JPS6386525A - 半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置 - Google Patents
半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置Info
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- JPS6386525A JPS6386525A JP23258686A JP23258686A JPS6386525A JP S6386525 A JPS6386525 A JP S6386525A JP 23258686 A JP23258686 A JP 23258686A JP 23258686 A JP23258686 A JP 23258686A JP S6386525 A JPS6386525 A JP S6386525A
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- silicon wafer
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ラップ洗浄後の半導体シリコンウェーハを表
面処理するエツチング装置に関する。
面処理するエツチング装置に関する。
（従来技術）
牢、導体シリコンウェーハの製造は、シリコン単結晶イ
ンゴットをダイヤモンドの鋸で切り、ラッピング及びラ
ップ洗浄を経た後、表面清浄性及び表面形状を均一化す
べくエツチング装置か施され、その表面に酸化膜、窒化
膜、コーティング等を付すべく次工程へ送られる工程を
経る。
ンゴットをダイヤモンドの鋸で切り、ラッピング及びラ
ップ洗浄を経た後、表面清浄性及び表面形状を均一化す
べくエツチング装置か施され、その表面に酸化膜、窒化
膜、コーティング等を付すべく次工程へ送られる工程を
経る。
ところで上記エツチングは、従来、シリコンウェーハを
キャリヤて保持して混酸液中に浸し、シリコンウェーハ
を回転させながら」−２混酸液中を直線往復運動させる
如く行っていた。
キャリヤて保持して混酸液中に浸し、シリコンウェーハ
を回転させながら」−２混酸液中を直線往復運動させる
如く行っていた。
（発明か解決しようとする問題点）
しかし上記従来法によれば、シリコンウェーハの中心位
置と外周位置とて反応の差が生し、処理後のシリコンウ
ェー八表面に、くもり、エツチングむらが発生し、また
フラットネス精度が悪くなり、製造歩留り低下の一因と
なっていた。
置と外周位置とて反応の差が生し、処理後のシリコンウ
ェー八表面に、くもり、エツチングむらが発生し、また
フラットネス精度が悪くなり、製造歩留り低下の一因と
なっていた。
すなわち従来法では、シリコンウェ−ハと混酸液との接
触が両者の相対的移動（直線往復運動と回転運動）のみ
に委ねられており、 ■直線往復運動では、混酸液の流速かシリコンウェーハ
の中心部に到り難い状態となるという現象■回転運動て
は、シリコンウェーハの外周部の周速が内周部よりも大
きくなるという実情があり、これら■■に起因してシリ
コンウェーハの中心位置と外周位置とで反応差か生じる
ものと考えられる。
触が両者の相対的移動（直線往復運動と回転運動）のみ
に委ねられており、 ■直線往復運動では、混酸液の流速かシリコンウェーハ
の中心部に到り難い状態となるという現象■回転運動て
は、シリコンウェーハの外周部の周速が内周部よりも大
きくなるという実情があり、これら■■に起因してシリ
コンウェーハの中心位置と外周位置とで反応差か生じる
ものと考えられる。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解決するために、混酸液にシリコ
ンウェーハを浸漬し、該シリコンウェーハを回転させ又
は直線移動させるシリコンウェーハのエツチング装置に
おいて、」二足混酸液中に微細な気泡を放出し、混酸液
を攪拌するエツチング装置を提供せんとするものである
。
ンウェーハを浸漬し、該シリコンウェーハを回転させ又
は直線移動させるシリコンウェーハのエツチング装置に
おいて、」二足混酸液中に微細な気泡を放出し、混酸液
を攪拌するエツチング装置を提供せんとするものである
。
（作用）
」−記手段によれば、微細な気泡によって混酸液が攪拌
され、ここに得られる攪拌流が中心部、外周部を問わず
シリコンウェーハに衝接して反応かシリコンウェー八全
域に均一に及ぶこととなり、これにより従来反応差に起
因して生じていたくもり、エツチングむら、フラットネ
スの不揃いが解消されることになる。
され、ここに得られる攪拌流が中心部、外周部を問わず
シリコンウェーハに衝接して反応かシリコンウェー八全
域に均一に及ぶこととなり、これにより従来反応差に起
因して生じていたくもり、エツチングむら、フラットネ
スの不揃いが解消されることになる。
（実施例）
以下に本発明を一実施例に基いて説明する。
第１図は本発明を実施するための装置を示すものて、図
中１は混酸液２を満たした反応浴、３は上記反応浴ｌの
底面に配設したエアーノズル、４は上記エアーノスル３
ヘツロワ５からエアを送り込むための配管を示す。６は
回転駆動可能なウェーハ保持具７を備えたホルダで、該
ホルタ６は反応浴ｌの長手方向に移動可能な構成かとら
れている。
中１は混酸液２を満たした反応浴、３は上記反応浴ｌの
底面に配設したエアーノズル、４は上記エアーノスル３
ヘツロワ５からエアを送り込むための配管を示す。６は
回転駆動可能なウェーハ保持具７を備えたホルダで、該
ホルタ６は反応浴ｌの長手方向に移動可能な構成かとら
れている。
本発明者は上述した装置を用い、エツチング液たる混酸
な上記反応浴１に満たし、エア流量を２．０ Ｋｇ／
ｃｒｎ’（５０文／ｍ１ｎ）に設定してエアノズル３か
ら微細な気泡８を第１図に矢印て示ず如く発生させる一
方、」二足ウェーハ保持具７にシリコンウェーハＡを保
持させて、混酸液２中に浸漬し、該ウェーハＡを回転さ
せつつ、反応浴ｌ中て往復運動させた。
な上記反応浴１に満たし、エア流量を２．０ Ｋｇ／
ｃｒｎ’（５０文／ｍ１ｎ）に設定してエアノズル３か
ら微細な気泡８を第１図に矢印て示ず如く発生させる一
方、」二足ウェーハ保持具７にシリコンウェーハＡを保
持させて、混酸液２中に浸漬し、該ウェーハＡを回転さ
せつつ、反応浴ｌ中て往復運動させた。
ここてエア流量を２．０ Ｋｇ／ ｃｍ’に設定したの
は、第３図のグラフ（エア流量とフラットネス精度のバ
ラツキとの相関を表わすグラフ）から、２．０ Ｋｇ／
ｃｒｒｆ以上としても各別大きな効果が得られず、１
．８ Ｋｇ／ ｃｒｎ’以下とした場合は効果か減じる
ためである。
は、第３図のグラフ（エア流量とフラットネス精度のバ
ラツキとの相関を表わすグラフ）から、２．０ Ｋｇ／
ｃｒｒｆ以上としても各別大きな効果が得られず、１
．８ Ｋｇ／ ｃｒｎ’以下とした場合は効果か減じる
ためである。
上記実施結果を第２図としてグラフに示す。同図におい
て横軸は精度（基準値を０とする）を示し、縦軸は上記
精度を有するシリコンウェーハの占有率（分布）を示す
。
て横軸は精度（基準値を０とする）を示し、縦軸は上記
精度を有するシリコンウェーハの占有率（分布）を示す
。
すなわち本発明（破線て結果を示す）の場合は、平均値
が０．１８ｇと極めて０に近い占有率か得られ、標準偏
差も０．４６と小さいものであった。
が０．１８ｇと極めて０に近い占有率か得られ、標準偏
差も０．４６と小さいものであった。
なお、実線で示す従来法の結果は、平均値が０．５１ｇ
であり標準偏差が０．６４であって、本発明の効果は歴
然としている。
であり標準偏差が０．６４であって、本発明の効果は歴
然としている。
また、上記実施後のシリコンウェーハを目視検査したと
ころ、くもりやエツチングむらは全く生じていなかった
。
ころ、くもりやエツチングむらは全く生じていなかった
。
（発朋の効果）
以上説明したように、本発明は従来装置に対し単に気泡
発生装置を取付けるたけて容易に実施できるものてあり
、シリコンウェーハの浸漬時に発生する気泡によって攪
拌流か生じ、この攪拌流かシリコンウェーハの表面に均
一に混酸液を到らしめる働きをなし、この結果、反応か
シリコンウェー八表面に均一に進行し、従ってくもり、
エツチングむらの発生か未然に防止でき、しかも表面形
状も優秀で、歩留りか著しく上昇する結果を得た。
発生装置を取付けるたけて容易に実施できるものてあり
、シリコンウェーハの浸漬時に発生する気泡によって攪
拌流か生じ、この攪拌流かシリコンウェーハの表面に均
一に混酸液を到らしめる働きをなし、この結果、反応か
シリコンウェー八表面に均一に進行し、従ってくもり、
エツチングむらの発生か未然に防止でき、しかも表面形
状も優秀で、歩留りか著しく上昇する結果を得た。
第１図は本発明に係る装置の断面図、ｔ５２図は本発明
の実施結果を従来方途の結果と共に示すグラフ、第３図
はエア流量と効果との関係を説明するグラフである。 Ａ・・・シリコンウェーハ ２・・・混酸液８・・・気
泡 特許出願人 九州電子金属株式会社 代 理 人 弁理士 森 正 澄第１図 Ａ・・・シリコンウェーハ ２・・・混酸液８・・・気
泡 第２図 楠痩
の実施結果を従来方途の結果と共に示すグラフ、第３図
はエア流量と効果との関係を説明するグラフである。 Ａ・・・シリコンウェーハ ２・・・混酸液８・・・気
泡 特許出願人 九州電子金属株式会社 代 理 人 弁理士 森 正 澄第１図 Ａ・・・シリコンウェーハ ２・・・混酸液８・・・気
泡 第２図 楠痩
Claims (1)
- 混酸液にシリコンウェーハを浸漬し、その中でシリコン
ウェーハのエッチングを行うシリコンウェーハのエッチ
ング装置において、上記混酸液中に微細な気泡を放出し
て、該混酸液を攪拌するようにしたことを特徴とする半
導体シリコンウェーハのエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23258686A JPS6386525A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23258686A JPS6386525A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386525A true JPS6386525A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16941679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23258686A Pending JPS6386525A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体シリコンウエ−ハのエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386525A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1074727A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | エッチング装置およびエッチング方法 |
| US5868898A (en) * | 1996-11-21 | 1999-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fluid dispensing device for wet chemical process tank and method of using |
| JP3081246B2 (ja) * | 1993-10-08 | 2000-08-28 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 半導体基板エッチング方法及び装置 |
| KR101114952B1 (ko) | 2010-01-11 | 2012-03-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 에칭 장치 및 방법 |
| US8408221B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-04-02 | Siltronic Ag | Micro bubble generating device and silicon wafer cleaning apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568633A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Method and device for back etching of semiconductor substrate |
| JPS5617021A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Fujitsu Ltd | Surface treatment of substrate |
| JPS58123730A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ−エツチング装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23258686A patent/JPS6386525A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568633A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Method and device for back etching of semiconductor substrate |
| JPS5617021A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Fujitsu Ltd | Surface treatment of substrate |
| JPS58123730A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ−エツチング装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3081246B2 (ja) * | 1993-10-08 | 2000-08-28 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 半導体基板エッチング方法及び装置 |
| JPH1074727A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | エッチング装置およびエッチング方法 |
| US5868898A (en) * | 1996-11-21 | 1999-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fluid dispensing device for wet chemical process tank and method of using |
| US8408221B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-04-02 | Siltronic Ag | Micro bubble generating device and silicon wafer cleaning apparatus |
| KR101114952B1 (ko) | 2010-01-11 | 2012-03-06 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 에칭 장치 및 방법 |
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