JPH0353581A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0353581A JPH0353581A JP18954989A JP18954989A JPH0353581A JP H0353581 A JPH0353581 A JP H0353581A JP 18954989 A JP18954989 A JP 18954989A JP 18954989 A JP18954989 A JP 18954989A JP H0353581 A JPH0353581 A JP H0353581A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は単一横モードで発゛録するＡ Ｉ Ｇ ａＩｎ
Ｐ系の半導体レーザ装置の製造方法に関する．（従来の
技術） 最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す》によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ＩＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような＃４ｎが報告されている（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｔｏｋｙ０
．１９８８．ＤＤ．１５３ − １５６）．このｊｆＲ
遣は従来、次のような工程で作られる．即ち、第１回目
の成長でｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（ＡｌｏｓＧ
ａｏ．＜ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐクラッド層２
、Ｇａｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ活性層３、ｐ型（ＡＩ
（１．ＧＥｈｏ．＊ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐク
ラッド層４、を順次形成する．その後、フォトリングラ
フィにょりＳｉｎｓをマスクとして、メサストライプを
形成する．そしてＳ ｌ ｏｔマスクをつけたまま、第
２回目の成長を行い、エッチングしたところをｎ型Ｇａ
Ａｓ層６で埋め込む．次にＳ Ｉ Ｏ ２マスクを除去
しｐ側全面に電極が形成できるように第３回目の戒長で
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を成長ずる． このようなＳ造においては、電流はｎ型ＧａＡｓ層６に
よりブロックされメサストライプ部にのみ注入される．
また、メサストライプ形成のエッチングのときに、メサ
ストライ１部以外のｐ型クラッド層の厚みを光の閉じ込
めには不十分な厚みにまでエッチングするのでｎ型Ｇａ
Ａｓ層６のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層６に光が
吸収されメサストライプ部にのみ光は導波される．この
ようにこのＩ造では、電流狭窄Ｒ横と光導波機構が同時
に作り付けられる． （発明が解決しようとする課題） 上述の従来の製造方法により得られる第３図の梢遺では
、モードの安定に光の吸収を用いているために、メサス
トライプ両脇で光の波面が遅れてしまい、非点収差が大
きくなってしまうという問題がある． 本発明の１４的は、上述の問題点を解決し、ＭＯＶＰＥ
法による非点収差の小さい横モード制御横造のＡＩＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザ装置の製造方法を提供することに
ある． （課題を解決するための手段） 前述の課題を解決するために本発明による半導体レーザ
装置の製造方法では、第１導電型Ｇ ａＡｓ基板上に、
活性層およびこの活性層をはさみ前記活性層よりも屈折
率の小さいクラッド層からなる（Ａ ｌｍ Ｇａ＋−ｇ
） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ （０≦ｘ≦１》系
のダブルヘテロＩＩ ｍを形成する工程と、前記ダブル
ヘテロ構造上に第２導電型のＧａＡｓ系半導体層を形成
する工程と、前記第２導電型のＧ ａ Ａ．ｓ系半導体
層上にストライプ状の絶縁体層を形成する工程と、前記
第２導電型のＧａＡｓ系半導体層を前記ストライプ状の
絶縁体層をマスクとして、エッチング後の前記第２導電
型のＧａＡｓ系半導体層の端とストライプ状の絶縁体層
のマスクの端との距離が、第２導電型のＧａＡｓ系半導
体層と上側のクラッド層の厚みの和より大きくなるよう
にエッチングする工程と、前記ダブルヘテロ構造の下側
のクラッド層の途中までこれをエッチングしてメサ状の
ストライプを形成する工程と、前記ストライプ状の絶縁
体層を選択マスクとして有機金属熱分解気相或長法で第
１導電型ＧａＡｓまたはＧａＩｎＰをメサ状のストライ
プ以外の部分へ形成する工程と、前記−ストライプ状の
絶縁体眉を除去し第２導電型で活性層よりも屈折率の小
さい（Ａ Ｉ Ｋ Ｇａ＋−ｘ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ
．ｓ Ｐ層を形戊する工程を含む． （作用） ＡＩＧａＩｎＰ系の場合、液相成長法では成長が困龍で
、ＭＯＶＰＥ法でもＳ ｉ ０ ２などをマスクとした
選択成長は困難である。そこで本発明ではダブルヘテロ
構造を形成した後に絶縁体膜を選択成長のマスクとし、
このマスクの両端が大きく突き出たようになるメサスト
ライプを形戚ずる．こうすることによりマスクの影にな
る部分には原料ガスが到達できずメサ以外の部分にのみ
電流狭窄層を自己整合的に形成できる．そしてマスクを
除去した後に、活性層よりも屈折率の小さい（Ａ ｌ
ｚ Ｇａ＋−＊ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ層を形
成すれば活性層の両端もこの層で埋め込まれ実屈折型の
レーザ横遣が実現でき弁点収差の小さなレーザが得られ
る． （実施例） 次に本発明の実施例を図面を用いて説明する．第１図は
本発明により得られる半導体レーザ装置の一実施例を示
すレーザチツプの断面図であり、第２図（ａ）〜（ｄ）
は本発明によるレーサ装置の一実施例を示す製造工程図
である． まず一回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ型（Ａ Ｉ ０．６ Ｇａｏ．＜ ）
ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ層２、Ｇａｏ．ｓ Ｉ ｎｏ
％ Ｐ活性噌３、Ｐ型（Ａ Ｉ ｏ．ｈ Ｇ ＆ｏ．
＜ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐクラッド層４、ｐ型
ＧａＡｓキャップ層５を順次形成する，成長条件は、例
えば温度７００℃、圧力７０’ｌ”ｏｒｒ、Ｖ／１ １
１＝２００、キャリアガス（Ｈ１）の全流量１５１／
ｍｉｎとする．原料としては、トリメチルインジウム（
’Ｉ’ＭＩ：（ＣＨｓ ）３ Ｉｎ） ｝リエチルガ
リウム（ＴＥＧ ： （ＣＩ Ｈｓ ）ｘ Ｇａ） 、
｝’リメチルアルミニウム（ＴＭＡ ： （ ＣＨｓ
） ｓ Ａ １ ） 、アルシン（ＡｓＨ，）、ホスフ
イン（ＰＨ３）、ｎ型ドーパント：セレン化水素（Ｈ−
ｔ Ｓｅ ） 、Ｐ型ドーパント：ジメチルジンク（Ｄ
ＭＺ ：（ＣＨ３ ） ｘ Ｚ ｎ ）が用いられる．
こうして或長したウエハにフォトリングラフイにより幅
７μｍのストライプ状のＳ ｉ Ｏ ２マスク９を形成
する（第２図＜ａ））．次に、このＳｔｏ２マスク９を
用いてｐ型ＧａＡｓ’ｒヤツプ層５を例えば幅３μｍに
なるまで選択的にメサ状にエッチングし、引き続いて、
ｎ型（ Ａ Ｉ ｏ． Ｇ ａｏ．＜ ） ｏ．ｓＩ
ｎｏ．ｓ Ｐｌ２、Ｇ ａｏ．ｓ Ｉ ｎ ｏ．ｑ Ｐ
活性層３．ｐ型（Ａ Ｉ ｏ．ａ Ｇ＆ｏ４） ｏ．ｓ
Ｉ ｎｏ．ｓ ＰクラッドＭ４をｎ型（Ａ ｌ ｏ．
６ Ｇ ａｏ．４） ｏ．ｓ Ｉ ｎ。．Ｐ層２の途中
までエッチングする（第２図（ｂ））．ここで、ｐ型Ｇ
ａ Ａ ｓ ’ｒ ヤツ７層５のエッチング幅３μｍ
は、エッチング後のｐ型ＧａＡｓキャップ層５の端とス
トライプ状のＳｉＯｚＷＡ９のマスクの端との距離が、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層５と上側のクラッド層４の厚み
の和より大きくなるように選定されたものである．その
後Ｓ ｉ Ｏ ２マスク９をつけたまま減圧ＭＯＶＰＨ
により二回目の或長を行いｎ型ＧａＡｓ層６を形成する
（第２図（ｃ））．そしてＳ Ｉ Ｏ ２マスク９を除
去した後に、減圧ＭＯＶＰＥにより三回目の成長を行い
ｐ型（Ａ Ｉ ｏ． ６Ｇａｏ．４） ｏ．ｓ Ｉ ｎ
ｏ．ｓ Ｐｊ！ｌめ込み層７、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層８を形成する．最後に、Ｐ ＋ ｎ両電極を形成して
キャビティ長２５０μｍにへき関し、個々のチップに分
離する．以上の工程により得られた半導体レーザ装置の
断面図が第１図に示され、本半導体レーザ装置の非点収
差は２μｍ以下であることが実験的に確認された．この
値は従来方法による半導体レーザ装置の非点収差５〜１
０μｍと比較して大幅に改善されていることがわかる． 以上述べた実施例では、活性層を特定の組戒としたが、
これらは本発明の要件を満たす範囲で、活性層は制作す
るレーザ装置に要求される発振波長要件を満たす組成や
量子井戸にすればよく、クラッド層組戒は用いる活性層
組戒に対して光とキャリアの閉じ込めが十分にできる組
成を選べばよい．また、レーザ装置に要求される特性に
よりＳＣＨＩｌ造にするなどクラッド層をより多層化す
ることもできる． （発明の効果） 以上説明したように本発明による半導体レーザ装置の製
造方法に基づけば非点収差の小さい半導体レーザを得る
ことができる．
Ｐ系の半導体レーザ装置の製造方法に関する．（従来の
技術） 最近、有機金属熱分解法（以後ＭＯＶＰＥと略す》によ
る結晶成長により形成された単一横モードで発振するＡ
ＩＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置として、第３図に示
すような＃４ｎが報告されている（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｔｏｋｙ０
．１９８８．ＤＤ．１５３ − １５６）．このｊｆＲ
遣は従来、次のような工程で作られる．即ち、第１回目
の成長でｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（ＡｌｏｓＧ
ａｏ．＜ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐクラッド層２
、Ｇａｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ活性層３、ｐ型（ＡＩ
（１．ＧＥｈｏ．＊ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐク
ラッド層４、を順次形成する．その後、フォトリングラ
フィにょりＳｉｎｓをマスクとして、メサストライプを
形成する．そしてＳ ｌ ｏｔマスクをつけたまま、第
２回目の成長を行い、エッチングしたところをｎ型Ｇａ
Ａｓ層６で埋め込む．次にＳ Ｉ Ｏ ２マスクを除去
しｐ側全面に電極が形成できるように第３回目の戒長で
Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を成長ずる． このようなＳ造においては、電流はｎ型ＧａＡｓ層６に
よりブロックされメサストライプ部にのみ注入される．
また、メサストライプ形成のエッチングのときに、メサ
ストライ１部以外のｐ型クラッド層の厚みを光の閉じ込
めには不十分な厚みにまでエッチングするのでｎ型Ｇａ
Ａｓ層６のある部分では、このｎ型ＧａＡｓ層６に光が
吸収されメサストライプ部にのみ光は導波される．この
ようにこのＩ造では、電流狭窄Ｒ横と光導波機構が同時
に作り付けられる． （発明が解決しようとする課題） 上述の従来の製造方法により得られる第３図の梢遺では
、モードの安定に光の吸収を用いているために、メサス
トライプ両脇で光の波面が遅れてしまい、非点収差が大
きくなってしまうという問題がある． 本発明の１４的は、上述の問題点を解決し、ＭＯＶＰＥ
法による非点収差の小さい横モード制御横造のＡＩＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザ装置の製造方法を提供することに
ある． （課題を解決するための手段） 前述の課題を解決するために本発明による半導体レーザ
装置の製造方法では、第１導電型Ｇ ａＡｓ基板上に、
活性層およびこの活性層をはさみ前記活性層よりも屈折
率の小さいクラッド層からなる（Ａ ｌｍ Ｇａ＋−ｇ
） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ （０≦ｘ≦１》系
のダブルヘテロＩＩ ｍを形成する工程と、前記ダブル
ヘテロ構造上に第２導電型のＧａＡｓ系半導体層を形成
する工程と、前記第２導電型のＧ ａ Ａ．ｓ系半導体
層上にストライプ状の絶縁体層を形成する工程と、前記
第２導電型のＧａＡｓ系半導体層を前記ストライプ状の
絶縁体層をマスクとして、エッチング後の前記第２導電
型のＧａＡｓ系半導体層の端とストライプ状の絶縁体層
のマスクの端との距離が、第２導電型のＧａＡｓ系半導
体層と上側のクラッド層の厚みの和より大きくなるよう
にエッチングする工程と、前記ダブルヘテロ構造の下側
のクラッド層の途中までこれをエッチングしてメサ状の
ストライプを形成する工程と、前記ストライプ状の絶縁
体層を選択マスクとして有機金属熱分解気相或長法で第
１導電型ＧａＡｓまたはＧａＩｎＰをメサ状のストライ
プ以外の部分へ形成する工程と、前記−ストライプ状の
絶縁体眉を除去し第２導電型で活性層よりも屈折率の小
さい（Ａ Ｉ Ｋ Ｇａ＋−ｘ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ
．ｓ Ｐ層を形戊する工程を含む． （作用） ＡＩＧａＩｎＰ系の場合、液相成長法では成長が困龍で
、ＭＯＶＰＥ法でもＳ ｉ ０ ２などをマスクとした
選択成長は困難である。そこで本発明ではダブルヘテロ
構造を形成した後に絶縁体膜を選択成長のマスクとし、
このマスクの両端が大きく突き出たようになるメサスト
ライプを形戚ずる．こうすることによりマスクの影にな
る部分には原料ガスが到達できずメサ以外の部分にのみ
電流狭窄層を自己整合的に形成できる．そしてマスクを
除去した後に、活性層よりも屈折率の小さい（Ａ ｌ
ｚ Ｇａ＋−＊ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ層を形
成すれば活性層の両端もこの層で埋め込まれ実屈折型の
レーザ横遣が実現でき弁点収差の小さなレーザが得られ
る． （実施例） 次に本発明の実施例を図面を用いて説明する．第１図は
本発明により得られる半導体レーザ装置の一実施例を示
すレーザチツプの断面図であり、第２図（ａ）〜（ｄ）
は本発明によるレーサ装置の一実施例を示す製造工程図
である． まず一回目の減圧ＭＯＶＰＥによる成長で、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上に、ｎ型（Ａ Ｉ ０．６ Ｇａｏ．＜ ）
ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ層２、Ｇａｏ．ｓ Ｉ ｎｏ
％ Ｐ活性噌３、Ｐ型（Ａ Ｉ ｏ．ｈ Ｇ ＆ｏ．
＜ ） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐクラッド層４、ｐ型
ＧａＡｓキャップ層５を順次形成する，成長条件は、例
えば温度７００℃、圧力７０’ｌ”ｏｒｒ、Ｖ／１ １
１＝２００、キャリアガス（Ｈ１）の全流量１５１／
ｍｉｎとする．原料としては、トリメチルインジウム（
’Ｉ’ＭＩ：（ＣＨｓ ）３ Ｉｎ） ｝リエチルガ
リウム（ＴＥＧ ： （ＣＩ Ｈｓ ）ｘ Ｇａ） 、
｝’リメチルアルミニウム（ＴＭＡ ： （ ＣＨｓ
） ｓ Ａ １ ） 、アルシン（ＡｓＨ，）、ホスフ
イン（ＰＨ３）、ｎ型ドーパント：セレン化水素（Ｈ−
ｔ Ｓｅ ） 、Ｐ型ドーパント：ジメチルジンク（Ｄ
ＭＺ ：（ＣＨ３ ） ｘ Ｚ ｎ ）が用いられる．
こうして或長したウエハにフォトリングラフイにより幅
７μｍのストライプ状のＳ ｉ Ｏ ２マスク９を形成
する（第２図＜ａ））．次に、このＳｔｏ２マスク９を
用いてｐ型ＧａＡｓ’ｒヤツプ層５を例えば幅３μｍに
なるまで選択的にメサ状にエッチングし、引き続いて、
ｎ型（ Ａ Ｉ ｏ． Ｇ ａｏ．＜ ） ｏ．ｓＩ
ｎｏ．ｓ Ｐｌ２、Ｇ ａｏ．ｓ Ｉ ｎ ｏ．ｑ Ｐ
活性層３．ｐ型（Ａ Ｉ ｏ．ａ Ｇ＆ｏ４） ｏ．ｓ
Ｉ ｎｏ．ｓ ＰクラッドＭ４をｎ型（Ａ ｌ ｏ．
６ Ｇ ａｏ．４） ｏ．ｓ Ｉ ｎ。．Ｐ層２の途中
までエッチングする（第２図（ｂ））．ここで、ｐ型Ｇ
ａ Ａ ｓ ’ｒ ヤツ７層５のエッチング幅３μｍ
は、エッチング後のｐ型ＧａＡｓキャップ層５の端とス
トライプ状のＳｉＯｚＷＡ９のマスクの端との距離が、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層５と上側のクラッド層４の厚み
の和より大きくなるように選定されたものである．その
後Ｓ ｉ Ｏ ２マスク９をつけたまま減圧ＭＯＶＰＨ
により二回目の或長を行いｎ型ＧａＡｓ層６を形成する
（第２図（ｃ））．そしてＳ Ｉ Ｏ ２マスク９を除
去した後に、減圧ＭＯＶＰＥにより三回目の成長を行い
ｐ型（Ａ Ｉ ｏ． ６Ｇａｏ．４） ｏ．ｓ Ｉ ｎ
ｏ．ｓ Ｐｊ！ｌめ込み層７、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層８を形成する．最後に、Ｐ ＋ ｎ両電極を形成して
キャビティ長２５０μｍにへき関し、個々のチップに分
離する．以上の工程により得られた半導体レーザ装置の
断面図が第１図に示され、本半導体レーザ装置の非点収
差は２μｍ以下であることが実験的に確認された．この
値は従来方法による半導体レーザ装置の非点収差５〜１
０μｍと比較して大幅に改善されていることがわかる． 以上述べた実施例では、活性層を特定の組戒としたが、
これらは本発明の要件を満たす範囲で、活性層は制作す
るレーザ装置に要求される発振波長要件を満たす組成や
量子井戸にすればよく、クラッド層組戒は用いる活性層
組戒に対して光とキャリアの閉じ込めが十分にできる組
成を選べばよい．また、レーザ装置に要求される特性に
よりＳＣＨＩｌ造にするなどクラッド層をより多層化す
ることもできる． （発明の効果） 以上説明したように本発明による半導体レーザ装置の製
造方法に基づけば非点収差の小さい半導体レーザを得る
ことができる．
第１図は本発明により得られる半導体レーザ装置の一実
施例を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の制
作工程を示す断面図、第３図は従来の半尋体レーザ装置
の例を示す断面図である．１ −−− ｎ型ＧａＡｓ基
板、２−ｎ型（ＡＩ．，ａＧ ａｏ．＊ ） ｏ．ｓ
Ｉ ｎｏ．ｇ Ｐクラッド層、３・・・Ｇ ａｏ．ｓ
Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ活性層、４ ・ｐ型（ＡＩ０．４Ｇａ
ｏ，） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｉ Ｐクラッド層、５−Ｐ
型ＧａＡｓキャップ層、６−ｎ型ＧａＡｓ層、７ ・ｐ
型（Ａ ｌ ｏ．ａ Ｇ ａｏ．ａ ） ｏ．ｓ Ｉ
ｎｏ．ｓ Ｐ埋め込み層、８・・・ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層、９・・・ｓｔ０２１模，
施例を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の制
作工程を示す断面図、第３図は従来の半尋体レーザ装置
の例を示す断面図である．１ −−− ｎ型ＧａＡｓ基
板、２−ｎ型（ＡＩ．，ａＧ ａｏ．＊ ） ｏ．ｓ
Ｉ ｎｏ．ｇ Ｐクラッド層、３・・・Ｇ ａｏ．ｓ
Ｉ ｎｏ．ｓ Ｐ活性層、４ ・ｐ型（ＡＩ０．４Ｇａ
ｏ，） ｏ．ｓ Ｉ ｎｏ．ｉ Ｐクラッド層、５−Ｐ
型ＧａＡｓキャップ層、６−ｎ型ＧａＡｓ層、７ ・ｐ
型（Ａ ｌ ｏ．ａ Ｇ ａｏ．ａ ） ｏ．ｓ Ｉ
ｎｏ．ｓ Ｐ埋め込み層、８・・・ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層、９・・・ｓｔ０２１模，
Claims (1)
- 第１導電型ＧａＡｓ基板上に、活性層およびこの活性
層をはさみ前記活性層よりも屈折率の小さいクラッド層
からなる（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０＿．＿５１
ｎ＿０＿．＿５Ｐ（０≦ｘ≦１）系のダブルヘテロ構造
を形成する工程と、前記ダブルヘテロ構造上に第２導電
型のＧａＡｓ系半導体層を形成する工程と、前記第２導
電型のＧａＡｓ系半導体層上にストライプ状の絶縁体層
を形成する工程と、前記第２導電型のＧａＡｓ系半導体
層を前記ストライプ状の絶縁体層をマスクとして、エッ
チング後の前記第２導電型のＧａＡｓ系半導体層の端と
ストライプ状の絶縁体層のマスクの端との距離が、第２
導電型のＧａＡｓ系半導体層と上側のクラッド層の厚み
の和より大きくなるようにエッチングする工程と、前記
ダブルヘテロ構造の下側のクラッド層の途中までこれを
エッチングしてメサ状のストライプを形成する工程と、
前記ストライプ状の絶縁体層を選択マスクとして有機金
属熱分解気相成長法で第１導電型ＧａＡｓまたはＧａＩ
ｎＰをメサ状のストライプ以外の部分へ形成する工程と
、前記ストライプ状の絶縁体層を除去し第２導電型で活
性層よりも屈折率の小さい（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ
）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐ層を形成する工程を
含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18954989A JPH0353581A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18954989A JPH0353581A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353581A true JPH0353581A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16243179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18954989A Pending JPH0353581A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353581A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733607B2 (en) * | 2002-04-15 | 2004-05-11 | Harris Corporation | Embedded hermetic cavity formation in low temperature cofired ceramic |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP18954989A patent/JPH0353581A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6733607B2 (en) * | 2002-04-15 | 2004-05-11 | Harris Corporation | Embedded hermetic cavity formation in low temperature cofired ceramic |
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