JPH0682442B2 - 磁気記録方法 - Google Patents
磁気記録方法Info
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- JPH0682442B2 JPH0682442B2 JP60177186A JP17718685A JPH0682442B2 JP H0682442 B2 JPH0682442 B2 JP H0682442B2 JP 60177186 A JP60177186 A JP 60177186A JP 17718685 A JP17718685 A JP 17718685A JP H0682442 B2 JPH0682442 B2 JP H0682442B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大きな短波長再生出力の得られる磁気記録方法
に関する。
に関する。
従来の技術 短波長記録特性の優れた磁気記録方式として垂直磁気記
録方式が注目を集めている。この方式においては垂直磁
気異方性を有する磁性層が必要になる。このような磁性
層に信号を記録すると残留磁化は膜面に略垂直方向を向
く。従つて信号が短波長になる程、媒体内反磁界は減少
し、大きな再生出力が得られる。垂直磁気記録媒体は基
板上に磁性層としと、Co−Cr、Co−Ｖ、Co−Ruあるいは
Co−Cr−Rhなどの垂直磁気異方性膜を、スパツタリング
法や真空蒸着法で形成したものである。
録方式が注目を集めている。この方式においては垂直磁
気異方性を有する磁性層が必要になる。このような磁性
層に信号を記録すると残留磁化は膜面に略垂直方向を向
く。従つて信号が短波長になる程、媒体内反磁界は減少
し、大きな再生出力が得られる。垂直磁気記録媒体は基
板上に磁性層としと、Co−Cr、Co−Ｖ、Co−Ruあるいは
Co−Cr−Rhなどの垂直磁気異方性膜を、スパツタリング
法や真空蒸着法で形成したものである。
垂直磁気記録媒体に信号を記録する磁気ヘツドとして
は、従来から実用になつているリング型磁気ヘツドある
いは公知の単磁極型垂直磁気ヘツドが考えられている。
リング型磁気ヘツドは垂直磁界成分が弱いために、垂直
磁気記録媒体への信号の記録が困難であるのに対し、単
磁極型垂直磁気ヘツドは垂直磁気記録媒体を磁化するた
めの最適の磁界が発生し、優れた記録特性が得られる。
は、従来から実用になつているリング型磁気ヘツドある
いは公知の単磁極型垂直磁気ヘツドが考えられている。
リング型磁気ヘツドは垂直磁界成分が弱いために、垂直
磁気記録媒体への信号の記録が困難であるのに対し、単
磁極型垂直磁気ヘツドは垂直磁気記録媒体を磁化するた
めの最適の磁界が発生し、優れた記録特性が得られる。
発明が解決しようとする問題点 前述したように、単磁極型垂直磁気ヘツドを用いれば、
垂直磁気記録媒体に理想に近い記録がなされるが、この
単磁極型垂直磁気ヘツドは一般に再生効率が低いために
再生出力がかなり小さいという問題点がある。またリン
グ型磁気ヘツドを用いると、再生効率は高いが垂直磁気
記録媒体への満足な記録が困難であるために、再生出力
が低く実用化にはまだ不十分であつた。
垂直磁気記録媒体に理想に近い記録がなされるが、この
単磁極型垂直磁気ヘツドは一般に再生効率が低いために
再生出力がかなり小さいという問題点がある。またリン
グ型磁気ヘツドを用いると、再生効率は高いが垂直磁気
記録媒体への満足な記録が困難であるために、再生出力
が低く実用化にはまだ不十分であつた。
問題点を解決するための手段 本発明は、一対の磁性体を前記磁性体より飽和磁化の大
きい磁性薄膜と非磁性層を介して対向しギヤツプ部を構
成したリング型磁気ヘツドを設け、前記ギヤツプ部に磁
性層を基板面に対し傾斜する柱状結晶粒体にて構成した
薄膜型磁気記録媒体をその磁性層において接触し、前記
リング型磁気ヘツドと前記薄膜型磁気記録媒体の相対移
動方向を前記リング型磁気ヘツドの磁性薄膜がリーデイ
ングエツジ側になるよう移動すると共に前記薄膜型磁気
記録媒体の柱状結晶粒体の傾斜方向を移動方向の略反対
方向にて記録するにある。
きい磁性薄膜と非磁性層を介して対向しギヤツプ部を構
成したリング型磁気ヘツドを設け、前記ギヤツプ部に磁
性層を基板面に対し傾斜する柱状結晶粒体にて構成した
薄膜型磁気記録媒体をその磁性層において接触し、前記
リング型磁気ヘツドと前記薄膜型磁気記録媒体の相対移
動方向を前記リング型磁気ヘツドの磁性薄膜がリーデイ
ングエツジ側になるよう移動すると共に前記薄膜型磁気
記録媒体の柱状結晶粒体の傾斜方向を移動方向の略反対
方向にて記録するにある。
作用 飽和磁化の大なる磁性薄膜がギヤツプ面の一方に形成さ
れた本発明で使用するリング型磁気ヘツドは、この磁性
薄膜近傍において従来のリング型磁気ヘツドよりも強い
磁界を発生する。この強い磁界の存在する領域で、柱状
結晶粒体が膜面の垂線に対して傾斜している薄膜型磁気
記録媒体に信号を記録すると、柱状結晶粒体の傾斜と本
発明のリング型磁気ヘツド磁界の方向が近いために、従
来のリング型磁気ヘツドと垂直磁気記録媒体の組み合わ
せよりも十分な記録が可能である。さらに媒体とヘツド
の相対移動方向を、リング型磁気ヘツドのギヤツプ面に
ある磁性薄膜がリーデイングエツジ側になるようにし、
かつ媒体の柱状結晶粒体の傾斜をヘツドに対する媒体の
移動方向の略反対方向にすると記録減磁が減少する。
れた本発明で使用するリング型磁気ヘツドは、この磁性
薄膜近傍において従来のリング型磁気ヘツドよりも強い
磁界を発生する。この強い磁界の存在する領域で、柱状
結晶粒体が膜面の垂線に対して傾斜している薄膜型磁気
記録媒体に信号を記録すると、柱状結晶粒体の傾斜と本
発明のリング型磁気ヘツド磁界の方向が近いために、従
来のリング型磁気ヘツドと垂直磁気記録媒体の組み合わ
せよりも十分な記録が可能である。さらに媒体とヘツド
の相対移動方向を、リング型磁気ヘツドのギヤツプ面に
ある磁性薄膜がリーデイングエツジ側になるようにし、
かつ媒体の柱状結晶粒体の傾斜をヘツドに対する媒体の
移動方向の略反対方向にすると記録減磁が減少する。
以上の効果により記録効率が向上し、その結果再生出力
が増加する。
が増加する。
実施例 第１図は本発明のリング型磁気ヘツドを用いて傾斜する
柱状結晶粒体を蒸着した薄膜型磁気記録媒体に信号を記
録する模式図、第２図は本発明で使用する薄膜型磁気記
録媒体の構造図、を示す。
柱状結晶粒体を蒸着した薄膜型磁気記録媒体に信号を記
録する模式図、第２図は本発明で使用する薄膜型磁気記
録媒体の構造図、を示す。
図において、（１）は薄膜型磁気記録媒体、（２）は基
板、（３）は磁性層、Ｈは本発明のリング型磁気ヘツ
ド、（４）、（４）′は磁性体、（５）は磁性薄膜、
（６）は非磁性層、（７）は巻線、（10）は柱状結晶
粒、を示す。
板、（３）は磁性層、Ｈは本発明のリング型磁気ヘツ
ド、（４）、（４）′は磁性体、（５）は磁性薄膜、
（６）は非磁性層、（７）は巻線、（10）は柱状結晶
粒、を示す。
本発明はリング型磁気ヘツドＨで、磁性層（３）が柱状
構造を有している媒体（１）に信号を記録する磁気記録
方法である。基板（２）は高分子材料などから成り、磁
性層（３）としてはCo合金膜が優れており、特に飽和磁
化、保磁力、耐食性などの点からCo−Cr合金膜が優れて
いる。また基板（２）と磁性層（３）との間に、Ti、Al
2O3、Geなどの非磁性層があつても良い。本発明のリン
グ型磁気ヘツドは基本的構造においては、一般的なリン
グ型磁気ヘツドと同様に、ヘツドコアを構成する一対の
磁性体（４）及び（４）′が、ギヤツプ材としての非磁
性層（６）をはさんで対向した形になつている。しかし
本発明で使用するリング型磁性ヘツドＨは、磁性体
（４）′と非磁性層（６）との間に、磁性体（４）、磁
性体（４）′よりも飽和磁化の大きな磁性薄膜（５）が
形成されている。巻線（７）には信号電流を流して記録
を行なう。
構造を有している媒体（１）に信号を記録する磁気記録
方法である。基板（２）は高分子材料などから成り、磁
性層（３）としてはCo合金膜が優れており、特に飽和磁
化、保磁力、耐食性などの点からCo−Cr合金膜が優れて
いる。また基板（２）と磁性層（３）との間に、Ti、Al
2O3、Geなどの非磁性層があつても良い。本発明のリン
グ型磁気ヘツドは基本的構造においては、一般的なリン
グ型磁気ヘツドと同様に、ヘツドコアを構成する一対の
磁性体（４）及び（４）′が、ギヤツプ材としての非磁
性層（６）をはさんで対向した形になつている。しかし
本発明で使用するリング型磁性ヘツドＨは、磁性体
（４）′と非磁性層（６）との間に、磁性体（４）、磁
性体（４）′よりも飽和磁化の大きな磁性薄膜（５）が
形成されている。巻線（７）には信号電流を流して記録
を行なう。
第１図中の矢印（８）は、リング型磁気ヘツドＨに対す
る薄膜型磁気記録媒体（１）の相対移動方向を示す。リ
ング型磁気ヘツドＨにおいて、薄膜型磁気記録媒体
（１）が進入する側のヘツドコアのギヤツプ近傍をリー
デイングエツジと言い、対向する側をトレーリングエツ
ジと言う。第１図に示されるように矢印（８）の方向に
リング型磁気ヘツドＨと薄膜型磁気記録媒体（１）が相
対移動する場合には、磁性薄膜（５）はリーデイングエ
ツジ側になつており、相対移動方向が矢印（８）と逆方
向の場合には、磁性薄膜（５）はトレーリングエツジ側
になつている。薄膜型磁気記録媒体（１）における磁性
層（３）の柱状結晶粒は、記録膜面の垂線（９）に対し
て平均θだけ傾いている。柱状結晶粒の傾斜が薄膜型磁
気記録媒体の移動方向の反対方向ということは、０゜＜
θ＜90゜を意味する。
る薄膜型磁気記録媒体（１）の相対移動方向を示す。リ
ング型磁気ヘツドＨにおいて、薄膜型磁気記録媒体
（１）が進入する側のヘツドコアのギヤツプ近傍をリー
デイングエツジと言い、対向する側をトレーリングエツ
ジと言う。第１図に示されるように矢印（８）の方向に
リング型磁気ヘツドＨと薄膜型磁気記録媒体（１）が相
対移動する場合には、磁性薄膜（５）はリーデイングエ
ツジ側になつており、相対移動方向が矢印（８）と逆方
向の場合には、磁性薄膜（５）はトレーリングエツジ側
になつている。薄膜型磁気記録媒体（１）における磁性
層（３）の柱状結晶粒は、記録膜面の垂線（９）に対し
て平均θだけ傾いている。柱状結晶粒の傾斜が薄膜型磁
気記録媒体の移動方向の反対方向ということは、０゜＜
θ＜90゜を意味する。
第１図の磁性層（３）の近傍を拡大して模式的に図示す
ると第２図のようになつている。
ると第２図のようになつている。
（10）は柱状結晶粒で、磁性層（３）の膜厚が2000Å程
度の場合に、その粒径は200〜500Å程度である。また、
よく知られている連続蒸着法、すなわち、長尺の基板を
走行させつつ薄膜を連続的に形成する真空蒸着法を用い
ると、蒸発原子の基板（２）への入射角が連続的に変化
するので、第２図に示されるような柱状結晶粒の彎曲が
見られる。
度の場合に、その粒径は200〜500Å程度である。また、
よく知られている連続蒸着法、すなわち、長尺の基板を
走行させつつ薄膜を連続的に形成する真空蒸着法を用い
ると、蒸発原子の基板（２）への入射角が連続的に変化
するので、第２図に示されるような柱状結晶粒の彎曲が
見られる。
次に本発明のリング型磁気ヘツドを使用し、本発明の薄
膜型磁気記録媒体に記録した実際の記録再生特性につい
て説明する。
膜型磁気記録媒体に記録した実際の記録再生特性につい
て説明する。
基板（２）として膜厚10μｍのポリイミドフイルムを使
用し、この上に連続蒸着法によつて膜圧200ÅのTi膜、
さらにこの上に連続蒸着法によつて膜圧2000Åの80Co−
20Cr膜が形成された薄膜型磁気記録媒体（１）に、第１
図に示されるような構造を有する本発明で使用するリン
グ型磁気ヘツド及び従来のリング型磁気ヘツドを用いて
記録再生を行なつた。前述のTi膜はその上の80Co−20Cr
膜の保磁力を増加させるために用いている。また、80Co
−Cr膜の飽和磁化は400emu/cc、柱状結晶粒（10）の平
均傾斜角θは30゜、膜面内において柱状結晶粒が傾斜し
ている方向の保磁力は800ｅである。また従来のリン
グ型磁気ヘツドとして、ギヤツプ長0.14μｍのMn−Znフ
エライトより成るものを用いた。第１図に示される構造
のリング型磁気ヘツドＨとしては、磁性体（４）、磁性
体（４）′は従来と同じMn−Znフエライトを、磁性薄膜
（５）は膜厚３μｍのCo−Nb−Zrより成るアモルフアス
を、非磁性層（６）はSiOを用い、非磁性層（６）の膜
厚、すなわちギヤツプ長を0.14μｍとした。いずれの磁
気ヘツドも、ギヤツプ幅30μｍ、ギヤツプデプス10μ
ｍ、コイル巻数16ターンである。これらの磁気ヘツドで
記録及び再生を行なつた際の再生出力を下表に示す。
用し、この上に連続蒸着法によつて膜圧200ÅのTi膜、
さらにこの上に連続蒸着法によつて膜圧2000Åの80Co−
20Cr膜が形成された薄膜型磁気記録媒体（１）に、第１
図に示されるような構造を有する本発明で使用するリン
グ型磁気ヘツド及び従来のリング型磁気ヘツドを用いて
記録再生を行なつた。前述のTi膜はその上の80Co−20Cr
膜の保磁力を増加させるために用いている。また、80Co
−Cr膜の飽和磁化は400emu/cc、柱状結晶粒（10）の平
均傾斜角θは30゜、膜面内において柱状結晶粒が傾斜し
ている方向の保磁力は800ｅである。また従来のリン
グ型磁気ヘツドとして、ギヤツプ長0.14μｍのMn−Znフ
エライトより成るものを用いた。第１図に示される構造
のリング型磁気ヘツドＨとしては、磁性体（４）、磁性
体（４）′は従来と同じMn−Znフエライトを、磁性薄膜
（５）は膜厚３μｍのCo−Nb−Zrより成るアモルフアス
を、非磁性層（６）はSiOを用い、非磁性層（６）の膜
厚、すなわちギヤツプ長を0.14μｍとした。いずれの磁
気ヘツドも、ギヤツプ幅30μｍ、ギヤツプデプス10μ
ｍ、コイル巻数16ターンである。これらの磁気ヘツドで
記録及び再生を行なつた際の再生出力を下表に示す。
信号の記録密度は150KFRPIである。ここで150KFRPIとは
１インチ当たり150,000回磁化反転のあるデイジタル信
号の記録状態である。磁性層（３）の柱状結晶粒（10）
の傾斜方向は第１図のθで示される方向、すなわち０゜
＜θの方向にしてある。また、従来のリング型磁気ヘツ
ドを用いて、ヘツドに対する媒体の移動方向を第１図の
矢印（８）の方向にして記録再生した際の再生出力値を
0dBとしている。さらに同表には、前記の従来のリング
型磁気ヘツドで、膜厚2000Åの80Co−20Cr合金薄膜から
成る垂直磁気記録媒体に記録再生した際の再生出力も記
載してある。なお、この80Co−20Cr合金薄膜の膜面に垂
直方向の保磁力は800ｅである。
１インチ当たり150,000回磁化反転のあるデイジタル信
号の記録状態である。磁性層（３）の柱状結晶粒（10）
の傾斜方向は第１図のθで示される方向、すなわち０゜
＜θの方向にしてある。また、従来のリング型磁気ヘツ
ドを用いて、ヘツドに対する媒体の移動方向を第１図の
矢印（８）の方向にして記録再生した際の再生出力値を
0dBとしている。さらに同表には、前記の従来のリング
型磁気ヘツドで、膜厚2000Åの80Co−20Cr合金薄膜から
成る垂直磁気記録媒体に記録再生した際の再生出力も記
載してある。なお、この80Co−20Cr合金薄膜の膜面に垂
直方向の保磁力は800ｅである。
表から、第１図に示される構造を有する本発明のリング
型磁気ヘツドで、磁性層が柱状構造を有し、かつその結
晶粒が膜面の垂線に対して傾斜している膜膜型磁気記録
媒体に、相対移動方向を第１図の矢印（８）の方向に
し、柱状結晶粒の傾斜方向を媒体の移動方向と反対方向
にして記録再生を行なうと、従来のリング型磁気ヘッド
を用いて第１図の矢印（８）の相対移動方向で記録再生
した場合に比べ7dB高い再生出力が得られることがわか
る。また相対移動方向が第１図の矢印（８）と反対方向
の場合には、矢印（８）の方向の場合よりも出力が3dB
低い。さらに、垂直磁気記録媒体に従来のリング型磁気
ヘツドで記録再生を行なつた場合に比べると、本発明の
方法では10dB高い再生出力が得られる。
型磁気ヘツドで、磁性層が柱状構造を有し、かつその結
晶粒が膜面の垂線に対して傾斜している膜膜型磁気記録
媒体に、相対移動方向を第１図の矢印（８）の方向に
し、柱状結晶粒の傾斜方向を媒体の移動方向と反対方向
にして記録再生を行なうと、従来のリング型磁気ヘッド
を用いて第１図の矢印（８）の相対移動方向で記録再生
した場合に比べ7dB高い再生出力が得られることがわか
る。また相対移動方向が第１図の矢印（８）と反対方向
の場合には、矢印（８）の方向の場合よりも出力が3dB
低い。さらに、垂直磁気記録媒体に従来のリング型磁気
ヘツドで記録再生を行なつた場合に比べると、本発明の
方法では10dB高い再生出力が得られる。
なお、磁性層（３）の柱状結晶粒の傾斜方向を第１図の
θで示される方向と逆にし、それ以外は第１図に示され
る構成で第１図に示される構造を有するリング型磁気ヘ
ツドを用いて記録再生を行なうと、第１図の矢印（８）
の方向に薄膜型磁気記録媒体を移動させた場合の相対出
力は−5dB、第１図の矢印（８）と反対方向に薄膜型磁
気記録媒体を移動させた場合の相対出力は−2dBとな
り、高い再生出力は得られない。
θで示される方向と逆にし、それ以外は第１図に示され
る構成で第１図に示される構造を有するリング型磁気ヘ
ツドを用いて記録再生を行なうと、第１図の矢印（８）
の方向に薄膜型磁気記録媒体を移動させた場合の相対出
力は−5dB、第１図の矢印（８）と反対方向に薄膜型磁
気記録媒体を移動させた場合の相対出力は−2dBとな
り、高い再生出力は得られない。
以上の実験結果は次のように解釈できる。
従来のリング型磁気ヘツドに対して、第１図に示される
ような本発明のリング型磁気ヘツドは、磁性薄膜（５）
の近傍で強い磁界が発生し、かつ、その磁界強度の媒体
走行方向における傾斜が急峻になり、記録特性が優れて
いる。この強い磁界のある領域で、柱状結晶粒が膜面の
垂線に対して傾斜している薄膜型磁気記録媒体に信号を
記録すると、柱状結晶粒の傾斜とヘツド磁界の方向が近
いために、従来のリング型磁気ヘツドと垂直磁気記録媒
体の組み合わせよりも十分な記録が可能である。さらに
ヘツドに対する薄膜型磁気記録媒体の相対移動方向を第
１図の矢印（８）の方向にすると、逆の場合よりも記録
減磁が少なくなり、大きな残留磁化が磁性層に残るもの
と考えられる。
ような本発明のリング型磁気ヘツドは、磁性薄膜（５）
の近傍で強い磁界が発生し、かつ、その磁界強度の媒体
走行方向における傾斜が急峻になり、記録特性が優れて
いる。この強い磁界のある領域で、柱状結晶粒が膜面の
垂線に対して傾斜している薄膜型磁気記録媒体に信号を
記録すると、柱状結晶粒の傾斜とヘツド磁界の方向が近
いために、従来のリング型磁気ヘツドと垂直磁気記録媒
体の組み合わせよりも十分な記録が可能である。さらに
ヘツドに対する薄膜型磁気記録媒体の相対移動方向を第
１図の矢印（８）の方向にすると、逆の場合よりも記録
減磁が少なくなり、大きな残留磁化が磁性層に残るもの
と考えられる。
前述の表中の再生出力は相対値で表わしているが、第１
図に示される構造を有する本発明のリング型磁気ヘツド
で、相対移動方向を第１図矢印（８）の方向にした場合
の再生出力の絶対値は450μv/ターン・mm・m/秒であ
る。この値は従来報告されている垂直磁気記録媒体の再
生出力をはるかに上まわるものである。なお、450μv/
ターン・mm・m/秒とは、コイル巻数１ターン、ギャップ
幅1mm、媒体とヘツド間の相対速度1m/秒当たりのヘツド
出力が450μｖであることを意味する。
図に示される構造を有する本発明のリング型磁気ヘツド
で、相対移動方向を第１図矢印（８）の方向にした場合
の再生出力の絶対値は450μv/ターン・mm・m/秒であ
る。この値は従来報告されている垂直磁気記録媒体の再
生出力をはるかに上まわるものである。なお、450μv/
ターン・mm・m/秒とは、コイル巻数１ターン、ギャップ
幅1mm、媒体とヘツド間の相対速度1m/秒当たりのヘツド
出力が450μｖであることを意味する。
発明の効果 本発明は本発明のリング型磁気ヘツドにより本発明の薄
膜型磁気記録媒体に、ギヤツプ部の一方に設けられた磁
性薄膜をリーデイングエツジ側にし、かつ薄膜型磁気記
録媒体の柱状結晶粒の傾斜方向を薄膜型磁気記録媒体の
移動方向と反対方向にして記録することで、大きな短波
長再生出力が得られる。
膜型磁気記録媒体に、ギヤツプ部の一方に設けられた磁
性薄膜をリーデイングエツジ側にし、かつ薄膜型磁気記
録媒体の柱状結晶粒の傾斜方向を薄膜型磁気記録媒体の
移動方向と反対方向にして記録することで、大きな短波
長再生出力が得られる。
第１図は本発明のリング型磁気ヘツドを用いて、傾斜す
る柱状結晶粒を蒸着した薄膜型磁気記録媒体に信号を記
録する模式図、第２図は本発明の薄膜型磁気記録媒体の
構造図、を示す。 1:薄膜型磁気記録媒体、2:基板、3:柱状結晶粒が膜面の
垂線に対して傾斜している磁性層、4,4′：ヘツドコア
を構成する磁性体、5:磁性体よりも飽和磁化の大きな磁
性薄膜、6:非磁性層、7:巻線、8:リング型磁気ヘツドに
対する薄膜型磁気記録媒体の走行方向を示す矢印、9:膜
面の垂線、10:柱状結晶粒
る柱状結晶粒を蒸着した薄膜型磁気記録媒体に信号を記
録する模式図、第２図は本発明の薄膜型磁気記録媒体の
構造図、を示す。 1:薄膜型磁気記録媒体、2:基板、3:柱状結晶粒が膜面の
垂線に対して傾斜している磁性層、4,4′：ヘツドコア
を構成する磁性体、5:磁性体よりも飽和磁化の大きな磁
性薄膜、6:非磁性層、7:巻線、8:リング型磁気ヘツドに
対する薄膜型磁気記録媒体の走行方向を示す矢印、9:膜
面の垂線、10:柱状結晶粒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南部 太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−40722（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−201211（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一対の磁性体を前記磁性体より飽和磁化の
大きい磁性薄膜と非磁性層を介して対向しギャップ部を
構成したリング型磁気ヘッドを設け、前記ギャップ部に
磁性層を基板面に対し傾斜する柱状結晶粒体にて構成し
た薄膜型磁気記録媒体をその磁性層において接触し、前
記リング型磁気ヘッドと前記薄膜型磁気記録媒体の相対
移動方向を前記リング型磁気ヘッドの磁性薄膜がリーデ
イングエツジ側になるよう移動すると共に前記薄膜型磁
気記録媒体の柱状結晶粒体の傾斜方向を移動方向の略反
対方向にして記録することを特徴とする磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177186A JPH0682442B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177186A JPH0682442B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236702A JPS6236702A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0682442B2 true JPH0682442B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16026677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177186A Expired - Fee Related JPH0682442B2 (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682442B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240825A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP60177186A patent/JPH0682442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6236702A (ja) | 1987-02-17 |
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