JPS5834920A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5834920A JPS5834920A JP56134750A JP13475081A JPS5834920A JP S5834920 A JPS5834920 A JP S5834920A JP 56134750 A JP56134750 A JP 56134750A JP 13475081 A JP13475081 A JP 13475081A JP S5834920 A JPS5834920 A JP S5834920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- substrate
- resist
- deep ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光露光によるパターン形成方法に関するもので
ある。
ある。
光露光によるパターン形成に通常用いられるマスクニハ
、エマルジョンマスクトハードマスクノ２種類がある。
、エマルジョンマスクトハードマスクノ２種類がある。
エマルジョンマスクは銀塩からなる乳剤層をガラス基板
に塗付し、露光、現像工程により黒化銀粒子からなるパ
ターンを形成することにより製作する。このようにして
製作されたマスクの解像度は３μｍ程度である。銀塩乳
剤のかわりにジアゾ系色素を使用しだエマルジョンマス
クも存在するが、マスクではパターン転写には、波長０
．４μｍの紫外線を用いる必要があり、解像度は前者の
エマルジョンマスクと同程度でちる。
に塗付し、露光、現像工程により黒化銀粒子からなるパ
ターンを形成することにより製作する。このようにして
製作されたマスクの解像度は３μｍ程度である。銀塩乳
剤のかわりにジアゾ系色素を使用しだエマルジョンマス
クも存在するが、マスクではパターン転写には、波長０
．４μｍの紫外線を用いる必要があり、解像度は前者の
エマルジョンマスクと同程度でちる。
これに対して、より解像度の高いマスクとしてハードマ
スクがある。ハードマスクはクロムを蒸着したガラス基
板上にホトレジストを塗布し、露光、現像工程によりホ
トレジストにパターンを形成した後、このホトレジスト
パターンをマスクとしてクロムの選択エツチングを行い
、クロム膜にパターンを形成することにより製作する。
スクがある。ハードマスクはクロムを蒸着したガラス基
板上にホトレジストを塗布し、露光、現像工程によりホ
トレジストにパターンを形成した後、このホトレジスト
パターンをマスクとしてクロムの選択エツチングを行い
、クロム膜にパターンを形成することにより製作する。
このマスクは前記エマルジョンマスクに比べると解像度
は高いが、クロムの蒸着、エツチング工程が必要であり
、工程が複雑となる。
は高いが、クロムの蒸着、エツチング工程が必要であり
、工程が複雑となる。
また、紫外線用ホトレジスト膜にパターン形成後レジス
ト膜質を変質してそのまま紫外線露光に用いる方法があ
る。しかし、この方法においては、レジスト膜質を変質
させる際にレジストパターンが変形するおそれがあると
ともに紫外線を用いることから解像度を高くすることが
できなかった。
ト膜質を変質してそのまま紫外線露光に用いる方法があ
る。しかし、この方法においては、レジスト膜質を変質
させる際にレジストパターンが変形するおそれがあると
ともに紫外線を用いることから解像度を高くすることが
できなかった。
本発明は上記問題点を解決するものであり、遠紫外光（
波長０．３μｍ以下）を透過しない感光性樹脂被膜に所
定図形を形成した石英基板等の遠紫外光透過性基板をマ
スクに用いて、遠紫外線露光（波長０．３μｍ以下）に
よりパターン転写することを特徴とするパターン形成方
法である。
波長０．３μｍ以下）を透過しない感光性樹脂被膜に所
定図形を形成した石英基板等の遠紫外光透過性基板をマ
スクに用いて、遠紫外線露光（波長０．３μｍ以下）に
よりパターン転写することを特徴とするパターン形成方
法である。
本発明によれば、マスク製作方法を簡単にすることがで
き、しかも高解像度のパターン転写が可能である。
き、しかも高解像度のパターン転写が可能である。
以下に本発明の実施例について図面とともに説明する。
石英基板１上に感光性樹脂膜たとえばＡＺ１３６０Ｔ（
シプレー社商品名）を約１μｍの厚さに塗布し、露光、
現像によりこの樹脂膜よりなる所定図形２を形成する（
第１図）。この所定図形を形成した石英基板をマスクと
して、遠紫外線ｌ（波長０．３μｍ以下）によりパター
ンを転写すれば、ＡＺ１３５０工の残存である図形２の
部分は遠紫外線ｌを透過しないので、第２図に示す半導
体基板３上にレジスト４の４１部分には遠紫外線が照射
されない（第２図）。しかるのち、レジスト４を現像処
理すればパターン４１を形成することができる（第３図
）。なお、マスクアライナ−としては基板との接触を避
けるためにプロジェクション型を用いるのが望ましい。
シプレー社商品名）を約１μｍの厚さに塗布し、露光、
現像によりこの樹脂膜よりなる所定図形２を形成する（
第１図）。この所定図形を形成した石英基板をマスクと
して、遠紫外線ｌ（波長０．３μｍ以下）によりパター
ンを転写すれば、ＡＺ１３５０工の残存である図形２の
部分は遠紫外線ｌを透過しないので、第２図に示す半導
体基板３上にレジスト４の４１部分には遠紫外線が照射
されない（第２図）。しかるのち、レジスト４を現像処
理すればパターン４１を形成することができる（第３図
）。なお、マスクアライナ−としては基板との接触を避
けるためにプロジェクション型を用いるのが望ましい。
またマスクではなくレチクルを製作して縮少投影型のア
ライナ−を用いることもできる。この実施例では感光性
樹脂膜２としてＡＺ１３５０工を用いた例をあげたが、
Ａ Ｚ ２４００（シプレー社商品名）、０ＦＰＲ８０
０（東京応化商品名）などのホトレジストでもよい。
ライナ−を用いることもできる。この実施例では感光性
樹脂膜２としてＡＺ１３５０工を用いた例をあげたが、
Ａ Ｚ ２４００（シプレー社商品名）、０ＦＰＲ８０
０（東京応化商品名）などのホトレジストでもよい。
本発明に与れば、クロムハードマスクの製作にともなう
蒸着、エツチング工程が不要なので、工程が簡単になる
とともに、パターン精度の向上、欠陥密度の減少をはか
ることができ、しかも遠紫外線の使用により高解像度の
パターン転写が可能となる。また、マスクパターンを変
更する場合は、石英基板上のレジストを除去した後、再
度レジストを塗布してパターンを形成することにより簡
単に再生することができる。しかもその製作工程は、半
導体装置の製造に用いられているホトレジスト工程をそ
のまま利用することができる。
蒸着、エツチング工程が不要なので、工程が簡単になる
とともに、パターン精度の向上、欠陥密度の減少をはか
ることができ、しかも遠紫外線の使用により高解像度の
パターン転写が可能となる。また、マスクパターンを変
更する場合は、石英基板上のレジストを除去した後、再
度レジストを塗布してパターンを形成することにより簡
単に再生することができる。しかもその製作工程は、半
導体装置の製造に用いられているホトレジスト工程をそ
のまま利用することができる。
なお、以上の説明では、石英基板をマスク基板として用
いた実施例を示しだが、高価であることの不都合を無視
するならば、サファイア基板等を用いることもできる。
いた実施例を示しだが、高価であることの不都合を無視
するならば、サファイア基板等を用いることもできる。
大切なことは遠紫外光を透過する基板を用いることであ
る。
る。
以上に説明したように、本発明は、遠紫外光（波長０．
３μ屹下）を透過しない、感光性樹脂被膜に所定図形を
形成した石英基板等の遠紫外光透過性基板をマスクに用
いて、遠紫外線露光（波長０．３μｍ以下）によりパタ
ーン転写することを特長とするパターン形成方法であっ
て、本発明によれば、マスク製作工程を簡単にすること
ができ、しかも高解像度のパターン転写が可能であり、
半導体装置の製造等において大なる工業的ｌ１Ｉｌｉ値
を奏するものである。
３μ屹下）を透過しない、感光性樹脂被膜に所定図形を
形成した石英基板等の遠紫外光透過性基板をマスクに用
いて、遠紫外線露光（波長０．３μｍ以下）によりパタ
ーン転写することを特長とするパターン形成方法であっ
て、本発明によれば、マスク製作工程を簡単にすること
ができ、しかも高解像度のパターン転写が可能であり、
半導体装置の製造等において大なる工業的ｌ１Ｉｌｉ値
を奏するものである。
第１〜第３図は本発明の一実施例にかかるパターン転写
工程図である。 １・・・・・・石英基板、３・・・・・・半導体基板、
２゜４・・−・・・レジスト。
工程図である。 １・・・・・・石英基板、３・・・・・・半導体基板、
２゜４・・−・・・レジスト。
Claims (3)
- （１）遠紫外光を透過しない感光性樹脂被膜に所定図形
を形成しだ遠紫外光透過性基板をマスクに用いて、前記
遠紫外線露光にてパターン転写することを特徴とするパ
ターン形成方法。 - （２）遠紫外光透過性基板が石英基板であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法
。 - （３）パターン転写を半導体基板上のレジストに行うこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134750A JPS5834920A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134750A JPS5834920A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834920A true JPS5834920A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15135692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134750A Pending JPS5834920A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257867A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-10-18 | Tatsukiyo Otsuki | 食品の解凍方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57212446A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Photomask for far ultraviolet exposure |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56134750A patent/JPS5834920A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57212446A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Photomask for far ultraviolet exposure |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257867A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-10-18 | Tatsukiyo Otsuki | 食品の解凍方法 |
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