JPH035495A - 修飾された核酸を製造するための修飾されたホスホルアミダイト法 - Google Patents

修飾された核酸を製造するための修飾されたホスホルアミダイト法

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JPH035495A
JPH035495A JP2132429A JP13242990A JPH035495A JP H035495 A JPH035495 A JP H035495A JP 2132429 A JP2132429 A JP 2132429A JP 13242990 A JP13242990 A JP 13242990A JP H035495 A JPH035495 A JP H035495A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分1!’F) 本発明は、修飾された核酸を製造するための修飾された
ホスホルアミダイト法およびこの方法に用いる新規な化
合物に関するものである。
(従来の技術) 核酸は、世界中の生命にとって基本的に重要であり、し
たがって、全ての生物中に存在している化合物である。
遺伝情報は、その核酸中に蓄積される。核酸配列が個々
の生物について特徴的であるので、該核酸は、異なる種
の生物の区別および同定に関する規準でもある。したが
って、核酸の合成および検出が多く試みられてきた。
核酸は、化学的または酵素的に合成することができる。
自然に生じるβ配置の核酸の化学合成によると、定義さ
れたヌクレオチド配列を有する、該核酸を大量に製造す
ることができるので、近年、該化学合成は一層多く増加
してきている。該化学合成は、特に、β配置のオリゴヌ
クレオチドの合成について、行うことができる。別の方
法は、使用するヌクレオチドビルディングブロックのタ
イプおよび配列中の隣接するヌクレオチドに結合させる
反応工程によって区別することができる。
ホスホジエステル法では、カップリング試薬、例えばト
リアルキルアリルスルホン酸塩化物と共に、リン酸エス
テル残基以外の全ての反応性基が保護されているヌクレ
オシド−リン酸を、反応を起こすべきヒドロキシル基以
外の全ての反応性基が保護されている別のヌクレオシド
と反応させる。
主として、オリゴヌクレオチド鎖を構築する縮合工程中
に、内部ヌクレオチド(リン酸エステル)結合の非エス
テル化OH基において望ましくない副反応が生じ、複雑
な反応混合物となるために、この方法における収率は低
い。さらに、形成されたリン酸ジエステルは、いくつか
のプロトン性溶媒にだけしか溶解することができず、該
溶媒中でエステル化を行わなければならないという大き
い欠点を有している。ピリジン、ジメチルホルムアミド
またはジメチルスルホキシドのような溶媒は、例えば、
沸点が高いというような周知の欠点を有しているニホス
ホジエステル誘導体の極性特性の結果として、単離およ
び精製は、イオン交換体によって行われるべきであり、
簡単な方法で、例えば低沸点を有する溶媒(例えば、ジ
クロロメタン)を用いてシリカゲルによって行うことは
できない。
生成物が多くの有機溶媒に不溶であるという欠点は、ホ
スホトリエステル法によって回避される。
ホスホトリエステル法では、反応性基を1つだけ有し、
リン原子の隣りの2つのヒドロキシル基が異なる保護基
で保護されているリン酸誘導体が用いられる。第1のヌ
クレオシドとの反応の1麦、保護基のうちの1つを開裂
し、次いで、形成されたヒドロキシル基を、第2のヌク
レオシドとの反応のために活性化することができる。こ
の方法の結果、活性化されたヌクレオシドホスフェート
の収■を減少させる2つの追加の反応工程を、ヌクレオ
シドホスフェートにおいて行うことが必要である。
比較的高価な合成ビルディングブロックにおいて、より
少ない反応工程で操作される特に優れている方法は、ホ
スホルアミダイト法として知られている[ゲイト、エム
・ジェイ(Gait、 M、 J、 )等、オリゴヌク
レオチド・シンセシス:ア・プラクティカル・アプロー
チ(OligonucleoLide 5ynthes
is :A Practical Approach)
、rRL プレス(P ress)オックスフォード(
Oxford)]。この方法では、リン酸誘導体ではな
くむしろ亜リン酸の誘導体、いわゆるホスホルアミダイ
ト(phosphorallidite)が用いられる
。以下の基 一層1のヌクレオシドと結合することができる反応性基
、例えばハロゲン原子、 一活性化の後に第2のヌクレオシドとの結合を行うこと
ができる第2アミン基、 一保護基によって遮蔽されたヒドロキシル基を3価のリ
ン原子に結合させる。
ホスホルアミダイト法の第1工程において、亜ノン酸誘
導体と、第1のヌクレオシドとを反応させる;この工程
において、該ヌクレオシドは、反応性基を置換する。第
2工程において、第2アミ7基を第2のヌクレオシドに
よって選択的に置き換える。該第2工程では、活性化試
薬として、通常、テトラゾールが用いられる。次の工程
において、このヌクレオチド配列を、例えばヨウ素を用
いて酸化し、保護基を開裂除去する。1つの変法として
は、ホスホルアミダイト法が固相法として開示されてい
る。この変法では、成長するヌクレオチド配列を固相に
結合させる。過剰の合成試薬およびビルディングブロッ
クの分離ならびにオリゴヌクレオチド配列の精製は、こ
の方法によって非常に簡素化される。市販の入手可能な
自動核酸合成器は、この方法に従って作動する。これら
の構造は、例えば、ホスホルアミダイト法の特定の工程
に適合している。
特に、生物学的試料中のDNAの特異的な検出に、既知
のヌクレオチド配列を有する核酸を適用している。
このような検出法では、ある核酸と別の核酸の一重鎖が
互いに相補的であるヌクレオチド配列を有しており、両
者がリボースのC−1で同一の配置(αまたはβ)を有
している場合には、ある核酸の一重鎖が別の一重鎖核酸
と反応して、二重鎖を形成することができるという性質
を利用している。
自然に生じる核酸は塩基類および糖類の結合に関してβ
配置を有しているので、特に、β核酸は、相補的核酸と
して考慮され得る。この二重鎖形成方法は、ハイブリダ
イゼーションと称されている。
修飾された一重鎖の相補的核酸を、−重鎖核酸とのハイ
ブリダイゼーションに用いると、二重鎖の形成を検出す
ることができる。その後、例えば放射性標識であっても
よい修飾によって、ハイブリダイズされた核酸のmを測
定する。
修飾された核酸の合成に関して、既に入手可能である天
然の核酸を化学的もしくは酵素的に修飾することができ
るか、または既に修飾されたヌクレオチドビルディング
ブロックの助けによってヌクレオチド配列を合成するこ
とができる。
シカシ、例えば、WO36107363において5゛−
末端について示唆されているように、既に完全に合成さ
れた核酸の末端を修飾することによって、−重鎖あたり
修飾されたヌクレオチドを1つだけ含む核酸を製造する
ことができる。したがって、プローブとしてこのタイプ
の修飾された核酸を用いて核酸の量を測定する方法は、
あまり感受性が強(ない。
したがって、EP−A 0173251において、完全
な核酸の塩基が化学反応によってtmlliTiされる
ことが示唆されていた。しかし、このために、い(つか
の核酸の反応工程が必要であり、修飾の割合は、核酸が
遊離アミ7基を含む塩基を含有しているか否かに依存し
ており、この修飾は、相補的核酸とハイブリダイズする
能力を損なわない。
ジェゲル(JMger)等[バイオケミストリー(Bi
ochemistry)、第27巻、第7237頁、1
988年コには、リン原子に修飾を有するジヌクレオチ
ドの製造が記載されている。該修飾は、リンカ−を介し
て結合している第1アミノ基からなっており、通常のホ
スホルアミダイト法と類似の方法に導入される。
しかし、この方法は、ホスホルアミダイトを使用する通
常の自動合成器では行うことができない。
他の欠点は、遊離アミ7基が、これに使用する求電子試
薬と反応するので、もはや追加のヌクレオチドと結合し
得ないということである。
したがって、入手可能な従来技術の方法は、それぞれ、
かなりの欠点を有している。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、既知の方法の欠点を回避すること、さらに詳
細には、高い収率を有し、いくつかの反応工程において
簡単な出発物質で行うことができるリン酸エステル残基
の位置で修飾されたβ配置の核酸の固相上における合成
方法を利用可能にすることを目的とするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は、ヌクレオシドホスホルアミダイトを、遊離ヒ
ドロキシル基を有する別のヌクレオチドと反応させ、つ
いでリン酸エステルに形成されるヌクレオチド配列を酸
化することを特徴としており、該ヌクレオシドホスホル
アミダイトとして式(1)%式%) [式中、 Aは、酸素原子保護基、ヌクレオチドまたはオリゴヌク
レオチドであり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Xは、酸
素原子または硫黄原子であり、Lは、(n+1)価の架
橋結合基であり、Tは、水素原子、低級アルキル基、N
3、低級アルコキシ、または所望により保護されたヒド
ロキシル基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
り、 ■は、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数であり、 Dは、第2アミン残基である] で示される化合物を使用する、式(IX):[式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
はヌクレオチド配列の5゛位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
シ基またはヒドロキシル基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、Lは、(n+1
)価の架橋結合基であり、Uは、酸素原子、硫黄原子、
窒素原子またはN−Hであり、 nは、1〜200の自然数である] で示されるヌクレオチド配列の製造方法を提供するもの
である。
低級アルキル基および低級アルコキシ基は、炭素原子を
1〜6個、好ましくは1〜4個有する。
いわゆるホスホルアミダイト法による核酸の製造方法は
、例えば、ビオシミイ(Biochimie) 198
5、第67巻、第673頁〜第684頁によって、本質
的には知られている。本発明の方法は、特に、式(1)
で示される別のヌクレオシドホスホルアミダイトを出発
物質として用いる従来技術の方法とは異なる。
式(])における残基Aは、好ましくは、酸素原子保護
基である。ヌクレオチド合成において5−ヒドロキシル
基の保護に適している保護基は、公知である。酸性条件
下で開裂することができるトリフェニルメチル基または
ジメトキシトリフェニルメチル基のような保護基が非常
によく用いられる。
残基Aがヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチドである
場合、それは天然のまたは修飾されたヌクレオチドまた
はオリゴヌクレオチドのいずれであってもよい。オリゴ
ヌクレオチドを用いる合成はより困難であるので、オリ
ゴヌクレオチドよりもヌクレオチドのほうが好ましい。
残基Aのヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチドは、本
発明によって製造される残基であってもよい。残基Aの
ヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチドの反応性基を適
当な保護基によって保護するのが好ましい。
特に、残基Δのヌクレオチドまたはオリゴヌクレオチド
の末端の5゛−ヒドロキシル基を酸素原子保護基によっ
て保護する。この酸素原子保護基は、特に、残基Aにつ
いて上述した定義を有する。
残基Bの天然の核塩基は、好ましくは、アデニン、チミ
ン、シトシン、ウラシルまたはグアニンである。修飾さ
れた塩基は、例えば、それらの構造を環または置換基に
おいて変化させた塩基であってもよい。例えば、7−ジ
アザグアニンまたは5−アミノアルキルウラシルまたは
8−アミノヘキシル−アミノ−アデニンが挙げられる。
これらの塩基は好ましく、該塩基において相補的核酸の
とワトソンークリック塩基対に全(影響を与えないか、
または極僅かだけに影響を与えるだけである。
残基Tは、リボまたはアラビノ配置を有し得る。
好ましくは、リポ配置である。塩基性、酸性または求核
条件下で開裂することができる基、好ましくは、し−ブ
チルジメチルシリル基またはトリイソブロビルシリル基
は、ヒドロキシル基に関スル保護基として使用すること
ができる。
保護基■は、選択的に開裂し得る保護基であるのが好ま
しい。完全なヌクレオチド配列を固形担体から開裂する
条件下で同時に開裂し得る保護基が好ましい。したがっ
て、例えば残基Aにおいて記載したような酸性条件下で
開裂し得る保護基は、好ましくない。故に、アルカリま
たはアンモニア条件下で開裂し得る保護基が特に好まし
く、フルオレニルメトキシカルボニル基またはトリフル
オロアセチル基が特に好都合であることが確認された。
式(1)で示される化合物は、式(■):[式中、 Aは、酸素原子保護基、ヌクレオチドまたはオリゴヌク
レオチドであり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
素原子、(所望により保護された)ヒドロキシル基、低
級アルキル基、N3または低級アルキルオキシ基である
] で示される化合物を、式(III) [式中、 2は、良好な離脱基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、Lは、少なくと
も2価の架橋結合基であり、Uは、酸素原子、硫黄原子
、窒素原子またはN−Hであり、 ■は、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数であり、 Dは、第2アミン残基である] で示されるホスファンと反応させることによって製造す
ることができる。
該反応条件としては、従来技術のヌクレオシドホスホル
アミダイトについて既述した条件に類似の条件が当業者
によって選択され得る。しかし、この方法において、試
薬を用いる場合は、保護基Vを開裂し得る試薬を用いな
いように注意しなければならない。個々の保護基に関す
るこれらの反応条件は、当業者に知られている。
式(III)で示されるホスファンは、簡単な方法で、
市販の入手可能な出発物質から合成され得る。好ましい
製造方法において、第2アミンがより安価な粗製物質で
あるが故に、第2アミンとの反応が最初に計画される。
この反応工程において、必要であれば、非特異的な反応
による収率の減損は容認し得る。式(III)で示され
るホスファンは、好ましくは、式(■): P(−Z)3        (Vr)[式中、Zは良
好な離脱基である] で示される化合物と、式(■): H−D          (■) [式中、Dは第2アミン残基である] で示される第2アミンとを反応させ、得られた生成物を
、式(■): H−X−L(−U−V)n    (■)L式中、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、しは、(n+1
)価の架橋結合基であり、Uは、酸素原子、硫黄原子、
窒素原子またはN−Hであり、 ■は、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数である] で示される化合物と反応させ、形成された生成物を単離
することによって製造される。残基Zは、好ましくはハ
ロゲン原子であり、特に好ましくは塩素原子である。
式(■)で示される化合物は、特に、式:H−NR’R
’ [式中 RlおよびR2は、同一または異なっており、
1〜lO個の炭素原子を有する第11第2または第3ア
ルキル基であるか、または所望により、−緒に、ヘテロ
原子としてlまたは2つの窒素原子、酸素原子および/
または硫黄原子を含有し得る5〜7個の炭素原子を有す
るアルキル分技鎖状シクロアルキル基を示すか、または
NR’R”+よイミダゾリル基、トリアゾリル基、テト
ラゾリル基、3−ニトロ−1,24−トリアゾリル基、
チアゾリル基、ピロリル基、ベンゾトリアゾリル基もし
くはベンゾヒドロキシトリアゾリル基である]で示され
る、当業者に知られている第2アミンである。ジイソプ
ロピルアミンおよびモルホリンが特に好ましいアミンで
あることが確認されている。
直鎖状または分枝鎖状の、飽和または不飽和の、炭素原
子1〜10個、好ましくは2〜6個を有する炭化水素は
、架橋結合基として有用である。炭化水素鎖は、ペテロ
原子、例えば酸素原子または硫黄原子によって中断され
ていてもよい。該架橋結合基は、脂肪族環系または芳香
族環系を含んでいてもよい。さらに、該架橋結合基は、
ペテロ原子を含んでいてもよい。しかし、本発明方法に
おいてこの架橋結合基を含有する化合物と行われるべき
反応に関して、これらの架橋結合基としては、置換基と
して遊離非置換アミノ基もしくは第1アミ7基またはヒ
ドロキシル基を有するものを除外巳なければならない。
該架橋結合基は、n個の共有結合を介して、n個の基U
と結合する。nの数は、1から200までが好ましい。
式(III)で示される化合物は、核酸のホスホルアミ
ダイト合成用のヌクレオシドホスホルアミダイトの合成
に用いることができ、かつ保護された形の反応性基を有
する、従来技術のホスファンに比べて優れており:これ
は、検出可能な基に関する結合部位として作用すること
ができる。
ヌクレオチド配列の製造に関する本発明の方法は、特に
、下記工程を含む: 式(f)で示されるヌクレオシドホスホルアミゲイトと
、遊離ヒドロキシル基を有するヌクレオチドとのカップ
リング反応。゛遊離ヒドロキシル基を有するヌクレオシ
ドは、固形担体に共有結合されるのが好ましい。アミノ
基、カルボニル基または別のヒドロキシル基のようなヌ
クレオシドの別の反応性基は、カップリング反応の条件
下で安定である保1tHiによって保護されているのが
好ましい。糖残基に存在し得る2゛−ヒドロキシル基は
、L−ブチルジメチルシリル基によって保護されている
のが好ましい。遊離ヒドロキシル基は、糖残基の5′−
ヒドロキシル基であるのが好ましい。
ヌクレオシドは、モノヌクレオシド、オリゴヌクレオチ
ドまたはポリヌクレオチドであってよい。しかし、2〜
200、好ましくは20〜60のヌクレオチドビルディ
ングブロックを有するモノヌクレオシド、オリゴヌクレ
オチドまたはポリヌクレオチドが好ましい。
ヌクレオチドビルディングブロックは天然のまたは修飾
されたヌクレオチドであってよい。
該ヌクレオシドは、本発明の方法で修飾されたヌクレオ
シドであってもよい。
その後、固相に結合したヌクレオチド配列を酸化する。
ヨウ素が好ましい酸化剤であることが確認されている。
次に、キャッピング工程(capping 5tep)
を行うのが好ましい。これは公知の方法に従って行われ
る。
保護基Aまたは残基Aのヌクレオチドまたはオリゴヌク
レオチドの末端5′−ヒドロキシル基の酸素原子保護基
の選択的開裂。好ましい場合において、残基Aの酸素原
子保護基が酸性条件下で開裂し得るジメトキシトリフエ
ニノ1メチル基のような保護基である場合、それは、例
えば、ジクロロ酢酸によって開裂され得る。
ここで、所望により、これら第1の工程を繰り返すこと
ができる。これに関して、モノヌクレオシドホスホルア
ミダイトとして、慣用のモノヌクレオシドホスホルアミ
ダイトまたは式(t)で示されるモノヌクレオシドホス
ホルアミダイトを用いることができる。
ヌクレオチド配列が所望の長さに達するとすぐに、保護
基■を開裂する。アミノ保護基の場合、トリフルオロア
セチルまたはフルオレニルメトキシカルボニル基(Fm
oc)が特に優れていることが確認されている。
その後、既知の方法で固形担体からヌクレオチド配列を
開裂する。この条件は、共有結合のタイプに応じて選択
され、本発明の修飾によっては影響されない。
しかし、これらの条件としては、保護基■の開裂および
担体からのヌクレオチド配列の開裂が同時に行われる条
件が特に好ましい。
これは、例えば、3′−〇−スクシニルを介してCPG
[制御されたボアガラス(controlled po
re glass)]に結合した担体および残基Vとし
てのF moc保護基の利用によって行うことができ、
これには、開裂試薬として、アルカリ、好ましくは濃ア
ンモニア水溶液またはアミン溶液が用いられる。
通常、次に、精製工程、例えばHPLCクロマトグラフ
ィーまたは/および透析による精製が行われる。一般的
にオリゴヌクレオチド合成に用いられるのと同一の条件
が適用される。
これら全ての工程は、別のヌクレオシドホスホルアミダ
イトが用いられ、リン酸エステル残基の酸素原子保護基
を開裂するための試薬の代わりに保護基■の開裂用の既
存の試薬が用いられるという事は別にして、この方法の
慣用の反応経路の変化を必要としないという共通点を有
する。特に、工程の数は、慣用のホスホルアミダイト法
と同じであるかまたはそれよりも少ない。すなわち、本
発明の方法は、装置を変えずに、ホスホルアミダイト合
成用の人手可能な核酸合成器で行うことができる。
この方法で製造される式(IX)で示されるヌクレオチ
ド配列は、好ましくは2〜200.特に好ましくは20
〜60のヌクレオチドビルディングブロックを有する。
ヌクレオチドビルディングプロ。
りの10〜80%、特に好ましくは20〜50%は、リ
ン原子の位置で修飾された式(])で示されるヌクレオ
シド−リン酸から形成されたヌクレオチドビルディング
ブロックである。これらの修飾されたヌクレオチドビル
ディングブロックは、配列中で互いに2〜5ヌクレオチ
ド間隔であるのが好ましい。式(IX)で示される化合
物は多くの用途を有する。
例えば、ヌクレオチド配列は、簡単な方法で、検出可能
な基または検出可能な基に変化し得る基を有する、本発
明方法で製造した式(IX)で示されるヌクレオチド配
列から製造することができる。
ヌクレオチド配列がいくつかの修飾されたヌクレオチド
ビルディングブロックを有する場合、このような基をい
くつか含有するヌクレオチド配列を装造することができ
る。結果として、核酸の測定がより高感度になることが
確認されており、このために、この方法は好ましい。
さらに、本発明は、上記工程の後に、形成された式(I
X)で示されるヌクレオチド配列と式(■):Y −W
        (I’/) [式中、 Yは、反応性基であり、 Wは、検出可能な基または検出可能な基に変化し得る基
であるコ で示される化合物とを反応させることからなる、式(V
): [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドらしく
はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
シ基またはヒドロキシル基であり、 Wは、検出可能な基または検出可能な甚に変化し得る基
であり、 XSL、Uおよびnは前記定義と同じである]で示され
るヌクレオチド配列の製造方法を堤供するものである。
容易に置換することができる求核基、または求電子基は
、例えば、反応性基Yとして使用することができる。式
(I’/)で示される化合物は、例えば、カルボン酸ハ
ロゲン化物である。
求電子基は、例えば、活性化エステルまたは無水物中の
基である。これらがカルボキシル基である場合、好まし
いエステルは、例えば、ハブテンのN−ヒドロキシスク
シンイミドエステルである。
残基KまたはJの定義に含まれる別のヌクレオチドは、
天然のまたは修飾されたヌクレオチドであってよい。残
基KまたはJの定義に含まれるヌクレオチド配列は、天
然のおよび修飾されたヌクレオチドビルディングブロッ
クを含有し得る。式(V)で示されるヌクレオチド配列
は、好ましくは2〜200.特に好ましくは20〜60
のヌクレオチドビルディングブロックを有する。ヌクレ
オチドビルディングブロックの10〜80%、特に好ま
しくは20〜50%は、式(1)で示されるヌクレオシ
ド−リン酸から形成されたヌクレオチドビルディングブ
ロックである。
残基Wは、低分子構造および高分子構造であってよい。
好ましい低分子のレポーター分子は色素およびハブテン
であり;好ましい高分子群は、例えば、酵素、または抗
原もしくは抗体のような免疫学的に活性な物質である。
特に好ましくは、ハブテンである。例えば、ジゴキシゲ
ニンのような体液中で通常の条件下では生じないものが
特に好ましい。ハブテンおよび特に好ましいジゴキシゲ
ニンは、これらを有するヌクレオチド配列の分子量が修
飾によってあまり変化せず、例えばゲルクロマトグラフ
ィーにおいて、長さの標準として用いることができるの
で、免疫学的に活性な物質として特に優れていることが
確認されている。
さらに、ヌクレオチド配列の構築に関°する本発明方法
は、従来技術と比較して以下の優れた点を有しているこ
とがわかった: 修飾がリン原子の位置で生じるので、相補的ヌクレオチ
ド配列と共に形成されたヌクレオチド配列の塩基対は損
なわれない。
形成されたヌクレオチド配列はポリメラーゼによってプ
ライマーとして受は入れられる。
修飾は、例えば糖残基もしくは塩基の別の修飾、または
3′−もしくは5′−末端標識に付加的に生じる。
該方法は、必要なビルディングブロックの集中合成(c
onvergenL 5ynthesis)を含む。こ
のような方法は、特に高価なヌクレオチドビルディング
ブロックの収率を高く維持することができるので、特に
優れている。
容易に入手でき、自然に生じるβヌクレオシドをヌクレ
オシドホスホルアミダイトの合成に用いることができる
リン酸エステル基の位置で修飾されたヌクレオチド配列
を合成するために、同一または減少した反応工程の数と
共に、ヌクレオチド配列の合成のための固相ホスホルア
ミダイト法の周知の長所を利用することができた。
本発明の方法を用いて、配列における全(特定の部位で
非常に特定数の修飾を導入することができる。
一般に、形成された修飾されたヌクレオチド配列を用い
ることができる。例えば、異なる検出可能な基を選択す
ることができる。
検出可能な基がヌクレオシドホスホルアミダイトに最初
から存在しないので、酵素標識または別の感受性レポー
ター基を用いる場合に予想されるヌクレオチドの化学合
成の間の複雑化が回避される。
レポーター分子による立体障害は、オリゴヌクレオチド
合成の収率および効率を減少することがある。この欠点
は、本発明の方法で回避される。
試料中の核酸に本質的に相hn的である核酸と試料との
接触、他方に相補的である核酸のハイブリダイゼーショ
ンを生起させる条件下での該混合物の処理および検出可
能な基の検出による試料中の核酸の検出方法において、
式(V)で示されるヌクレオチド配列は、試料DNAに
相補的なヌクレオチド配列として好都合に用いることが
できる。検出可能な基の検出は、既知の方法によって行
うことができる。検出可能な基が免疫学的に活性な物質
である場合、該基は、標識化された免疫学的ノ(−トナ
ーと反応し得る。その後、標識を測定する。
本発明の核酸利用の場合、基Wとして、)\ブテン、特
にジゴキシゲニンが好ましい。
これらは、−重鎖核酸から二重鎖核酸への酵素的合成に
おけるプライマーとして同等に好適である。形成された
二重鎖核酸は、2つの鎖のうちいずれか一方にヌクレオ
チド配列を含有している。
(実施例) 以下の実施例によって、本発明を説明する。
実施例1 2−(9−フルオレニルメトキシカルボニル)アミノエ
タノール 容ff1N2の丸底フラスコ中、撹拌しながら、ジオキ
サン300xQに9−フルオレニルメトキシカルボニル
−N−ヒドロキシスクシンイミドエステル)(Fmoc
−0−3u)88.0g(約200ミリモル)を溶解し
た。該透明溶液に、水200.wcに溶解したNa、C
O!1409およびエタノールアミン14゜4mN!(
238ミリモル)を連続して添加した。すぐに形成した
パルプ状(pulpy)反応混合液を、室)晶で一晩撹
拌し、型口、吸引濾過した。未反応のFmoc−0−8
uSN−ヒドロキシスクシンイミドおよび目的生成物を
含をする瀘過残渣を酢酸エステルから再結晶した。減圧
乾燥した後、純な生成物47.4g(理論収量の76%
)を得た。
’H−NMR(ppmXDMsO): 3.4(m、C
IItO12+1) ;3、6(L、CIl、N、2+
1) ; 4.2−4.5(+n、CIl、OCO+ 
II [C9]、311) ; 5.2(s [b]、
Nil、 IH) ; 7.2−7.9(m1芳香族、
8+1)。
寒梅Al ジクロロ−NN−ジイソプロピルアミノ−ホスファン 容ff1500*(2の滴下漏斗、KPGスターラー温
度計およびアセトン/ドライアイス浴を装普した容量2
(lの3つロ丸底フラスコ中、撹拌しながら、無水エー
テル300z(!、無水ピリジン81uCおよびPC(
!387.5贋C(1モル)を−70°Cに予め冷却し
た。それに無水エーテル250村中ジイソプロピルアミ
ン142++2(1モル)を、2時間以内で滴下し、温
度を約−60〜−65℃に維持した。添加終了後、濃い
パルプ状反応混合液を室温にし、無水エーテル約600
*Qで希釈して、さらに撹拌し易くした。室温でさらに
3時間撹拌した後、形成した沈殿物をガラスフィルター
で吸引濾過し、エーテルで数回洗浄した。常圧でエーテ
ルを排水した後、水流ポンプ(water−jet v
acuum)で未反応pct、、ジイソプロピルアミン
およびピリジンを除去し、次いで、残存した油状物をオ
イル−ポンプバキューム(oil−pc++++p v
acuum)(K 、、46℃/ 0 、35 Tor
r)で分別蒸留した。理論収量の36%に相当するホス
ファン73.49を得た。
31 P−NMR(ppm)(cHc+2.): 16
7.5゜実施例3 を溶解し、これに無水ピリジン0.4mQを添加した。
磁気的に撹拌しながら、この混合液に、無水テトラヒド
ロフラン20i(に2−(9−フルオレニルメトキシカ
ルボニル)アミンエタノール(5ミリモル)1.4.9
を溶解した溶液を、約5時間、ゆっくりと滴下した。テ
トラヒドロフランを分離およびυト水したピリジン・塩
酸塩を吸引;店過した後、残存した油状物(2,29=
理論収量の98%)を、ヌクレオシドホスホルアミダイ
トの製造に直接用いた(実施例4参照)。
容ff1loo12の丸底フラスコ中、無水テトラヒド
ロフラン30yQにジクロロ−N、N−ジイソプロピル
アミノ−ホスファン0.9ff12(5ミリモル)a)
容ff1loOHの丸底フラスコ中、ジクロロメタン(
N a t COsで蒸留した)50y(およびN−エ
チル−NN−ジイソプロピルアミン2.5zCに5°−
0!ジメトキシトリチル−2′−デオキシチミジン2.
59(4,6ミリモル)を溶解した。使い捨て注射器を
用いて、これに2−(9−フルオレニルメトキシカルボ
ニル)アミノエチル−N、N−ジイソブロビルアミノー
ホスホクロリダイト2m((約5ミリモル)を加えた。
室温で48時間撹拌し、減圧下で蒸発させ、粘稠性の残
留物を得た。
粗生成物をシリカゲル60[カラム30X2cII!。
移動溶媒1石油エーテル50〜70°C/酢酸エチル/
ジクロロメタン/ピリジン(4: 8 : 8 : 2
)コによるクロマトグラフィーによって精製した。生成
物を含有する画分を集め、溶媒を完全に減圧除去した。
理論収量の20%に相当する白色の泡状残留物0.9g
を得た。
b)別法として、撹拌しながら、無水ジオキサン100
杼に5゛−O−ジメトキシトリチル−2゜−デオキシチ
ミジン5.45g(IOミリモル)を溶解した。この溶
液に、ハンモト(S、 llammoto)、タカク(
Il、 Takaku) [ケミストリー・レターズ(
Chemistry Lett、)、1986.140
1−1404]に従って調製したビス−(ジインプロピ
ルアミノ)−クロロホスファン2.79(104リモル
)、およびトリエチルアミン2.1yC(15ミリモル
)をジオキサン100村に溶解した溶液を、30分以内
で滴下した。反応の後、移動溶媒として塩化メチレン/
酢酸エチル(1: 1)を用いる薄層クロマトグラフィ
ーにかけた。2時間後、保護アルゴンガス(prote
ctive gas argon)の1下、塩化トリエ
チルアンモニウムの沈殿物を濾去し、濾液を濃縮した(
無色の泡状物)。さらに単離せずに、形成された5″−
〇−ジメトキシトリチルー2°−デオキシチミンン−3
−0−ビス−(N、N−ジイソプロピルアミ/)ホスフ
ァンを目的生成物に転換した。これについては、無色の
泡状物を無水アセトニトリル100yQ中に取り、2−
(9−フルオレニルメトキシカルボニル)アミノエタノ
ール(実施例り39およびテトラゾール(昇華した)3
5119(5ミリモル)を添加した。室温で一晩撹拌し
、酢酸エチル1oor(の添加によって、反応を停止し
た。塩化ナトリウム飽和水溶液で3回抽出した後、合わ
せた有機相を硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウ
ムを濾去した後、他液を濃縮した。粗生成物を、シリカ
ゲル60H[Q=24ci、d=4cm;移動溶媒:塩
化メチレン/酢酸エチル(5:l)]によるクロマトグ
ラフィーによって精製した。溶媒の除去後、無色の泡状
物を再度得た。これを塩化メチレン10yt2中に取り
、水冷したn−ヘキサン400xQによって沈殿させた
。理論収量の20%に相当する無色粉末の目的生成物1
.8gを得た。
2つのジアステレオマーは、TI、Cおよび31P−N
MRによって識別することができる。
R[直(CHIC12t/EA = 1  :   l
):Q、Q4、  Q、15゜31 P −NM R(
ppmXcD3cN) : 146.7.145.8゜
実施例5 d (Tp□TpTpTpTpTpTpTpAgT)の
合成オリゴヌクレオチ、ドの合成は、バイオサーチ・カ
ンパニー(I3ioSearch Company)か
ら入手した完全自動D N Aシンセサイザー8600
において標準的なプロトフールに従って1マイクロモル
の大きさで行った。合成装置は、1マイクロモルのチミ
ジン担体で被覆された反応カラムを装着しており、第1
反応工程において、ジクロ072792%ジクロロ酢酸
溶液で処理して、5’−0f(保護基(ジメトキシトリ
チル−)を開裂させた。該カラムをアセトニトリルで洗
浄した後、本発明に従ってP原子の位置で修飾された実
施例4の5′−〇−ジメトキシートリフェニルメチル−
2°−デオキシチミジン−3°−0−[2−(9−フル
オレニルメトキシカルボニル)アミノエチル]−N、N
−ジイソプロピルアミノ−ホスファンと、出発ヌクレオ
シドの遊離5’−OH基とをカップリングし、同時に、
アセトニトリル中でテトラゾールによって活性化した。
3価の形で存在したままであるP原子を、洗浄を繰り返
した後、THF/ルチジン/H,Oにヨウ素を溶解した
溶液で酸化することによって、天然の5価のリン酸エス
テルに転換した。次の無水酢酸/ジメチルアミノピリジ
ンによるキャッピング工程によって、アセチル化による
非−結合の5’−0H−ヌクレオシドを保護した。
この方法によって、正しくない配列の形成が抑制された
。洗浄後、5′−〇−ジメトキシトリチル保護基を繰り
返し開裂することによって出発から合成サイクルを再開
した。この方法で、最終段階におけるアミノエチル化チ
ミジン−ホスホルアミダイト(TpAx)とさらにカッ
プリングを行う前に、非修飾ホスホルアミダイト分子を
有する6チミジンビルデイングブロノクを反応配列に導
入した。
合成終了後、担体に結合したオリゴヌクレオチドを、濃
アンモニア水溶液による処理によって解放し、これによ
って、同時にアミノエチル化+/ン酸エステルのF m
oc保護基が除去された。結果は、860DU/A、、
。であった。この粗製混合物を以下の条件下でHPLC
にかけた。
カラム:モノ(Mono)Q HR10/ 10  [
ファルマシア(Pharmacia)]。
溶離液A:水。
溶離液B : 0.5N LiC(!。
勾配液:60分間で八から50%Bまで。
溶出液をH,Oに対して一晩透析した〔スペクトレーバ
ー(Spektrapor)、MWCO1000]。
収量:550DU。
実施例6 0.1mmホウナナトリウム緩衝液1zc(p)+ 8
 、5 )に実施例5からのオリゴマー55 0DU/
八、。
を溶解し、ジメチルホルムアミド1xQにジゴキシゲニ
ンー〇−スクシニルーアミドカプロン1−N−ヒドロキ
シスクシンイミドエステルLOzgを溶解した溶液と混
合した。この混合液を室渦で18時間撹拌し、減圧下で
蒸発乾固し、l−1、○に溶解し、生成物を含有する混
合液を以下の1(PLOで分離した: カラム:シャンドン・ハイパーシル(Shandon 
IIypersil) ODS、 25CJIX0.4
CJl。
溶離液A:0.1m酢酸トリエチルアンモニウム溶液。
溶離液B:0.1m酢酸トリエチルアンモニウム溶液/
イソプロパツール。
勾配液:30分間かけて八から50%Bまで。
生成物画分を、減圧下で蒸発によって濃縮し、水中に取
り、蒸留水に対して一晩透析した[スブレクトレーパー
(Sprec t rapor)、MWCO100Oコ
収ffl: l l  ODU/A、、0゜実施例7 DNA試験における検出限界の比較 HI Vに対して特異的な配列を有する3つの同一のオ
リゴヌクレオチド(38mars)のハイブリダイゼー
ション特性を、クローンしたl−11V−DNA7ラグ
メン) (HI V−Wrl、 13−−/イソレート
のgag領域由来の964 bp Pvull/ Bg
l IIフラグメント)に対して試験した。オリゴヌク
レオチドの下記部位を、ジゴキシゲニンでv:′、Xn
化した:1、それぞれ、5゛−末端ウラシルおよび中央
部に位置するウラシル(すなわち、2つのデイグ標識(
dig 1abels)、ウラシルのC−5での塩基標
識)、 2、それぞれ、5°−末端、3゛−末端および中央部に
位置するウラシル(すなわち、3倍のデイグ標識、ウラ
シルのC−5での塩基標識)、3、それぞれ、5°−末
端リン酸エステル残基および中央でに位置するリン酸エ
ステル残基(本発明に従って標識する、2つのデイグ標
識/分子)。
試料DNAを1μりの容量ずつ一連の希釈系にフィルタ
ー上で直接スポットするか、または、アガロースゲル中
で分離した後、フィルター上に、20xSSC緩衝液を
用いるサザーンプロットによって移した。3分間、UV
照射によって固定化を行った。
フィルターを以下の条件下で予めハイブリダイズした:
5xSSC中、40℃で1時間゛、0.5%保護試薬。
以下の条件下で、デイグ標識化したオリゴヌクレオチド
との次のハイブリダイゼーションを行った: 5xSS
C中、4℃で一晩、0.5%保護試薬、ハイブリダイゼ
ーション溶液1yQあたりオリゴヌクレオチド200n
g。
次いで、フィルターを、2xSSC,0,1%SDS中
、40°Cで10分間、4回洗浄した。
ジゴキシゲニンに対するPOD−標識化抗体を用いて、
非放射性標識化および検出装置[ベーリンガー・マンハ
イム・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンクテル+ハ
フツング(Boehringer Mannheim 
GmbH)]に類似の検出を行った。
b)依釆 スポット/プロットされた試料DNAの検出限界は、 (1)2倍塩基標識化オリゴヌクレオチドで10n9、 (2)3倍塩基標識化オリゴヌクレオチドで10ng、 (3)リン酸エステルによって2倍標識化されたオリゴ
ヌクレオチドで1〜10ng であった。
特許出願人 ベーリンガー・マンハイム・ゲゼルシャフ
ト・ミツト・ベンユレンクテル・ハフラング

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式(IX): ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 nは、1〜200の自然数である] で示されるヌクレオチド配列を、式(IV):Y−W(I
    V) [式中、 Yは、反応性基であり、 Wは、検出可能な基または検出可能な基に変化し得る基
    である] で示される化合物と反応させることを特徴とする、式(
    V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 Wは、検出可能な基または検出可能な基に変化し得る基
    であり、 nは、1〜200の自然数である] で示されるヌクレオチド配列の製造方法。
  2. (2)式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 Wは、検出可能な基または検出可能な基に変化し得る基
    であり、 nは、1〜200の自然数である] で示されるヌクレオチド配列。
  3. (3)式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、 Aは、酸素原子保護基、ヌクレオチドまたはオリゴヌク
    レオチドであり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Xは、酸
    素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Tは、水素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アル
    キルオキシ基または所望により保護されたヒドロキシル
    基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 Vは、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数であり、 Dは、第2アミン残基である] で示される化合物を、遊離5′−ヒドロキシル基を有す
    る別のヌクレオシドと反応させ、ついで生成したヌクレ
    オチド配列を酸化することを特徴とする式(IX): ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 nは、1〜200の自然数である] で示されるヌクレオチド配列の製造方法。
  4. (4)式(IX): [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 nは、1〜200の自然数である] で示されるヌクレオチド配列。
  5. (5)式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、 Aは、酸素原子保護基、ヌクレオチドまたはオリゴヌク
    レオチドであり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Xは、酸
    素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Tは、水素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アル
    キルオキシ基、または所望により保護されたヒドロキシ
    ル基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 Vは、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数であり、 Dは、第2アミン残基である] で示されるヌクレオシドホスホルアミダイト。
  6. (6)請求項2に記載の式(V)で示される化合物製造
    用の請求項5に記載の式( I )で示されるヌクレオシ
    ドホスホルアミダイト。
  7. (7)式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、 Aは、酸素原子保護基、ヌクレオチドまたはオリゴヌク
    レオチドであり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基、または所望により保護されたヒドロキシル基であ
    る] で示される化合物を、式(III): ▲数式、化学式、表等があります▼(III) [式中、 Zは、良好な離脱基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、少なくとも2価の架橋結合基であり、Uは、酸素
    原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであり、 Vは、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数であり、 Dは、第2アミン残基である] で示されるホスファンと反応させることを特徴とする請
    求項5に記載の式( I )で示されるヌクレオシドホス
    ホルアミダイトの製造方法。
  8. (8)式(III): ▲数式、化学式、表等があります▼(III) [式中、 Zは、良好な離脱基であり、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、少なくとも2価の架橋結合基であり、Uは、酸素
    原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであり、 Vは、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数であり、 Dは、第2アミン残基である] で示されるホスファン。
  9. (9)式(VI): P(−Z)_3(VI) [式中、Zは良好な離脱基である] で示される化合物と、式(VII): H−D(VII) [式中、Dは第2アミン残基である] で示される第2アミンとを反応させ、得られた生成物を
    、式(VIII): H−X−L(−U−V)_n(VIII) [式中、 Xは、酸素原子または硫黄原子であり、 Lは、(n+1)価の架橋結合基であり、 Uは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはN−Hであ
    り、 Vは、開裂し得る保護基であり、 nは、1〜200の自然数である] で示される化合物と反応させ、得られた生成物を単離す
    ることを特徴とする請求項8に記載の式(III)で示さ
    れるホスファンの製造方法。
  10. (10)式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 X、L、U、Wおよびnは、上記定義と同じである] で示されるヌクレオチド配列に対して本質的に相補的で
    あるヌクレオチド配列検出用の該式(V)で示されるヌ
    クレオチド配列。
  11. (11)試料DNAに対して相補的である核酸として、
    請求項2に記載の式(V)で示されるヌクレオチド配列
    を含むことを特徴とする試料に対して本質的に相補的で
    ある核酸と接触させることによる試料中の核酸の検出試
    薬。
  12. (12)二重鎖核酸の酵素合成におけるプライマー用の
    式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) [式中、 Kは、水素原子、または別のヌクレオチドもしくはヌク
    レオチド配列のリン酸エステル残基のリン原子であり、 Jは、ヒドロキシル基、または別のヌクレオチドもしく
    はヌクレオチド配列の5′位の酸素原子であり、 Bは、天然のまたは修飾された核塩基であり、Tは、水
    素原子、低級アルキル基、アジド基、低級アルキルオキ
    シ基またはヒドロキシル基であり、 X、L、U、Wおよびnは、上記定義と同じである] で示されるヌクレオチド配列。
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