JPH0353083A - 半導体素子の金属汚染を防止する方法 - Google Patents
半導体素子の金属汚染を防止する方法Info
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- JPH0353083A JPH0353083A JP18951889A JP18951889A JPH0353083A JP H0353083 A JPH0353083 A JP H0353083A JP 18951889 A JP18951889 A JP 18951889A JP 18951889 A JP18951889 A JP 18951889A JP H0353083 A JPH0353083 A JP H0353083A
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- soln
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体素子の洗浄もしくはエノチングに関する
ものである。さらに詳しくは、半導体素子の洗浄もしく
はエンチングを湿式法で行う場合において、薬液中にあ
る種の短分子長アニオン型界面活性剤を添加することに
よって、半導体素子の金属汚染を防止する方法に関する
ものである． 〔従来の技術〕 半導体素子製造プロセスはシリコン単結晶から最終の半
導体素子に至るまで多くの工程から構威され、また通常
そうした各工程の前後で湿式もしくはドライ方式の洗浄
により、シリコン素子の粒子、金属汚染を除く必要があ
ることも知られている。
ものである。さらに詳しくは、半導体素子の洗浄もしく
はエンチングを湿式法で行う場合において、薬液中にあ
る種の短分子長アニオン型界面活性剤を添加することに
よって、半導体素子の金属汚染を防止する方法に関する
ものである． 〔従来の技術〕 半導体素子製造プロセスはシリコン単結晶から最終の半
導体素子に至るまで多くの工程から構威され、また通常
そうした各工程の前後で湿式もしくはドライ方式の洗浄
により、シリコン素子の粒子、金属汚染を除く必要があ
ることも知られている。
プラズマ処理のようなドライ洗浄、エッチングの技術で
は、気体ハロゲン化物として半導体素子表面から除去で
きる元素はＳｉ，ＡＩ，Ｃｒ、ＷＳＭｏ．．Ｔａ，Ｐ，
Ｂ，Ｃ，Ａｓ等に限られ、Ｌｉ，ＮａＳＫ等のアルカリ
金属、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、Ｃｕ，
Ｎｉ，Ｚｎ等の重金属については除去が困難となってい
る。
は、気体ハロゲン化物として半導体素子表面から除去で
きる元素はＳｉ，ＡＩ，Ｃｒ、ＷＳＭｏ．．Ｔａ，Ｐ，
Ｂ，Ｃ，Ａｓ等に限られ、Ｌｉ，ＮａＳＫ等のアルカリ
金属、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、Ｃｕ，
Ｎｉ，Ｚｎ等の重金属については除去が困難となってい
る。
こうしたドライ方式の欠点を補うために、湿式の洗浄、
エッチングが半導体加工プロセスにおいて併行して使わ
れている。
エッチングが半導体加工プロセスにおいて併行して使わ
れている。
湿式の洗浄やエッチングの代表例としては、次のような
組合せが知られている。
組合せが知られている。
■ ＲＣＡ法（洗浄）
ＮＨ４０Ｈ ＋ ＨｔＯｚ 、ｆｌＦ， ＨＣＩ ＋
Ｉ｛ｚＯｔ、純水リンス ■ 王水法（洗浄） ｝ＩＣＩ ＋ ＨＮＯ， 、ＩＩＦ、ＨＣＩ ＋ ＨＮ
Ｏ３ 、純水リンス ■ ピラニア＋ＨＦ法（跣浄） ＨｚＳＯ４＋ ＨｔＯｘ 、ＨＦ、純水リンス■ バン
ファードフッ酸法（エッチング）ＮＨ４Ｆ ＋ Ｈ
Ｆ，純水リンス 〔発明が解決しよとする課題〕 このように洗浄やエッチングには多くの薬液が使用され
るが、半導体素子の微細化、高集積化につれて粒子や金
属の汚染度は一段と低レベルに管理されなければならな
い。しかし、こうした薬液を洗浄、エンチングの目的で
使用する場合に、薬液中に溶解して電気陰性度がＳｉよ
り大きいＣｕ，Ｈｇ，Ａｇ，ＰＬ．．Ａｕ等の元素は電
気化学的にシリコン素子表面に沈積しやすいことも知ら
れている。また電気陰性度がＳｉに近いＰｂ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ等も沈積する可能性がある。特にこの現象はシリコン
酸化膜上よりも、金属シリコン表面で起こりやすい。
Ｉ｛ｚＯｔ、純水リンス ■ 王水法（洗浄） ｝ＩＣＩ ＋ ＨＮＯ， 、ＩＩＦ、ＨＣＩ ＋ ＨＮ
Ｏ３ 、純水リンス ■ ピラニア＋ＨＦ法（跣浄） ＨｚＳＯ４＋ ＨｔＯｘ 、ＨＦ、純水リンス■ バン
ファードフッ酸法（エッチング）ＮＨ４Ｆ ＋ Ｈ
Ｆ，純水リンス 〔発明が解決しよとする課題〕 このように洗浄やエッチングには多くの薬液が使用され
るが、半導体素子の微細化、高集積化につれて粒子や金
属の汚染度は一段と低レベルに管理されなければならな
い。しかし、こうした薬液を洗浄、エンチングの目的で
使用する場合に、薬液中に溶解して電気陰性度がＳｉよ
り大きいＣｕ，Ｈｇ，Ａｇ，ＰＬ．．Ａｕ等の元素は電
気化学的にシリコン素子表面に沈積しやすいことも知ら
れている。また電気陰性度がＳｉに近いＰｂ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ等も沈積する可能性がある。特にこの現象はシリコン
酸化膜上よりも、金属シリコン表面で起こりやすい。
したがって薬液の中でもフッ化水素酸のように、金属シ
リコン表面の酸化膜を溶解してしまう場合には、他の′
ａ鉱酸やリンス水よりも金属不純物が洗浄やエッチング
の過程で沈積しやすい．この場合、薬液中に金属イオン
を浦捉するためにキレート剤を入れても実際上、汚染を
防止することは難しい。
リコン表面の酸化膜を溶解してしまう場合には、他の′
ａ鉱酸やリンス水よりも金属不純物が洗浄やエッチング
の過程で沈積しやすい．この場合、薬液中に金属イオン
を浦捉するためにキレート剤を入れても実際上、汚染を
防止することは難しい。
各種の金属元素は薬液ばかりでなく、装置、環境、プロ
セスガス、プロセス化或品等の多くの要因から混入して
くる危険性があり、半導体素子の微細化、高集積化が進
むにつれて厳しい清浄度管理が避けられない。
セスガス、プロセス化或品等の多くの要因から混入して
くる危険性があり、半導体素子の微細化、高集積化が進
むにつれて厳しい清浄度管理が避けられない。
〔課題を解決するための手段および作用〕本発明者らは
鋭意研究を行った結果、従来の上記湿式洗浄、エッチン
グの問題点を解決するために、ある種の界面活性剤を添
加剤としてこれらの薬液に少量加えると、半導体素子表
面への金属戊積が抑制されることを見出し、本発明を完
戒させるに至った． すなわち、本発明の主旨はフッ化水素酸、フフ化アンモ
ニウム水溶液、過酸化水素水、アンモニア水、硫酸、塩
酸、蛸酸、アルコールおよび純水等からなる半導体素子
洗浄用もしくはエッチング用薬液に、アルキル基の炭素
数が４〜７のア二オン型界面活性剤の少なくとも１種を
少量添加することにより、半導体素子の金属汚染を防止
することにある． ところで、各種の洗浄、エッチングに使用される代表的
な薬液に可溶性金属フノ化物塩類を所定量溶解させ、そ
の試料溶液の中に、前もって硫酸／過酸化水素、純水、
ｌＯ％フノ化水素酸の順に洗浄処理したベアシリコンウ
エハを常温で１時間浸せきする。その後純水でリンスし
、さらに清浄な窒素ガスでブロー乾燥させた後、電子線
マイクロアナライザーを使って各種金属イオンの沈積量
を測定した．表１は元の薬液に対して１００ｐｐｍの各
種金属イオンを添加した場合に沈積しやすい元素の種類
を示している。
鋭意研究を行った結果、従来の上記湿式洗浄、エッチン
グの問題点を解決するために、ある種の界面活性剤を添
加剤としてこれらの薬液に少量加えると、半導体素子表
面への金属戊積が抑制されることを見出し、本発明を完
戒させるに至った． すなわち、本発明の主旨はフッ化水素酸、フフ化アンモ
ニウム水溶液、過酸化水素水、アンモニア水、硫酸、塩
酸、蛸酸、アルコールおよび純水等からなる半導体素子
洗浄用もしくはエッチング用薬液に、アルキル基の炭素
数が４〜７のア二オン型界面活性剤の少なくとも１種を
少量添加することにより、半導体素子の金属汚染を防止
することにある． ところで、各種の洗浄、エッチングに使用される代表的
な薬液に可溶性金属フノ化物塩類を所定量溶解させ、そ
の試料溶液の中に、前もって硫酸／過酸化水素、純水、
ｌＯ％フノ化水素酸の順に洗浄処理したベアシリコンウ
エハを常温で１時間浸せきする。その後純水でリンスし
、さらに清浄な窒素ガスでブロー乾燥させた後、電子線
マイクロアナライザーを使って各種金属イオンの沈積量
を測定した．表１は元の薬液に対して１００ｐｐｍの各
種金属イオンを添加した場合に沈積しやすい元素の種類
を示している。
表の中で示すイオン沈積量はシリコンに対する各種金属
の電子線マイクロアナライザーの検出ピーク比の形で表
示している（ＣＰＳ／ＣＰＳ）。この表から金属イオン
の種類により沈積量や沈積状態が異なり、イオン化傾向
、電気陰性度の影響を受けていることが分かる。表１の
例よりも沈積量のかなり少ない他の薬剤からの吸着も無
視できない場合が多い。
の電子線マイクロアナライザーの検出ピーク比の形で表
示している（ＣＰＳ／ＣＰＳ）。この表から金属イオン
の種類により沈積量や沈積状態が異なり、イオン化傾向
、電気陰性度の影響を受けていることが分かる。表１の
例よりも沈積量のかなり少ない他の薬剤からの吸着も無
視できない場合が多い。
表２はシリコン金属表面に比較的沈積しゃすい消イオン
（ Ｃｕ ＋ ６ ）と各種の界面活性剤を各種の薬７
夜に添加して、界面活性剤の種類の差による金属沈積量
を示している。銅イオンの添加量は０． １ ７ ｍｍ
ｏｌ／ Ｌ ，界面活性剤の添加量は０．６ ７ ｍｍ
ｏｌ／ Ｌである。イオン沈積量は表１と同様電子線マ
イクロアナライザー測定における検出ピーク比で示して
いる。
（ Ｃｕ ＋ ６ ）と各種の界面活性剤を各種の薬７
夜に添加して、界面活性剤の種類の差による金属沈積量
を示している。銅イオンの添加量は０． １ ７ ｍｍ
ｏｌ／ Ｌ ，界面活性剤の添加量は０．６ ７ ｍｍ
ｏｌ／ Ｌである。イオン沈積量は表１と同様電子線マ
イクロアナライザー測定における検出ピーク比で示して
いる。
この表から分かるように薬液中に共存する界面活性剤は
その種類によって効果は大きく異なり、ある種の界面活
性剤は化学的沈積を防止できる可能性を示唆している。
その種類によって効果は大きく異なり、ある種の界面活
性剤は化学的沈積を防止できる可能性を示唆している。
しかし半導体製造プロセスにおいて添加剤を加えること
は、たとえそれによって金属汚染を防止できるとは言え
、それ自体が一つの系汚染であり、添加する界面活性剤
はプロセスに対して悪影響を及ぼさないものの中から、
充分吟味された上で選沢されなければならない。
は、たとえそれによって金属汚染を防止できるとは言え
、それ自体が一つの系汚染であり、添加する界面活性剤
はプロセスに対して悪影響を及ぼさないものの中から、
充分吟味された上で選沢されなければならない。
まず洗浄、エッチング工程において安定した特性が求め
られる。薬液に透明に溶解し、添加後も薬液中で長期間
使用したり保存したりしても、その分子構造が維持され
る化学的に安定した化合物でなければならない。例えば
その分子構造内にエステル構造やエーテル構造があって
使用中に加水分解したりしてはならない．また湿式処理
方式で、通常、系内で発生する粒子を除去するために行
われる薬液の循環濾過時に、フィルターに吸着されてし
まう界面活性剤も不都合である。市販されている界面活
性剤の大半は吸着されてしまうため使用できない．半導
体プロセスで使用される薬液中の不純物はその洗浄、エ
ッチング対象である半導体素子の微細化、高集積化につ
れ低レベルに管理されねばならず、例えば不純物金属イ
オンは０． １〜１ ｐｐｂ以下が望まれるため、たと
え少量しか添加しない界面活性剤であっても同レベルに
精製できるのものでなければならない。一方、微細化、
高集積化につれ、洗浄、エッチングの対象となる素子表
面の加工寸法単位は、例えば、（０．１〜１０）×１０
４人と極めて微小であり、使用する界面活性剤の単分子
膜が素子表面に形威されるとしても、おのずと配列する
界面活性剤の分子長が極めて微小でなければ不均一な膜
となり、微小領域の均一な洗浄、エッチングが達或でき
ない。
られる。薬液に透明に溶解し、添加後も薬液中で長期間
使用したり保存したりしても、その分子構造が維持され
る化学的に安定した化合物でなければならない。例えば
その分子構造内にエステル構造やエーテル構造があって
使用中に加水分解したりしてはならない．また湿式処理
方式で、通常、系内で発生する粒子を除去するために行
われる薬液の循環濾過時に、フィルターに吸着されてし
まう界面活性剤も不都合である。市販されている界面活
性剤の大半は吸着されてしまうため使用できない．半導
体プロセスで使用される薬液中の不純物はその洗浄、エ
ッチング対象である半導体素子の微細化、高集積化につ
れ低レベルに管理されねばならず、例えば不純物金属イ
オンは０． １〜１ ｐｐｂ以下が望まれるため、たと
え少量しか添加しない界面活性剤であっても同レベルに
精製できるのものでなければならない。一方、微細化、
高集積化につれ、洗浄、エッチングの対象となる素子表
面の加工寸法単位は、例えば、（０．１〜１０）×１０
４人と極めて微小であり、使用する界面活性剤の単分子
膜が素子表面に形威されるとしても、おのずと配列する
界面活性剤の分子長が極めて微小でなければ不均一な膜
となり、微小領域の均一な洗浄、エッチングが達或でき
ない。
望ましくは通常市販されている炭素鎖が直線にして数百
人以上の界面活性剤ではなく、それより短く炭素数にし
て４〜８程度の低分子でなければ微細加工部分において
立体的な配列障害を起こす可能性がある。
人以上の界面活性剤ではなく、それより短く炭素数にし
て４〜８程度の低分子でなければ微細加工部分において
立体的な配列障害を起こす可能性がある。
また界面活性剤を添加することによって、無添加時に得
られた工程加工上の処理条件や素子特性に影響がでるこ
とも避けなければならない。
られた工程加工上の処理条件や素子特性に影響がでるこ
とも避けなければならない。
界面活性剤の一般的特性である発泡性は、半導体素子表
面において付着した泡が洗浄、エッチングを阻害し、不
均一な表面を作ることにつながるため、極力避けなけれ
ばならない。これを避けるために消泡剤を添加すること
も考えられるが、好ましくは発泡性のほとんどない界面
活性剤を用いるのが良い．また加えた界面活性剤が洗浄
やエッチングの後に続く、純水リンス時に簡単に除去さ
れて残らないことも不可欠である．もし表面に界面活性
剤が残ると一種の有機汚染と言えるため、以降の工程や
素子の電気的特性にも悪影響を与えることになる。界面
活性剤の残留は過大な添加量や、種類によって起こり、
例えば素子上の酸化膜の表面に通常存在するシラノール
基（→ＳｉＯＨ）と反応しやすいカチオン系界面活性剤
は使用できないものが多い．またカチオン系界面活性剤
の場合には、これ以外にも、素子上のシリコン酸化膜の
エッチング時において、同じ要因によりエンチング速度
を大幅に減少させてしまうという問題もあるため使えな
い． こうした現象から、本発明者らは洗浄やエッチングの工
程に使用される薬液に添加する界面活性剤について、半
導体素子の金属汚染を防止でき、しかも安定した特性を
持ち、素子加工の処理特性に悪影響も与えない界面活性
剤を種々探索した結果、直鎖型もしくは側鎖型のアルキ
ル基を持つ、Ｃ．ＨＶＣＯ○Ｈ ， Ｃ Ｘ Ｈ ｖ
Ｓ Ｏ ｘ Ｈ ，ＣＸＦＶＣＯＯＨ，Ｃ．Ｆ．ＳＯ．
Ｈ （式中、Ｘは４〜７の整数、Ｙは９〜１５の整数）
もしくはその塩類であるアニオン型界面活性剤のみがこ
うした厳しい条件に適応できることを見出すに至った． 一方、 界面活性剤の添加が半導体素子の洗浄、エッチング時に
おける金属汚染の防止に役立つこととは別に、従来から
知られているように、界面活性剤本来の効用として、薬
液とそれに接触する固体の界面状態が変化する。一般的
に薬液に界面活性剤を添加すると、薬液の表面張力を低
下させ、また、素子と薬液の界面の接触角を低下させ、
その結果、素子表面の濡れや微細加工部分への薬液の浸
透が促進される．またそのままの大きさでは半導体素子
の加工プロセスに害を与えるような、薬液中で二次凝集
している固体粒子や浮遊している有機油分が小さな一次
粒子に分散したり、素子表面に付着している固体粒子、
有機油分、泡状気体等が薬液中に抽出されて安定して分
散する等の、界面活性剤添加効果は素子加工工程の収率
向上に大きな意味を持つ。偶然にも本発明で見出された
界面活性剤は、そうした界面活性剤本来に求められてい
る特性も最も優れており、本発明の原理とも一部通じて
いると考えられる． 本発明における界面活性剤の疎水基であるアルキル基は
、炭素数が３以下の場合大量添加時にも各種薬液の表面
張力や接触角といった界面活性剤本来の特性が変わらな
いため、好ましくない。
面において付着した泡が洗浄、エッチングを阻害し、不
均一な表面を作ることにつながるため、極力避けなけれ
ばならない。これを避けるために消泡剤を添加すること
も考えられるが、好ましくは発泡性のほとんどない界面
活性剤を用いるのが良い．また加えた界面活性剤が洗浄
やエッチングの後に続く、純水リンス時に簡単に除去さ
れて残らないことも不可欠である．もし表面に界面活性
剤が残ると一種の有機汚染と言えるため、以降の工程や
素子の電気的特性にも悪影響を与えることになる。界面
活性剤の残留は過大な添加量や、種類によって起こり、
例えば素子上の酸化膜の表面に通常存在するシラノール
基（→ＳｉＯＨ）と反応しやすいカチオン系界面活性剤
は使用できないものが多い．またカチオン系界面活性剤
の場合には、これ以外にも、素子上のシリコン酸化膜の
エッチング時において、同じ要因によりエンチング速度
を大幅に減少させてしまうという問題もあるため使えな
い． こうした現象から、本発明者らは洗浄やエッチングの工
程に使用される薬液に添加する界面活性剤について、半
導体素子の金属汚染を防止でき、しかも安定した特性を
持ち、素子加工の処理特性に悪影響も与えない界面活性
剤を種々探索した結果、直鎖型もしくは側鎖型のアルキ
ル基を持つ、Ｃ．ＨＶＣＯ○Ｈ ， Ｃ Ｘ Ｈ ｖ
Ｓ Ｏ ｘ Ｈ ，ＣＸＦＶＣＯＯＨ，Ｃ．Ｆ．ＳＯ．
Ｈ （式中、Ｘは４〜７の整数、Ｙは９〜１５の整数）
もしくはその塩類であるアニオン型界面活性剤のみがこ
うした厳しい条件に適応できることを見出すに至った． 一方、 界面活性剤の添加が半導体素子の洗浄、エッチング時に
おける金属汚染の防止に役立つこととは別に、従来から
知られているように、界面活性剤本来の効用として、薬
液とそれに接触する固体の界面状態が変化する。一般的
に薬液に界面活性剤を添加すると、薬液の表面張力を低
下させ、また、素子と薬液の界面の接触角を低下させ、
その結果、素子表面の濡れや微細加工部分への薬液の浸
透が促進される．またそのままの大きさでは半導体素子
の加工プロセスに害を与えるような、薬液中で二次凝集
している固体粒子や浮遊している有機油分が小さな一次
粒子に分散したり、素子表面に付着している固体粒子、
有機油分、泡状気体等が薬液中に抽出されて安定して分
散する等の、界面活性剤添加効果は素子加工工程の収率
向上に大きな意味を持つ。偶然にも本発明で見出された
界面活性剤は、そうした界面活性剤本来に求められてい
る特性も最も優れており、本発明の原理とも一部通じて
いると考えられる． 本発明における界面活性剤の疎水基であるアルキル基は
、炭素数が３以下の場合大量添加時にも各種薬液の表面
張力や接触角といった界面活性剤本来の特性が変わらな
いため、好ましくない。
本発明に基づく界面活性剤を洗浄もしくはエノチング用
の薬液に添加する場合、必ず１種類である制約はなく、
複数使用することも可能であり、むしろその方が複合的
に良い効果をもたらすこともある． 界面活性剤の添加量については１〜５００１）Ｉ）Ｉ１
の範囲で本発明の効果が期待できるａｌｌ）ｐｌｌ以下
の添加量では処理対象物である半導体素子の表面に対し
て、界面活性剤の単分子層が構成できない量であり、均
一に素子表面の金属汚染を防止することができない。ま
た５ ０ ０ ｐｐｍ以上の添加量では素子の表面層を
カバーする必要量を大幅に越えているため、むしろ処理
後の純水リンスで簡単に除去できない結果となり不都合
となる．薬液の種類、素子の種類および洗浄、エンチン
グの条件によって多少異なるが、上記の範囲内でも特に
１０〜２０Ｏｐｐ−の濃度範囲が好ましい． 〔発明の効果〕 本発明における半導体素子の金属汚染を防止する方法は
、半導体素子の微細化、高集積化に対応して、洗浄もし
くはエッチングを湿式法で行う場合に、極めて有効なも
のである．〔実施例１〜５および比較例１〜１０）ＣＺ
−Ｐ型（１００）シリンコンウエハを１５Ｘ１５ａａ角
に切断後、以下■〜■の手順で洗浄し、各種の薬液の可
溶性のフフ化銅・三水和物を銅イオンとして０． １
７ １Ｉ１！１０１／ Ｌになるよう添加し、さらに各
種の界面活性剤を０． ６ ７ ｍｍｏｌ／Ｌになるよ
う添加して調合した試料液の中に一時間浸せきした。
の薬液に添加する場合、必ず１種類である制約はなく、
複数使用することも可能であり、むしろその方が複合的
に良い効果をもたらすこともある． 界面活性剤の添加量については１〜５００１）Ｉ）Ｉ１
の範囲で本発明の効果が期待できるａｌｌ）ｐｌｌ以下
の添加量では処理対象物である半導体素子の表面に対し
て、界面活性剤の単分子層が構成できない量であり、均
一に素子表面の金属汚染を防止することができない。ま
た５ ０ ０ ｐｐｍ以上の添加量では素子の表面層を
カバーする必要量を大幅に越えているため、むしろ処理
後の純水リンスで簡単に除去できない結果となり不都合
となる．薬液の種類、素子の種類および洗浄、エンチン
グの条件によって多少異なるが、上記の範囲内でも特に
１０〜２０Ｏｐｐ−の濃度範囲が好ましい． 〔発明の効果〕 本発明における半導体素子の金属汚染を防止する方法は
、半導体素子の微細化、高集積化に対応して、洗浄もし
くはエッチングを湿式法で行う場合に、極めて有効なも
のである．〔実施例１〜５および比較例１〜１０）ＣＺ
−Ｐ型（１００）シリンコンウエハを１５Ｘ１５ａａ角
に切断後、以下■〜■の手順で洗浄し、各種の薬液の可
溶性のフフ化銅・三水和物を銅イオンとして０． １
７ １Ｉ１！１０１／ Ｌになるよう添加し、さらに各
種の界面活性剤を０． ６ ７ ｍｍｏｌ／Ｌになるよ
う添加して調合した試料液の中に一時間浸せきした。
■ ９８％Ｈ．ＳＯ４ ： ３ １％ＨｔＯｔ ＝４
： １、５分間 ■ 純水洗浄、５分間 ■ ５０％ＨＦ：Ｈ．○＝１＝５、１分間その後純水で
リンスし、さらに清浄な窒素ガスでブロー乾燥させた後
、電子線マイクロアナライザーを使ってシリコンウエハ
表面の銅イオンの沈積量を測定した。沈積量はシリコン
に対する鋼イオンの電子線マイクロアナライザーの検出
ピーク比（Ｃｕ−Ｋα線／ Ｓ ｉ − Ｋ α（２）
線）の形で計算している。表２にそれらの実施例と、比
較のために実施例と同様の操作で調製した比較試料液で
の比較例を示す。
： １、５分間 ■ 純水洗浄、５分間 ■ ５０％ＨＦ：Ｈ．○＝１＝５、１分間その後純水で
リンスし、さらに清浄な窒素ガスでブロー乾燥させた後
、電子線マイクロアナライザーを使ってシリコンウエハ
表面の銅イオンの沈積量を測定した。沈積量はシリコン
に対する鋼イオンの電子線マイクロアナライザーの検出
ピーク比（Ｃｕ−Ｋα線／ Ｓ ｉ − Ｋ α（２）
線）の形で計算している。表２にそれらの実施例と、比
較のために実施例と同様の操作で調製した比較試料液で
の比較例を示す。
（以 下 余 白）
表１
各種薬液中の金属沈積
Claims (1)
- １．フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液、過酸化
水素水、アンモニア水、硫酸、塩酸、硝酸、アルコール
および純水の内の２種以上の混合水溶液からなる半導体
素子洗浄用もしくはエッチング用薬液に、直鎖型もしく
は側鎖型のアルキル基を持つ、Ｃ＿ＸＨ＿ＹＣＯＯＨ、
Ｃ＿ＸＨ＿ＹＳＯ＿３Ｈ、Ｃ＿ＸＦ＿ＹＣＯＯＨ、Ｃ＿
ＸＦ＿ＹＳＯ＿３Ｈ（式中、Ｘは４〜７の整数、Ｙは９
〜１５の整数）もしくはその塩類であるアニオン型界面
活性剤の少なくとも１種を１〜５００ｐｐｍ添加するこ
とを特徴とする半導体素子の金属汚染を防止する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18951889A JPH0353083A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体素子の金属汚染を防止する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18951889A JPH0353083A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体素子の金属汚染を防止する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353083A true JPH0353083A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16242627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18951889A Pending JPH0353083A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体素子の金属汚染を防止する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353083A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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