JPH0354705A - 軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH0354705A JPH0354705A JP1191000A JP19100089A JPH0354705A JP H0354705 A JPH0354705 A JP H0354705A JP 1191000 A JP1191000 A JP 1191000A JP 19100089 A JP19100089 A JP 19100089A JP H0354705 A JPH0354705 A JP H0354705A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録
再生するのに適した軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気
ヘッドに関する． 従来の技術 高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を
大きくすれば、また磁気ヘッドはその飽和磁束密度を大
きくすれば有利になることが一般に知られている．現在
磁気ヘッド材料としては、飽和磁束密度（Ｂｓ）が５ｋ
Ｇ程度のフエライト材料から、Ｂｓが８〜１１ｋＧ程度
のアモルファス合金やセンダスト合金材料に主流がうつ
りつつある． 一方さらに大きな飽和磁束密度を持った軟磁性材料の開
発が盛んに行われている。それらはＦｅもしくはＦｅＣ
ｏ系合金とＳｉｎ．やＺｎＯなどの非磁性酸化物との積
層構造であったり、ＦｅＳｉ合金等である．それらの材
料は飽和磁束密度は１５ｋＧ程度以上を示すのの、保磁
力や透磁率といった軟磁気特性は今一つであったり（例
えば、第１２回日本応用磁気学会学術講演概要集、３ｐ
Ｄ−６、３ｐＤ−９）、また比較的低い温度では軟磁気
特性を保っているが熱処理温度が４００”Ｃと高くなる
と拡散や粒威長のために軟磁気特性が劣化（例えば、第
１２回日本応用磁気学会学術講演概要集、３ｐＤ−８）
するなどして、磁気ヘッドに応用可能なものはいまだに
得られていない。
再生するのに適した軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気
ヘッドに関する． 従来の技術 高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を
大きくすれば、また磁気ヘッドはその飽和磁束密度を大
きくすれば有利になることが一般に知られている．現在
磁気ヘッド材料としては、飽和磁束密度（Ｂｓ）が５ｋ
Ｇ程度のフエライト材料から、Ｂｓが８〜１１ｋＧ程度
のアモルファス合金やセンダスト合金材料に主流がうつ
りつつある． 一方さらに大きな飽和磁束密度を持った軟磁性材料の開
発が盛んに行われている。それらはＦｅもしくはＦｅＣ
ｏ系合金とＳｉｎ．やＺｎＯなどの非磁性酸化物との積
層構造であったり、ＦｅＳｉ合金等である．それらの材
料は飽和磁束密度は１５ｋＧ程度以上を示すのの、保磁
力や透磁率といった軟磁気特性は今一つであったり（例
えば、第１２回日本応用磁気学会学術講演概要集、３ｐ
Ｄ−６、３ｐＤ−９）、また比較的低い温度では軟磁気
特性を保っているが熱処理温度が４００”Ｃと高くなる
と拡散や粒威長のために軟磁気特性が劣化（例えば、第
１２回日本応用磁気学会学術講演概要集、３ｐＤ−８）
するなどして、磁気ヘッドに応用可能なものはいまだに
得られていない。
発明が解決しようとする課題
Ｆｅ系の合金、もしくはＦｅ系合金と非磁性酸化物との
層構造を持った軟磁性膜に４００’Ｃ程度以上の熱処理
を施すと粒或長や相互拡散が起こる。
層構造を持った軟磁性膜に４００’Ｃ程度以上の熱処理
を施すと粒或長や相互拡散が起こる。
一般にこれらの現象が起こると軟磁気特性が劣化する．
また磁気ヘッドにおいては軟磁性薄膜の特性劣化により
、人出力特性が劣化する。
また磁気ヘッドにおいては軟磁性薄膜の特性劣化により
、人出力特性が劣化する。
課題を解決するための手段
軟磁性薄膜の構或をＦｅもしくはＦｅＣｏ合金と、熱的
に安定で非常に反応性の乏しい高融点金属であるＩ ｒ
，ＲｅＳＲｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔａの１種類
の金属膜もしくは２種類以上の合金膜とを交互に堆積し
た構造を有するものにする．またその軟磁性薄膜を磁気
ヘッドのコアの一部に利用する。
に安定で非常に反応性の乏しい高融点金属であるＩ ｒ
，ＲｅＳＲｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ，Ｔａの１種類
の金属膜もしくは２種類以上の合金膜とを交互に堆積し
た構造を有するものにする．またその軟磁性薄膜を磁気
ヘッドのコアの一部に利用する。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。
高融点金属であるＩｒ，Ｒｅ，Ｒｕ，ＰＬ．．Ｒｈ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｔａもしくはそれらの合金はそれ自信が非常
に安定な材料である．したがってＦｅもしくはＦｅＣｏ
合金との積層構造を形成し、４００゜Ｃ以上の熱処理を
施してもほとんど相互拡散がおこらない。一方Ｆｅもし
くはＦｅＣｏ合金は高融点材料によって分断されている
ために熱処理を施しても粒或長が起こらない，そのため
に比較的高い温度まで良好な軟磁性特性が保たれる。
ｕ，Ａｇ，Ｔａもしくはそれらの合金はそれ自信が非常
に安定な材料である．したがってＦｅもしくはＦｅＣｏ
合金との積層構造を形成し、４００゜Ｃ以上の熱処理を
施してもほとんど相互拡散がおこらない。一方Ｆｅもし
くはＦｅＣｏ合金は高融点材料によって分断されている
ために熱処理を施しても粒或長が起こらない，そのため
に比較的高い温度まで良好な軟磁性特性が保たれる。
第１０図に相互拡散が起こらない一例を示す．この図は
ＦｅとＩｒを交互に３層ずつ堆積し、６００゜Ｃ熱処理
を施した時のオージェ電子分光パターンである。これを
見るとわかるように６００’Ｃ熱処理を施しても両者の
境界が明瞭に存在し、つまりＦｅ膜が高融点金属のＩｒ
膜によって分断されているのがわかる。
ＦｅとＩｒを交互に３層ずつ堆積し、６００゜Ｃ熱処理
を施した時のオージェ電子分光パターンである。これを
見るとわかるように６００’Ｃ熱処理を施しても両者の
境界が明瞭に存在し、つまりＦｅ膜が高融点金属のＩｒ
膜によって分断されているのがわかる。
実施例
以下本発明の一実施例の磁気ヘッドについて図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第１図は本発明の磁気へノドの一例である。
主磁極膜１に用いられているのが本発明の軟磁性薄膜で
ある．ここではＦｅｌＯｎｍとＩｒ４ｎｍを交互にｌ８
層堆積し、つまり総膜厚２５２ｎｍの軟磁性薄膜を用い
ている。これを取り囲むようにコイル５が巻かれている
。２は補助磁極であり磁気ヘッドのリターンバスを形成
し、材料はフエライトを用いている。３はスライダでセ
ラミクス材料である．４は巻線窓である。
ある．ここではＦｅｌＯｎｍとＩｒ４ｎｍを交互にｌ８
層堆積し、つまり総膜厚２５２ｎｍの軟磁性薄膜を用い
ている。これを取り囲むようにコイル５が巻かれている
。２は補助磁極であり磁気ヘッドのリターンバスを形成
し、材料はフエライトを用いている。３はスライダでセ
ラミクス材料である．４は巻線窓である。
第２図は本発明の磁気ヘッドの一例である。
主磁極膜１１に用いられているのが本発明の軟磁性薄膜
である。ここではＦｅｌ２ｎｍとＩ ｒ ４ ｎｍを交
互に１４層堆積し、つまり総膜厚２２４ｎｍの軟磁性薄
膜を用いている， １３は補助磁極、１４は主磁極補助
であり、ここでは共にフエライトである。
である。ここではＦｅｌ２ｎｍとＩ ｒ ４ ｎｍを交
互に１４層堆積し、つまり総膜厚２２４ｎｍの軟磁性薄
膜を用いている， １３は補助磁極、１４は主磁極補助
であり、ここでは共にフエライトである。
１２はガラス、１５は膜線窓、１６はコイルである．第
３図は本発明の磁気ヘンドの一例である，これはフォト
リソ技術を用いた、いわゆるＦｉｌｌ磁気ヘッドである
主磁極膜２１に用いられているのが本発明の軟磁性薄膜
である。ここではＦｅｌＯｎｍとＩｒ３ｎｍを交互に１
８層つまり総膜厚２３４ｎｍの軟磁性薄膜を用いている
。２２、２４はそれぞれ主磁極補助膜、補助磁極膜であ
り、センダストやＣｏ系アモルファス膜が用いられてい
る。２３はスライダー、２５はコイルである。
３図は本発明の磁気ヘンドの一例である，これはフォト
リソ技術を用いた、いわゆるＦｉｌｌ磁気ヘッドである
主磁極膜２１に用いられているのが本発明の軟磁性薄膜
である。ここではＦｅｌＯｎｍとＩｒ３ｎｍを交互に１
８層つまり総膜厚２３４ｎｍの軟磁性薄膜を用いている
。２２、２４はそれぞれ主磁極補助膜、補助磁極膜であ
り、センダストやＣｏ系アモルファス膜が用いられてい
る。２３はスライダー、２５はコイルである。
第４図は本発明の磁気ヘッドの一例である。
これはリングヘッドである。この例ではヘッドのトラッ
クを形成する磁性膜３Ｉに本発明のｅ磁性ｉ膜が用いら
れている。ここではＦｅｌＯｎｍとＩｒ４ｎｍを交互に
４００層形成した５．６μｍ厚のものを、絶縁層のＳｉ
Ｏｚ（膜厚２００ ｎ ｍ ）を介して４層構造にし、
合計２３μｍ（トラック幅）として用いている。なおＳ
ｉ○２絶縁膜を用いているのは高周波領域での渦電流損
失を防ぐためである。
クを形成する磁性膜３Ｉに本発明のｅ磁性ｉ膜が用いら
れている。ここではＦｅｌＯｎｍとＩｒ４ｎｍを交互に
４００層形成した５．６μｍ厚のものを、絶縁層のＳｉ
Ｏｚ（膜厚２００ ｎ ｍ ）を介して４層構造にし、
合計２３μｍ（トラック幅）として用いている。なおＳ
ｉ○２絶縁膜を用いているのは高周波領域での渦電流損
失を防ぐためである。
３２は非磁性の酸化物基板である。３３は巻線窓、３４
は磁気ギャップである。
は磁気ギャップである。
なお第１図〜第４図の例ではＦｅとＩｒのどちらを先に
形成してもほぼ同様の効果が得られる。
形成してもほぼ同様の効果が得られる。
第５図は本発明の磁気ヘッドの一例である。
これは、主コアがフエライト４２で、磁気ギャップの近
傍にのみ高飽和磁束密度の軟磁性材料４ｌが用いられて
いる、いわゆるＭＩＧヘッドである。
傍にのみ高飽和磁束密度の軟磁性材料４ｌが用いられて
いる、いわゆるＭＩＧヘッドである。
磁気ギャッフの近傍に本発明の軟磁性薄膜が用いられて
いる。ここでは、Ｆｅｌ１ｎｍとＴ ｒ ４ ｎｍを交
互に４００層形成し、合計６．０μｍとして用いている
．またこの軟磁性薄膜が６００℃以上でも安定なために
ガラス４３は作業温度が６００゜Ｃ程度の硬いものが利
用できる。なおＭＩＧヘッドの場合のみは、フエライト
上にまず■『を形成し、順次ＦｅとＩｒを交互に形成し
、最上層はＦｅにしておくのが望ましい。４４は巻線窓
である。
いる。ここでは、Ｆｅｌ１ｎｍとＴ ｒ ４ ｎｍを交
互に４００層形成し、合計６．０μｍとして用いている
．またこの軟磁性薄膜が６００℃以上でも安定なために
ガラス４３は作業温度が６００゜Ｃ程度の硬いものが利
用できる。なおＭＩＧヘッドの場合のみは、フエライト
上にまず■『を形成し、順次ＦｅとＩｒを交互に形成し
、最上層はＦｅにしておくのが望ましい。４４は巻線窓
である。
なお第ｌ図〜第５図の説明ではＦｅとＩｒの組合せのみ
について述べたが、以下の軟磁性薄膜の磁気特性で述べ
る用にＦｅの代わりにＦｅＣｏが用いられても、またＩ
ｒの代わりにＲｅ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ．．ＡｕＳＡｇＳ
Ｔａの金属膜、もしくは２種類以上の合金膜を用いても
、またそれぞれのｌ層あたりの膜厚を変化させても同様
の効果が得られる。
について述べたが、以下の軟磁性薄膜の磁気特性で述べ
る用にＦｅの代わりにＦｅＣｏが用いられても、またＩ
ｒの代わりにＲｅ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ．．ＡｕＳＡｇＳ
Ｔａの金属膜、もしくは２種類以上の合金膜を用いても
、またそれぞれのｌ層あたりの膜厚を変化させても同様
の効果が得られる。
第６図は本発明の軟磁性薄膜の一例である．基板５ｌ上
に、磁性膜（Ｆｅ）５２と非磁性Ｍ（■ｒ）５３が交互
に堆積されている。基板上にＦｅを先に形成しても、Ｉ
ｒを先に形成してもほぼ同様の効果が得られるのは先に
述べたとおりである。
に、磁性膜（Ｆｅ）５２と非磁性Ｍ（■ｒ）５３が交互
に堆積されている。基板上にＦｅを先に形成しても、Ｉ
ｒを先に形成してもほぼ同様の効果が得られるのは先に
述べたとおりである。
またここではＦｅとＩｒが用いられているがＦｅｏ代わ
りにＦｅＣｏが用いられても同様の効果が得られる。ま
たＩｒの代わりにＲｅ，ＲｕＳＰｔ，Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ
，Ｔａの金属膜、もしくは２種類以上の合金膜を用いて
も同様の効果が得られる．第７図に第６図に示した軟磁
性薄膜の飽和磁化のＦｅとＥｒの膜厚依存性を示す．こ
こではＦｅとＩｒをそれぞれｌＯ層ずつ交互に堆積した
ものについての例を示す。Ｆｅの膜厚を１０ｎｍ一定と
してＩｒの膜厚を変化させたときの飽和磁化の値を調べ
た，Ｉｒの膜厚が大きくなるほど飽和磁化の値が小さく
なるのがわかる。Ｉｒの膜厚が５ｎｍとＦｅの半分にな
ると飽和磁化の値は約１１００ｅｍｕ ／ ｃ ｃとな
る。
りにＦｅＣｏが用いられても同様の効果が得られる。ま
たＩｒの代わりにＲｅ，ＲｕＳＰｔ，Ｒｈ，Ａｕ，Ａｇ
，Ｔａの金属膜、もしくは２種類以上の合金膜を用いて
も同様の効果が得られる．第７図に第６図に示した軟磁
性薄膜の飽和磁化のＦｅとＥｒの膜厚依存性を示す．こ
こではＦｅとＩｒをそれぞれｌＯ層ずつ交互に堆積した
ものについての例を示す。Ｆｅの膜厚を１０ｎｍ一定と
してＩｒの膜厚を変化させたときの飽和磁化の値を調べ
た，Ｉｒの膜厚が大きくなるほど飽和磁化の値が小さく
なるのがわかる。Ｉｒの膜厚が５ｎｍとＦｅの半分にな
ると飽和磁化の値は約１１００ｅｍｕ ／ ｃ ｃとな
る。
第８図に本発明の軟磁性薄膜に４００〜６００″Ｃの熱
処理を施した後の１０ＭＨｚの比透磁率の値を示す．こ
こではＦｅとＩｒをそれぞれ１０層ずつ交互に堆積した
。またＦｅの膜厚を１０ｎｍ一定としてｒｒの膜厚を変
化させたときの比透磁率を調べた。
処理を施した後の１０ＭＨｚの比透磁率の値を示す．こ
こではＦｅとＩｒをそれぞれ１０層ずつ交互に堆積した
。またＦｅの膜厚を１０ｎｍ一定としてｒｒの膜厚を変
化させたときの比透磁率を調べた。
ｒｒの膜厚が２〜５ｎｍのときに比透磁率の値は１００
０程度のすぐれた軟磁気特性を示す。
０程度のすぐれた軟磁気特性を示す。
第７図、第８図で示した特性はＦｅの膜厚を２〜１００
ｎｍの範囲で変化させても、Ｉｒの膜厚を１〜５０ｎｍ
の範囲で最適値を求めれば飽和磁化が１０００ｅ ｍ
ｕ ／ ｃ ｃ程度以上、比透磁率が８００以上程度の
すぐれた軟磁気特性を示す高飽和磁化軟磁性薄膜が得ら
れる。またＩｒの代わりにＲｅ，ＲｕＳＰＣＳＲｈ，Ａ
ｕ．．Ａｇ，Ｔａの金属膜、もしくは２種類以上の合金
膜を用いても同様の効果が得られる。
ｎｍの範囲で変化させても、Ｉｒの膜厚を１〜５０ｎｍ
の範囲で最適値を求めれば飽和磁化が１０００ｅ ｍ
ｕ ／ ｃ ｃ程度以上、比透磁率が８００以上程度の
すぐれた軟磁気特性を示す高飽和磁化軟磁性薄膜が得ら
れる。またＩｒの代わりにＲｅ，ＲｕＳＰＣＳＲｈ，Ａ
ｕ．．Ａｇ，Ｔａの金属膜、もしくは２種類以上の合金
膜を用いても同様の効果が得られる。
第９図に本発明の軟磁性薄膜の飽和磁化と比透磁率（ｌ
ＯＭＨｚ）の値を示す。これは磁性膜に２０ｗｔ，％Ｆ
ｅＣｏを用い、非磁性膜にＩｒを用い、それぞれ１０層
ずつ交互に堆積したときの結果である，ＦｅＣｏ膜の厚
さをｔ２ｎｍ一定として、Ｉｒの膜厚を変化させた。飽
和磁化はＩｒの増加にともなって単調減少するが、比透
磁率はＩｒが４ｎｍで最大となるような傾向を示す．第
９図で示した特性はＦｅＣｏの膜厚を２〜１００ｎｍの
範囲で変化させても、Ｉｒの膜厚を１〜５０ｎｍの範囲
で最適値を求めれば飽和磁化がｌｏｏｓｅ ｍ ｕ ／
ｃ ｃ程度以上、比透磁率が８００以上程度の高飽和
磁化軟磁性薄膜が得られる。またＩｒの代わりにＲｅ、
Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ．．ＡｕＳＡｇ，Ｔａの金属膜、もし
くは２種類以上の合金膜を用いても同様の効果が得られ
る． 発明の効果 本発明により、非常に熱的に安定な軟磁性薄膜が得られ
、またこの軟磁性薄膜を磁気ヘッドに用いることにより
、現在よりも情報を高密度に記録再生することが可能に
なる．また磁気ヘッドに用いられるガラスも従来に比べ
作業温度の高いものが利用できるため耐久性にすぐれた
磁気ヘッドが得られる。
ＯＭＨｚ）の値を示す。これは磁性膜に２０ｗｔ，％Ｆ
ｅＣｏを用い、非磁性膜にＩｒを用い、それぞれ１０層
ずつ交互に堆積したときの結果である，ＦｅＣｏ膜の厚
さをｔ２ｎｍ一定として、Ｉｒの膜厚を変化させた。飽
和磁化はＩｒの増加にともなって単調減少するが、比透
磁率はＩｒが４ｎｍで最大となるような傾向を示す．第
９図で示した特性はＦｅＣｏの膜厚を２〜１００ｎｍの
範囲で変化させても、Ｉｒの膜厚を１〜５０ｎｍの範囲
で最適値を求めれば飽和磁化がｌｏｏｓｅ ｍ ｕ ／
ｃ ｃ程度以上、比透磁率が８００以上程度の高飽和
磁化軟磁性薄膜が得られる。またＩｒの代わりにＲｅ、
Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ．．ＡｕＳＡｇ，Ｔａの金属膜、もし
くは２種類以上の合金膜を用いても同様の効果が得られ
る． 発明の効果 本発明により、非常に熱的に安定な軟磁性薄膜が得られ
、またこの軟磁性薄膜を磁気ヘッドに用いることにより
、現在よりも情報を高密度に記録再生することが可能に
なる．また磁気ヘッドに用いられるガラスも従来に比べ
作業温度の高いものが利用できるため耐久性にすぐれた
磁気ヘッドが得られる。
第１図〜第５図は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第６図
は本発明の軟磁性薄膜の断面図、第７図〜第９図は本発
明の軟磁性薄膜の磁気特性に関するグラフ、第１０図は
本発明の軟磁性薄膜のオージェ電子分光パターン図であ
る． １・・・・・・主磁極膜、２・・・・・・補助磁極、３
・・・・・・スライダ、４・・・・・・巻線窓、５・・
・・・・コイル、１ｌ・・・・・・主磁極膜、１３・・
・・・・補助磁極、１４・・・・・・主磁極補助、２１
・・・・・・主磁極膜、３１・・・・・・磁性膜、３２
・・・・・・非磁性酸化物基板、４１・・・・・・軟磁
性材料、４２・・・・・・フエライト、４３・・・・・
・ガラス．
は本発明の軟磁性薄膜の断面図、第７図〜第９図は本発
明の軟磁性薄膜の磁気特性に関するグラフ、第１０図は
本発明の軟磁性薄膜のオージェ電子分光パターン図であ
る． １・・・・・・主磁極膜、２・・・・・・補助磁極、３
・・・・・・スライダ、４・・・・・・巻線窓、５・・
・・・・コイル、１ｌ・・・・・・主磁極膜、１３・・
・・・・補助磁極、１４・・・・・・主磁極補助、２１
・・・・・・主磁極膜、３１・・・・・・磁性膜、３２
・・・・・・非磁性酸化物基板、４１・・・・・・軟磁
性材料、４２・・・・・・フエライト、４３・・・・・
・ガラス．
Claims (4)
- （１）２ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＦｅ薄膜と、１ｎｍ
以上５０ｎｍ以下のＩｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｔａの１種類の金属膜もしくは２種類以上の
合金膜とを交互に堆積した軟磁性薄膜。 - （２）２ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＦｅＣｏ合金薄膜と
、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下のＩｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｐｔ、
Ｒｈ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａの１種類の金属膜もしくは２種
類以上の合金膜とを交互に堆積した軟磁性薄膜。 - （３）薄膜がスパッタ法もしくは蒸着法を用いて形成さ
れることを特徴とする請求項（１）または（２）のいず
れかに記載の軟磁性薄膜。 - （４）磁気ヘッドのコアを形成する部分の少なくとも一
部に請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟磁
性薄膜を用いた磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191000A JPH0354705A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191000A JPH0354705A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354705A true JPH0354705A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16267199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191000A Pending JPH0354705A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354705A (ja) |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1191000A patent/JPH0354705A/ja active Pending
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