JPH0357536B2 - - Google Patents
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- JPH0357536B2 JPH0357536B2 JP57158323A JP15832382A JPH0357536B2 JP H0357536 B2 JPH0357536 B2 JP H0357536B2 JP 57158323 A JP57158323 A JP 57158323A JP 15832382 A JP15832382 A JP 15832382A JP H0357536 B2 JPH0357536 B2 JP H0357536B2
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- Expired
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録特性の優れた、垂直磁気記
録用の媒体に関する。
録用の媒体に関する。
従来例の構成とその問題点
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、
垂直磁気記録方式がある。この方式においては媒
体の膜面に略垂直方向が磁化容易軸である垂直磁
気記録媒体が必要となる。このような媒体に信号
を記録すると残留磁化は媒体の膜面に略垂直方向
を向き、従つて信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直磁
気記録媒体は基板上にCoとCrを主成分とし膜面
に略垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層（以下
この磁性層をCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ）を、一
般的にはスパツタリング法により形成したもので
ある。しかし、スパツタリング法は膜の形成速度
が遅く量産性が悪い。スパツタリング法に対し、
真空蒸着法（イオンプレーテイング法のように蒸
発原子の一部をイオン化して蒸着する方法も含
む）によれば、膜の形成速度は２桁以上高くな
り、量産性が向上する。本発明者は、真空蒸着法
にてもCo−Cr垂直磁化膜が得られることを見に
出したが、真空蒸着法により得られたCo−Cr膜
が電磁変換特性の優れた垂直磁化膜であるための
条件は見い出されていなかつた。
垂直磁気記録方式がある。この方式においては媒
体の膜面に略垂直方向が磁化容易軸である垂直磁
気記録媒体が必要となる。このような媒体に信号
を記録すると残留磁化は媒体の膜面に略垂直方向
を向き、従つて信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直磁
気記録媒体は基板上にCoとCrを主成分とし膜面
に略垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層（以下
この磁性層をCo−Cr垂直磁化膜と呼ぶ）を、一
般的にはスパツタリング法により形成したもので
ある。しかし、スパツタリング法は膜の形成速度
が遅く量産性が悪い。スパツタリング法に対し、
真空蒸着法（イオンプレーテイング法のように蒸
発原子の一部をイオン化して蒸着する方法も含
む）によれば、膜の形成速度は２桁以上高くな
り、量産性が向上する。本発明者は、真空蒸着法
にてもCo−Cr垂直磁化膜が得られることを見に
出したが、真空蒸着法により得られたCo−Cr膜
が電磁変換特性の優れた垂直磁化膜であるための
条件は見い出されていなかつた。
発明の目的
本発明は真空蒸着法により得られたCo−Cr膜
が電磁変換特性の優れた垂直磁化膜になるための
条件を与えることを目的とする。
が電磁変換特性の優れた垂直磁化膜になるための
条件を与えることを目的とする。
発明の構成
本発明は真空蒸着法により形成された柱状構造
をしているCo−Cr垂直磁化膜において、柱状結
晶粒の粒界面近傍にCrが偏析しており、粒界面
近傍領域におけるCr濃度が、この膜の平均のCr
濃度の1.7倍以上であることを特徴とするもので
ある。
をしているCo−Cr垂直磁化膜において、柱状結
晶粒の粒界面近傍にCrが偏析しており、粒界面
近傍領域におけるCr濃度が、この膜の平均のCr
濃度の1.7倍以上であることを特徴とするもので
ある。
実施例の説明
第１図〜第５図を用いて本発明を説明する。第
１図はCo−Cr蒸着膜の破断面の模式図である。
１は基板である。基板としては、アルミニウム板
や高分子材料より成るフイルム、あるいはこれら
の非磁性体の上にパーマロイ膜を形成したもの等
が用いられる。２はCo−Cr垂直磁化膜、３は柱
状結晶粒である。Co−Cr垂直磁化膜は、一般に
柱状結晶構造をしており、柱状結晶粒の粒径は膜
厚の1/10程度である。たとえば、膜厚1μｍのCo
−Cr垂直磁化膜は約1000Åの粒径の柱状結晶粒
から構成されている。このような構造を有する
Co−Cr垂直磁化膜の磁気特性は、柱状結晶粒の
粒界面近傍におけるCrの備析量に、大きく依存
することが実験の結果明らかになつた。
１図はCo−Cr蒸着膜の破断面の模式図である。
１は基板である。基板としては、アルミニウム板
や高分子材料より成るフイルム、あるいはこれら
の非磁性体の上にパーマロイ膜を形成したもの等
が用いられる。２はCo−Cr垂直磁化膜、３は柱
状結晶粒である。Co−Cr垂直磁化膜は、一般に
柱状結晶構造をしており、柱状結晶粒の粒径は膜
厚の1/10程度である。たとえば、膜厚1μｍのCo
−Cr垂直磁化膜は約1000Åの粒径の柱状結晶粒
から構成されている。このような構造を有する
Co−Cr垂直磁化膜の磁気特性は、柱状結晶粒の
粒界面近傍におけるCrの備析量に、大きく依存
することが実験の結果明らかになつた。
第２図に柱状結晶粒の粒界面近傍にCrが偏析
しているCo−Cr垂直磁化膜の破断面の模式図を
示す。４はCrが偏析したCo−Cr垂直磁化膜、５
はCrが偏析した柱状結晶粒、６は柱状結晶粒の
粒界面近傍におけるCrの偏析している部分であ
る。なお、柱状結晶粒の粒界面とは、第３図の実
線７で示される部分のことであり、破線８の部分
は含まない。柱状結晶粒の粒界面近傍の組成は、
例えばオージエ電子分光分析等の方法により、調
べることができる。
しているCo−Cr垂直磁化膜の破断面の模式図を
示す。４はCrが偏析したCo−Cr垂直磁化膜、５
はCrが偏析した柱状結晶粒、６は柱状結晶粒の
粒界面近傍におけるCrの偏析している部分であ
る。なお、柱状結晶粒の粒界面とは、第３図の実
線７で示される部分のことであり、破線８の部分
は含まない。柱状結晶粒の粒界面近傍の組成は、
例えばオージエ電子分光分析等の方法により、調
べることができる。
Co−Cr垂直磁化膜において、柱状結晶粒の粒
界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃度
（Cr／（Co＋Cr））と、膜全体の平均のCr濃度と
の比と、Mr⊥／Mrとの関係を第４図に示す。
ただし、Mr⊥は反磁場補正を行なつていない、
膜面に垂直方向の残留磁化であり、Mrは膜面
内の残留磁化である。第４図より、柱状結晶粒の
粒界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃
度と、膜全体の平均のCr濃度との比が大きくな
るに従い、Mr⊥／Mrも大きくなり、比が1.7
以上になると１以上のMr⊥／Mrを有するCo
−Cr垂直磁化膜が得られることがわかる。
界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃度
（Cr／（Co＋Cr））と、膜全体の平均のCr濃度と
の比と、Mr⊥／Mrとの関係を第４図に示す。
ただし、Mr⊥は反磁場補正を行なつていない、
膜面に垂直方向の残留磁化であり、Mrは膜面
内の残留磁化である。第４図より、柱状結晶粒の
粒界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃
度と、膜全体の平均のCr濃度との比が大きくな
るに従い、Mr⊥／Mrも大きくなり、比が1.7
以上になると１以上のMr⊥／Mrを有するCo
−Cr垂直磁化膜が得られることがわかる。
Mr⊥／MrはCo−Cr垂直磁化膜に信号を記
録し再生した場合の特性（この特性を電磁変換特
性と言う）に、密接に関係している。第５図に公
知の補助磁極励磁型ヘツドで、Co−Cr垂直磁化
膜に100KFRPI（１インチ当たり磁化反転数が
100000回あるような、デイジタル記録の状態を
100KFRPIと言う）の信号を記録し、再生した際
の再生出力とMr⊥／Mrとの関係を示す。この
図から、Mr⊥／Mrが１未満になると再生出力
が大幅に低下してしまうことがわかる。この原因
はMr⊥／Mrが１以上であれば、信号を記録す
ると媒体内の残留磁化は、主に膜面に垂直方向を
向いており垂直記録された状態であるのに対し、
Mr⊥／Mrが１未満になると膜面内方向にも残
留磁化が向くようになり、一部面内記録のような
状態になつてしまうためだと思われる。以上、第
４図及び第５図の結果をまとめると、柱状結晶粒
の粒界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr
濃度とCo−Cr垂直磁化膜全体の平均のCr濃度と
の比が1.7以上になると、膜のMr⊥／Mrが１
以上になり、優れた電磁変換特性が得られるとい
うことである。
録し再生した場合の特性（この特性を電磁変換特
性と言う）に、密接に関係している。第５図に公
知の補助磁極励磁型ヘツドで、Co−Cr垂直磁化
膜に100KFRPI（１インチ当たり磁化反転数が
100000回あるような、デイジタル記録の状態を
100KFRPIと言う）の信号を記録し、再生した際
の再生出力とMr⊥／Mrとの関係を示す。この
図から、Mr⊥／Mrが１未満になると再生出力
が大幅に低下してしまうことがわかる。この原因
はMr⊥／Mrが１以上であれば、信号を記録す
ると媒体内の残留磁化は、主に膜面に垂直方向を
向いており垂直記録された状態であるのに対し、
Mr⊥／Mrが１未満になると膜面内方向にも残
留磁化が向くようになり、一部面内記録のような
状態になつてしまうためだと思われる。以上、第
４図及び第５図の結果をまとめると、柱状結晶粒
の粒界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr
濃度とCo−Cr垂直磁化膜全体の平均のCr濃度と
の比が1.7以上になると、膜のMr⊥／Mrが１
以上になり、優れた電磁変換特性が得られるとい
うことである。
以下に具体的な実施例の説明を行う。
第１の実施例
第６図を用いて第１の実施例について説明す
る。９は膜厚50μmの耐熱性高分子材料より成る
フイルムであり、その上に膜厚1μmのパーマロイ
膜１０、さらにその上に膜厚1μmのCo−Cr垂直
磁化膜１１がいずれも真空蒸着法により形成され
いる。このCo−Cr垂直磁化膜の柱状結晶粒の粒
界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃度
と、膜全体の平均のCr濃度との比は、オージエ
電子分光分析によれば2.1であり、Mr⊥／Mr
は2.3であつた。この媒体に補助磁極励磁型垂
直ヘツドで100KFRPIの信号を記録し再生する
と、従来のCo含有酸化鉄塗布型媒体に対し、
24dB高い出力が得られた。
る。９は膜厚50μmの耐熱性高分子材料より成る
フイルムであり、その上に膜厚1μmのパーマロイ
膜１０、さらにその上に膜厚1μmのCo−Cr垂直
磁化膜１１がいずれも真空蒸着法により形成され
いる。このCo−Cr垂直磁化膜の柱状結晶粒の粒
界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃度
と、膜全体の平均のCr濃度との比は、オージエ
電子分光分析によれば2.1であり、Mr⊥／Mr
は2.3であつた。この媒体に補助磁極励磁型垂
直ヘツドで100KFRPIの信号を記録し再生する
と、従来のCo含有酸化鉄塗布型媒体に対し、
24dB高い出力が得られた。
第２の実施例
第７図を用いて第２の実施例について説明す
る。Co−Cr垂直磁化膜１１とパーマロイ膜１０
との間に、膜厚400ÅにTi蒸着膜１２が存在する
以外は、第１の実施例と殆ど同じ構造の媒体を作
製した。Ti蒸着膜はCo−Cr垂直磁化膜の配向性
を良くするために設けてある。この媒体における
Co−Cr膜の柱状結晶粒の粒界面近傍の略10Åの
厚みの領域におけるCr濃度を、膜全体の平均の
Cr濃度との比、及びMr⊥／Mrはそれぞれ2.0
及び2.4であつた。この媒体に補助磁極励磁型垂
直ヘツドで100KFRPIの信号を記録し再生する
と、従来のCo含有酸化鉄塗布型媒体に対し、
28dB高い出力が得られた。
る。Co−Cr垂直磁化膜１１とパーマロイ膜１０
との間に、膜厚400ÅにTi蒸着膜１２が存在する
以外は、第１の実施例と殆ど同じ構造の媒体を作
製した。Ti蒸着膜はCo−Cr垂直磁化膜の配向性
を良くするために設けてある。この媒体における
Co−Cr膜の柱状結晶粒の粒界面近傍の略10Åの
厚みの領域におけるCr濃度を、膜全体の平均の
Cr濃度との比、及びMr⊥／Mrはそれぞれ2.0
及び2.4であつた。この媒体に補助磁極励磁型垂
直ヘツドで100KFRPIの信号を記録し再生する
と、従来のCo含有酸化鉄塗布型媒体に対し、
28dB高い出力が得られた。
発明の効果
本発明によれば、電磁変換特性の非常に優れた
垂直磁気記録媒体を提供できる。
垂直磁気記録媒体を提供できる。
第１図はCo−Cr蒸着膜の破断図、第２図は柱
状結晶粒の粒界面近傍にCrが偏析しているCo−
Cr垂直磁化膜の破断面の模式図、第３図は粒界
面を説明するための図、第４図は柱状結晶粒の粒
界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃度
と磁性層の平均のCr濃度との比と、Mr⊥／Mr
との関係を示す図、第５図はMr⊥／Mrと再
生出力との関係を示す図、第６図及び第７図はそ
れぞれ本発明の第１、第２の実施例である垂直磁
気記録媒体の断面図である。 ４……Crの偏析したCo−Cr垂直磁化膜、５…
…Crの偏析した柱状結晶粒、６……柱状結晶粒
の粒界面近傍におけるCrの偏析している部分、
７……結晶粒の粒界面。
状結晶粒の粒界面近傍にCrが偏析しているCo−
Cr垂直磁化膜の破断面の模式図、第３図は粒界
面を説明するための図、第４図は柱状結晶粒の粒
界面近傍の略10Åの厚みの領域におけるCr濃度
と磁性層の平均のCr濃度との比と、Mr⊥／Mr
との関係を示す図、第５図はMr⊥／Mrと再
生出力との関係を示す図、第６図及び第７図はそ
れぞれ本発明の第１、第２の実施例である垂直磁
気記録媒体の断面図である。 ４……Crの偏析したCo−Cr垂直磁化膜、５…
…Crの偏析した柱状結晶粒、６……柱状結晶粒
の粒界面近傍におけるCrの偏析している部分、
７……結晶粒の粒界面。
Claims (1)
- １ 基板上に膜面に略垂直方向に磁化容易軸を有
しCoとCrを主成分とする薄膜磁性層が形成され、
前記磁性層を構成している柱状結晶粒の粒界面近
傍にCrが偏析し、かつ、前記粒界面近傍領域に
おけるCr濃度が前記磁性層の平均のCr濃度の1.7
倍以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158323A JPS5948823A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158323A JPS5948823A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948823A JPS5948823A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH0357536B2 true JPH0357536B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=15669123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158323A Granted JPS5948823A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948823A (ja) |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP57158323A patent/JPS5948823A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5948823A (ja) | 1984-03-21 |
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