JPH0354976A - 赤外線撮像装置 - Google Patents
赤外線撮像装置Info
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- JPH0354976A JPH0354976A JP1191043A JP19104389A JPH0354976A JP H0354976 A JPH0354976 A JP H0354976A JP 1191043 A JP1191043 A JP 1191043A JP 19104389 A JP19104389 A JP 19104389A JP H0354976 A JPH0354976 A JP H0354976A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｆｔ要〕
自己走査機能を有する固休銀像素子を用いた赤外線ｖａ
像装置に関し、 固体囮像素子の消費電力を低減し、もって固体！！ｉｌ
＆素子冷却手段をより小型で安価な構成とすることを目
的とし、 一方向に配列された複数個の赤外受光素ｆにより夫々九
電変換して得られた｛ｇ号電荷を、電荷転送素子を用い
てＮ積及び転送する、一方向に自己走！ｉｎ能を有する
固体＊ｍｘ子に対して、光学走査手段により該一方向に
直交する方向に光学走査を行なって撮像対象からの光を
入ｒＡｔる赤外ＰＪ撤＊５ＡＭにおいて、前記光学走査
手段の光学走査周期のうち有効走査期間のみ前記固体囮
像素子に電荷転送用駆初パルス及びバイアス電圧を印加
し、残りの走査期間であるブランキング期間は該駆動パ
ルス及びバイアス電圧の供給を停止し一定電圧に保持す
る制御手段を備えるよう構戒する。
像装置に関し、 固体囮像素子の消費電力を低減し、もって固体！！ｉｌ
＆素子冷却手段をより小型で安価な構成とすることを目
的とし、 一方向に配列された複数個の赤外受光素ｆにより夫々九
電変換して得られた｛ｇ号電荷を、電荷転送素子を用い
てＮ積及び転送する、一方向に自己走！ｉｎ能を有する
固体＊ｍｘ子に対して、光学走査手段により該一方向に
直交する方向に光学走査を行なって撮像対象からの光を
入ｒＡｔる赤外ＰＪ撤＊５ＡＭにおいて、前記光学走査
手段の光学走査周期のうち有効走査期間のみ前記固体囮
像素子に電荷転送用駆初パルス及びバイアス電圧を印加
し、残りの走査期間であるブランキング期間は該駆動パ
ルス及びバイアス電圧の供給を停止し一定電圧に保持す
る制御手段を備えるよう構戒する。
本発明は赤外線撮像装置に係り、特に自己走査機能を有
する固体ｗｉ像素子を用いた赤外１ａ黴像装誼に関する
。
する固体ｗｉ像素子を用いた赤外１ａ黴像装誼に関する
。
一方向に配列された複数個の赤外受光素子の夫々により
搬像対象からの赤外光を光電変換して得られた電荷を電
荷結合素子（ＣＯＤ）に注入後転送して読み出す囚体撮
＠素子は一次元ＩＲＣＣＤ（ ｌ ｎｆｒａｒｅｄ Ｃ
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）と呼ば
れる。この一次元ＩＲＣＣＤを用いた赤外＄１１ｉ像装
叙は、搬像対象の温度分布を適確に把えられることから
、産業分野で広く応用されつつある。
搬像対象からの赤外光を光電変換して得られた電荷を電
荷結合素子（ＣＯＤ）に注入後転送して読み出す囚体撮
＠素子は一次元ＩＲＣＣＤ（ ｌ ｎｆｒａｒｅｄ Ｃ
ｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）と呼ば
れる。この一次元ＩＲＣＣＤを用いた赤外＄１１ｉ像装
叙は、搬像対象の温度分布を適確に把えられることから
、産業分野で広く応用されつつある。
上記の赤外線撮像装置においては、撮像対象の温度を正
確に検出するために、ＩＲＣＣＤを８０Ｋ稈度まで冷川
する高い冷却性能を持つ冷却手段が必授とされる。従っ
て、赤外線撮像装置の小型化のためには、上記冷甜手段
の小型化が必要となる。
確に検出するために、ＩＲＣＣＤを８０Ｋ稈度まで冷川
する高い冷却性能を持つ冷却手段が必授とされる。従っ
て、赤外線撮像装置の小型化のためには、上記冷甜手段
の小型化が必要となる。
〔従来の技術〕
第５図は従来の赤外１６４起像装ｎの要部の一例の構成
図を示す。同図中、５１は検知器容器で、その内部にボ
トダイオードアレイ（ＰＶアレイ）５２，ＣＣＤ５３．
最終段のソースホロワのＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）５４よりなる一次元｛ＲＣＣＤが内蔵されて
いる。ＰＶアレイ５２は赤外検知索ｆであるホトダイオ
ードが、一方向に複数個配列された構成であり、その各
々のホトダイオードの出ノＪｔａがＣＣＤ５３に接続さ
れている。
図を示す。同図中、５１は検知器容器で、その内部にボ
トダイオードアレイ（ＰＶアレイ）５２，ＣＣＤ５３．
最終段のソースホロワのＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）５４よりなる一次元｛ＲＣＣＤが内蔵されて
いる。ＰＶアレイ５２は赤外検知索ｆであるホトダイオ
ードが、一方向に複数個配列された構成であり、その各
々のホトダイオードの出ノＪｔａがＣＣＤ５３に接続さ
れている。
また、ＦＥＴ５４のソースは、検知器５１の外部に設け
られた負荷紙抗５５を介して接地される一方、アンプ５
６の人力端子に接続されている。
られた負荷紙抗５５を介して接地される一方、アンプ５
６の人力端子に接続されている。
５７は冷凍器で、検知器官器５１内部の｛ＲＣＣＤを冷
却するために設けられている。なお、負荷抵抗５５を検
知器容器５１の外部に設けるのは、仮に負荷抵抗５５を
検知器容器５１の内部に設けた場合は、この負ｒ＃抵抗
５５によって生ずる熱も冷凍器５７により冷却しなけれ
ばならなくなり、冷″ａ器５７により高い冷却性能が必
要で、消費電力が多くなってしまうからである。
却するために設けられている。なお、負荷抵抗５５を検
知器容器５１の外部に設けるのは、仮に負荷抵抗５５を
検知器容器５１の内部に設けた場合は、この負ｒ＃抵抗
５５によって生ずる熱も冷凍器５７により冷却しなけれ
ばならなくなり、冷″ａ器５７により高い冷却性能が必
要で、消費電力が多くなってしまうからである。
躍像対象は互ラーやスキャナ等の光学走査手段・によっ
てＰＶアレイの長手方向（ホトダイオード配列方向）に
直交する方向に走査ざれ、これにより走査ざれたｉｔ対
象からの光はＰｖアレイ５２に受光される。ＰＶ７レイ
５２は入射された赤外光を充電変換し、得られた信号電
荷をＣＣＤ５３へ転送する。
てＰＶアレイの長手方向（ホトダイオード配列方向）に
直交する方向に走査ざれ、これにより走査ざれたｉｔ対
象からの光はＰｖアレイ５２に受光される。ＰＶ７レイ
５２は入射された赤外光を充電変換し、得られた信号電
荷をＣＣＤ５３へ転送する。
ＣＯＤ５３Ｇ．１入力信号電荷を順次入力駆動パルスに
同期してＦＥＴ５４方向へ転送し、最終段で電荷を電圧
に変換してＦＥＴ５４のゲートに印加する。これにより
、負荷抵抗５５に発牛した電圧はアンプ５６を通して信
目処理回路（図示せｆ）へ出力される。
同期してＦＥＴ５４方向へ転送し、最終段で電荷を電圧
に変換してＦＥＴ５４のゲートに印加する。これにより
、負荷抵抗５５に発牛した電圧はアンプ５６を通して信
目処理回路（図示せｆ）へ出力される。
ここで、検知器容器５１の内部の主な消費電力の発生個
所は第６図に丞す如く、ＣＣＤ５３による転送部と、ソ
ースホロワのＦＥＴ５４であるウ同図中、φ嘗〜φ４Ｇ
．ｔ４相のクロツク（駆動パルス）で、各々対応する転
送電極５８嘗〜５８４に別々に印加される。４つの転送
電Ｎｉ５ ８ ＋〜５８４は１つのホトダイオードに対
応ｊノで設けられている。すなわち、Ｐｖ７レイ５２の
各ホトダイオードに対応して４つずつ転送電極が設けら
れている。
所は第６図に丞す如く、ＣＣＤ５３による転送部と、ソ
ースホロワのＦＥＴ５４であるウ同図中、φ嘗〜φ４Ｇ
．ｔ４相のクロツク（駆動パルス）で、各々対応する転
送電極５８嘗〜５８４に別々に印加される。４つの転送
電Ｎｉ５ ８ ＋〜５８４は１つのホトダイオードに対
応ｊノで設けられている。すなわち、Ｐｖ７レイ５２の
各ホトダイオードに対応して４つずつ転送電極が設けら
れている。
４相クロックφ１〜φ４は第７図（Ｃ）に示すように、
互いに９０９ずつ僚相が異なる駆動パルスで、ＰＶアレ
イ５２がＭｉｌｌのホトダイオードから構成されている
場合は、各々Ｍ回ずつ出力されることにより、１ノレー
ム分の電荷転送（すなわら、垂直方向に配列ざれたＭ個
のホトダイオード全部の信号電荷の転送）が行なわれる
。
互いに９０９ずつ僚相が異なる駆動パルスで、ＰＶアレ
イ５２がＭｉｌｌのホトダイオードから構成されている
場合は、各々Ｍ回ずつ出力されることにより、１ノレー
ム分の電荷転送（すなわら、垂直方向に配列ざれたＭ個
のホトダイオード全部の信号電荷の転送）が行なわれる
。
第６図に示した最終段のホトダイオードに対応して設１
ノられた転送電極５８４への駆動バルスφ４が第１の電
位とざれることにより、転送電極５８４′直下の￥導体
基板のボデンシ１Ｉルの井戸に蓄積ざれている信号電荷
６３【よ、駆動バルスφ４が第２の電位に変化するのに
伴って転送電極５８４′直下のポテンシャルが破線６４
で示す如く上げられたために、これより低い一定のボテ
ンシャル６５の出力ゲート（ＯＧ＞５９直下を通して拡
敗ｍ＜浮動拡散）６０に入力され、ここで電圧に変換さ
れた後ＦＥＴ５４のゲートに印加される。
ノられた転送電極５８４への駆動バルスφ４が第１の電
位とざれることにより、転送電極５８４′直下の￥導体
基板のボデンシ１Ｉルの井戸に蓄積ざれている信号電荷
６３【よ、駆動バルスφ４が第２の電位に変化するのに
伴って転送電極５８４′直下のポテンシャルが破線６４
で示す如く上げられたために、これより低い一定のボテ
ンシャル６５の出力ゲート（ＯＧ＞５９直下を通して拡
敗ｍ＜浮動拡散）６０に入力され、ここで電圧に変換さ
れた後ＦＥＴ５４のゲートに印加される。
このときは、ＦＥＴ６１はオフとされている。
ＦＥ丁６１は出力ゲート５９直下を経由して拡散層６０
に次のビットの信弓電荷が入力される以前にパルスφＲ
によりオンとされ、拡散層６０の電荷をＦＥＴ６１を介
して半導体基板に砕き出し、その後再びオフとされて次
のビットの信＠電荷の拡散１ｆｆ６０への入力に備える
。
に次のビットの信弓電荷が入力される以前にパルスφＲ
によりオンとされ、拡散層６０の電荷をＦＥＴ６１を介
して半導体基板に砕き出し、その後再びオフとされて次
のビットの信＠電荷の拡散１ｆｆ６０への入力に備える
。
なお、第７図（Ａ）は前記した光学走査手段の時間に対
する走査角の特性を示しており、周１ｎ丁。で水平方向
に光学走査を行なうことを示している。また、同図（Ｂ
）はＣＣＤ５３のフレームタイムと光学走査周期丁０と
の関係を示しており、光学走査周朋゛ｒｏの前と後の各
朗間Ｔ＋ ．Ｔｚは画像化に寄与しないブランキングＷ
１間であり、残りのリニアな゜「ａの期間は画像化のた
めの有効走査期間で、Ｎフレームタイムある。有効走査
率ηはＴａ ／Ｔｂで表わされる。
する走査角の特性を示しており、周１ｎ丁。で水平方向
に光学走査を行なうことを示している。また、同図（Ｂ
）はＣＣＤ５３のフレームタイムと光学走査周期丁０と
の関係を示しており、光学走査周朋゛ｒｏの前と後の各
朗間Ｔ＋ ．Ｔｚは画像化に寄与しないブランキングＷ
１間であり、残りのリニアな゜「ａの期間は画像化のた
めの有効走査期間で、Ｎフレームタイムある。有効走査
率ηはＴａ ／Ｔｂで表わされる。
ところで、検知器容器５１内部では第６図に示したよう
にＣＣＤ５３で次式 Ｐ１−Ｋ−ｆ−Ｃ−Ｖ１２ （１）で表
わされる電力Ｐ＋ が消費され、またＦ Ｅ −ｒ５４
で次式 Ｐｚ−１ｚ ・Ｖｚ （２１で
表わされる電力Ｐ２が消費される。従って、検知器容器
５１内部での消ａ電力Ｐｏｔよ、Ｐ（＋−ＰＩ十Ｐ２ ＝Ｋ・『・Ｃ−Ｖ＋２＋Ｌ ・Ｖ２Ｇ３となる。
にＣＣＤ５３で次式 Ｐ１−Ｋ−ｆ−Ｃ−Ｖ１２ （１）で表
わされる電力Ｐ＋ が消費され、またＦ Ｅ −ｒ５４
で次式 Ｐｚ−１ｚ ・Ｖｚ （２１で
表わされる電力Ｐ２が消費される。従って、検知器容器
５１内部での消ａ電力Ｐｏｔよ、Ｐ（＋−ＰＩ十Ｐ２ ＝Ｋ・『・Ｃ−Ｖ＋２＋Ｌ ・Ｖ２Ｇ３となる。
しかるに、赤外線Ｉｉ像装置では上記の転送電極全容１
１Ｃが人であり、しかも近年の高画素数化によって転送
周波数ｆも高くなる傾向にあるため、従来は消費電力が
大である。よって、従来は８０Ｋ程度まで冷却すること
が要求される冷凍器５７として、装置サイズが大型で、
また高価な高性能の冷凍器が必要となるという欠点があ
った。
１Ｃが人であり、しかも近年の高画素数化によって転送
周波数ｆも高くなる傾向にあるため、従来は消費電力が
大である。よって、従来は８０Ｋ程度まで冷却すること
が要求される冷凍器５７として、装置サイズが大型で、
また高価な高性能の冷凍器が必要となるという欠点があ
った。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、固体躍像素
子の消費電力を低減し、もって固休ｍｅ素子冷却手段を
より小型で安価な構成とし得る赤外Ｉ１廐像装置を提供
することを目的とする。
子の消費電力を低減し、もって固休ｍｅ素子冷却手段を
より小型で安価な構成とし得る赤外Ｉ１廐像装置を提供
することを目的とする。
第１図は本発明の原理構成図を示す。同図中、１１は赤
外受光素子で、一方向に複数個配列されている．１２は
電荷転送素子で、赤外受光素子１１と共に一方向に自己
走査機能を有する固休搬像素子１３を構成している。
外受光素子で、一方向に複数個配列されている．１２は
電荷転送素子で、赤外受光素子１１と共に一方向に自己
走査機能を有する固休搬像素子１３を構成している。
１４は光学走査手段で、前記赤外受光素子１１の配列１
ノ向である一方向に直交する方向に光学走査を行なって
搬像対象からの光を赤外受光，素ｒ１１に入射させる． １５はυｔＷ手段で、光学走査手段１４の光学走査周期
のうち右効走査Ｉ１間のみ固体ｌｌｉｌ像素子１３に電
荷転送用駆動パルス及びバイアス電圧を供給し、残りの
走査期間であるブランキング期間【よ上記駆初パルス及
びバイアス電圧の供給を停ｎし、一定電汁に保持する。
ノ向である一方向に直交する方向に光学走査を行なって
搬像対象からの光を赤外受光，素ｒ１１に入射させる． １５はυｔＷ手段で、光学走査手段１４の光学走査周期
のうち右効走査Ｉ１間のみ固体ｌｌｉｌ像素子１３に電
荷転送用駆動パルス及びバイアス電圧を供給し、残りの
走査期間であるブランキング期間【よ上記駆初パルス及
びバイアス電圧の供給を停ｎし、一定電汁に保持する。
光学走査手段１４は第２図（Ａ）に示すように光学走査
周ＭＴＯで所定方向に走査を行なう。従来、この光学走
査周期゛「ｏのうら有効走査１９′１間丁ａだけでなく
、画像出力に無関係なブランキング期間Ｔ＋ ．Ｔ，！
も第７図（Ｃ）に示したように転送用駆動パルスφ１〜
φ４とバイアス電圧を夫々囚休撥＆素子に印加していた
が、本発明はこのブランキング期ｒ１に着目し、制ＩＩ
Ｉｆ段１５により第２図（Ｂ）．（Ｃ）に示すように、
プランＥング明間には転送用駆動パルスφ１〜φ４とバ
イアス電圧を一定電圧（例えばＯＶ）に保持する。
周ＭＴＯで所定方向に走査を行なう。従来、この光学走
査周期゛「ｏのうら有効走査１９′１間丁ａだけでなく
、画像出力に無関係なブランキング期間Ｔ＋ ．Ｔ，！
も第７図（Ｃ）に示したように転送用駆動パルスφ１〜
φ４とバイアス電圧を夫々囚休撥＆素子に印加していた
が、本発明はこのブランキング期ｒ１に着目し、制ＩＩ
Ｉｆ段１５により第２図（Ｂ）．（Ｃ）に示すように、
プランＥング明間には転送用駆動パルスφ１〜φ４とバ
イアス電圧を一定電圧（例えばＯＶ）に保持する。
これにより、固休藏像素子１３の消費電力は、士記有効
走査期間Ｔａのみ消費され、またブランキング用間（’
ｒｏ Ｔａ）では前記転送周波数ｆが０，ソース電圧
ｖ２がＯ，であるから、前記０式より本発明の消費電力
Ｐは次式で表わされる。
走査期間Ｔａのみ消費され、またブランキング用間（’
ｒｏ Ｔａ）では前記転送周波数ｆが０，ソース電圧
ｖ２がＯ，であるから、前記０式より本発明の消費電力
Ｐは次式で表わされる。
すなわち、本発明によれば、消費電力を従来のＴａ／Ｔ
ｏ倍に低減できることになる。
ｏ倍に低減できることになる。
第３図は本発明の一実施例の構成図を示す。同図中、第
１図と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省
略する。第３図において、搬像対象からの光はレンズ２
１を透過してミラー２２に入射され、ここで全反射によ
り光路が変えられた後、レンズ２３を透過して可動ミラ
ー２４に入射される。
１図と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省
略する。第３図において、搬像対象からの光はレンズ２
１を透過してミラー２２に入射され、ここで全反射によ
り光路が変えられた後、レンズ２３を透過して可動ミラ
ー２４に入射される。
可動ミラー２４は後述するタイミング発生回路２５，ス
キャブドライバ２６及びスキャプ２７と共に前記光学走
査手段１４を構成しており、ス［ヤプ２７によりその長
手方向に沿う中心線を回動軸として所定角度範囲内で往
復回動ずる。これにより可動ミラー２４からは光学走査
された光が取り出され、レンズ２８を透過して前記固体
ｌｌｉｉｉ像累子１３（ＩＲＣＣＤ）に入射される。
キャブドライバ２６及びスキャプ２７と共に前記光学走
査手段１４を構成しており、ス［ヤプ２７によりその長
手方向に沿う中心線を回動軸として所定角度範囲内で往
復回動ずる。これにより可動ミラー２４からは光学走査
された光が取り出され、レンズ２８を透過して前記固体
ｌｌｉｉｉ像累子１３（ＩＲＣＣＤ）に入射される。
固体搬像素Ｆ１３は検知器２９の容器内にＩＪ人され、
冷凍器３０により冷凍されている。この固体撮像素Ｆ１
３の最終段のソースホロワのＦＥＴ（第５図の５４に相
当〉から取り出された映像信号はアンプ３１（第５図の
アンプ５６に相当〉を通してＡ／Ｄ変換器３２に入力さ
れ、デイジタル信号に変換された後、信号処理・表示回
路３３に供給される。
冷凍器３０により冷凍されている。この固体撮像素Ｆ１
３の最終段のソースホロワのＦＥＴ（第５図の５４に相
当〉から取り出された映像信号はアンプ３１（第５図の
アンプ５６に相当〉を通してＡ／Ｄ変換器３２に入力さ
れ、デイジタル信号に変換された後、信号処理・表示回
路３３に供給される。
信号処理・表丞回路３３はデイジタル信号処理により入
力ディジタル映像信号に対してオフセッ１・及び感度補
正した後、走査変換してＴＶ表示可能な順序で補正後の
データをＤ／Ａ変換器３４へ出力する。Ｄ／Ａ変換器３
４はこのデータを再びアナログ信号に変換し、そのアナ
ログ信号を陰極線管（ＣＲＴ）を用いた表丞装置３５に
入力し、ここで赤外線映像を表示させる。
力ディジタル映像信号に対してオフセッ１・及び感度補
正した後、走査変換してＴＶ表示可能な順序で補正後の
データをＤ／Ａ変換器３４へ出力する。Ｄ／Ａ変換器３
４はこのデータを再びアナログ信号に変換し、そのアナ
ログ信号を陰極線管（ＣＲＴ）を用いた表丞装置３５に
入力し、ここで赤外線映像を表示させる。
一方、タイミング発牛回路２５は固体囮像素子１３の駆
動，ス１ヤナ２７の駆動．補正及び表示のためのタイミ
ングパルスを発生する。スキャナドライバ２６はこのタ
イミングパルスを受け、スＦｖブ２７を騙動するための
電圧波形を発生する。
動，ス１ヤナ２７の駆動．補正及び表示のためのタイミ
ングパルスを発生する。スキャナドライバ２６はこのタ
イミングパルスを受け、スＦｖブ２７を騙動するための
電圧波形を発生する。
また、ドライバ・バイアス電源３６はＭｍＪ手段１５を
構威しており、上記のタイミングパルスに塁づいて電荷
転送用駆動パルスとバイアス電圧を夫々発生し、固休撮
像素子１３に供給する。
構威しており、上記のタイミングパルスに塁づいて電荷
転送用駆動パルスとバイアス電圧を夫々発生し、固休撮
像素子１３に供給する。
本実施例の赤外線搬像装買は、ブロック構成は従来の赤
外線胤像装置と基本的に同一であり、ただ、ドライバ・
バイアス電源３６が有効走査ＩＩ間とブラン１ングＩ］
間とで出力を可変できる機能を有し、かつ、そのドライ
バ・バイアス電源３６にそのような動ｎを行なわせるた
めのコントロール４ｔ，号をタイミンク発生回路２５が
発１できるような構成としている点が従来の赤外線囮像
装慟と異なる。
外線胤像装置と基本的に同一であり、ただ、ドライバ・
バイアス電源３６が有効走査ＩＩ間とブラン１ングＩ］
間とで出力を可変できる機能を有し、かつ、そのドライ
バ・バイアス電源３６にそのような動ｎを行なわせるた
めのコントロール４ｔ，号をタイミンク発生回路２５が
発１できるような構成としている点が従来の赤外線囮像
装慟と異なる。
第４図は第３図のドライバ・バイアス電源３６の一実施
例のブロック図を示す。データセレクタ４１及び４２は
夫々前記タイミングパルス発生回路２５からの」ントＯ
−ル信号により、前記有効走査明間「ａのときは端子（
Ａ）に入力されるφ１へ・φ４データとＶｏ発生データ
を夫々選択出力し、ブランＥングｌｉｌｌｌｌｒ＋．Ｔ
２のときは喘ｆ（Ｂ）に入力されるデータを選択出力す
る。
例のブロック図を示す。データセレクタ４１及び４２は
夫々前記タイミングパルス発生回路２５からの」ントＯ
−ル信号により、前記有効走査明間「ａのときは端子（
Ａ）に入力されるφ１へ・φ４データとＶｏ発生データ
を夫々選択出力し、ブランＥングｌｉｌｌｌｌｒ＋．Ｔ
２のときは喘ｆ（Ｂ）に入力されるデータを選択出力す
る。
データセレクタ４１の出力データはドライバ４３を通し
て取り出され、前記有効走査期間Ｔａの間は４相の駆初
バルスφ１〜φ４として、また前記ブランキング期間Ｔ
＋ ．Ｔ２の間は一定レベルの信弓として固休撤ａ素子
１３に入力される。
て取り出され、前記有効走査期間Ｔａの間は４相の駆初
バルスφ１〜φ４として、また前記ブランキング期間Ｔ
＋ ．Ｔ２の間は一定レベルの信弓として固休撤ａ素子
１３に入力される。
一方、データセレクタ４２の出力データ（よＤ／Ａコン
パータ４４によりデイジタル・７ノ゜ログ変換され、前
記有効走査期間Ｔａの間は前記最終段のソースホロワの
ＦＥＴのドレイン電圧ｖＯとして出力され、他方、ブラ
ン１ング期間Ｔ＋，Ｔｚの間はＯｖとして出力される。
パータ４４によりデイジタル・７ノ゜ログ変換され、前
記有効走査期間Ｔａの間は前記最終段のソースホロワの
ＦＥＴのドレイン電圧ｖＯとして出力され、他方、ブラ
ン１ング期間Ｔ＋，Ｔｚの間はＯｖとして出力される。
このようにして、本実施例では固休躍像素子１３は可動
ミラー２４やスキャナ２７の有効走査ｔ！１１間丁ａの
間のみ従来と同様の躍＠動作を行ない、ブランキングＪ
ｆｌｆＦＩＩＴ＋ ． Ｔ２ではそのｉｌｉ！＠動作を
停止することにより、電力の消費を約６０〜７０％程度
に抑えることができる。従って、固体ｆｆｉ像＃Ｆ１
３の発熱損が消費電力の低減に対応して少なくなるから
、冷凍ｅｌ３０として従来に比べそれほど冷凍能力が必
要でない、小型で安価なものを使用することができる。
ミラー２４やスキャナ２７の有効走査ｔ！１１間丁ａの
間のみ従来と同様の躍＠動作を行ない、ブランキングＪ
ｆｌｆＦＩＩＴ＋ ． Ｔ２ではそのｉｌｉ！＠動作を
停止することにより、電力の消費を約６０〜７０％程度
に抑えることができる。従って、固体ｆｆｉ像＃Ｆ１
３の発熱損が消費電力の低減に対応して少なくなるから
、冷凍ｅｌ３０として従来に比べそれほど冷凍能力が必
要でない、小型で安価なものを使用することができる。
上述の如く、本発明によれば、固休撮像素子の消費電力
を低減できるため、固体撮像素子の冷却手段をより小型
かつ安価な構成とすることができ、また従来と同一の冷
ＦＤ手段を用いる場合は固休囮像素子の冷ＦＡ温度をよ
り低くすることができるので装首を高性能化できる等の
特長を有するものである。
を低減できるため、固体撮像素子の冷却手段をより小型
かつ安価な構成とすることができ、また従来と同一の冷
ＦＤ手段を用いる場合は固休囮像素子の冷ＦＡ温度をよ
り低くすることができるので装首を高性能化できる等の
特長を有するものである。
第１図は本発明の原即構成図、
第２図は本発明の作用動作説明図、
第３図は木発閑の一実施例の構成図、
第４図は本発明の一実施例の要部のブロック図、第５図
は従来の要部の一例の構戒図、 第６図は検知器内部の消費電力発生個所の説明図、 第７図は従来装置における光学走査とフレームタイム及
び駆動パルス説明図である。 図において、 １１は赤外受光素子、 １２は電荷転送素子、 １３は固体撮像素子、 １４【よ光学走査手段、 １５は訓御手段、 ２５はタイミング発１回路、 ３６はドライバ・バイアス電源 を示す。
は従来の要部の一例の構戒図、 第６図は検知器内部の消費電力発生個所の説明図、 第７図は従来装置における光学走査とフレームタイム及
び駆動パルス説明図である。 図において、 １１は赤外受光素子、 １２は電荷転送素子、 １３は固体撮像素子、 １４【よ光学走査手段、 １５は訓御手段、 ２５はタイミング発１回路、 ３６はドライバ・バイアス電源 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方向に配列された複数個の赤外受光素子（１１）に
より夫々光電変換して得られた信号電荷を、電荷転送素
子（１２）を用いて蓄積及び転送する、一方向に自己走
査機能を有する固体撮像素子（１３）に対して、光学走
査手段（１４）により該一方向に直交する方向に光学走
査を行なって撮像対象からの光を入射する赤外線撮像装
置において、 前記光学走査手段（１４）の光学走査周期のうち有効走
査期間のみ前記固体撮像素子（１３）に電荷転送用駆動
パルス及びバイアス電圧を印加し、残りの走査期間であ
るブランキング期間は該駆動パルス及びバイアス電圧の
供給を停止し一定電圧に保持する制御手段（１５）を備
えたことを特徴とする赤外線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191043A JPH0354976A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 赤外線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191043A JPH0354976A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 赤外線撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354976A true JPH0354976A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16267939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191043A Pending JPH0354976A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 赤外線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0354976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05122622A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| EP1143706A3 (en) * | 2000-03-28 | 2007-08-01 | Fujitsu Limited | Image sensor with black level control and low power consumption |
| WO2010128586A1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1191043A patent/JPH0354976A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05122622A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| EP1143706A3 (en) * | 2000-03-28 | 2007-08-01 | Fujitsu Limited | Image sensor with black level control and low power consumption |
| WO2010128586A1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
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