JPH0353377B2 - - Google Patents
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- JPH0353377B2 JPH0353377B2 JP59279895A JP27989584A JPH0353377B2 JP H0353377 B2 JPH0353377 B2 JP H0353377B2 JP 59279895 A JP59279895 A JP 59279895A JP 27989584 A JP27989584 A JP 27989584A JP H0353377 B2 JPH0353377 B2 JP H0353377B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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Description
［産業上の利用分野］
本発明は改良されたアルミニウム合金から製作
されている、光導電部材用精密加工支持体及び光
導電部材に関する。 ［従来の技術］ アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構
造体に幅広く利用されているが、とりわけ光導電
部材の支持体等精密加工を要求される電気ないし
電子デバイスの構成部材として、その利用度が高
まりつつある。 しかしながら、例えば日本工業規格（JIS）に
より規格化された展伸材、鋳物用、ダイカスト等
の汎用のアルミニウム合金には、Ng、Cu、Mn、
Si、Zn等の積極的に添加される成分をはじめと
する各種組成成分と共に各種不純物成分が含有さ
れており、これらが介在物として組織中に析出し
たり、あるいは粒界段差を生起させ、特に表面近
傍に粒状析出物として存在すると、精密加工の際
の加工性を損ない、その結果としてアルミニウム
合金を構成部材とする電子部品等の特性を劣化さ
せることになる。 このような事情情を光導電部材についてさらに
詳しく説明すると、たとえば電子写真感光体は、
通常、アルミニウム合金はからなる円筒状等の支
持体表面上に光導電層を設けて構成される。光導
電層の材料としては有機ないし無機の各種光導電
物質が用いられており、例えば１価の元素でダン
グリングボンドが修飾されたアモルフアスシリコ
ン（以下ａ−Siという）は光導電性、耐擦性、耐
熱性に優れているので光導電層の材料としての応
用が期待されている。このａ−Siを実用に供する
ためには、ａ−Siの光導電層に加えて支持体から
の電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層、SiNx、
SiCx等の表面保護層等を用い、目的に応じた多
層構成とする必要がある。そしてこの際の光導電
部材の均一性は極めて重要であり、光導電的特性
の不均一やピンホール等の欠陥が存在すると、美
麗な画像が提供できないばかりでなく、実用に耐
えないものとなる。特にａ−Siは膜の形態が支持
体の表面形状に大きく左右されることが知られて
いる。とりわけ、殆どの部分でほぼ均一な光導電
特性が必要となる大面積の電子写真感光体ドラム
においては、支持体の表面状態は極めて重要であ
り、支持体表面に欠陥が存在すると膜の均一性が
悪くなり、柱状構造や球状突起が形成されるた
め、光導電的不均一さの生じる原因となる。 ［発明が解決しようとする課題］ そこで、アルミニウム合金の管材シリンダー等
を支持体として使用する場合、その表面に鏡面仕
上げ、エンボス加工等精密な各種切削ないしは研
摩加工を施す過程において、粒界により区画され
た各種結晶粒が、結晶方位の違いによつて、加工
の際に受ける応力による変形、復元を異にするこ
とに起因するいわゆる粒界段差を生じる原因とな
り、例えばシリンダー表面に深さ100〜1000Å程
度の凹凸を生起させたり、あるいは粒界に沿つて
ひび割れ等の欠陥を生起させ、この粒界上に柱状
構造や円錐状の球状突起が多発し、光導電的不均
一や光導電特性の異常が増大する。さらに結晶粒
の大きなものは加工時に生ずる応力の分散が悪
く、このため粒界段差を大きく生ずる。そこで本
発明者らは、この結晶粒の特定の範囲にあれば前
述の従来の問題点が解消されることを見出し、本
発明を完成するに至つた。 本発明の目的は、主として粒界段差等の組織異
常が抑制されるとともに、さらに精密加工への適
応度が高められたアルミニウム合金から製作され
ている、光導電部材用精密加工支持体を提供する
ことにある。 本発明の他の目的は、支持体の表面欠陥が抑制
され、電気的、光学的、光導電的特性の均一性に
優れた光導電部材を提供することにある。 本発明のその上の目的は、画像欠陥が少なく、
高品質な画像を得ることができる光導電部材を提
供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明者等は上記目的を達成するために種々検
討した結果、前述したような主として粒界段差等
の組織異常をなくするための有効な手段として、
粒界により区画されたアルミニウムを基質とする
結晶粒の大きさ（最大長さで代表される粒径）を
最大300μm以下とすることを見出した。即ち結晶
粒の大きさが300μmを超えると、前述したように
切削加工時の応力の分散が悪く、１個の結晶粒に
大きな応力がかかり、１個の結晶粒の結晶方位の
影響をもろに受けることになり、粒界段差を大き
くすることとなるので好ましくない。また、結晶
粒の大きさの平均値（たとえば一定長で区切られ
た線分内に存在する結晶粒の数で線分の長さを割
つて計算される値で代表される）は100μm以下、
さらには50μm以下が好ましく、小さければ小さ
いほど良い。 結晶粒の大きさを本発明で規定している範囲内
に規制する具体的な方法として、例えば、通常、
押出しし次いで引抜加工することにより得られる
管については、引抜加工の際の絞り率、引抜率を
大きくし、加工度を適度に調節すること、またそ
の後工程のロール矯正での加工度の調整、及び最
終工程での熱処理における加工度の合せた条件の
設定などが挙げられる。 このように、本発明においてはアルミニウム合
金中に含有される結晶粒の大きさを規定したが、
基質アルミニウムを初めとするその他の合金成分
の種類、組成等については当該技術分野で一般に
採用されている範囲内で選択することができる。
本発明の光導電部材用精密加工支持体を製作する
のに用いるアルミニウム合金の実用的な組成を以
下に例示する。 ［Al−Mg系］ Mg 0.5〜10重量％ Si 0.5重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.2重量％以下 （例えば0.04〜0.2重量％） Mn 1.0重量％以下 （例えば0.01〜1.0重量％） Cr 0.5重量％以下 （例えば0.05〜0.5重量％） Zn 0.25重量％以下 （例えば0.03〜0.25重量％） Ti 0.2重量％以下 （例えば0.05〜0.2重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［Al−Mn系］ Mn 0.3〜1.5重量％ Si 0.5重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.3重量％以下 （例えば0.05〜0.3重量％） Mg 1.3重量％以下 （例えば0.2〜1.3重量％） Cr 0.2重量％以下 （例えば0.1〜0.2重量％） Zn 0.4重量％以下 （例えば0.1〜0.4重量％） Ti 0.1重量％以下 H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［Al−Cu系］ Cu 0.5〜10重量％ Si 0.5重量％以下） Fe 2000ppm以下 Mn 1.2重量％以下 （例えば0.2〜1.2重量％） Mg 1.8重量％以下 （例えば0.2〜1.8重量％） Cr 0.1重量％以下 Zn 0.3重量％以下 （例えば0.2〜0.3重量％） Ti 0.2重量％以下 （例えば0.15〜0.2重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［Al−Mg−Si系］ Mg 0.35〜1.5重量％ Si 0.5〜７重量％ Fe 2000ppm以下 Cu 0.4重量％以下 （例えば0.1〜0.4重量％） Mn 0.8重量％以下 （例えば0.03〜0.8重量％） Cr 0.35重量％以下 （例えば0.03〜0.35重量％） Zn 0.25重量％以下 （例えば0.1〜0.25重量％） Ti 0.15重量％以下 （例えば0.1〜0.15重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［純アルミニウム系］ Mg 0.5重量％以下 （例えば0.02〜0.5重量％） Si 0.3重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.1重量％以下 （例えば0.03〜0.1重量％） Mn 0.05重量％以下 （例えば0.02〜0.05重量％） Cr 痕跡量 Zn 0.1重量％以下 （例えば0.03〜0.1重量％） Ti 0.1重量％以下 （例えば0.03〜0.1重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 本発明において、アルミニウム合金の組成を上
記の組成範囲から選択する際には、使用目的に応
じた特性として例えば機械的強度、耐食性、加工
性、耐熱性、寸法精度等を考慮して適宜に選択す
れば良い。また、汎用のアルミニウム合金には一
般に必要に応じて積極的に添加される合金成分や
精錬、溶製等の過程で止むを得ず混入する不純物
などに起因する析出物、介在物が存在し、粒界等
において異常成長したり、合金組織機内にハード
スポツトと呼ばれる固い部分を生じ、精密加工の
際の加工性を損じたり、精密加工により得られる
光導電部材用支持体の特性を劣化させる原因とな
る。 例えばケイ素はアルミニウムと固溶しにくく、
Si、SiO2、Al−Si化合物、Al−Fe−Si化合物、
Al−Si−Mg化合物として、またAl2O3としてア
ルミニウム組織中にたとえば島状等の形態で介在
する。また、Fe、Ti等も酸化物等として堅い粒
界析出物がハードスポツトとして現われる。そこ
で本発明で用いるアルミニウム合金においては、
前述した各種介在物の大きさ（介在物粒子の最大
長さで代表される粒径）を10μm以下、さらには
5μm以下とすることが好ましい。 アルミニウム合金中の介在物の大きさを10μm
以下に抑制する具体的な方法としては、例えばア
ルミニウム合金の溶解時に使用するセラミツクフ
イルターの開孔径の小さいものを用いるととも
に、十分な管理のもとにフイルターの効果を十分
活かす方法をとり、具体的にはフイルターがある
程度目詰りした時点でのロツトを使用する。さら
には溶解炉材の混入防止対策、スラグの面削厚み
の増加などの方法が挙げられる。 さらに、例えば精密加工に際して鏡面化切削加
工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグ
ネシウム又は銅を共存させることによつてアルミ
ニウム合金の快削性が向上する。マグネシウム又
は銅の含量はそれぞれ0.5〜10重量％の範囲が好
ましく、特に１〜７重量％の範囲が望ましい。マ
グネシウム又は銅の含量が0.5重量％未満の場合
には添加効果が不十分であり、又余りにも高過ぎ
ると結晶粒界部分に粒界腐食が生じ易くなるた
め、10重量％を越えて添加することは望ましくな
い。 アルミニウム合金中に含有されるマンガンは耐
食性を高めるのに有効であり、その添加効果を達
成するためには0.3重量％以上添加することが望
ましい。しかし、1.5重量％を越えると析出物が
粗大化する傾向がある。従つて、耐食性向上添加
剤として用いるマンガンの添加量は0.3〜1.5重量
％の範囲であることが望ましい。 アルミニウム合金中にマグネシウム及びケイ素
の両元素が存在する場合には、ケイ素の添加量を
0.5〜７重量％とすることによつて良好な強度及
び耐食性が達成される。また良好な強度及び耐食
性を保持しつつ快削性をも達成しようとする場合
には、更にマグネシウムを0.35〜1.5重量％添加
することが望ましい。 また、アルミニウム合金中に含有される鉄は、
共存するアルミニウムやケイ素とFe−Al系やFe
−Al−Si系の金属間化合物を形成し、アルミニ
ウムマトリツクス中にハードスポツトとして現わ
れる。特にこのハードスポツトは鉄含量2000ppm
を境にして鉄が増加すると急激に増加し、たとえ
ば鏡面切削加工等の際に悪影響を及ぼす。従つて
本発明のアルミニウム合金における好ましい鉄含
量は、2000ppm以下、さらには1000ppm以下であ
る。 さらに、アルミニウム合金中に含有される水素
は空孔（Blister）等の組織異常を生起させ、精
密加工の際の加工性を損じて精密加工により得ら
れる光導電部材用支持体の特性を劣化させる原因
となる。このような不都合は、特にアルミニウム
合金中の水素量をアルミニウム100グラムに対し
て1.0c.c.以下、より好ましくは0.7c.c.以下に抑制す
ることにより解消することができる。 アルミニウム合金中に含有される鉄の含量を
2000ppm以下に抑える具体的な方法としては、原
料としてのAl地金の純度の高いもの、たとえば
電解精錬を繰り返し行なつたものを使用する。ま
た溶解、鋳込の各工程で十分管理を行なうなどの
方法が挙げられる。 アルミニウム合金中に含有される水素量をアル
ミニウム100グラムに対し1.0c.c.以下に抑える具体
的な方法としては、Al合金溶解時に脱ガス工程
として塩素ガスを溶湯中に吹き込み、合金組織中
に存在するH2ガスをHClとして除去する方法、
あるいは溶解したAl合金を真空炉中に一定時間
保持し、合金組織中に存在するH2ガスを真空中
へ拡散除去する方法などが挙げられる。 本発明で用いるアルミニウム合金は、圧延、押
出等の塑性加工を経た後、切削ないしは研摩等の
機械的方法、ないしは化学エツチング等化学的な
いし物理的方法を伴なう精密加工を施し、必要に
応じて熱処理、調質等を随時組合わせて、使用目
的に応じた適宜の形状に賦形される。たとえば電
子写真感光体ドラム等の厳密な寸法精度が要求さ
れる管状の構成部材に賦形する場合は、通常の押
出加工により得られるポートホール押出管あるい
はマンドレル押出管を、さらに冷間引抜加工して
得られる引抜管を使用するのが好ましい。このよ
うな管を用い、たとえば管表面に鏡面仕上げ、エ
ンボシング等のための切削ないしは研摩等の機械
的方法、ないしは化学エツチング等化学的ないし
物理的方法を伴なう精密加工を施した場合に、本
発明で用いるアルミニウム合金の特徴が特に顕著
に現われる。 本発明で用いるアルミニウム合金は、ダイヤバ
イトによる鏡面仕上げ、円筒研削仕上げ、ラツピ
ング仕上げ等の手段を用いてRnax＝1μm以下の表
面粗さ、好ましくはRnax＝0.05μm以下の平面度
に仕上げられる電子写真感光体等の光導電部材の
支持体として有用である。 以下、前記のアルミニウム合金から製作された
本発明の光導電部材用精密加工支持体を用い、光
導電物質としてａ−Siを用いた電子写真用の光導
電部材の構成例を説明する。このような光導電部
材は、例えば支持体上に電荷注入阻止層、光導電
層（感光層）及び表面保護層を順次積層した構成
を有している。支持体の形状は所望によつて決定
されるが、たとえば電子写真用として使用するの
であれば、連続高速複写の場合は無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚みは所
望通りの光導電部材が形成されるように適宜決定
されるが、光導電部材としての可撓性が要求され
る場合には支持体としての機能が十分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしな
がら、このような場合にも支持体の製造上及び取
扱い上、さらには機械的強度等の点から通常は
10μm以上とされる。支持体表面は、光導電部材
の均一性を保つために例えば鏡面孔切削加工等に
より鏡面仕上げが施され、また感光体を、光源と
してレーザー光等の可干渉性単色光を使用するデ
ジタル画像情報記録に使用する場合に干渉縞模様
を防止する等のために、例えば旋盤、フライスス
盤等を用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工
あるいは化学エツチング等他の精密加工により規
則的ないしは不規則のたとえば螺旋状の微細な凹
凸が付される。電荷注入阻止層は例えば水素原子
及び／又はハロゲン原子を含有するａ−Siで構成
されるとともに、伝導性を支配する物質として通
常半導体の不純物として用いられる周期律第族
ないしは第族に属する元素の原子が含有され
る。電荷注入阻止層の層厚は好ましくは0.01〜
10μm、より好適には0.05〜8μm、最適には0.07〜
5μmとされる。電荷注入阻止層の代りにたとえば
Al2O3、SiO2、Si3N4、ポリカーボネート等の電
気絶縁材料からなる障壁層を設けてもよいし、あ
るいは電荷注入阻止層と障壁層とを併用すること
もできる。光導電層はたとえば水素原子及び／又
はハロゲン原子を含有するａ−Siで構成され、所
望により電荷注入阻止層に用いるものとは別種の
伝導性を支配する物質が含有される。光導電層の
層厚は好ましくは１〜100μm、より好適には１〜
80μm、最適には２〜50μmとされる。表面保護層
はたとえばSiCx、SiNx等で構成され、層厚は好
ましくは0.01〜10μm、より好適には0.02〜5μm、
最適には0.04〜5μmとされる。 本発明においてａ−Siで構成される光導電層等
を形成するには、たとえばグロー放電法、スパツ
タリング法あるいはイオンプレーテイング法等の
従来公知の種々の放電現象を利用する真空堆積法
が適用される。 次にグロー放電分解法による光導電部材の製造
法の一例について説明する。 第１図はグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。堆積槽１はベースプレート２と
槽壁３とトツププレート４とから構成され、この
堆積槽１内にはカソード電極５が設けられてお
り、ａ−Si堆積膜が形成される特定の組成を有す
るアルミニウム合金製のドラム状支持体６はカソ
ード電極５の中央部に設置され、アノード電極と
しての役割りも兼ねている。この製造装置を使用
してａ−Si堆積膜をドラム状支持体上に形成する
には、まず原料ガス流入バルブ７及びリークバル
ブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積層１内を
排気する。真空計１０の読みが約５×10-6Torr
になつた時点で原料ガス流入バルブ７を開いて、
マスフローコントローラー１１内で所定の混合比
に調整された、例えばSiH4ガス、SiH6ガス、
SiF4ガス等の原料混合ガスを堆積槽１内に流入さ
せる。このとき堆積層１内の圧力が所望の値にな
るように真空計１０の読みを見ながら、排気バル
ブ９の開口度を調整する。そしてドラム状支持体
６の表面温度が加熱ヒーター１２により所定の温
度に設定されていることを確認した後、高周波電
源１３を所望の電力に設定して堆積槽１内にグロ
ー放電を生起させる。 また層形成を行なつている間は層形成の均一化
を図るためにドラム状支持体６をモータ１４によ
り一定速度で回転させる。このようにしてドラム
状支持体６上にａ−Si堆積膜を形成することがで
きる。 以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。 実施例１〜６、比較例１〜７ 第１表に示す組成（Feはppm、Ｈはアルミニ
ウム100ｇ当りのc.c.、他は重量％）のアルミニウ
ム合金のビレツトを鋳造し、500℃の温度で熱間
押出しを行ない、次いで減面率30％となるように
冷間引抜きを実施し、その後第１表に示す温度、
時間で焼鈍を行ない、続いて空気中で自然放冷し
て光導電部材用支持体シリンダーを得た。 精密切削用のエアーダンパー付旋盤
（PNEUMO PRECISION INC製）に、先端部
曲率0.01（mm-1）のダイアモンドバイトをシリン
ダー中心角に対して5゜の負のすくい角を得るよう
にセツトした。次にこの旋盤の回転軸フランジに
第１表に示した結晶粒の大きさの異なる13種のア
ルミニウム合金製シリンダーを真空チヤツクし、
付設したノズルからの白燈油噴霧、同じく付設し
た真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、
周速1000（ｍ／min）、送り速度0.01（mm／Ｒ）の
条件で外径が80mmφとなるよう鏡面切削を施し
た。このようにして鏡面加工したシリンダーにつ
き鏡面加工後に生じている表面欠陥（エグレ状の
傷、ひび割れ、スジ状キズ）を目視及び金属顕微
鏡により検査し、その数を調べた。なお、シリン
ダーに含有される水素の量は作製したシリンダー
の一部を切りとり、これをサンプルとし、ラボラ
トリー・イクイツプメンツ・コーポレーシヨン製
RH−IE型を用い、その仕様書に従つて測定し
た。 次にこれらの鏡面加工したアルミニウム合金製
シリンダーのそれぞれの上に賃第１図に示した光
導電部材の製造装置を用い、先に詳述したグロー
放電分解法に従い、下記の条件により光導電部材
を作製した。
されている、光導電部材用精密加工支持体及び光
導電部材に関する。 ［従来の技術］ アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構
造体に幅広く利用されているが、とりわけ光導電
部材の支持体等精密加工を要求される電気ないし
電子デバイスの構成部材として、その利用度が高
まりつつある。 しかしながら、例えば日本工業規格（JIS）に
より規格化された展伸材、鋳物用、ダイカスト等
の汎用のアルミニウム合金には、Ng、Cu、Mn、
Si、Zn等の積極的に添加される成分をはじめと
する各種組成成分と共に各種不純物成分が含有さ
れており、これらが介在物として組織中に析出し
たり、あるいは粒界段差を生起させ、特に表面近
傍に粒状析出物として存在すると、精密加工の際
の加工性を損ない、その結果としてアルミニウム
合金を構成部材とする電子部品等の特性を劣化さ
せることになる。 このような事情情を光導電部材についてさらに
詳しく説明すると、たとえば電子写真感光体は、
通常、アルミニウム合金はからなる円筒状等の支
持体表面上に光導電層を設けて構成される。光導
電層の材料としては有機ないし無機の各種光導電
物質が用いられており、例えば１価の元素でダン
グリングボンドが修飾されたアモルフアスシリコ
ン（以下ａ−Siという）は光導電性、耐擦性、耐
熱性に優れているので光導電層の材料としての応
用が期待されている。このａ−Siを実用に供する
ためには、ａ−Siの光導電層に加えて支持体から
の電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層、SiNx、
SiCx等の表面保護層等を用い、目的に応じた多
層構成とする必要がある。そしてこの際の光導電
部材の均一性は極めて重要であり、光導電的特性
の不均一やピンホール等の欠陥が存在すると、美
麗な画像が提供できないばかりでなく、実用に耐
えないものとなる。特にａ−Siは膜の形態が支持
体の表面形状に大きく左右されることが知られて
いる。とりわけ、殆どの部分でほぼ均一な光導電
特性が必要となる大面積の電子写真感光体ドラム
においては、支持体の表面状態は極めて重要であ
り、支持体表面に欠陥が存在すると膜の均一性が
悪くなり、柱状構造や球状突起が形成されるた
め、光導電的不均一さの生じる原因となる。 ［発明が解決しようとする課題］ そこで、アルミニウム合金の管材シリンダー等
を支持体として使用する場合、その表面に鏡面仕
上げ、エンボス加工等精密な各種切削ないしは研
摩加工を施す過程において、粒界により区画され
た各種結晶粒が、結晶方位の違いによつて、加工
の際に受ける応力による変形、復元を異にするこ
とに起因するいわゆる粒界段差を生じる原因とな
り、例えばシリンダー表面に深さ100〜1000Å程
度の凹凸を生起させたり、あるいは粒界に沿つて
ひび割れ等の欠陥を生起させ、この粒界上に柱状
構造や円錐状の球状突起が多発し、光導電的不均
一や光導電特性の異常が増大する。さらに結晶粒
の大きなものは加工時に生ずる応力の分散が悪
く、このため粒界段差を大きく生ずる。そこで本
発明者らは、この結晶粒の特定の範囲にあれば前
述の従来の問題点が解消されることを見出し、本
発明を完成するに至つた。 本発明の目的は、主として粒界段差等の組織異
常が抑制されるとともに、さらに精密加工への適
応度が高められたアルミニウム合金から製作され
ている、光導電部材用精密加工支持体を提供する
ことにある。 本発明の他の目的は、支持体の表面欠陥が抑制
され、電気的、光学的、光導電的特性の均一性に
優れた光導電部材を提供することにある。 本発明のその上の目的は、画像欠陥が少なく、
高品質な画像を得ることができる光導電部材を提
供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明者等は上記目的を達成するために種々検
討した結果、前述したような主として粒界段差等
の組織異常をなくするための有効な手段として、
粒界により区画されたアルミニウムを基質とする
結晶粒の大きさ（最大長さで代表される粒径）を
最大300μm以下とすることを見出した。即ち結晶
粒の大きさが300μmを超えると、前述したように
切削加工時の応力の分散が悪く、１個の結晶粒に
大きな応力がかかり、１個の結晶粒の結晶方位の
影響をもろに受けることになり、粒界段差を大き
くすることとなるので好ましくない。また、結晶
粒の大きさの平均値（たとえば一定長で区切られ
た線分内に存在する結晶粒の数で線分の長さを割
つて計算される値で代表される）は100μm以下、
さらには50μm以下が好ましく、小さければ小さ
いほど良い。 結晶粒の大きさを本発明で規定している範囲内
に規制する具体的な方法として、例えば、通常、
押出しし次いで引抜加工することにより得られる
管については、引抜加工の際の絞り率、引抜率を
大きくし、加工度を適度に調節すること、またそ
の後工程のロール矯正での加工度の調整、及び最
終工程での熱処理における加工度の合せた条件の
設定などが挙げられる。 このように、本発明においてはアルミニウム合
金中に含有される結晶粒の大きさを規定したが、
基質アルミニウムを初めとするその他の合金成分
の種類、組成等については当該技術分野で一般に
採用されている範囲内で選択することができる。
本発明の光導電部材用精密加工支持体を製作する
のに用いるアルミニウム合金の実用的な組成を以
下に例示する。 ［Al−Mg系］ Mg 0.5〜10重量％ Si 0.5重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.2重量％以下 （例えば0.04〜0.2重量％） Mn 1.0重量％以下 （例えば0.01〜1.0重量％） Cr 0.5重量％以下 （例えば0.05〜0.5重量％） Zn 0.25重量％以下 （例えば0.03〜0.25重量％） Ti 0.2重量％以下 （例えば0.05〜0.2重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［Al−Mn系］ Mn 0.3〜1.5重量％ Si 0.5重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.3重量％以下 （例えば0.05〜0.3重量％） Mg 1.3重量％以下 （例えば0.2〜1.3重量％） Cr 0.2重量％以下 （例えば0.1〜0.2重量％） Zn 0.4重量％以下 （例えば0.1〜0.4重量％） Ti 0.1重量％以下 H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［Al−Cu系］ Cu 0.5〜10重量％ Si 0.5重量％以下） Fe 2000ppm以下 Mn 1.2重量％以下 （例えば0.2〜1.2重量％） Mg 1.8重量％以下 （例えば0.2〜1.8重量％） Cr 0.1重量％以下 Zn 0.3重量％以下 （例えば0.2〜0.3重量％） Ti 0.2重量％以下 （例えば0.15〜0.2重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［Al−Mg−Si系］ Mg 0.35〜1.5重量％ Si 0.5〜７重量％ Fe 2000ppm以下 Cu 0.4重量％以下 （例えば0.1〜0.4重量％） Mn 0.8重量％以下 （例えば0.03〜0.8重量％） Cr 0.35重量％以下 （例えば0.03〜0.35重量％） Zn 0.25重量％以下 （例えば0.1〜0.25重量％） Ti 0.15重量％以下 （例えば0.1〜0.15重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 ［純アルミニウム系］ Mg 0.5重量％以下 （例えば0.02〜0.5重量％） Si 0.3重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.1重量％以下 （例えば0.03〜0.1重量％） Mn 0.05重量％以下 （例えば0.02〜0.05重量％） Cr 痕跡量 Zn 0.1重量％以下 （例えば0.03〜0.1重量％） Ti 0.1重量％以下 （例えば0.03〜0.1重量％） H2 Al100ｇに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 本発明において、アルミニウム合金の組成を上
記の組成範囲から選択する際には、使用目的に応
じた特性として例えば機械的強度、耐食性、加工
性、耐熱性、寸法精度等を考慮して適宜に選択す
れば良い。また、汎用のアルミニウム合金には一
般に必要に応じて積極的に添加される合金成分や
精錬、溶製等の過程で止むを得ず混入する不純物
などに起因する析出物、介在物が存在し、粒界等
において異常成長したり、合金組織機内にハード
スポツトと呼ばれる固い部分を生じ、精密加工の
際の加工性を損じたり、精密加工により得られる
光導電部材用支持体の特性を劣化させる原因とな
る。 例えばケイ素はアルミニウムと固溶しにくく、
Si、SiO2、Al−Si化合物、Al−Fe−Si化合物、
Al−Si−Mg化合物として、またAl2O3としてア
ルミニウム組織中にたとえば島状等の形態で介在
する。また、Fe、Ti等も酸化物等として堅い粒
界析出物がハードスポツトとして現われる。そこ
で本発明で用いるアルミニウム合金においては、
前述した各種介在物の大きさ（介在物粒子の最大
長さで代表される粒径）を10μm以下、さらには
5μm以下とすることが好ましい。 アルミニウム合金中の介在物の大きさを10μm
以下に抑制する具体的な方法としては、例えばア
ルミニウム合金の溶解時に使用するセラミツクフ
イルターの開孔径の小さいものを用いるととも
に、十分な管理のもとにフイルターの効果を十分
活かす方法をとり、具体的にはフイルターがある
程度目詰りした時点でのロツトを使用する。さら
には溶解炉材の混入防止対策、スラグの面削厚み
の増加などの方法が挙げられる。 さらに、例えば精密加工に際して鏡面化切削加
工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグ
ネシウム又は銅を共存させることによつてアルミ
ニウム合金の快削性が向上する。マグネシウム又
は銅の含量はそれぞれ0.5〜10重量％の範囲が好
ましく、特に１〜７重量％の範囲が望ましい。マ
グネシウム又は銅の含量が0.5重量％未満の場合
には添加効果が不十分であり、又余りにも高過ぎ
ると結晶粒界部分に粒界腐食が生じ易くなるた
め、10重量％を越えて添加することは望ましくな
い。 アルミニウム合金中に含有されるマンガンは耐
食性を高めるのに有効であり、その添加効果を達
成するためには0.3重量％以上添加することが望
ましい。しかし、1.5重量％を越えると析出物が
粗大化する傾向がある。従つて、耐食性向上添加
剤として用いるマンガンの添加量は0.3〜1.5重量
％の範囲であることが望ましい。 アルミニウム合金中にマグネシウム及びケイ素
の両元素が存在する場合には、ケイ素の添加量を
0.5〜７重量％とすることによつて良好な強度及
び耐食性が達成される。また良好な強度及び耐食
性を保持しつつ快削性をも達成しようとする場合
には、更にマグネシウムを0.35〜1.5重量％添加
することが望ましい。 また、アルミニウム合金中に含有される鉄は、
共存するアルミニウムやケイ素とFe−Al系やFe
−Al−Si系の金属間化合物を形成し、アルミニ
ウムマトリツクス中にハードスポツトとして現わ
れる。特にこのハードスポツトは鉄含量2000ppm
を境にして鉄が増加すると急激に増加し、たとえ
ば鏡面切削加工等の際に悪影響を及ぼす。従つて
本発明のアルミニウム合金における好ましい鉄含
量は、2000ppm以下、さらには1000ppm以下であ
る。 さらに、アルミニウム合金中に含有される水素
は空孔（Blister）等の組織異常を生起させ、精
密加工の際の加工性を損じて精密加工により得ら
れる光導電部材用支持体の特性を劣化させる原因
となる。このような不都合は、特にアルミニウム
合金中の水素量をアルミニウム100グラムに対し
て1.0c.c.以下、より好ましくは0.7c.c.以下に抑制す
ることにより解消することができる。 アルミニウム合金中に含有される鉄の含量を
2000ppm以下に抑える具体的な方法としては、原
料としてのAl地金の純度の高いもの、たとえば
電解精錬を繰り返し行なつたものを使用する。ま
た溶解、鋳込の各工程で十分管理を行なうなどの
方法が挙げられる。 アルミニウム合金中に含有される水素量をアル
ミニウム100グラムに対し1.0c.c.以下に抑える具体
的な方法としては、Al合金溶解時に脱ガス工程
として塩素ガスを溶湯中に吹き込み、合金組織中
に存在するH2ガスをHClとして除去する方法、
あるいは溶解したAl合金を真空炉中に一定時間
保持し、合金組織中に存在するH2ガスを真空中
へ拡散除去する方法などが挙げられる。 本発明で用いるアルミニウム合金は、圧延、押
出等の塑性加工を経た後、切削ないしは研摩等の
機械的方法、ないしは化学エツチング等化学的な
いし物理的方法を伴なう精密加工を施し、必要に
応じて熱処理、調質等を随時組合わせて、使用目
的に応じた適宜の形状に賦形される。たとえば電
子写真感光体ドラム等の厳密な寸法精度が要求さ
れる管状の構成部材に賦形する場合は、通常の押
出加工により得られるポートホール押出管あるい
はマンドレル押出管を、さらに冷間引抜加工して
得られる引抜管を使用するのが好ましい。このよ
うな管を用い、たとえば管表面に鏡面仕上げ、エ
ンボシング等のための切削ないしは研摩等の機械
的方法、ないしは化学エツチング等化学的ないし
物理的方法を伴なう精密加工を施した場合に、本
発明で用いるアルミニウム合金の特徴が特に顕著
に現われる。 本発明で用いるアルミニウム合金は、ダイヤバ
イトによる鏡面仕上げ、円筒研削仕上げ、ラツピ
ング仕上げ等の手段を用いてRnax＝1μm以下の表
面粗さ、好ましくはRnax＝0.05μm以下の平面度
に仕上げられる電子写真感光体等の光導電部材の
支持体として有用である。 以下、前記のアルミニウム合金から製作された
本発明の光導電部材用精密加工支持体を用い、光
導電物質としてａ−Siを用いた電子写真用の光導
電部材の構成例を説明する。このような光導電部
材は、例えば支持体上に電荷注入阻止層、光導電
層（感光層）及び表面保護層を順次積層した構成
を有している。支持体の形状は所望によつて決定
されるが、たとえば電子写真用として使用するの
であれば、連続高速複写の場合は無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚みは所
望通りの光導電部材が形成されるように適宜決定
されるが、光導電部材としての可撓性が要求され
る場合には支持体としての機能が十分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしな
がら、このような場合にも支持体の製造上及び取
扱い上、さらには機械的強度等の点から通常は
10μm以上とされる。支持体表面は、光導電部材
の均一性を保つために例えば鏡面孔切削加工等に
より鏡面仕上げが施され、また感光体を、光源と
してレーザー光等の可干渉性単色光を使用するデ
ジタル画像情報記録に使用する場合に干渉縞模様
を防止する等のために、例えば旋盤、フライスス
盤等を用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工
あるいは化学エツチング等他の精密加工により規
則的ないしは不規則のたとえば螺旋状の微細な凹
凸が付される。電荷注入阻止層は例えば水素原子
及び／又はハロゲン原子を含有するａ−Siで構成
されるとともに、伝導性を支配する物質として通
常半導体の不純物として用いられる周期律第族
ないしは第族に属する元素の原子が含有され
る。電荷注入阻止層の層厚は好ましくは0.01〜
10μm、より好適には0.05〜8μm、最適には0.07〜
5μmとされる。電荷注入阻止層の代りにたとえば
Al2O3、SiO2、Si3N4、ポリカーボネート等の電
気絶縁材料からなる障壁層を設けてもよいし、あ
るいは電荷注入阻止層と障壁層とを併用すること
もできる。光導電層はたとえば水素原子及び／又
はハロゲン原子を含有するａ−Siで構成され、所
望により電荷注入阻止層に用いるものとは別種の
伝導性を支配する物質が含有される。光導電層の
層厚は好ましくは１〜100μm、より好適には１〜
80μm、最適には２〜50μmとされる。表面保護層
はたとえばSiCx、SiNx等で構成され、層厚は好
ましくは0.01〜10μm、より好適には0.02〜5μm、
最適には0.04〜5μmとされる。 本発明においてａ−Siで構成される光導電層等
を形成するには、たとえばグロー放電法、スパツ
タリング法あるいはイオンプレーテイング法等の
従来公知の種々の放電現象を利用する真空堆積法
が適用される。 次にグロー放電分解法による光導電部材の製造
法の一例について説明する。 第１図はグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。堆積槽１はベースプレート２と
槽壁３とトツププレート４とから構成され、この
堆積槽１内にはカソード電極５が設けられてお
り、ａ−Si堆積膜が形成される特定の組成を有す
るアルミニウム合金製のドラム状支持体６はカソ
ード電極５の中央部に設置され、アノード電極と
しての役割りも兼ねている。この製造装置を使用
してａ−Si堆積膜をドラム状支持体上に形成する
には、まず原料ガス流入バルブ７及びリークバル
ブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積層１内を
排気する。真空計１０の読みが約５×10-6Torr
になつた時点で原料ガス流入バルブ７を開いて、
マスフローコントローラー１１内で所定の混合比
に調整された、例えばSiH4ガス、SiH6ガス、
SiF4ガス等の原料混合ガスを堆積槽１内に流入さ
せる。このとき堆積層１内の圧力が所望の値にな
るように真空計１０の読みを見ながら、排気バル
ブ９の開口度を調整する。そしてドラム状支持体
６の表面温度が加熱ヒーター１２により所定の温
度に設定されていることを確認した後、高周波電
源１３を所望の電力に設定して堆積槽１内にグロ
ー放電を生起させる。 また層形成を行なつている間は層形成の均一化
を図るためにドラム状支持体６をモータ１４によ
り一定速度で回転させる。このようにしてドラム
状支持体６上にａ−Si堆積膜を形成することがで
きる。 以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。 実施例１〜６、比較例１〜７ 第１表に示す組成（Feはppm、Ｈはアルミニ
ウム100ｇ当りのc.c.、他は重量％）のアルミニウ
ム合金のビレツトを鋳造し、500℃の温度で熱間
押出しを行ない、次いで減面率30％となるように
冷間引抜きを実施し、その後第１表に示す温度、
時間で焼鈍を行ない、続いて空気中で自然放冷し
て光導電部材用支持体シリンダーを得た。 精密切削用のエアーダンパー付旋盤
（PNEUMO PRECISION INC製）に、先端部
曲率0.01（mm-1）のダイアモンドバイトをシリン
ダー中心角に対して5゜の負のすくい角を得るよう
にセツトした。次にこの旋盤の回転軸フランジに
第１表に示した結晶粒の大きさの異なる13種のア
ルミニウム合金製シリンダーを真空チヤツクし、
付設したノズルからの白燈油噴霧、同じく付設し
た真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、
周速1000（ｍ／min）、送り速度0.01（mm／Ｒ）の
条件で外径が80mmφとなるよう鏡面切削を施し
た。このようにして鏡面加工したシリンダーにつ
き鏡面加工後に生じている表面欠陥（エグレ状の
傷、ひび割れ、スジ状キズ）を目視及び金属顕微
鏡により検査し、その数を調べた。なお、シリン
ダーに含有される水素の量は作製したシリンダー
の一部を切りとり、これをサンプルとし、ラボラ
トリー・イクイツプメンツ・コーポレーシヨン製
RH−IE型を用い、その仕様書に従つて測定し
た。 次にこれらの鏡面加工したアルミニウム合金製
シリンダーのそれぞれの上に賃第１図に示した光
導電部材の製造装置を用い、先に詳述したグロー
放電分解法に従い、下記の条件により光導電部材
を作製した。
【表】
アルミニウムシリンダー温度：250℃
堆積膜形成時の堆積室内圧：0.3Torr
放電周波数：13.56MHz
堆積膜形成速度：20Å／sec
放電電力：0.18W／cm2
こうして得られた各電子写真感光体ドラムをキ
ヤノン(株)製400RE複写装置に設置してＡ−３紙上
に画出しを行ない、白点状の画像欠陥（0.3mmφ
以上）の評価を実施した。この結果を第１表に示
す。 なお、実施例１及び実施例２の各電子写真感光
体ドラムについては、更に100万枚の耐久試験を、
23℃／相対湿度50％、30℃／相対湿度90％、５
℃／相対湿度20％の各環境下で実施したが、画像
欠陥、特に白抜け等の欠陥もなく、良好な耐久性
を有していることが確認された。
ヤノン(株)製400RE複写装置に設置してＡ−３紙上
に画出しを行ない、白点状の画像欠陥（0.3mmφ
以上）の評価を実施した。この結果を第１表に示
す。 なお、実施例１及び実施例２の各電子写真感光
体ドラムについては、更に100万枚の耐久試験を、
23℃／相対湿度50％、30℃／相対湿度90％、５
℃／相対湿度20％の各環境下で実施したが、画像
欠陥、特に白抜け等の欠陥もなく、良好な耐久性
を有していることが確認された。
【表】
【表】
［発明の効果］
本発明におけるアルミニウム合金によれば、主
として粒界段差等の組織異常が抑制され、ないし
は全くなくなり、精密加工による加工性の低下や
加工製品の所望される特性の劣化が抑えられるた
め、精密加工による正確な表面形状が望まれる光
導電部材用として好適である。また、このアルミ
ニウム合金を引き抜き加工して得られる管材は正
確な表面形状並びに高い寸法精度が得られるた
め、とりわけ電子写真感光体の支持体等精密な管
状構成部材等を構成するのに好適である。さら
に、本発明におけるアルミニウム合金を支持体と
して用いた光導電部材は電気的、光学的ないしは
光導電的特性の均一性に優れ、なかんずく電子写
真用として用いた場合、画像欠陥が少なく、高品
質な画像を得ることができる。
として粒界段差等の組織異常が抑制され、ないし
は全くなくなり、精密加工による加工性の低下や
加工製品の所望される特性の劣化が抑えられるた
め、精密加工による正確な表面形状が望まれる光
導電部材用として好適である。また、このアルミ
ニウム合金を引き抜き加工して得られる管材は正
確な表面形状並びに高い寸法精度が得られるた
め、とりわけ電子写真感光体の支持体等精密な管
状構成部材等を構成するのに好適である。さら
に、本発明におけるアルミニウム合金を支持体と
して用いた光導電部材は電気的、光学的ないしは
光導電的特性の均一性に優れ、なかんずく電子写
真用として用いた場合、画像欠陥が少なく、高品
質な画像を得ることができる。
第１図はグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示した図である。 図中、１は堆積槽、２はベースプレート、３は
槽壁、４はトツププレート、５はカソード電極、
６はドラム状支持体、７は原料ガス流入バルブ、
８はリークバルブ、９は排気バルブ、１０は真空
計、１１はマスフローコントローラ、１２は加熱
ヒータ、１３は高周波電源、１４はモータであ
る。
製造装置を示した図である。 図中、１は堆積槽、２はベースプレート、３は
槽壁、４はトツププレート、５はカソード電極、
６はドラム状支持体、７は原料ガス流入バルブ、
８はリークバルブ、９は排気バルブ、１０は真空
計、１１はマスフローコントローラ、１２は加熱
ヒータ、１３は高周波電源、１４はモータであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム及び不純物からなり、結晶粒の
大きさが最大300μm以下である合金から製作され
ていることを特徴とする光導電部材用精密加工支
持体。 ２ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下で
ある、特許請求の範囲第１項記載の光導電部材用
精密加工支持体。 ３ 前記不純物から形成される介在物の大きさが
10μm以下である、特許請求の範囲第１項記載の
光導電部材用精密加工支持体。 ４ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第１項記載の光導電部材用精
密加工支持体。 ５ 前記不純物としての水素がアルミニウム100
グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の範
囲第１項記載の光導電部材用精密加工支持体。 ６ マグネシウムを0.5〜10重量％含み、残部が
アルミニウム及び不純物からなり、結晶粒の大き
さが最大300μm以下である合金から製作されてい
ることを特徴とする光導電部材用精密加工支持
体。 ７ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下で
ある、特許請求の範囲第６項記載の光導電部材用
精密加工支持体。 ８ 前記不純物から形成される介在物の大きさが
10μm以下である、特許請求の範囲第６項記載の
光導電部材用精密加工支持体。 ９ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第６項記載の光導電部材用精
密加工支持体。 １０ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第６項記載の光導電部材用精密加工支持体。 １１ マンガンを0.3〜1.5重量％含み、残部がア
ルミニウム及び不純物からなり、結晶粒の大きさ
が最大300μm以下である合金から製作されている
ことを特徴とする光導電部材用精密加工支持体。 １２ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第１１項記載の光導電部
材用精密加工支持体。 １３ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第１１項記
載の光導電部材用精密加工支持体。 １４ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第１１項記載の光導電部材用
精密加工支持体。 １５ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第１１項記載の光導電部材用精密加工支持
体。 １６ 銅を0.5〜10重量％含み、残部がアルミニ
ウム及び不純物からなり、結晶粒の大きさが最大
300μm以下である合金から製作されていることを
特徴とする光導電部材用精密加工支持体。 １７ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第１６項記載の光導電部
材用精密加工支持体。 １８ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第１６項記
載の光導電部材用精密加工支持体。 １９ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第１６項記載の光導電部材用
精密加工支持体。 ２０ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第１６項記載の光導電部材用精密加工支持
体。 ２１ マグネシウムを0.35〜1.5重量％、ケイ素
を0.5〜７重量％含み、残部がアルミニウム及び
不純物からなり、結晶粒の大きさが最大300μm以
下である合金から製作されていることを特徴とす
る光導電部材用精密加工支持体。 ２２ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第２１項記載の光導電部
材用精密加工支持体。 ２３ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第２１項記
載の光導電部材用精密加工支持体。 ２４ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第２１項記載の光導電部材用
精密加工支持体。 ２５ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第２１項記載の光導電部材用精密加工支持
体。 ２６ アルミニウム及び不純物からなり、結晶粒
の大きさが最大300μm以下である合金から製作さ
れた支持体と、該支持体上に設けられた光導電層
とを有することを特徴とする光導電部材。 ２７ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第２６項記載の光導電部
材。 ２８ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第２６項記
載の光導電部材。 ２９ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第２６項記載の光導電部材。 ３０ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第２６項記載の光導電部材。 ３１ マグネシウムを0.5〜10重量％含み、残部
がアルミニウム及び不純物からなり、結晶粒の大
きさが最大300μm以下である合金から製作された
支持体と、該支持体上に設けられた光導電層とを
有することを特徴とする光導電部材。 ３２ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第２６項記載の光導電部
材。 ３３ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第３１項記
載の光導電部材。 ３４ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第３１項記載の光導電部材。 ３５ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第３１項記載の光導電部材。 ３６ マンガンを0.3〜1.5重量％含み、残部がア
ルミニウム及び不純物からなり、結晶粒の大きさ
が最大300μm以下である合金から製作された支持
体と、該支持体上に設けられた光導電層とを有す
ることを特徴とする光導電部材。 ３７ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第３６項記載の光導電部
材。 ３８ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第３６項記
載の光導電部材。 ３９ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第３６項記載の光導電部材。 ４０ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第３６項記載の光導電部材。 ４１ マンガンを0.5〜10重量％含み、残部がア
ルミニウム及び不純物からなり、結晶粒の大きさ
が最大300μm以下である合金から製作された支持
体と、該支持体上に設けられた光導電層とを有す
ることを特徴とする光導電部材。 ４２ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第４１項記載の光導電部
材。 ４３ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第４１項記
載の光導電部材。 ４４ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第４１項記載の光導電部材。 ４５ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第４１項記載の光導電部材。 ４６ マグネシウム0.35〜1.5重量％、ケイ素を
0.5〜７重量％含み、残部がアルミニウム及び不
純物からなり、結晶粒の大きさが最大300μm以下
である合金から製作された支持体と、該支持体上
に設けられた光導電層とを有することを特徴とす
る光導電部材。 ４７ 前記結晶粒の大きさの平均値が100μm以下
である、特許請求の範囲第４６項記載の光導電部
材。 ４８ 前記不純物から形成される介在物の大きさ
が10μm以下である、特許請求の範囲第４６項記
載の光導電部材。 ４９ 前記不純物としての鉄が2000ppm以下であ
る、特許請求の範囲第“４６項記載の光導電部
材。 ５０ 前記不純物としての水素がアルミニウム
100グラムに対して1.0c.c.以下である、特許請求の
範囲第４６項記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27989584A JPS61159544A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 精密加工用アルミニウム合金、これを用いた管材及び光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27989584A JPS61159544A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 精密加工用アルミニウム合金、これを用いた管材及び光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159544A JPS61159544A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0353377B2 true JPH0353377B2 (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=17617419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27989584A Granted JPS61159544A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 精密加工用アルミニウム合金、これを用いた管材及び光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159544A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02217433A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Kobe Steel Ltd | 感光体基体用アルミニウム合金 |
| JP2920718B2 (ja) * | 1992-06-12 | 1999-07-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体および電子写真法 |
| JP3557953B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2004-08-25 | 日本軽金属株式会社 | 精密加工用アルミニウム合金板材およびその製造方法 |
| AU2003266506A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-29 | Showa Denko K.K. | Aluminum pipe having excellent surface quality, method and apparatus for manufacturing the aluminum pipe, and photosenstive drum base body |
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS60221545A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-11-06 | Kobe Steel Ltd | 切削表面仕上り性に優れた感光ドラム用押出アルミニウム合金 |
| JPS60197854A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-07 | Sukai Alum Kk | 感光体ドラム用アルミニウム合金圧延板 |
| JPS6144148A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Kobe Steel Ltd | 感光ドラム用アルミニウム板材およびその製造法 |
| JPS6144150A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Kobe Steel Ltd | 感光ドラム用アルミニウム合金軟質板およびその製造方法 |
| JPS6191352A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Kobe Steel Ltd | 微小うねりの発生が少ない磁気ディスク基板用Ａｌ合金板の軟質化焼鈍方法 |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP27989584A patent/JPS61159544A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159544A (ja) | 1986-07-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |