JPH0353566U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353566U JPH0353566U JP11165789U JP11165789U JPH0353566U JP H0353566 U JPH0353566 U JP H0353566U JP 11165789 U JP11165789 U JP 11165789U JP 11165789 U JP11165789 U JP 11165789U JP H0353566 U JPH0353566 U JP H0353566U
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- JP
- Japan
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- load lock
- lock chamber
- inlet
- molecular beam
- moved
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の模式断面図、第２
図は従来装置の一例を示す模式図である。 １……遮断用ゲートバルブ、２……クヌーセン
セル、３……吸・排気用バルブ、４……ソース装
入用ゲートバルブ、５……ベローズ、６……超高
真空容器、７……基板、８……シヤツタ、９……
ソース、１０……ロードロツク室、１１……支持
棒、１２……支持板、１３……ナツト、１４……
分子線、１５……炉シヤツタ、１６……熱電対、
１７……シユラウド。
図は従来装置の一例を示す模式図である。 １……遮断用ゲートバルブ、２……クヌーセン
セル、３……吸・排気用バルブ、４……ソース装
入用ゲートバルブ、５……ベローズ、６……超高
真空容器、７……基板、８……シヤツタ、９……
ソース、１０……ロードロツク室、１１……支持
棒、１２……支持板、１３……ナツト、１４……
分子線、１５……炉シヤツタ、１６……熱電対、
１７……シユラウド。
Claims (1)
- 分子線エピタキシヤル成長装置において、ロー
ドロツク室の壁にソース装入口を設け、ロードロ
ツク室内のクヌーセンセルを該装入口に口元が臨
む位置まで移動可能としたことを特徴とする分子
線エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165789U JPH0353566U (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165789U JPH0353566U (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353566U true JPH0353566U (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=31660129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11165789U Pending JPH0353566U (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353566U (ja) |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP11165789U patent/JPH0353566U/ja active Pending