JPH035314A - ダイヤモンド粉未の合成方法 - Google Patents
ダイヤモンド粉未の合成方法Info
- Publication number
- JPH035314A JPH035314A JP1135864A JP13586489A JPH035314A JP H035314 A JPH035314 A JP H035314A JP 1135864 A JP1135864 A JP 1135864A JP 13586489 A JP13586489 A JP 13586489A JP H035314 A JPH035314 A JP H035314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- powder
- diamond
- cooling body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、研磨や研削用に加工するダイヤモンド焼結体
に用いられる純度の良いダイヤモンド粉末を効率的に製
造する方法に関する。
に用いられる純度の良いダイヤモンド粉末を効率的に製
造する方法に関する。
従来、気相法によるダイヤモンド粉末の合成方法として
は次の方法が知られている。
は次の方法が知られている。
（１） 特開昭６３−１５８１９５に示されるように
有機化合物または炭素材を用い高温のプラズマ中に導入
し、分解または蒸発させてダイヤモンドを析出させる、
熱プラズマＣＶＤ法。
有機化合物または炭素材を用い高温のプラズマ中に導入
し、分解または蒸発させてダイヤモンドを析出させる、
熱プラズマＣＶＤ法。
（２）（特開昭６３−１５６００９）有機化合物、水素
及びダイヤモンド生成のための核を用い、核の上にダイ
ヤモンドを析出させる高周波またはマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法。
及びダイヤモンド生成のための核を用い、核の上にダイ
ヤモンドを析出させる高周波またはマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法。
しかし、これらの方法には次のような欠点がある。すな
わち（１）の方法では、プラズマ尾炎の空間部に冷却用
ガスを吹き込むことにより、プラズマ中の活性種を含む
反応混合物を急冷しダイヤモンドを析出させるものであ
るために、プラズマ尾炎と冷却ガスが衝突しダイヤモン
ドが析出する領域や反応領域の温度コントロールが非常
に難しい。
わち（１）の方法では、プラズマ尾炎の空間部に冷却用
ガスを吹き込むことにより、プラズマ中の活性種を含む
反応混合物を急冷しダイヤモンドを析出させるものであ
るために、プラズマ尾炎と冷却ガスが衝突しダイヤモン
ドが析出する領域や反応領域の温度コントロールが非常
に難しい。
そのため再現性が取りに＜＜、また反応領域内に温度分
布が生じ易いため非ダイヤモンド状炭素の混入が起こり
易い、ダイヤモンド生成の過飽和度が上げにくくダイヤ
モンド粉末の生成量に限界がある、といった欠点を持つ
。（２）の方法では、ダイヤモンドが析出し易くするた
めに核として異物質を入れるために、生成する粉末は核
としていれた異物質との複合粉末になってしまう。また
無電極型の高周波あるいはマイクロ波放電を用いるため
原料濃度に限界があり、ダイヤモンド粉末の生成量を上
げれないという欠点を持つ。
布が生じ易いため非ダイヤモンド状炭素の混入が起こり
易い、ダイヤモンド生成の過飽和度が上げにくくダイヤ
モンド粉末の生成量に限界がある、といった欠点を持つ
。（２）の方法では、ダイヤモンドが析出し易くするた
めに核として異物質を入れるために、生成する粉末は核
としていれた異物質との複合粉末になってしまう。また
無電極型の高周波あるいはマイクロ波放電を用いるため
原料濃度に限界があり、ダイヤモンド粉末の生成量を上
げれないという欠点を持つ。
そこで本発明の目的は、上記欠点を解消し純度の良いダ
イヤモンド粉末を高い生産性で合成する方法を提供する
ことにある。
イヤモンド粉末を高い生産性で合成する方法を提供する
ことにある。
本発明者らは鋭意研究の結果冷却体を機械的または電気
的に運動させることにより純度の良いダイヤモンド粉末
の生産性が向上することを見いだし、本発明を完成する
に至った。すなわち本発明は、上記目的を達成するため
に減圧下、放電により発生したプラズマ中に炭素源を導
入し、このプラズマ炎を固体からなる冷却体に接触させ
急冷することによりダイヤモンドを生成させる方法であ
って、前記冷却体を機械的および／または電気的に運動
させる点に特徴がある。
的に運動させることにより純度の良いダイヤモンド粉末
の生産性が向上することを見いだし、本発明を完成する
に至った。すなわち本発明は、上記目的を達成するため
に減圧下、放電により発生したプラズマ中に炭素源を導
入し、このプラズマ炎を固体からなる冷却体に接触させ
急冷することによりダイヤモンドを生成させる方法であ
って、前記冷却体を機械的および／または電気的に運動
させる点に特徴がある。
本発明で用いる放電は特に限定されず、例えば直流、高
周波、マイクロ波、低周波交流のいずれか、もしくはこ
れらの重畳したもの、あるいは磁場や電場を印加したも
のであってもよい。
周波、マイクロ波、低周波交流のいずれか、もしくはこ
れらの重畳したもの、あるいは磁場や電場を印加したも
のであってもよい。
本発明でプラズマに使用するガスとしては、水素ガス及
びアルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン等の不活性ガ
ス、窒素、酸素ガスを単独もしくは二種類以上の混合ガ
スとして使用できる。これにアンモニア、二酸化炭素、
−酸化炭素等が共存してもかまわない。
びアルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン等の不活性ガ
ス、窒素、酸素ガスを単独もしくは二種類以上の混合ガ
スとして使用できる。これにアンモニア、二酸化炭素、
−酸化炭素等が共存してもかまわない。
本研究で用いる炭素源は、プラズマ中で解離して炭素を
含むイオン種、ラジカル種等の活性種を生成するもので
有れば、気体、液体または固体のいずれであってもよい
。炭素源としては例えばメタン、エタン、プロパン等の
飽和炭化水素、エチレン、プロピレン、アセチレン等の
不飽和炭化水素、ベンゼン等の芳香属炭化水素、シクロ
ヘキサン、シクロプロパン等の脂環式炭化水素、エタノ
ール、プロパツール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等の
アルコール類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル等
のエーテル類、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等
のアルデヒド類、アセトン等のケトン類、塩化メチル、
臭化アセチル等のハロゲン化物、ギ酸、酢酸、シュウ酸
、マロン酸、等のカルボン酸、ギ酸メチル、ギ酸エステ
ル等のエステル類、酢酸アミド等の酸アミド類、メチル
アミン、トリメチルアミン等のアミン類、ポリエチレン
、ボロプロピレン等の高分子化合物、チオフェン等のイ
オウを含む有機化合物、ホスフィン等のリンを含む有機
化合物、−酸化炭素、二酸化炭素、黒鉛等が挙げられる
。
含むイオン種、ラジカル種等の活性種を生成するもので
有れば、気体、液体または固体のいずれであってもよい
。炭素源としては例えばメタン、エタン、プロパン等の
飽和炭化水素、エチレン、プロピレン、アセチレン等の
不飽和炭化水素、ベンゼン等の芳香属炭化水素、シクロ
ヘキサン、シクロプロパン等の脂環式炭化水素、エタノ
ール、プロパツール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等の
アルコール類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル等
のエーテル類、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等
のアルデヒド類、アセトン等のケトン類、塩化メチル、
臭化アセチル等のハロゲン化物、ギ酸、酢酸、シュウ酸
、マロン酸、等のカルボン酸、ギ酸メチル、ギ酸エステ
ル等のエステル類、酢酸アミド等の酸アミド類、メチル
アミン、トリメチルアミン等のアミン類、ポリエチレン
、ボロプロピレン等の高分子化合物、チオフェン等のイ
オウを含む有機化合物、ホスフィン等のリンを含む有機
化合物、−酸化炭素、二酸化炭素、黒鉛等が挙げられる
。
これらの炭素源となる物質は、一種類または二種類以上
の混合物であってもよい、炭素源が液体または固体の場
合にはアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスもしくは水素
ガスをキャリアーガスとしてプラズマ中に供給する。
の混合物であってもよい、炭素源が液体または固体の場
合にはアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスもしくは水素
ガスをキャリアーガスとしてプラズマ中に供給する。
本発明の方法においては、炭素源のプラズマ中での反応
は水素の存在下で行われるが、この水素ガスは、プラズ
マ発生用のガスとして反応系に導入されてもよいし、あ
るいはシースガス、キャリアーガス等として導入されて
もよい。また炭素源のプラズマへの導入方法に関しても
なんら制限されるものではない。
は水素の存在下で行われるが、この水素ガスは、プラズ
マ発生用のガスとして反応系に導入されてもよいし、あ
るいはシースガス、キャリアーガス等として導入されて
もよい。また炭素源のプラズマへの導入方法に関しても
なんら制限されるものではない。
本発明の方法においては、反応系に導入される水素ガス
と炭素源の量比は、炭素源中の炭素原子数／水素原子数
の比率が０．０００１〜１０となる範囲が好ましい。こ
の比率が大きすぎると黒鉛が析出し易−くなり、低すぎ
るとダイヤモンドの生成が余りにも少ない。
と炭素源の量比は、炭素源中の炭素原子数／水素原子数
の比率が０．０００１〜１０となる範囲が好ましい。こ
の比率が大きすぎると黒鉛が析出し易−くなり、低すぎ
るとダイヤモンドの生成が余りにも少ない。
本発明において冷却体を機械的および／または電気的に
運動させる方法としては、外部モータにより冷却を回転
させる方法及び超音波振動子、電磁石、モーター等を用
いて冷却体を振動させる方法がある。回転速度としては
１〜２００００ ｒｐｍの範囲がよい。それより遅いと
回転させる効果がなくなり、それより回転が速くなると
、冷却体表面でのガスの乱れが大きくなり冷却効果がな
くなり、逆にダイヤモンドの析出速度が遅（なるととも
に、装置コストが高くなる。与える振動としては、０．
０１Ｈｚ以上が好ましい。それ以下では振動させる効果
がなくなる。
運動させる方法としては、外部モータにより冷却を回転
させる方法及び超音波振動子、電磁石、モーター等を用
いて冷却体を振動させる方法がある。回転速度としては
１〜２００００ ｒｐｍの範囲がよい。それより遅いと
回転させる効果がなくなり、それより回転が速くなると
、冷却体表面でのガスの乱れが大きくなり冷却効果がな
くなり、逆にダイヤモンドの析出速度が遅（なるととも
に、装置コストが高くなる。与える振動としては、０．
０１Ｈｚ以上が好ましい。それ以下では振動させる効果
がなくなる。
本発明で用いられる反応圧力は、０．１〜６００ｔｏｒ
ｒの範囲、好ましくは１０〜４００ ｔｏｒｒめ範囲が
よい。Ｑ、 ｌ ｔｏｒｒより低い圧力ではダイヤモン
ドの析出は極めて遅く、６００ ｔｏｒｒより高い圧力
ではガス温度が高くなり黒鉛あるいは無定型炭素が混入
し易くなる。
ｒの範囲、好ましくは１０〜４００ ｔｏｒｒめ範囲が
よい。Ｑ、 ｌ ｔｏｒｒより低い圧力ではダイヤモン
ドの析出は極めて遅く、６００ ｔｏｒｒより高い圧力
ではガス温度が高くなり黒鉛あるいは無定型炭素が混入
し易くなる。
本発明で用いられる冷却体の材質としては、周期律表ｍ
ａ〜■、Ｉｂ〜ＩＶｂに属する単体あるいはこれらの化
合物が挙げられる。例えば綱、タングステン、モリブデ
ン、シリコン、タンタル、黒鉛等の単体、ステンレス、
石英ガラス、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ
素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の化合物が挙げら
れる。この冷却体は、水等の冷媒で冷却され、冷却体の
表面温度は４００〜１４００℃であるようにする。
ａ〜■、Ｉｂ〜ＩＶｂに属する単体あるいはこれらの化
合物が挙げられる。例えば綱、タングステン、モリブデ
ン、シリコン、タンタル、黒鉛等の単体、ステンレス、
石英ガラス、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、炭化ホウ
素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の化合物が挙げら
れる。この冷却体は、水等の冷媒で冷却され、冷却体の
表面温度は４００〜１４００℃であるようにする。
本発明の実施方法について概略図を用いて説明する。第
１図に直流放電を用いてダイヤモンド粉末を合成する装
置を示す。第２図に高周波放電を用いてダイヤモンド粉
末を合成する装置を示す。
１図に直流放電を用いてダイヤモンド粉末を合成する装
置を示す。第２図に高周波放電を用いてダイヤモンド粉
末を合成する装置を示す。
第１図において、１は直流プラズマトーチ、２は直流電
源、３は水冷反応容器、４は上下動及び回転可能な冷却
用の冷却体、５は水冷光は皿、６はプラズマ発生ガス導
入口、７は原料ガス導入口、８はシースガス（水冷反応
容器内壁に沿って螺旋状に流すガス）導入口、９はガス
供給装置、１０は反応容器内の圧力調製機能を持った真
空排気装置を示す。
源、３は水冷反応容器、４は上下動及び回転可能な冷却
用の冷却体、５は水冷光は皿、６はプラズマ発生ガス導
入口、７は原料ガス導入口、８はシースガス（水冷反応
容器内壁に沿って螺旋状に流すガス）導入口、９はガス
供給装置、１０は反応容器内の圧力調製機能を持った真
空排気装置を示す。
反応に際しては反応容器内を０．０１ ｔｏｒｒ以上の
真空度まで真空引きした後、プラズマ発生ガス導入口６
よりアルゴンを流し、放電させてプラズマを発生し、プ
ラズマが安定した後、導入口８よりシースガス、この場
合雰囲気調製ガス及び反応ガスとして水素または不活性
ガスと水素ガスの混合ガスを流す。４の冷却体及び水冷
光は皿５を所定位置（表面温度が４００から１４００℃
に成る位置）に設置した後、１０の排気装置により反応
容器内を所定圧に調製し、４の冷却体を回転させる。
真空度まで真空引きした後、プラズマ発生ガス導入口６
よりアルゴンを流し、放電させてプラズマを発生し、プ
ラズマが安定した後、導入口８よりシースガス、この場
合雰囲気調製ガス及び反応ガスとして水素または不活性
ガスと水素ガスの混合ガスを流す。４の冷却体及び水冷
光は皿５を所定位置（表面温度が４００から１４００℃
に成る位置）に設置した後、１０の排気装置により反応
容器内を所定圧に調製し、４の冷却体を回転させる。
次に、炭素源を導入ロアより導入し、プラズマ中で分解
または励起し活性種を生成させることにより、ダイヤモ
ンド粉末が析出し、水冷反応容器内壁３及び水冷光は皿
５に堆積する。
または励起し活性種を生成させることにより、ダイヤモ
ンド粉末が析出し、水冷反応容器内壁３及び水冷光は皿
５に堆積する。
第２図において、１１は振動装置、１２は高周波発生用
ワークコイル、１３は高周波電源であり、その他は第１
図と同じである。反応に際しては、直流放電の場合と同
様に、反応容器内を０．０１ｔｏｒｒ以上の真空度まで
真空引きした後、プラズマ発生ガス導入口６及びシース
ガス導入口８よりアルゴンを流し、放電させてプラズマ
を発生し、プラズマが安定した後、シースガス導入口８
より雰囲気調製ガス及び反応ガスとしてさらに水素ガス
を流す。水冷光は皿５を所定位置に設置した後、１０の
排気装置により反応容器内を所定圧に調製し、４の冷却
体を振動させる。次に、炭素源を導入ロアより導入し、
プラズマ中で分解または励起し活性種を生成させること
により、ダイヤモンド粉末が析出し、水冷反応容器内壁
３及び水冷光は皿５に堆積する。
ワークコイル、１３は高周波電源であり、その他は第１
図と同じである。反応に際しては、直流放電の場合と同
様に、反応容器内を０．０１ｔｏｒｒ以上の真空度まで
真空引きした後、プラズマ発生ガス導入口６及びシース
ガス導入口８よりアルゴンを流し、放電させてプラズマ
を発生し、プラズマが安定した後、シースガス導入口８
より雰囲気調製ガス及び反応ガスとしてさらに水素ガス
を流す。水冷光は皿５を所定位置に設置した後、１０の
排気装置により反応容器内を所定圧に調製し、４の冷却
体を振動させる。次に、炭素源を導入ロアより導入し、
プラズマ中で分解または励起し活性種を生成させること
により、ダイヤモンド粉末が析出し、水冷反応容器内壁
３及び水冷光は皿５に堆積する。
実施例１
第１図に示した装置を用い、反応容器内を０．０１ｔｏ
ｒｒまで真空排気後、プラズマ発生用ガスとしてアルゴ
ン２０１／ｍｉｎを流して直流プラズマを発生させ、シ
ースガス導入口８より水素４１／ｍｉｎを流した。つい
で反応容器内の圧力を５０ ｔｏｒｒに調製し、銅製の
冷却体を表面温度が約８００°Ｃに成る位置まで上昇さ
せ、２５００ｒｐｍで回転させた後、原料ガス導入口よ
りアセチレン０．４１／ｍｉｎを流し、直流電源人力８
ｋｗで１時間反応を行なった。なお表面温度は放射温度
計により測定した。
ｒｒまで真空排気後、プラズマ発生用ガスとしてアルゴ
ン２０１／ｍｉｎを流して直流プラズマを発生させ、シ
ースガス導入口８より水素４１／ｍｉｎを流した。つい
で反応容器内の圧力を５０ ｔｏｒｒに調製し、銅製の
冷却体を表面温度が約８００°Ｃに成る位置まで上昇さ
せ、２５００ｒｐｍで回転させた後、原料ガス導入口よ
りアセチレン０．４１／ｍｉｎを流し、直流電源人力８
ｋｗで１時間反応を行なった。なお表面温度は放射温度
計により測定した。
その結果、水冷反応管内壁及び水冷光は皿より、約６ｇ
の粉末が得られた。得られた粉末はＸ線回折及びラマン
散乱スペクトル測定結果より、立方晶ダイヤモンドであ
ることが解った。また走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察よ
り、得られた粉末は約０、３μｍの球状粉末であること
が解った。
の粉末が得られた。得られた粉末はＸ線回折及びラマン
散乱スペクトル測定結果より、立方晶ダイヤモンドであ
ることが解った。また走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察よ
り、得られた粉末は約０、３μｍの球状粉末であること
が解った。
実施例２
図２に示した装置を用い、反応容器内を０．０１ｔｏｒ
ｒまで真空引き後、プラズマ発生用ガス導入口６よりア
ルゴンを１８１／ｍｉｎ及びシースガス導入口８よりア
ルゴンガスを３０１／ｍｉｎ流して高周波プラズマを発
生させた。ついでシースガスに水素１０１７ｍ１ｎを添
加し、反応容器内の圧力を３００ ｔｏｒｒに調製した
。プラズマ安定化後、タングステン製冷却体を表面温度
が約９００℃になる位置に設置し、振動周波数２６ＧＨ
ｚ、定格出力３００Ｗの超音波振動子により振動させた
。さらに原料ガス導入ロアよりメタン７１／ｍｉｎを流
し、高周波電源人力３０ｋｗで１時間反応を行なった。
ｒまで真空引き後、プラズマ発生用ガス導入口６よりア
ルゴンを１８１／ｍｉｎ及びシースガス導入口８よりア
ルゴンガスを３０１／ｍｉｎ流して高周波プラズマを発
生させた。ついでシースガスに水素１０１７ｍ１ｎを添
加し、反応容器内の圧力を３００ ｔｏｒｒに調製した
。プラズマ安定化後、タングステン製冷却体を表面温度
が約９００℃になる位置に設置し、振動周波数２６ＧＨ
ｚ、定格出力３００Ｗの超音波振動子により振動させた
。さらに原料ガス導入ロアよりメタン７１／ｍｉｎを流
し、高周波電源人力３０ｋｗで１時間反応を行なった。
その結果、水冷反応管内壁及び水冷光は皿より、約８ｇ
の粉末が得られた。得られた粉末は＞１回折及びラマン
散乱スペクトル測定結果より、立方晶ダイヤモンドであ
ることが解った。またＳＥＭ観察より、得られた粉末は
約０．２μｍの球状粉末であることが解った。
の粉末が得られた。得られた粉末は＞１回折及びラマン
散乱スペクトル測定結果より、立方晶ダイヤモンドであ
ることが解った。またＳＥＭ観察より、得られた粉末は
約０．２μｍの球状粉末であることが解った。
比較例１
実施例１の装置を用い、冷却体を回転させないで、それ
以外の条件は実施例と同様にして反応を１時間行なった
ところ、水冷反応管内壁及び水冷光は皿より約３ｇの粉
末を得た。Ｘ線回折およびラマン散乱スペクトル、ＳＥ
Ｍより約０．３μｍの立方晶ダイヤモンド粉末であるこ
とが解った。
以外の条件は実施例と同様にして反応を１時間行なった
ところ、水冷反応管内壁及び水冷光は皿より約３ｇの粉
末を得た。Ｘ線回折およびラマン散乱スペクトル、ＳＥ
Ｍより約０．３μｍの立方晶ダイヤモンド粉末であるこ
とが解った。
比較例２
実施例２の装置を用い、冷却体を振動させずにそれ以外
の条件は実施例２と同様にして反応を１時間行なったと
ころ、水冷反応管内壁及び水冷光は皿より約４ｇの粉末
を得た。Ｘ線回折およびラマン散乱スペクトル、ＳＥＭ
より約０．２μｍの立方晶ダイヤモンド粉末であること
が解った。
の条件は実施例２と同様にして反応を１時間行なったと
ころ、水冷反応管内壁及び水冷光は皿より約４ｇの粉末
を得た。Ｘ線回折およびラマン散乱スペクトル、ＳＥＭ
より約０．２μｍの立方晶ダイヤモンド粉末であること
が解った。
本発明によれば、純度の良いダイヤモンド粉末を効率よ
く高い生産性で合成することが出来る。
く高い生産性で合成することが出来る。
第１図は直流放電、第２図は高周波放電をそれぞれ用い
てダイヤモンド粉末を合成する装置の縦断面図を示す。 １・・・直流プラズマトーチ、２・・・直流電源、３・
・・水冷反応容器、４・・・冷却体、５・・・水冷光は
皿、６・・・プラズマ発生ガス導入口、７・・・原料ガ
ス導入口、８・・・シースガス導入口、９・・・ガス供
給装置、１０・・・真空排気装置、ＩＩ・・・振動装置
、１２・・・ワークコイル、１３・・・高周波電源。 第１図
てダイヤモンド粉末を合成する装置の縦断面図を示す。 １・・・直流プラズマトーチ、２・・・直流電源、３・
・・水冷反応容器、４・・・冷却体、５・・・水冷光は
皿、６・・・プラズマ発生ガス導入口、７・・・原料ガ
ス導入口、８・・・シースガス導入口、９・・・ガス供
給装置、１０・・・真空排気装置、ＩＩ・・・振動装置
、１２・・・ワークコイル、１３・・・高周波電源。 第１図
Claims (1)
- 減圧下、放電により発生したプラズマ中に炭素源を導入
し、このプラズマ炎を固体からなる冷却体に接触させて
急冷することによりダイヤモンド粉末を析出させる方法
であって、前記冷却体を機械的および／または電気的に
運動させることを特徴とするダイヤモンド粉末の合成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135864A JP2766668B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | ダイヤモンド粉未の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135864A JP2766668B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | ダイヤモンド粉未の合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035314A true JPH035314A (ja) | 1991-01-11 |
| JP2766668B2 JP2766668B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=15161548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135864A Expired - Fee Related JP2766668B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | ダイヤモンド粉未の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766668B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067671A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-18 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | インダクションプラズマ溶射による変態物質の抽出方法 |
| KR100411710B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-12-18 | 한국과학기술연구원 | 기상화학증착법에 의한 구상의 다이아몬드 분말 합성장치및 이를 이용한 구상의 다이아몬드 합성방법 |
| CN112372522A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-19 | 云南光电辅料有限公司 | 一种蓝宝石衬底减薄砂轮及其制备方法 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1135864A patent/JP2766668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067671A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-18 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | インダクションプラズマ溶射による変態物質の抽出方法 |
| KR100411710B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-12-18 | 한국과학기술연구원 | 기상화학증착법에 의한 구상의 다이아몬드 분말 합성장치및 이를 이용한 구상의 다이아몬드 합성방법 |
| CN112372522A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-19 | 云南光电辅料有限公司 | 一种蓝宝石衬底减薄砂轮及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2766668B2 (ja) | 1998-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4816286A (en) | Process for synthesis of diamond by CVD | |
| JPH0346436B2 (ja) | ||
| US5776552A (en) | Process for the vapor phase synthesis of diamond and highly crystalline diamond | |
| JPS5927753B2 (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS61286299A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH04958B2 (ja) | ||
| JPH059735A (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法 | |
| JPS61163195A (ja) | ダイヤモンド気相合成法及びその装置 | |
| JP2766668B2 (ja) | ダイヤモンド粉未の合成方法 | |
| JPH0372038B2 (ja) | ||
| JPS6221757B2 (ja) | ||
| JP2706492B2 (ja) | ダイヤモンド粉末の合成方法 | |
| JPS62120B2 (ja) | ||
| JP2962631B2 (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 | |
| JPS63117993A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPS61201698A (ja) | ダイヤモンド膜およびその製造法 | |
| JPH02192415A (ja) | ダイヤモンド粉末の合成方法 | |
| JPH0665744A (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 | |
| JPH0226894A (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法および装置 | |
| JPS63277767A (ja) | 高圧相窒化ホウ素の気相合成法 | |
| JP4480192B2 (ja) | 高純度ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPS6265997A (ja) | ダイヤモンド合成方法およびその装置 | |
| JPH085748B2 (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| JPS593098A (ja) | ダイヤモンドの合成法 | |
| JPS60112699A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |