JPH0353525A - 半導体基板表面の清浄化方法 - Google Patents
半導体基板表面の清浄化方法Info
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- JPH0353525A JPH0353525A JP18862189A JP18862189A JPH0353525A JP H0353525 A JPH0353525 A JP H0353525A JP 18862189 A JP18862189 A JP 18862189A JP 18862189 A JP18862189 A JP 18862189A JP H0353525 A JPH0353525 A JP H0353525A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体基板表面の清浄化方法に関するもの
である．さらに詳しくは、この発明は表面に付着した粒
子や粉状物を基板表面の損傷をともなうことなく簡便に
除去することのできる半導体基板表面の清浄化方法に関
するものである。
である．さらに詳しくは、この発明は表面に付着した粒
子や粉状物を基板表面の損傷をともなうことなく簡便に
除去することのできる半導体基板表面の清浄化方法に関
するものである。
《従来の技術とその課題）
従来より、半尋体工業においては、基板となるシリコン
ウエー八等についてはその製造加エメーカーから素子搭
載および回路形威の工程へと、複数のものを積載した状
態で移動、搬送させることが多い． この場合、通常はウエーハ等の基板を、セラミックパウ
ダー等の微粒子、あるいは粉末を介して積載し、一枚ず
つ基板を分けることを容易としている．これらの微粒子
および粉末は、剥離材としての性格を持つものでもある
． この従来の基板の取扱いにおいては、素子、回路等の形
成前に表面に付着しているセラミック等の微粒子または
粉末、さらにはほこりなどを除去することが必要とされ
ており、これまでは、そのための簡便な手段として表面
パフ研摩などが行われていた． しかしながら、このパフ研摩等の表面清浄化の方法にお
いては、半導体基板に形成した段差部等がある場合には
、この段差部に存在する粒子、粉末等を除去することが
難しく、段差角部の破損が避けられないという問題があ
った． このような問題を解決するために、段差部にジェットエ
アーを吹き付けて粒子または粉末を除去することが、検
討されてきているが、通常のジェットエアーの吹付けに
よっては吹き付け圧力が小さい場合には除去が難しく、
また圧力が大きい場合には第２図（ａ）（ｂ）に示した
ように、基板〈ア）の段差部〈イ）に残存する粒子や粉
末（ウ）あるいはダストなどをエアー《工）により除去
しようとすると、段差部〈イ》に欠損、破損部《オ》を
生じることが避けられなかった． この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、表面の破損をともなうことなく、簡便に基板表面
に付着している微粒子や粉末を除去することのできる新
しい方法を提供することを特徴としている． （課題を解決するための手段〉 この発明は、上記の課題を解決するものとして、加圧流
体の導入によって生成させたコアンダスパイラルフロ一
によって該流体を半導体基板表面に吹きつけて微粒子ま
たは粉状物を除去することを特徴とする半導体基板表面
の清浄化方法を提供する。
ウエー八等についてはその製造加エメーカーから素子搭
載および回路形威の工程へと、複数のものを積載した状
態で移動、搬送させることが多い． この場合、通常はウエーハ等の基板を、セラミックパウ
ダー等の微粒子、あるいは粉末を介して積載し、一枚ず
つ基板を分けることを容易としている．これらの微粒子
および粉末は、剥離材としての性格を持つものでもある
． この従来の基板の取扱いにおいては、素子、回路等の形
成前に表面に付着しているセラミック等の微粒子または
粉末、さらにはほこりなどを除去することが必要とされ
ており、これまでは、そのための簡便な手段として表面
パフ研摩などが行われていた． しかしながら、このパフ研摩等の表面清浄化の方法にお
いては、半導体基板に形成した段差部等がある場合には
、この段差部に存在する粒子、粉末等を除去することが
難しく、段差角部の破損が避けられないという問題があ
った． このような問題を解決するために、段差部にジェットエ
アーを吹き付けて粒子または粉末を除去することが、検
討されてきているが、通常のジェットエアーの吹付けに
よっては吹き付け圧力が小さい場合には除去が難しく、
また圧力が大きい場合には第２図（ａ）（ｂ）に示した
ように、基板〈ア）の段差部〈イ）に残存する粒子や粉
末（ウ）あるいはダストなどをエアー《工）により除去
しようとすると、段差部〈イ》に欠損、破損部《オ》を
生じることが避けられなかった． この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、表面の破損をともなうことなく、簡便に基板表面
に付着している微粒子や粉末を除去することのできる新
しい方法を提供することを特徴としている． （課題を解決するための手段〉 この発明は、上記の課題を解決するものとして、加圧流
体の導入によって生成させたコアンダスパイラルフロ一
によって該流体を半導体基板表面に吹きつけて微粒子ま
たは粉状物を除去することを特徴とする半導体基板表面
の清浄化方法を提供する。
この発明で利用するコアンダスパイラルフローは、従来
の流体の運動概念として知られている層流または乱流と
は全く異なり、乱流領域に属する流体の運動条件下にあ
りながらも乱流とは相違する運動状態としてこの発明の
発明者により見出だされたものである．その形或方法に
関してもこの発明者により既に提案されている． すなわち、このコアンダスパイラルフローは、旋回しつ
つ管路方向に高速進行するという流体の流れであって、
管路方向に導入した流体の流ベクトルに管の半径方向の
ベクトルを加えることにより形成することができる．こ
の場合、コアンダスパイラルフローの進行方向の反対側
には強い吸引力の負圧が形成され、また管内壁近傍には
この旋回流に基づく境界層が形成される。
の流体の運動概念として知られている層流または乱流と
は全く異なり、乱流領域に属する流体の運動条件下にあ
りながらも乱流とは相違する運動状態としてこの発明の
発明者により見出だされたものである．その形或方法に
関してもこの発明者により既に提案されている． すなわち、このコアンダスパイラルフローは、旋回しつ
つ管路方向に高速進行するという流体の流れであって、
管路方向に導入した流体の流ベクトルに管の半径方向の
ベクトルを加えることにより形成することができる．こ
の場合、コアンダスパイラルフローの進行方向の反対側
には強い吸引力の負圧が形成され、また管内壁近傍には
この旋回流に基づく境界層が形成される。
この発明は、このようなコアンダスパイラルフロ一の特
徴を利用して、・半導体基板表・面の清浄化を行うもの
であり、この方法を利用するにあたっての重要な点は、
コアンダスパイラルフローの進行方向に対しての旋回運
動が基板表面に存在する微粒子や粉体を効果的に５飛散
させることで、あり、このような作用は、従来の乱流に
よる気流吹付けにはみられないものである．この特徴の
ある作用によって、表面清浄化の処理効率は向上し、し
がも段差部等の基板表面の損傷、破壊は抑制されたもの
となる． 以下、添付した図面に沿ってこの発明の方法について説
明する． 第１図は、この発明の一例を、このコアンダスパイラル
フロー生成装置とともに示したものである． この第１図に示した例においては、たとえば、ノズル出
口（１）に向う主１’！Ｊ（２）には、空気、不活性ガ
ス等の流体を加圧導入するための環状のスリット（３）
が形成してあり、このスリット（３）には、空気または
不活性ガス等の流体を供給する供給管（７）を設けてい
る． 主管《２）はノズル出口（１〉からスリット（３〉に向
って、相似的に次第に径が大きくなっており、滑らかに
湾曲した壁面（５》を形成している；さらにノズル出口
（１）と反対の端部には補助ｇ（４）が設けてあり、空
気または不滑性ガス等の導入口（６）が形成してある．
この場合、スリット（３）の壁面《５〉の反対の側では
、補助筒（４）の壁面《８》が直角または鋭角状に折り
曲げられている． なお、スリット《３》は、その間隔が調整できるように
している．また、加圧流体を供給する供給管（７）の構
造に特に制限はない．均一供給を可能とするために分配
室（９）を設けることもできる． 主簡の傾斜角（θ）については、ｔａｎθが１／３〜１
／１０程度となるようにするのが好ましい．たとえば以
上のように例示することのできるコアンダスパイラルフ
ロ−生或ノズルにおいては、加圧流体としての空気をス
リット（３）から主筒（２）内へ導入する．この時の圧
力は、〜４ｋｔ／一程度まで適宜なものとすることがで
きる．もちろんこの値は限定的なものではない．これに
より空気の運動ベクトルと導入口（６〉から空気等の流
体の運動ベクトルとが合成され、スパイラルモーション
（１０）が生成される．このスパイラルモーション（１
０）は、旋回流とともに流体速度の進行軸方向への集中
をもたらす．ノズル出口（１）には、必要があれば、噴
出用パイプ《１１〉を接続してもよい． 加圧流体としては、空気あるいは不活性ガス、さらに必
要な場合には反応性ガスを用いることもできる． 次に実施例を示してさらに詳しくこの発明について説明
する． 実施例 第１図に示したノズルを用いた．この時のノズル出口径
は２３ｍ／ｍとした．また、θはｔａｎθ＝１／６とし
た．ノズル出口と試料との距離は３０ｍ ／ ｍとし、
Ｓ１０２粉を介して積載していたＳｉウエーハ表面の清
浄化を行った．この場合、１．５ｂｔｆ／一の加圧空気
を基板表面に吹きつけた。
徴を利用して、・半導体基板表・面の清浄化を行うもの
であり、この方法を利用するにあたっての重要な点は、
コアンダスパイラルフローの進行方向に対しての旋回運
動が基板表面に存在する微粒子や粉体を効果的に５飛散
させることで、あり、このような作用は、従来の乱流に
よる気流吹付けにはみられないものである．この特徴の
ある作用によって、表面清浄化の処理効率は向上し、し
がも段差部等の基板表面の損傷、破壊は抑制されたもの
となる． 以下、添付した図面に沿ってこの発明の方法について説
明する． 第１図は、この発明の一例を、このコアンダスパイラル
フロー生成装置とともに示したものである． この第１図に示した例においては、たとえば、ノズル出
口（１）に向う主１’！Ｊ（２）には、空気、不活性ガ
ス等の流体を加圧導入するための環状のスリット（３）
が形成してあり、このスリット（３）には、空気または
不活性ガス等の流体を供給する供給管（７）を設けてい
る． 主管《２）はノズル出口（１〉からスリット（３〉に向
って、相似的に次第に径が大きくなっており、滑らかに
湾曲した壁面（５》を形成している；さらにノズル出口
（１）と反対の端部には補助ｇ（４）が設けてあり、空
気または不滑性ガス等の導入口（６）が形成してある．
この場合、スリット（３）の壁面《５〉の反対の側では
、補助筒（４）の壁面《８》が直角または鋭角状に折り
曲げられている． なお、スリット《３》は、その間隔が調整できるように
している．また、加圧流体を供給する供給管（７）の構
造に特に制限はない．均一供給を可能とするために分配
室（９）を設けることもできる． 主簡の傾斜角（θ）については、ｔａｎθが１／３〜１
／１０程度となるようにするのが好ましい．たとえば以
上のように例示することのできるコアンダスパイラルフ
ロ−生或ノズルにおいては、加圧流体としての空気をス
リット（３）から主筒（２）内へ導入する．この時の圧
力は、〜４ｋｔ／一程度まで適宜なものとすることがで
きる．もちろんこの値は限定的なものではない．これに
より空気の運動ベクトルと導入口（６〉から空気等の流
体の運動ベクトルとが合成され、スパイラルモーション
（１０）が生成される．このスパイラルモーション（１
０）は、旋回流とともに流体速度の進行軸方向への集中
をもたらす．ノズル出口（１）には、必要があれば、噴
出用パイプ《１１〉を接続してもよい． 加圧流体としては、空気あるいは不活性ガス、さらに必
要な場合には反応性ガスを用いることもできる． 次に実施例を示してさらに詳しくこの発明について説明
する． 実施例 第１図に示したノズルを用いた．この時のノズル出口径
は２３ｍ／ｍとした．また、θはｔａｎθ＝１／６とし
た．ノズル出口と試料との距離は３０ｍ ／ ｍとし、
Ｓ１０２粉を介して積載していたＳｉウエーハ表面の清
浄化を行った．この場合、１．５ｂｔｆ／一の加圧空気
を基板表面に吹きつけた。
表面の損傷は全く認められず、表面の清浄度は極めて良
好であった．同様の条件で従来のエアージェット方式に
よる清浄化処理を行ったところ、その表面は荒れ、段差
部での損傷が認められた．（発明の効果〉 以上詳しく説明したように、この発明のコアンダスパイ
ラルフローによる流体吹きつけによって、基板表面の損
傷をともなうことなく、表面に付着している微粒子や粉
状物の除去が可能となる．しかもこの方法は極めて簡便
なものである．
好であった．同様の条件で従来のエアージェット方式に
よる清浄化処理を行ったところ、その表面は荒れ、段差
部での損傷が認められた．（発明の効果〉 以上詳しく説明したように、この発明のコアンダスパイ
ラルフローによる流体吹きつけによって、基板表面の損
傷をともなうことなく、表面に付着している微粒子や粉
状物の除去が可能となる．しかもこの方法は極めて簡便
なものである．
第１図は、この発明のノズルの一例を示した断面図であ
る． 第２図は、従来のエアージェットによる清浄化の欠点を
示した断面図である。 １ １・・・ノズル出口 ２・・・主 簡 ３・・・スリット ４・・・補助簡 ５・・・壁 面 ６・・・再入口 ７・・・供給管 ８・・・壁 面 ９・・・分配室 Ｏ・・・スパイラルモーショ ン
る． 第２図は、従来のエアージェットによる清浄化の欠点を
示した断面図である。 １ １・・・ノズル出口 ２・・・主 簡 ３・・・スリット ４・・・補助簡 ５・・・壁 面 ６・・・再入口 ７・・・供給管 ８・・・壁 面 ９・・・分配室 Ｏ・・・スパイラルモーショ ン
Claims (3)
- （１）加圧流体の導入によって生成されたコアンダスパ
イラルフローによって該流体を半導体基板表面に吹きつ
けて微粒子または粉状物を除去することを特徴とする半
導体基板表面の清浄化方法。 - （２）加圧流体が空気または不活性ガスである請求項（
１）記載の半導体基板表面の清浄化方法。 - （３）セラミック粉末を介して積載した基板の各々の表
面を清浄化する請求項（１）記載の半導体基板表面の清
浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18862189A JP2803850B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体基板表面の清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18862189A JP2803850B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体基板表面の清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353525A true JPH0353525A (ja) | 1991-03-07 |
| JP2803850B2 JP2803850B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=16226889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18862189A Expired - Fee Related JP2803850B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 半導体基板表面の清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803850B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG86464A1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-02-19 | Kanken Techno Co Ltd | Device for cleaning the interior of a pipe |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18862189A patent/JP2803850B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG86464A1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-02-19 | Kanken Techno Co Ltd | Device for cleaning the interior of a pipe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2803850B2 (ja) | 1998-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |