JPH0353393B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353393B2 JPH0353393B2 JP5362583A JP5362583A JPH0353393B2 JP H0353393 B2 JPH0353393 B2 JP H0353393B2 JP 5362583 A JP5362583 A JP 5362583A JP 5362583 A JP5362583 A JP 5362583A JP H0353393 B2 JPH0353393 B2 JP H0353393B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- etching solution
- workpiece
- liquid tank
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は、ケミカルエツチング装置に関し、さ
らに詳しく述べると、例えば化合物半導体結晶基
板のような被処理物の複数枚を同時に、しかもす
べての表面を均一に鏡面にエツチングすることが
可能な改良されたケミカルエツチング装置に関す
る。
らに詳しく述べると、例えば化合物半導体結晶基
板のような被処理物の複数枚を同時に、しかもす
べての表面を均一に鏡面にエツチングすることが
可能な改良されたケミカルエツチング装置に関す
る。
(2) 従来技術と問題点
周知の通り、いろいろなケミカルエツチング方
法が提案され、実用されている。例えば、テフロ
ンビーカーにエツチング液を収容し、これを撹拌
しながらウエハを一枚ずつ処理する方法や、N2
ガスを用いてバブルエツチングを行なう方法、そ
してエツチング液の液面と直角をなす基板ホルダ
ーを用いて複数枚の基板をエツチングする方法等
が一般に行なわれている。ところが、上記した第
１の方法は、バツチ方式であるので、多量のウエ
ハを処理する場合にはあまりにも時間がかかりす
ぎる欠点がある。また、第２のバブルエツチング
法は、N2ガスをバブルしているために基板表面
に気泡が出来易く、表面が平滑になりにくいとい
う欠点がある。さらに、第３の方法は、結晶基板
を立ててエツチングを行なうのでエツチング液と
基板との反応により生成した気泡が上流方向に上
昇し、よつて、基板表面に縞模様が出来易いとい
う欠点がある。このような欠点に加えて、例えば
H2SO4系のような粘性の高いエツチング液を使
用すると、エツチング液の混合、撹拌がうまくい
かないので、液の流れにそつた縞模様が基板表面
上に出来上る。
法が提案され、実用されている。例えば、テフロ
ンビーカーにエツチング液を収容し、これを撹拌
しながらウエハを一枚ずつ処理する方法や、N2
ガスを用いてバブルエツチングを行なう方法、そ
してエツチング液の液面と直角をなす基板ホルダ
ーを用いて複数枚の基板をエツチングする方法等
が一般に行なわれている。ところが、上記した第
１の方法は、バツチ方式であるので、多量のウエ
ハを処理する場合にはあまりにも時間がかかりす
ぎる欠点がある。また、第２のバブルエツチング
法は、N2ガスをバブルしているために基板表面
に気泡が出来易く、表面が平滑になりにくいとい
う欠点がある。さらに、第３の方法は、結晶基板
を立ててエツチングを行なうのでエツチング液と
基板との反応により生成した気泡が上流方向に上
昇し、よつて、基板表面に縞模様が出来易いとい
う欠点がある。このような欠点に加えて、例えば
H2SO4系のような粘性の高いエツチング液を使
用すると、エツチング液の混合、撹拌がうまくい
かないので、液の流れにそつた縞模様が基板表面
上に出来上る。
(3) 発明の目的
本発明は、上記したような被処理物表面の欠陥
を伴なわず、しかも多数枚の被処理物を一回の処
理でエツチングして被処理物表面を高均一な鏡面
に仕上げることのできるケミカルエツチング装置
を提供することを目的とする。このケミカルエツ
チング装置は、当然のことながら、構造簡単にし
て操作が容易でなければならない。
を伴なわず、しかも多数枚の被処理物を一回の処
理でエツチングして被処理物表面を高均一な鏡面
に仕上げることのできるケミカルエツチング装置
を提供することを目的とする。このケミカルエツ
チング装置は、当然のことながら、構造簡単にし
て操作が容易でなければならない。
(4) 発明の構成
本発明者らは、このたび、エツチング液槽に該
エツチング液槽内壁から略水平に延び且つ複数の
孔を有する隔壁が、前記エツチング液槽内を下部
領域と上部領域とを分離する如く配設され、該下
部領域にはエツチング液を撹拌するマグネチツク
スターラーが設けられ、該上部領域には被処理物
が略水平に且つ複数枚保持できる保持具が設けら
れてなることを特徴とするケミカルエツチング装
置が上記目的の達成に有用であることを見い出し
た。
エツチング液槽内壁から略水平に延び且つ複数の
孔を有する隔壁が、前記エツチング液槽内を下部
領域と上部領域とを分離する如く配設され、該下
部領域にはエツチング液を撹拌するマグネチツク
スターラーが設けられ、該上部領域には被処理物
が略水平に且つ複数枚保持できる保持具が設けら
れてなることを特徴とするケミカルエツチング装
置が上記目的の達成に有用であることを見い出し
た。
ここで、被処理物水平固定具は、それぞれが複
数本の被処理物ささえ棒を有し、そのうちの少な
くとも１本のささえ棒が可動であることが好まし
い。例えば、４点支承方式を採用し、４本のささ
え棒から水平固定具を構成し、そのうちの１本の
ささえ棒が左右に任意に移動可能とすることが推
奨される。このようにすると、被処理物のホルダ
ーへのセツトが容易であり、またそれを強固に固
定することができる。さらに、被処理物として化
合物半導体結晶基板を使用する場合、その基板結
晶の表面を上向きにしてホルダーにセツトするの
が望ましい。
数本の被処理物ささえ棒を有し、そのうちの少な
くとも１本のささえ棒が可動であることが好まし
い。例えば、４点支承方式を採用し、４本のささ
え棒から水平固定具を構成し、そのうちの１本の
ささえ棒が左右に任意に移動可能とすることが推
奨される。このようにすると、被処理物のホルダ
ーへのセツトが容易であり、またそれを強固に固
定することができる。さらに、被処理物として化
合物半導体結晶基板を使用する場合、その基板結
晶の表面を上向きにしてホルダーにセツトするの
が望ましい。
本発明の実施において、水平に延びた有孔隔壁
を有するエツチング液槽として例えば穴開き二重
底石英ビーカーなどを使用することができる。隔
壁の孔のサイズは、液槽のマグネツト回転領域で
エツチング液を撹拌した時にその液が隔壁の孔の
部分を通り抜けて上昇し、被処理物表面でなめら
かに流れるような乱流が生じるよう、任意に選択
することができる。一般には、この孔のサイズを
直径約８〜10mmとすることが好ましい。
を有するエツチング液槽として例えば穴開き二重
底石英ビーカーなどを使用することができる。隔
壁の孔のサイズは、液槽のマグネツト回転領域で
エツチング液を撹拌した時にその液が隔壁の孔の
部分を通り抜けて上昇し、被処理物表面でなめら
かに流れるような乱流が生じるよう、任意に選択
することができる。一般には、この孔のサイズを
直径約８〜10mmとすることが好ましい。
本発明によるケミカルエツチング装置を、例え
ばAl，Ga，In等の周期表第族金属、例えばSi，
Sn，Pb等の周期表第族金属、そして例えば
As，Sb等の周期表第族金属の化合物半導体結
晶基板を例えばH2SO4−H2O2−H2O系エツチン
グ液の使用によりケミカルエツチングするのに有
利に利用することができる。それというのも、第
族〜第族化合物半導体結晶基板は表面が非常
に軟らかく、ミラーポリツシング等に原因する表
面ダメージ層や洗浄後の汚れ等が表面に残つてお
り、これらの表面欠陥を取り除くために約５〜
10μm程度のエツチングを要するからである。
ばAl，Ga，In等の周期表第族金属、例えばSi，
Sn，Pb等の周期表第族金属、そして例えば
As，Sb等の周期表第族金属の化合物半導体結
晶基板を例えばH2SO4−H2O2−H2O系エツチン
グ液の使用によりケミカルエツチングするのに有
利に利用することができる。それというのも、第
族〜第族化合物半導体結晶基板は表面が非常
に軟らかく、ミラーポリツシング等に原因する表
面ダメージ層や洗浄後の汚れ等が表面に残つてお
り、これらの表面欠陥を取り除くために約５〜
10μm程度のエツチングを要するからである。
(5) 発明の実施例
次に、添付の図面を参照しながら本発明による
ケミカルエツチング装置を説明する。
ケミカルエツチング装置を説明する。
第１図には、本発明によるケミカルエツチング
装置の好ましい一例が断面で示されている。図中
の１はマグネチツクスターラーであり、石英ビー
カー２内に収容したエツチング液３をマグネツト
４の回転を通じて入念に撹拌することができる。
その際、石英ビーカー２の隔壁５には多数個例え
ば40個程の孔が設けられており、それらの孔を通
る程よいエツチング液の乱流が形成でき、テフロ
ン製エツチングホルダー６から放射状に派生した
被処理物水平固定具７上の被処理物（基板）８の
表面をエツチング液がなめるようにいきわたる。
装置の好ましい一例が断面で示されている。図中
の１はマグネチツクスターラーであり、石英ビー
カー２内に収容したエツチング液３をマグネツト
４の回転を通じて入念に撹拌することができる。
その際、石英ビーカー２の隔壁５には多数個例え
ば40個程の孔が設けられており、それらの孔を通
る程よいエツチング液の乱流が形成でき、テフロ
ン製エツチングホルダー６から放射状に派生した
被処理物水平固定具７上の被処理物（基板）８の
表面をエツチング液がなめるようにいきわたる。
尚、石英ビーカー２の大きさは本実施例にあつ
ては、縦12〔cm〕、横12〔cm」、深さ10〔cm〕である。
ては、縦12〔cm〕、横12〔cm」、深さ10〔cm〕である。
図示の被処理物固定具７は、第２図に示される
ように、４本の被処理物ささえ棒９，９′，９″及
び９からなり、そのうちの１本であるささえ棒
９は矢印で示される如く左右に可動である。ささ
え棒９の左右動は、例えば、第３図に示されるよ
うに、ネジ止め１０の調節によつて達成すること
ができる。被処理物水平固定具７を上記のように
構成したので、結晶基板８をホルダー６にセツト
するのが容易であり、また、一度セツトした基板
８を強固に固定することができる。
ように、４本の被処理物ささえ棒９，９′，９″及
び９からなり、そのうちの１本であるささえ棒
９は矢印で示される如く左右に可動である。ささ
え棒９の左右動は、例えば、第３図に示されるよ
うに、ネジ止め１０の調節によつて達成すること
ができる。被処理物水平固定具７を上記のように
構成したので、結晶基板８をホルダー６にセツト
するのが容易であり、また、一度セツトした基板
８を強固に固定することができる。
次に、第１図のケミカルエツチング装置の操作
について説明する。先ず、石英ビーカー２にエツ
チング液の一定量３を入れ、マグネチツクスター
ラー１によつて十分に撹拌しておく。次いで、基
板ホルダー６のささえ棒９〜９で結晶基板８を
その表面が上向きとなるようにセツトし、エツチ
ング液の撹拌を一度中断してから基板ホルダー６
をエツチング液３中に浸漬し、再度エツチング液
の撹拌を開始する。石英ビーカー２の隔壁５の孔
の部分よりエツチング液に対流をおこさせ、結晶
基板表面になめらかにエツチング液をいきわたら
せる。
について説明する。先ず、石英ビーカー２にエツ
チング液の一定量３を入れ、マグネチツクスター
ラー１によつて十分に撹拌しておく。次いで、基
板ホルダー６のささえ棒９〜９で結晶基板８を
その表面が上向きとなるようにセツトし、エツチ
ング液の撹拌を一度中断してから基板ホルダー６
をエツチング液３中に浸漬し、再度エツチング液
の撹拌を開始する。石英ビーカー２の隔壁５の孔
の部分よりエツチング液に対流をおこさせ、結晶
基板表面になめらかにエツチング液をいきわたら
せる。
なお、上記では結晶基板４枚を同時に処理する
ことの例を示したけれども、必要に応じて基板ホ
ルダー等の構成に若干の変更を加えて４枚以上の
枚数の結晶基板を同時にエツチングすることもも
ちろん可能である。
ことの例を示したけれども、必要に応じて基板ホ
ルダー等の構成に若干の変更を加えて４枚以上の
枚数の結晶基板を同時にエツチングすることもも
ちろん可能である。
(6) 発明の効果
本発明によれば、複数板の結晶基板を簡単な操
作だけで１回のみでケミカルエツチングすること
ができ、また、均一性の高い鏡面様の表面を得る
ことができる。したがつて、エツチング結晶基板
の高歩留り、そして量産化が可能である。
作だけで１回のみでケミカルエツチングすること
ができ、また、均一性の高い鏡面様の表面を得る
ことができる。したがつて、エツチング結晶基板
の高歩留り、そして量産化が可能である。
第１図は本発明によるケミカルエツチング装置
の好ましい一例を示した断面図、第２図はエツチ
ングホルダーに結晶基板をセツトした時の状態を
示した平面図、そして第３図は第２図の側面図で
ある。 図中、１はマグネチツクスターラー、２は石英
ビーカー、３はエツチング液、４はマグネツト、
５は有孔隔壁、６はエツチングホルダー、７は被
処理物水平固定具、８は被処理物、９はささえ
棒、そして１０はネジ止めである。
の好ましい一例を示した断面図、第２図はエツチ
ングホルダーに結晶基板をセツトした時の状態を
示した平面図、そして第３図は第２図の側面図で
ある。 図中、１はマグネチツクスターラー、２は石英
ビーカー、３はエツチング液、４はマグネツト、
５は有孔隔壁、６はエツチングホルダー、７は被
処理物水平固定具、８は被処理物、９はささえ
棒、そして１０はネジ止めである。
Claims (1)
- １ エツチング液槽に該エツチング液槽内壁から
略水平に延び且つ複数の孔を有する隔壁が、前記
エツチング液槽内を下部領域と上部領域とを分離
する如く配設され、該下部領域にはエツチング液
を撹拌するマグネチツクスターラーが設けられ、
該上部領域には被処理物が略水平に且つ複数枚保
持できる保持具が設けられてなることを特徴とす
るケミカルエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5362583A JPS59179788A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ケミカルエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5362583A JPS59179788A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ケミカルエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59179788A JPS59179788A (ja) | 1984-10-12 |
| JPH0353393B2 true JPH0353393B2 (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=12948085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5362583A Granted JPS59179788A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ケミカルエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59179788A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162527U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-24 | ||
| JP3077140B2 (ja) * | 1988-09-12 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| CN103762160B (zh) * | 2014-01-28 | 2017-05-10 | 北京华力创通科技股份有限公司 | 深硅刻蚀方法 |
| CN111379009B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-04-29 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法 |
| KR102417059B1 (ko) * | 2021-12-22 | 2022-07-06 | 램테크놀러지 주식회사 | 식각액 검증을 위한 배치형 식각 장치 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5362583A patent/JPS59179788A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59179788A (ja) | 1984-10-12 |
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