、管状体Ｐは真空ボンプ１４により所定の真空圧に
真空引きされた後に開閉弁ｌ３を閉しることによってそ
の真空圧が維持されており、またヒータ１２Ａ，１２Ｂ
によって内面が反応温度以上に保たれている。
真空引きされた後に開閉弁ｌ３を閉しることによってそ
の真空圧が維持されており、またヒータ１２Ａ，１２Ｂ
によって内面が反応温度以上に保たれている。
かかる状態で、開閉弁９Ａ，９Ｂを瞬時だけ開く。
すると、二種の原料ガスはノズルｌ内の予混合室１ｌ内
で反応温度以下で予混合された後に、該ノズル１から管
状体Ｐ内に噴出される。管状体Ｐ内は所定の真空圧に保
たれており、上記予混合された原料ガスは一様に拡散し
、反応温度となっている管状体の内面にて反応して被膜
を形成する。しかる後、真空ボンプ１４により、管状体
Ｐ内の残留ガスを排気すると共に管状体内を再び所定の
真空圧に保ち、再び予混合ガスを瞬時だけ導入し被膜を
厚くする。このようにして、被膜の厚さが所定になるま
で、上記真空排気そして予混合ガスの瞬時導入を繰り返
す。
で反応温度以下で予混合された後に、該ノズル１から管
状体Ｐ内に噴出される。管状体Ｐ内は所定の真空圧に保
たれており、上記予混合された原料ガスは一様に拡散し
、反応温度となっている管状体の内面にて反応して被膜
を形成する。しかる後、真空ボンプ１４により、管状体
Ｐ内の残留ガスを排気すると共に管状体内を再び所定の
真空圧に保ち、再び予混合ガスを瞬時だけ導入し被膜を
厚くする。このようにして、被膜の厚さが所定になるま
で、上記真空排気そして予混合ガスの瞬時導入を繰り返
す。
本発明によれば、例えば
■ＴｉＣ ｌ ４＋ Ｂ２Ｈ６→ＴｉＢ：＋ ＋ ＨＣ
ｊ２（６００゜Ｃ ：ＴｉＢ１７００゜Ｃ〜９００゜
Ｃ ：ＴｉＢ２）■ ＳｉｚＣｊ２ ａ ＋Ｃ３ＨＩＩ
＋ＨＺ→ＳｉＣ ＋ＨＣｆ ＋Ｉｚ（８００゜Ｃ： ビ
ッカース硬度２０００ｋｇ／鴫２のＳｉＣ）（１２００
″Ｃ： ビッカース硬度１５００ｋｇ／ ｍｍ２のＳｉ
Ｃ）■Ｂ （Ｃｚｌｌｓ） ｘ ＋ ＮＨｓ →ＢＮ
＋Ｃ２１１ｉ，（１０００゜Ｃ以上で六方晶） （１００（１″Ｃ以下でアモルファス）のごとくの反応
による被膜形戒ができる。
ｊ２（６００゜Ｃ ：ＴｉＢ１７００゜Ｃ〜９００゜
Ｃ ：ＴｉＢ２）■ ＳｉｚＣｊ２ ａ ＋Ｃ３ＨＩＩ
＋ＨＺ→ＳｉＣ ＋ＨＣｆ ＋Ｉｚ（８００゜Ｃ： ビ
ッカース硬度２０００ｋｇ／鴫２のＳｉＣ）（１２００
″Ｃ： ビッカース硬度１５００ｋｇ／ ｍｍ２のＳｉ
Ｃ）■Ｂ （Ｃｚｌｌｓ） ｘ ＋ ＮＨｓ →ＢＮ
＋Ｃ２１１ｉ，（１０００゜Ｃ以上で六方晶） （１００（１″Ｃ以下でアモルファス）のごとくの反応
による被膜形戒ができる。
その際、例えば上記■の場合、１０００″Ｃ以上におい
て結晶構造が六方晶となり、２００ ’Ｃベーキング時
におけるガス放出速度が、従来の１０−’Ｐａｍ’／ｓ
ｍ”に比し、１０−’Ｐａｎ’／ｓｍ２と低減化された
。
て結晶構造が六方晶となり、２００ ’Ｃベーキング時
におけるガス放出速度が、従来の１０−’Ｐａｍ’／ｓ
ｍ”に比し、１０−’Ｐａｎ’／ｓｍ２と低減化された
。
［発明の効果］
以上のごとく本発明は、その方法によれば管状体に原料
ガスを導入する際に、二種以上の原料ガスはすでに反応
温度以下で予混合されており、そして管状体への導入が
瞬時になされるため、原料ガスの濃度分布が均一となっ
て、被膜自体の結晶構造に乱れがなく均一な膜質かつ均
一膜厚の被膜が形戒されるという効果をもたらす。また
、本発明装置によれば、上記方法が容易に実施可能とな
る。
ガスを導入する際に、二種以上の原料ガスはすでに反応
温度以下で予混合されており、そして管状体への導入が
瞬時になされるため、原料ガスの濃度分布が均一となっ
て、被膜自体の結晶構造に乱れがなく均一な膜質かつ均
一膜厚の被膜が形戒されるという効果をもたらす。また
、本発明装置によれば、上記方法が容易に実施可能とな
る。
第１図は本発明の一実施例装置の概要構戒図、第２図は
従来装置の概要構或図である。
従来装置の概要構或図である。
Claims (2)
- （１）管状体及び容器の開口を閉塞して該管状体及び容
器内にノズルから二種以上の原料ガスを導入すると共に
、上記管状体及び容器を上記原料ガスの反応温度以上に
加熱することにより、上記管状体及び容器の内面に上記
原料ガスを化学気相蒸着せしめて被膜を形成する方法に
おいて、 二種以上の原料ガスを、それぞれのガス溜め内に所定圧
のもとに貯留し、 少なくとも内面が反応温度以上に加熱された管状体及び
容器の内部空間を所定真空圧まで真空排気し、 上記それぞれのガス溜め内の原料ガスを反応温度以下で
予混合室内で予混合した後に上記内部空間へ瞬時だけ導
入し、 反応時間経過後に、上記真空排気そして予混合ガスの瞬
時導入を所定回数だけ交互に繰り返す、ことを特徴とす
る管状体及び容器の内面への被膜形成方法。 - （２）管状体及び容器の開口を閉塞して該管状体及び容
器内にノズルから二種以上の原料ガスを導入すると共に
、上記管状体及び容器を上記原料ガスの反応温度以上に
加熱することにより、上記管状体及び容器の内面に上記
原料ガスを化学気相蒸着せしめて被膜を形成する装置に
おいて、 二種以上の原料ガスの各原料ガス供給源に接続され、各
原料ガスを所定圧のもとでそれぞれ貯留するガス溜めと
、 各ガス溜めと接続されて、該各ガス溜めのそれぞれの原
料ガスを受けこれらを反応温度以下で予混合する予混合
室と、 予混合室と接続されて、開口が閉塞された管状体及び容
器の内部空間内に予混合ガスを導入するノズルと、 上記内部空間を真空排気する真空排気手段と、管状体及
び容器の少なくとも内面を反応温度以上に加熱する加熱
手段とを、 備えることを特徴とする管状体及び容器の内面への被膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18591389A JPH0353071A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 管状体及び容器の内面への被膜形成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18591389A JPH0353071A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 管状体及び容器の内面への被膜形成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353071A true JPH0353071A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16179072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18591389A Pending JPH0353071A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 管状体及び容器の内面への被膜形成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353071A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103484829A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-01-01 | 西安超码科技有限公司 | 一种管内化学气相沉积制备薄膜的方法及装置 |
| JP2017179472A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社デンソー | 部材の製造方法、および、部材の製造装置 |
| WO2018150946A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社エンプラス | 微小流路のコーティング装置および微小流路のコーティング方法 |
| CN114318240A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-12 | 北京胜泰东方科技有限公司 | 一种管道内壁聚对二甲苯镀膜设备及镀膜方法 |
| CN119194395A (zh) * | 2024-11-27 | 2024-12-27 | 上海派拉纶生物技术股份有限公司 | 一种管形工件内壁薄膜沉积装置及方法 |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18591389A patent/JPH0353071A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103484829A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-01-01 | 西安超码科技有限公司 | 一种管内化学气相沉积制备薄膜的方法及装置 |
| JP2017179472A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社デンソー | 部材の製造方法、および、部材の製造装置 |
| WO2018150946A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社エンプラス | 微小流路のコーティング装置および微小流路のコーティング方法 |
| JP2018135545A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 株式会社エンプラス | 微小流路のコーティング装置および微小流路のコーティング方法 |
| CN114318240A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-12 | 北京胜泰东方科技有限公司 | 一种管道内壁聚对二甲苯镀膜设备及镀膜方法 |
| CN114318240B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-12-15 | 苏州航东真空技术有限公司 | 一种管道内壁聚对二甲苯镀膜方法 |
| CN119194395A (zh) * | 2024-11-27 | 2024-12-27 | 上海派拉纶生物技术股份有限公司 | 一种管形工件内壁薄膜沉积装置及方法 |
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