JPH0369596A - 超伝導体薄膜用基板材料 - Google Patents
超伝導体薄膜用基板材料Info
- Publication number
- JPH0369596A JPH0369596A JP1201374A JP20137489A JPH0369596A JP H0369596 A JPH0369596 A JP H0369596A JP 1201374 A JP1201374 A JP 1201374A JP 20137489 A JP20137489 A JP 20137489A JP H0369596 A JPH0369596 A JP H0369596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- thin film
- substrate material
- crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＹＢａ２Ｃｕ、Ｏｘに代表される酸化物高温超
伝導体の単結晶性薄膜を実現するための基板結晶材料に
関するものである。ここで単結晶性薄膜とは完全な単結
晶てなくとも、基板面に対して結晶学的に配向した場合
をも含むものをいう。
伝導体の単結晶性薄膜を実現するための基板結晶材料に
関するものである。ここで単結晶性薄膜とは完全な単結
晶てなくとも、基板面に対して結晶学的に配向した場合
をも含むものをいう。
〔従来の技術）
（Ｌａ、、Ｂａ、） ２Ｃｕｂ４が約３０にで超伝導体
となることが発見されて以来、超伝導転移温度（Ｔｏ）
が約９０にのＲｅＢａ２Ｃｕ３０． （Ｒｅ ：希土類
元素）、Ｔｃが約１１０８のＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系、Ｔｃが約１２０にのＴｌ−Ｂａ−ＣａＣｕ−０＆
が相次いで発見され、それにつれてデバイス応用を目的
にこれら酸化物高温超伝導体の薄膜形成が盛んに研究・
開発されている。この薄膜形成には基板が必要であるが
、これまでは酸化物結晶のＪＯ，５ｒＴｉ（ｈ、ＹｓＺ
（Ｙ添加ｚｒｏ２）はどが専ら用いられている。超伝導
体薄膜の特性はその結晶性に大きく依存し、従って基板
と格子整合がとれたエピタキシャル単結晶膜が望ましい
が、ＭｇＯの格子定数はａ−ｂ−ｃ−４，２１５人、Ｙ
ＳＺのそれはａ−ｂ−３，６４人、 ｃ−５，２７Ａで
、いわゆる酸化物高温超伝導体の格子定数であるａχｂ
χ３８人、副格子としてよく与えられるＪＴｉ （＝ｆ
Ｔ５ ） ｘ ５ 、４入とは大きく異なり、良質な単
結晶膜は得られない。一応ＳｒＴｉＯ３の格子定数はａ
−ｂ−ｃ−３，９０５人で、酸化物高温超伝導体のそれ
に近いことから有望であるが、その結晶性は結晶製造方
法（ヘルヌーイ沃）に起因した副粒界が多く必ずしも満
足のいく基板とは云えない。ごく最近になって酸素八面
体を単位とした結晶構造をもつ、いわゆる擬ベロウスカ
イト構造のＬａ八へ０８． ＬａＧａ０＋が注目されて
し）るが、これらは基本的には菱面体晶であることから
ペロウスカイト基本構造から大きく歪んでおり、結晶欠
陥である双晶（ｔＷｉｎ）が含まれており、かつこれを
除くことは木質的に出来ない。
となることが発見されて以来、超伝導転移温度（Ｔｏ）
が約９０にのＲｅＢａ２Ｃｕ３０． （Ｒｅ ：希土類
元素）、Ｔｃが約１１０８のＢ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−
０系、Ｔｃが約１２０にのＴｌ−Ｂａ−ＣａＣｕ−０＆
が相次いで発見され、それにつれてデバイス応用を目的
にこれら酸化物高温超伝導体の薄膜形成が盛んに研究・
開発されている。この薄膜形成には基板が必要であるが
、これまでは酸化物結晶のＪＯ，５ｒＴｉ（ｈ、ＹｓＺ
（Ｙ添加ｚｒｏ２）はどが専ら用いられている。超伝導
体薄膜の特性はその結晶性に大きく依存し、従って基板
と格子整合がとれたエピタキシャル単結晶膜が望ましい
が、ＭｇＯの格子定数はａ−ｂ−ｃ−４，２１５人、Ｙ
ＳＺのそれはａ−ｂ−３，６４人、 ｃ−５，２７Ａで
、いわゆる酸化物高温超伝導体の格子定数であるａχｂ
χ３８人、副格子としてよく与えられるＪＴｉ （＝ｆ
Ｔ５ ） ｘ ５ 、４入とは大きく異なり、良質な単
結晶膜は得られない。一応ＳｒＴｉＯ３の格子定数はａ
−ｂ−ｃ−３，９０５人で、酸化物高温超伝導体のそれ
に近いことから有望であるが、その結晶性は結晶製造方
法（ヘルヌーイ沃）に起因した副粒界が多く必ずしも満
足のいく基板とは云えない。ごく最近になって酸素八面
体を単位とした結晶構造をもつ、いわゆる擬ベロウスカ
イト構造のＬａ八へ０８． ＬａＧａ０＋が注目されて
し）るが、これらは基本的には菱面体晶であることから
ペロウスカイト基本構造から大きく歪んでおり、結晶欠
陥である双晶（ｔＷｉｎ）が含まれており、かつこれを
除くことは木質的に出来ない。
上述したように、従来の基板を用いた酸化物高温超伝導
体薄膜の結晶品質はよくなく、一般には配向した多結晶
Ｉ模となってしまう。
体薄膜の結晶品質はよくなく、一般には配向した多結晶
Ｉ模となってしまう。
本発明は従来用いられている酸化物基板のもつ欠点であ
る、格子定数の不整合及び結晶欠陥（双晶）の極めて少
ない、新たな基板材料を提供することを目的とする。
る、格子定数の不整合及び結晶欠陥（双晶）の極めて少
ない、新たな基板材料を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段）
本発明は化学量諭比Ｒｅ八へＸ４で示される４戊分（但
し、Ｘは１種以上の陰イオン、Ｒｅは１種以上の希土類
元素イオン、ＡおよびＢはそれぞれ一部置換されてもよ
い陽イオン）以上の元素から構成されたに２ＭｎＦ４構
造の単結晶からなることを特徴とする。
し、Ｘは１種以上の陰イオン、Ｒｅは１種以上の希土類
元素イオン、ＡおよびＢはそれぞれ一部置換されてもよ
い陽イオン）以上の元素から構成されたに２ＭｎＦ４構
造の単結晶からなることを特徴とする。
〔作 用）
本発明における新材料は酸素八面体を基本構造とした正
方晶系に属し、かつ結晶構造かに２ＭｎＦ４構造であり
、その化学式がＲｅ八へＸ４であられされるものである
。（Ｘは酸素を主とするが、これに限定されない。）Ｒ
ｅは１種以上の希土類イオン、ＡおよびＢは陽イオンで
、それぞれ他の陽イオンで部置換されていてもよい。従
来の材料とは成分比及び結晶構造が全く異なる。
方晶系に属し、かつ結晶構造かに２ＭｎＦ４構造であり
、その化学式がＲｅ八へＸ４であられされるものである
。（Ｘは酸素を主とするが、これに限定されない。）Ｒ
ｅは１種以上の希土類イオン、ＡおよびＢは陽イオンで
、それぞれ他の陽イオンで部置換されていてもよい。従
来の材料とは成分比及び結晶構造が全く異なる。
先ず本発明にかかわる基板材料の選定概念について説明
する。良質なエピタキシャル単結晶薄膜を得る九の３大
要素として、■格子定数の整合、■結晶構造の類似性、
■熱膨張係数の整合、を挙げることが出来る。
する。良質なエピタキシャル単結晶薄膜を得る九の３大
要素として、■格子定数の整合、■結晶構造の類似性、
■熱膨張係数の整合、を挙げることが出来る。
■格子定数に関して、形成する薄膜である酸化物高温超
伝導体として、転移温度Ｔｃ３０〜４０にの（Ｌａ＋−
ｘＭｘ） ２ＣＵＯ４（Ｍ＋Ｂａ、Ｓｒ、Ｃｅ）の格子
定数は擬正方晶系でａ（、ｚ３．７８人、Ｔｏ約９０に
のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘの格子定数は斜方晶系でａｏｚ３
．８２入、 ｂｏ４３．８８人、Ｔｃが約８０にと約１
１０にの相が得られる３ｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ −０系
の格子定数は正方晶系でａ。悠５，４人、最高のＴｃ１
２０にの相が出現するＴｌ−Ｂａ−５ｒ−Ｃｕ−０系の
それはやはり正方晶系でａ。χ３．８６人、が一般に受
は入れられている。ここで結晶学上で取扱かわれている
単位胞の刻角線格子を考えると、Ｂｉ系の格子定数ａｏ
′ χａｏ／ＪＴｚ３．ａ２人となる。すなわち高温超
伝導体の格子定数はいずれも３７８〜３．８６人の範囲
内にあり材料系に大きく依存しない。
伝導体として、転移温度Ｔｃ３０〜４０にの（Ｌａ＋−
ｘＭｘ） ２ＣＵＯ４（Ｍ＋Ｂａ、Ｓｒ、Ｃｅ）の格子
定数は擬正方晶系でａ（、ｚ３．７８人、Ｔｏ約９０に
のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘの格子定数は斜方晶系でａｏｚ３
．８２入、 ｂｏ４３．８８人、Ｔｃが約８０にと約１
１０にの相が得られる３ｉ−５ｒ−Ｃａ−Ｃｕ −０系
の格子定数は正方晶系でａ。悠５，４人、最高のＴｃ１
２０にの相が出現するＴｌ−Ｂａ−５ｒ−Ｃｕ−０系の
それはやはり正方晶系でａ。χ３．８６人、が一般に受
は入れられている。ここで結晶学上で取扱かわれている
単位胞の刻角線格子を考えると、Ｂｉ系の格子定数ａｏ
′ χａｏ／ＪＴｚ３．ａ２人となる。すなわち高温超
伝導体の格子定数はいずれも３７８〜３．８６人の範囲
内にあり材料系に大きく依存しない。
ヘテロエピタキシーの観点から最も技術的に進歩してい
る半導体工学の分野では、格子不整合は１％以下が許容
されているものの、最近のＩＩＩ −Ｖ族／Ｓｉへテロ
エピタキシーでは４％が認められている。従って、ここ
では最大許容不整合を４％とする。いま、薄膜の格子定
数をａ。、基板の格子定数をｂｏとすると、格子不整合
性ＭｆはＭｆ−七鉦二ＬＬｘｔｏｏ （％） 鉦上ｂ と結晶学的に定義されるので、上記ａ。＝ ３．７８〜
３．８６λに対応するす。は、Ｍｆ＝４％として、（３
，６３１８〜３．９３４３Ａ ）〜（３，７０８６〜４
．０１７６人）と求められる。すなわち、基板の格子定
数３．６３１８〜４．０１７８人が前記超伝導体薄膜に
適することになる。
る半導体工学の分野では、格子不整合は１％以下が許容
されているものの、最近のＩＩＩ −Ｖ族／Ｓｉへテロ
エピタキシーでは４％が認められている。従って、ここ
では最大許容不整合を４％とする。いま、薄膜の格子定
数をａ。、基板の格子定数をｂｏとすると、格子不整合
性ＭｆはＭｆ−七鉦二ＬＬｘｔｏｏ （％） 鉦上ｂ と結晶学的に定義されるので、上記ａ。＝ ３．７８〜
３．８６λに対応するす。は、Ｍｆ＝４％として、（３
，６３１８〜３．９３４３Ａ ）〜（３，７０８６〜４
．０１７６人）と求められる。すなわち、基板の格子定
数３．６３１８〜４．０１７８人が前記超伝導体薄膜に
適することになる。
■結晶構造に関して 酸化物超伝導体は、その結晶構造
の基本は酸素・八面体ＢＯ６（Ｂ：陽イオン）が骨格を
成して、いわゆる環ベロウスカイト構造となっているこ
とか定説となって受は入れられている。しかしながら、
鉱物学上のベロウスカイ１−構造酸化物はＣａＴｉ（Ｌ
＋に代表される如く化学式へＢ０３の化合物であり、そ
の格子定数は−１−述した超伝導体のそれよりも大きい
のが一般的であり、かつへ元素とＢ元素との組合によっ
ては格子か大きく歪んで側方晶系以下の結晶対称性の低
い構造（例えは単斜晶系）となり易い為に結晶欠陥であ
る双晶か入ってしまう。従って、双晶が生しない結晶構
造として正方晶系が望ましい。
の基本は酸素・八面体ＢＯ６（Ｂ：陽イオン）が骨格を
成して、いわゆる環ベロウスカイト構造となっているこ
とか定説となって受は入れられている。しかしながら、
鉱物学上のベロウスカイ１−構造酸化物はＣａＴｉ（Ｌ
＋に代表される如く化学式へＢ０３の化合物であり、そ
の格子定数は−１−述した超伝導体のそれよりも大きい
のが一般的であり、かつへ元素とＢ元素との組合によっ
ては格子か大きく歪んで側方晶系以下の結晶対称性の低
い構造（例えは単斜晶系）となり易い為に結晶欠陥であ
る双晶か入ってしまう。従って、双晶が生しない結晶構
造として正方晶系が望ましい。
■熱膨張係数に関して：正方晶系ペロウスカイト系酸化
物の熱膨張係数は実験的に整理されており、はぼ１０〜
１２ｐｐｍ／”Ｃであり、上述した超伝導体の熱膨張係
数１１〜１２ｐｐｍ／ｌと極めて近いことが多くの文献
データを整理して判った。
物の熱膨張係数は実験的に整理されており、はぼ１０〜
１２ｐｐｍ／”Ｃであり、上述した超伝導体の熱膨張係
数１１〜１２ｐｐｍ／ｌと極めて近いことが多くの文献
データを整理して判った。
１１ｅＡＢ０４を見出した。ここでＲｅは１ｆ１１１以
上の希土類元素、ＡおよびＢはそれぞれ一部が他のイオ
ンと置換されてもよい陽イオンである。表１に代表的Ｒ
ｅＡＢＯ，化合物とその格子定数およびこれらを基板と
して成長させるのに最適な超伝導体を示す。いずれもの
項で述べた格子定数の値の中に含まれていることか判る
。
上の希土類元素、ＡおよびＢはそれぞれ一部が他のイオ
ンと置換されてもよい陽イオンである。表１に代表的Ｒ
ｅＡＢＯ，化合物とその格子定数およびこれらを基板と
して成長させるのに最適な超伝導体を示す。いずれもの
項で述べた格子定数の値の中に含まれていることか判る
。
ＲｅＡＢＸ＜の各イオンのうち、陽イオンＡとしてはア
ルカリ土類元素のイオン、特にＳｒイオンが、Ｂイオン
としては、遷移元素のイオン、特にＶｌａ族、■ａ族お
よび■族遷移金属の元素のイオンおよびＧａイオンが望
ましい。
ルカリ土類元素のイオン、特にＳｒイオンが、Ｂイオン
としては、遷移元素のイオン、特にＶｌａ族、■ａ族お
よび■族遷移金属の元素のイオンおよびＧａイオンが望
ましい。
（以 下 余 白）
〔実施例）
本発明者は以上の３要素に対する数値的、結晶学的考察
から、基板材料としてに２ＭｎＦ４構造をもつ酸化物超
伝導体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘをｒｆスパッタ法同時蒸着で
各種基板上に基板温度６５０〜７８０℃で約３００Å堆
積した。その結果、Ｌａ５ｒＧａＯ＋ 、 ｌ、ａｓｒ
ｃｒ０４ＬａＳｒＦｅＯ４基板に対しては転移温度８５
〜９［ＩＫを示す良好な単結晶膜が得られた。
から、基板材料としてに２ＭｎＦ４構造をもつ酸化物超
伝導体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘをｒｆスパッタ法同時蒸着で
各種基板上に基板温度６５０〜７８０℃で約３００Å堆
積した。その結果、Ｌａ５ｒＧａＯ＋ 、 ｌ、ａｓｒ
ｃｒ０４ＬａＳｒＦｅＯ４基板に対しては転移温度８５
〜９［ＩＫを示す良好な単結晶膜が得られた。
実施例２
（Ｌａ、、Ｓｒ、）２Ｃｕｂ４をｒｆスパッタ法てＬ
ａ Ｓ ｒ ｋｌ ｎ Ｏｓ基板上に堆積した結果、Ｔ
ｃ約３２にの薄膜を得たか、表面モフォロジーは１、ａ
ｓｒｃｏ０４やＬａ５ｒＧａ０４基板上に比へて少し粗
ねていた。このことは格子不整合Ｍｆが約２．６％と狭
義のエピタキシー（Ｍｆ約１％）に比べ大きいことによ
ると判断てきる。
ａ Ｓ ｒ ｋｌ ｎ Ｏｓ基板上に堆積した結果、Ｔ
ｃ約３２にの薄膜を得たか、表面モフォロジーは１、ａ
ｓｒｃｏ０４やＬａ５ｒＧａ０４基板上に比へて少し粗
ねていた。このことは格子不整合Ｍｆが約２．６％と狭
義のエピタキシー（Ｍｆ約１％）に比べ大きいことによ
ると判断てきる。
基板の格子定数値は、形成される超伝導体の種類によっ
て適宜Ｍｆχ１％になるよう選ぶへきである。すなわち
超伝導体の種類によって表１に例示される本発明の基板
材料の中から選定されることが望ましいことは云うまで
もない。本発明の基本は上述したエピタキシャル成長の
ための３要素に立脚したＲｅ八へＯ４化合物を提示した
もので、表１に示した化合物以外てもに２ＭｎＦ、＋構
造正方晶系材ネ４てあれば本発明を限定するものではな
い。
て適宜Ｍｆχ１％になるよう選ぶへきである。すなわち
超伝導体の種類によって表１に例示される本発明の基板
材料の中から選定されることが望ましいことは云うまで
もない。本発明の基本は上述したエピタキシャル成長の
ための３要素に立脚したＲｅ八へＯ４化合物を提示した
もので、表１に示した化合物以外てもに２ＭｎＦ、＋構
造正方晶系材ネ４てあれば本発明を限定するものではな
い。
以上説明したように、本発明による基板は結晶欠陥のな
い正方晶系結晶である事、超伝導体と共通する酸素八面
体の骨格を有する結晶構造をもっている事、酸素八面体
ペロウスカイト化合物と類似の熱膨張係数をもっている
事、などの特徴をもっているので、本発明基板を用いる
ことによって、 極めて良質な単結晶性エピタキシャル超伝導体薄膜が得
られる利点がある。
い正方晶系結晶である事、超伝導体と共通する酸素八面
体の骨格を有する結晶構造をもっている事、酸素八面体
ペロウスカイト化合物と類似の熱膨張係数をもっている
事、などの特徴をもっているので、本発明基板を用いる
ことによって、 極めて良質な単結晶性エピタキシャル超伝導体薄膜が得
られる利点がある。
Claims (1)
- 化学量諭比ＲｅＡＢＸ＿４で示される４成分（但し、Ｘ
は１種以上の陰イオン、Ｒｅは１種以上の希土類元素イ
オン、ＡおよびＢはそれぞれ一部置換されてもよい陽イ
オン）以上の元素から構成されたＫ＿２ＭｎＦ＿４構造
の単結晶からなることを特徴とする超伝導体薄膜用基板
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201374A JP2533649B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 超伝導体薄膜用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201374A JP2533649B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 超伝導体薄膜用基板材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369596A true JPH0369596A (ja) | 1991-03-25 |
| JP2533649B2 JP2533649B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16440014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201374A Expired - Fee Related JP2533649B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 超伝導体薄膜用基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2533649B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003002644A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-01-08 | Japan Science & Technology Corp | ランタン系酸化物超伝導体結晶の双晶除去法 |
| US9136046B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-09-15 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Superconducting wire rod and method for manufacturing superconducting wire rod |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101951677B1 (ko) | 2017-08-22 | 2019-02-25 | 엘지전자 주식회사 | 커넥터 방수 하우징 및 이동 단말기 |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1201374A patent/JP2533649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003002644A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-01-08 | Japan Science & Technology Corp | ランタン系酸化物超伝導体結晶の双晶除去法 |
| US9136046B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-09-15 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Superconducting wire rod and method for manufacturing superconducting wire rod |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2533649B2 (ja) | 1996-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nashimoto et al. | Epitaxial growth of MgO on GaAs (001) for growing epitaxial BaTiO3 thin films by pulsed laser deposition | |
| Ramesh et al. | Epitaxial growth of ferroelectric bismuth titanate thin films by pulsed laser deposition | |
| Hsu et al. | MgO epitaxial thin films on (100) GaAs as a substrate for the growth of oriented PbTiO3 | |
| JPH01320224A (ja) | 超伝導体構造体 | |
| Bai et al. | Preparation of YVO4 thin films by metal organic chemical vapor deposition | |
| JPH03149882A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US5602080A (en) | Method for manufacturing lattice-matched substrates for high-Tc superconductor films | |
| Kim et al. | Seeded epitaxial growth of PbTiO3 thin films on (001) LaAlO3 using the chemical solution deposition method | |
| US5418215A (en) | C-axis oriented high temperature superconductors deposited onto single crystals of gadolinium gallium garnet and method of making the same | |
| JPH0369596A (ja) | 超伝導体薄膜用基板材料 | |
| CN1312332C (zh) | 氧化物高温超导体及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Microstructure of epitaxial VO2 thin films deposited on (1120) sapphire by MOCVD | |
| US6191073B1 (en) | Series of layers and component containing such | |
| Bals et al. | Transmission electron microscopy on interface engineered superconducting thin films | |
| JPH01145397A (ja) | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JPH035397A (ja) | 酸化物結晶薄膜の気相成長方法 | |
| JP4247867B2 (ja) | サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| di Uccio et al. | Structural properties of single-domain (103) YBCO films grown on buffered (110) MgO | |
| Ogale et al. | Dopant incorporation during epitaxial growth of a multicomponent oxide thin film from vapor phase: A case study of Fe/YBa2Cu3O7− δ system | |
| Tang et al. | Crystallographic Axis Transition of Sm1+ xBa2− x Cu3O7− δ Film Prepared by Liquid Phase Epitaxy (LPE) | |
| Oishi et al. | New Substrate La1− xNdxGaO3 for High-Tc YBa2Cu3Ox Epitaxial Films | |
| Fenner et al. | Heteroepitaxial Metal Oxides on Silicon by Laser Ablation | |
| JP2004207482A (ja) | 酸化物超電導薄膜 | |
| JP2958645B2 (ja) | 酸化物超伝導素子および酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH03275504A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |