JPH0353250A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0353250A JPH0353250A JP1187520A JP18752089A JPH0353250A JP H0353250 A JPH0353250 A JP H0353250A JP 1187520 A JP1187520 A JP 1187520A JP 18752089 A JP18752089 A JP 18752089A JP H0353250 A JPH0353250 A JP H0353250A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- chromium
- resist
- oxide film
- chromium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造工程において使用されるフオトマスク
及びレチクルの製造方法に関し、レジストパターンの親
水性をさらに向上することによって、微細パターンを有
するフォトマスクのエッチング加工を可能にするフォト
マスクの製造方法を提供することを目的とし、 透光性基板上にクロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜
との二重眉を形成し、このクロム膜またはクロム膜と酸
化クロム膜との二重層上にレジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜を露光・現像してパターニングし、このバター
ニングされた前記のレジスト膜上に、酸化クロム膜また
はクロム膜を形成し、この酸化クロム膜またはクロム膜
をもってカバーされた前記のバターニングされたレジス
ト膜を介して、前記のクロム膜またはクロム膜と酸化ク
ロム膜との二重層をエッチングするように構成する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程において使用されるフ
ォトマスク及びレチクルの製造方法に関する． （従来の技術〕 石英基板上にクロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜と
の二重層を形成し、その上にレジスト膜を形成し、この
レジスト膜を露光・現像してパターニングし、バターニ
ングされたレジスト膜（以下、レジストパターンと云う
．）をマスクとして前記のクロム膜またはクロム膜と酸
化クロム膜との二重層をエッチングして、フォトマスク
またはレチクルを製造する． ところで、フォトマスクまたはレチクルの製造には、主
として電子線リソグラフィー法が使用されるが、電子線
リソグラフィー工程において使用される電子線レジスト
は、ポリマー中に親水基をもっているものが少ないため
、一１に疎水性を有している．したがって、電子線リソ
グラフィー法を使用して形成されたレジストパターンを
使用してエッチングをする場合、レジストパターンとエ
ッチング液との濡れ性が悪いため、エッチング液が微細
なレジストパターン内に十分浸透することができず、良
好なエッチングがなされない。そこで、良好なエッチン
グを可能にするためには、レジストパターンの親水性を
高めて、レジストパターンとエッチング液との濡れ性を
良くする必要がある． レジストパターンの親水性を高める従来の方法としては
、レジストパターンを酸素プラズマ中にさらす方法、ま
たは、レジストパターンに紫外線を照射する方法が知ら
れている。
及びレチクルの製造方法に関し、レジストパターンの親
水性をさらに向上することによって、微細パターンを有
するフォトマスクのエッチング加工を可能にするフォト
マスクの製造方法を提供することを目的とし、 透光性基板上にクロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜
との二重眉を形成し、このクロム膜またはクロム膜と酸
化クロム膜との二重層上にレジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜を露光・現像してパターニングし、このバター
ニングされた前記のレジスト膜上に、酸化クロム膜また
はクロム膜を形成し、この酸化クロム膜またはクロム膜
をもってカバーされた前記のバターニングされたレジス
ト膜を介して、前記のクロム膜またはクロム膜と酸化ク
ロム膜との二重層をエッチングするように構成する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程において使用されるフ
ォトマスク及びレチクルの製造方法に関する． （従来の技術〕 石英基板上にクロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜と
の二重層を形成し、その上にレジスト膜を形成し、この
レジスト膜を露光・現像してパターニングし、バターニ
ングされたレジスト膜（以下、レジストパターンと云う
．）をマスクとして前記のクロム膜またはクロム膜と酸
化クロム膜との二重層をエッチングして、フォトマスク
またはレチクルを製造する． ところで、フォトマスクまたはレチクルの製造には、主
として電子線リソグラフィー法が使用されるが、電子線
リソグラフィー工程において使用される電子線レジスト
は、ポリマー中に親水基をもっているものが少ないため
、一１に疎水性を有している．したがって、電子線リソ
グラフィー法を使用して形成されたレジストパターンを
使用してエッチングをする場合、レジストパターンとエ
ッチング液との濡れ性が悪いため、エッチング液が微細
なレジストパターン内に十分浸透することができず、良
好なエッチングがなされない。そこで、良好なエッチン
グを可能にするためには、レジストパターンの親水性を
高めて、レジストパターンとエッチング液との濡れ性を
良くする必要がある． レジストパターンの親水性を高める従来の方法としては
、レジストパターンを酸素プラズマ中にさらす方法、ま
たは、レジストパターンに紫外線を照射する方法が知ら
れている。
半導体装置の高集積化が進み、素子のパターンが微細化
してくると、前記の従来使用されている親水性向上対策
を講しただけでは、エッチング液がパターニングされた
微細なレジストパターン内に浸透しにく覧なって、微細
パターンのウェノトエッチング加工が困難になる． 本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、レジ
ストパターンの親水性をさらに向上することによって、
微細パターンを有するフォトマスクのエッチング加工を
可能にするフォトマスクの製造方法を提供することにあ
る。
してくると、前記の従来使用されている親水性向上対策
を講しただけでは、エッチング液がパターニングされた
微細なレジストパターン内に浸透しにく覧なって、微細
パターンのウェノトエッチング加工が困難になる． 本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、レジ
ストパターンの親水性をさらに向上することによって、
微細パターンを有するフォトマスクのエッチング加工を
可能にするフォトマスクの製造方法を提供することにあ
る。
〔諜題を解決するための手段］
上記の目的は、透光性基板（１）上にクロム膜またはク
ロム膜と酸化クロム膜との二重層（２）を形成し、この
クロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜との二重層（２
）上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光・現
像してバターニングし、このパターニングされた前記の
レジスト膜（３）上に、酸化クロム膜またはクロム膜（
４）を形成し、この酸化クロム膜またはクロム膜（４）
をもってカバーされた前記のパターニングされたレジス
ト膜（３）を介して、前記のクロム膜またはクロム膜と
酸化クロム膜との二重１！ （２）をエッチングする工
程を有するフォトマスクの製造方法によって達戒される
． 〔作用〕 本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、レジ
スト膜をパターニングして形成したレジスト膜３よりな
るレジストパターンが、酸化クロム膜またはクロム膜４
をもってカバーされることによって、親水性が向上し、
また、レジスト膜３に電荷がＩＦ電しなくなるためエッ
チング液が静電気作用によって反発されることがなくな
り、微細なレジストパターン内にエッチング液が十分浸
透するようになって、良好なエッチングがなされる．な
お、レジストパターンをカバーしている酸化クロム膜ま
たはクロム膜４は、エッチング工程中において完全に溶
解除去されるので、レジストパターンのエッチングマス
クとしての性能に何ら悪影響を及ぼすことはない． 〔実施例〕 以下、図面を参照しつ獣本発明の一実施例に係るフォト
マスクの製造方法について説明する。
ロム膜と酸化クロム膜との二重層（２）を形成し、この
クロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜との二重層（２
）上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光・現
像してバターニングし、このパターニングされた前記の
レジスト膜（３）上に、酸化クロム膜またはクロム膜（
４）を形成し、この酸化クロム膜またはクロム膜（４）
をもってカバーされた前記のパターニングされたレジス
ト膜（３）を介して、前記のクロム膜またはクロム膜と
酸化クロム膜との二重１！ （２）をエッチングする工
程を有するフォトマスクの製造方法によって達戒される
． 〔作用〕 本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、レジ
スト膜をパターニングして形成したレジスト膜３よりな
るレジストパターンが、酸化クロム膜またはクロム膜４
をもってカバーされることによって、親水性が向上し、
また、レジスト膜３に電荷がＩＦ電しなくなるためエッ
チング液が静電気作用によって反発されることがなくな
り、微細なレジストパターン内にエッチング液が十分浸
透するようになって、良好なエッチングがなされる．な
お、レジストパターンをカバーしている酸化クロム膜ま
たはクロム膜４は、エッチング工程中において完全に溶
解除去されるので、レジストパターンのエッチングマス
クとしての性能に何ら悪影響を及ぼすことはない． 〔実施例〕 以下、図面を参照しつ獣本発明の一実施例に係るフォト
マスクの製造方法について説明する。
第２図参照
厚さ２〜３．５一程度の石英基板１上に、スパッタ法、
蒸着法等を使用して、クロム膜またはクロム膜と酸化ク
ロム膜との二重Ｎ２を６００〜１，２００人厚に形成す
る。次いで、例えば、東レ（株）製電子線レジストＥＢ
Ｒ−９を塗布し、これに電子ビームをもってパターンを
直接描画した後、現像してレジスト膜３よりなるレジス
トパターンを形成する． 第１図参照 スパッタ法等を使用して、全面に酸化クロム膜またはク
ロム膜４を５０人厚程度に形成する．第３図参照 硝酸セリウムアンモニウム等を使用して、クロム膜また
はクロム膜と酸化クロム膜との二重層２をエッチングし
た後レジスト膜３を除去する．なお、上記のエッチング
過程において、酸化クロム膜またはクロム膜４はすべて
溶解除去される．なお、実施例においては東レ（株〉製
電子レジストを使用する場合について説明したが、アク
リル系レジスト、ポリアルヰル系ボジレジスト、ボリス
チレン系ネガレジスト、ノボラック系紫外線レジスト等
を使用しても同等の効果が得られる．〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係るフォトマスクの製造
方法においては、レジスト膜をバターニングして形成し
たレジストパターンを薄い酸化クロム膜またはクロム膜
をもってカバーすることによって、レジストパターンの
親水性を著しく向上することができた．具体的にはレジ
ストパターン上における純水の接触角が、従来の４０〜
５０度から２０度以下に改善された．従って、レジスト
パターンとエッチング液との濡れ性が良くなって、＠細
なレジストパターン内にエッチング液が十分浸透するよ
うになり、微細パターンを有するフォトマスクの製造が
可能になった．
蒸着法等を使用して、クロム膜またはクロム膜と酸化ク
ロム膜との二重Ｎ２を６００〜１，２００人厚に形成す
る。次いで、例えば、東レ（株）製電子線レジストＥＢ
Ｒ−９を塗布し、これに電子ビームをもってパターンを
直接描画した後、現像してレジスト膜３よりなるレジス
トパターンを形成する． 第１図参照 スパッタ法等を使用して、全面に酸化クロム膜またはク
ロム膜４を５０人厚程度に形成する．第３図参照 硝酸セリウムアンモニウム等を使用して、クロム膜また
はクロム膜と酸化クロム膜との二重層２をエッチングし
た後レジスト膜３を除去する．なお、上記のエッチング
過程において、酸化クロム膜またはクロム膜４はすべて
溶解除去される．なお、実施例においては東レ（株〉製
電子レジストを使用する場合について説明したが、アク
リル系レジスト、ポリアルヰル系ボジレジスト、ボリス
チレン系ネガレジスト、ノボラック系紫外線レジスト等
を使用しても同等の効果が得られる．〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係るフォトマスクの製造
方法においては、レジスト膜をバターニングして形成し
たレジストパターンを薄い酸化クロム膜またはクロム膜
をもってカバーすることによって、レジストパターンの
親水性を著しく向上することができた．具体的にはレジ
ストパターン上における純水の接触角が、従来の４０〜
５０度から２０度以下に改善された．従って、レジスト
パターンとエッチング液との濡れ性が良くなって、＠細
なレジストパターン内にエッチング液が十分浸透するよ
うになり、微細パターンを有するフォトマスクの製造が
可能になった．
第１図、第２図、第３図は、本発明の一実施例に係るフ
ォトマスクの製造方法を説明する工程園である． ｌ・・・透光性基板（石英基板）、 ２・・・クロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜との二
重層、 レジスト膜、 ・酸化クロム膜またはクロム膜．
ォトマスクの製造方法を説明する工程園である． ｌ・・・透光性基板（石英基板）、 ２・・・クロム膜またはクロム膜と酸化クロム膜との二
重層、 レジスト膜、 ・酸化クロム膜またはクロム膜．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透光性基板（１）上にクロム膜またはクロム膜と酸化ク
ロム膜との二重層（２）を形成し、該クロム膜またはク
ロム膜と酸化クロム膜との二重層（２）上にレジスト膜
を形成し、 該レジスト膜を露光・現像してパターニングし、該パタ
ーニングされた前記レジスト膜（３）上に、酸化クロム
膜またはクロム膜（４）を形成し、該酸化クロム膜また
はクロム膜（４）をもってカバーされた前記パターニン
グされたレジスト膜（３）を介して、前記クロム膜また
はクロム膜と酸化クロム膜との二重層（２）をエッチン
グする工程を有する ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187520A JPH0353250A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187520A JPH0353250A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353250A true JPH0353250A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16207518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187520A Pending JPH0353250A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002035113A (ja) * | 2000-06-17 | 2002-02-05 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | 透析装置およびこの透析装置の運転方法 |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP1187520A patent/JPH0353250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002035113A (ja) * | 2000-06-17 | 2002-02-05 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | 透析装置およびこの透析装置の運転方法 |
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