JPH0357609B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0357609B2 JPH0357609B2 JP58242709A JP24270983A JPH0357609B2 JP H0357609 B2 JPH0357609 B2 JP H0357609B2 JP 58242709 A JP58242709 A JP 58242709A JP 24270983 A JP24270983 A JP 24270983A JP H0357609 B2 JPH0357609 B2 JP H0357609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shot
- time
- signal
- shot time
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は精度の高い露光を行う荷電粒子線露光
装置に関する。
装置に関する。
最近、LSIや超LSI素子製作の為のパターン描
画手段として荷電粒子線露光装置が有力視されて
きた。その例として電子線露光装置を上げると、
電子銃からの電子線の断面を例えば、矩形状に成
形し、材料上の所定の位置にシヨツトすることに
よりパターンを描画している。さて、この場合の
シヨツトの制御はシヨツト時間を指定した信号を
アンプを介してブランキング電極に供給し、電子
銃からの電子線をオンオフさせることにより行つ
ている。即ち、シヨツト時間を指定した信号はパ
ルス状の信号で、例えば、該パルス信号の山の部
分がシヨツト時間を表しており、該山の部分でブ
ランキング電極は電子線を偏向させずに該ブラン
キング電極直下に配置された絞りの孔を通過させ
ることにより材料上へ照射させ、谷の部分で大き
く偏向させ、絞りの孔を通過させない様にしてい
る。
画手段として荷電粒子線露光装置が有力視されて
きた。その例として電子線露光装置を上げると、
電子銃からの電子線の断面を例えば、矩形状に成
形し、材料上の所定の位置にシヨツトすることに
よりパターンを描画している。さて、この場合の
シヨツトの制御はシヨツト時間を指定した信号を
アンプを介してブランキング電極に供給し、電子
銃からの電子線をオンオフさせることにより行つ
ている。即ち、シヨツト時間を指定した信号はパ
ルス状の信号で、例えば、該パルス信号の山の部
分がシヨツト時間を表しており、該山の部分でブ
ランキング電極は電子線を偏向させずに該ブラン
キング電極直下に配置された絞りの孔を通過させ
ることにより材料上へ照射させ、谷の部分で大き
く偏向させ、絞りの孔を通過させない様にしてい
る。
しかし乍ら、実際には指定したシヨツト時間と
は異つた時間シヨツトされてしまい、結果的に描
画精度を低下させてしまつた。
は異つた時間シヨツトされてしまい、結果的に描
画精度を低下させてしまつた。
本発明はこの様な問題を解決することを目的と
したものである。
したものである。
前記指定したシヨツト時間と実際のシヨツト時
間の異りを追及してみると、その原因は前記ブラ
ンキング電極に供給されるシヨツト信号を増幅す
るアンプにあることが解つた。即ち、トランジス
タには入力があると蓄積電荷による蓄積効果、即
ち蓄積時間が発生するので、トランジスタから成
るアンプに蓄積時間の発生がある。そして、この
蓄積時間が該アンプに入力されて来るシヨツト時
間を指定する信号に加わつてしまう。従つて、第
２図ａに示す様にＴのシヨツト時間を指定したシ
ヨツト信号がアンプに入力されても、このシヨツ
ト時間に該アンプによる蓄積時間t0が加わつた
（Ｔ＋t0）のシヨツト時間T′を指定したシヨツト
時間信号（第２図ｂ）がブランキング電極に供給
されてしまう。
間の異りを追及してみると、その原因は前記ブラ
ンキング電極に供給されるシヨツト信号を増幅す
るアンプにあることが解つた。即ち、トランジス
タには入力があると蓄積電荷による蓄積効果、即
ち蓄積時間が発生するので、トランジスタから成
るアンプに蓄積時間の発生がある。そして、この
蓄積時間が該アンプに入力されて来るシヨツト時
間を指定する信号に加わつてしまう。従つて、第
２図ａに示す様にＴのシヨツト時間を指定したシ
ヨツト信号がアンプに入力されても、このシヨツ
ト時間に該アンプによる蓄積時間t0が加わつた
（Ｔ＋t0）のシヨツト時間T′を指定したシヨツト
時間信号（第２図ｂ）がブランキング電極に供給
されてしまう。
そこで、予め、シヨツト時間信号を増幅するア
ンプについて、入力されるべき各シヨツト時間を
指定する信号に対応した蓄積時間を測定してお
き、各シヨツト時間信号と該各シヨツト時間信号
に対応した蓄積時間データをメモリに記憶させて
おき、実際のシヨツト時、シヨツト時間信号によ
り対応する蓄積時間データを読出し、該読出した
蓄積時間をシヨツト時間信号から差引き、該差引
いた信号を、シヨツト時間信号を増幅するアンプ
に供給すれば、該シヨツト時間信号から蓄積時間
を差引いたものに蓄積時間が加わるので、該アン
プからは所定のシヨツト時間の信号がブランキン
グ電極に供給されることになる。
ンプについて、入力されるべき各シヨツト時間を
指定する信号に対応した蓄積時間を測定してお
き、各シヨツト時間信号と該各シヨツト時間信号
に対応した蓄積時間データをメモリに記憶させて
おき、実際のシヨツト時、シヨツト時間信号によ
り対応する蓄積時間データを読出し、該読出した
蓄積時間をシヨツト時間信号から差引き、該差引
いた信号を、シヨツト時間信号を増幅するアンプ
に供給すれば、該シヨツト時間信号から蓄積時間
を差引いたものに蓄積時間が加わるので、該アン
プからは所定のシヨツト時間の信号がブランキン
グ電極に供給されることになる。
本発明はこの様な点に注目し、シヨツト時間を
指定した信号をアンプを介してブランキング電極
に供給し、該シヨツト時間に応じた時間荷電粒子
線発生手段からの荷電粒子線を材料上の所定位置
に照射させる様に成した荷電粒子線露光装置にお
いて、シヨツト時間を記憶するレジスタ、前記ア
ンプのシヨツト時間に応じた蓄積時間を記憶した
メモリ、シヨツト時間を指定した信号により該メ
モリから該シヨツト時間に応じた蓄積時間信号を
読み出す手段、及び、前記レジスタからのシヨツ
ト時間と該メモリからの読み出された蓄積時間の
差を求める引算回路を設け、該差信号を前記アン
プを介して前記ブランキング電極に供給する様に
成したことに特徴がある。
指定した信号をアンプを介してブランキング電極
に供給し、該シヨツト時間に応じた時間荷電粒子
線発生手段からの荷電粒子線を材料上の所定位置
に照射させる様に成した荷電粒子線露光装置にお
いて、シヨツト時間を記憶するレジスタ、前記ア
ンプのシヨツト時間に応じた蓄積時間を記憶した
メモリ、シヨツト時間を指定した信号により該メ
モリから該シヨツト時間に応じた蓄積時間信号を
読み出す手段、及び、前記レジスタからのシヨツ
ト時間と該メモリからの読み出された蓄積時間の
差を求める引算回路を設け、該差信号を前記アン
プを介して前記ブランキング電極に供給する様に
成したことに特徴がある。
第１図は本発明の一実施例として示した電子線
露光装置の概略図である。
露光装置の概略図である。
図中１は電子銃で、該電子銃からの電子線は集
束レンズ２により矩形状の孔を有する第１マスク
３に照射される。該第１マスクの下方には該マス
クと同様な第２マスク４が配置されている。該二
つのマスク間には集束レンズ５と偏向器６が配置
されており、集束レンズ５は前記第１マスク３の
孔を通過した電子線を前記第２マスクの上へ集束
させ、偏向器６は電子線断面の大きさ指定信号に
従つて前記第１マスク３の孔を通過した電子線を
適宜偏向させる。該第２マスク４の孔を通過した
電子線は投影レンズ７により材料８上に集束され
る。又、該電子線は電子線のシヨツト位置を指定
する信号が供給されている偏向器９により所定位
置にシヨツトされる。１０はシヨツト時間を指定
したシヨツト信号が供給されるブランキング偏向
器で、その直下に配置された前記集束レンズ２に
は絞り１１が設けられている。１２は電子計算機
の如き中央制御装置（以後CPUと称す）で、材
料上に描画すべきパターンのシヨツトデータ（シ
ヨツト時間データ、電子線の大きさデータ、シヨ
ツト位置データ等から成る）をデータ処理器１３
へ送る。該処理器はシヨツト時間データをレジス
タ１４へ、電子線の大きさデータをDA変換器１
５とアンプ１６を介して前記偏向器６へ、シヨツ
ト位置データをDA変換器１７とアンプ１８を介
して前記偏向器９へ夫々送る。１９は、シヨツト
時間信号を増幅するアンプ２０について、入力さ
れるべき各シヨツト時間データと該各シヨツト時
間信号に対応した蓄積時間データを記憶させたメ
モリである。前記CPU１２は前記レジスタ１４
からのシヨツト時間データの上位ビツトをアドレ
スとし、該メモリから前記レジスタ１４からのシ
ヨツト時間データに対応する蓄積時間データを読
出し、引算回路２１に供給する。該引算回路には
前記レジスタ１４からシヨツト時間データが供給
されているので、該引算回路は該シヨツト時間デ
ータから前記蓄積時間データを差引き、パルス発
生器２２に送る。該パルス発生器は前記シヨツト
時間データから前記蓄積時間データを差引いた時
間データに対応したパルス幅を有するパルス信号
を作成して前記アンプ２０を介してブランキング
偏向器１０に送る。
束レンズ２により矩形状の孔を有する第１マスク
３に照射される。該第１マスクの下方には該マス
クと同様な第２マスク４が配置されている。該二
つのマスク間には集束レンズ５と偏向器６が配置
されており、集束レンズ５は前記第１マスク３の
孔を通過した電子線を前記第２マスクの上へ集束
させ、偏向器６は電子線断面の大きさ指定信号に
従つて前記第１マスク３の孔を通過した電子線を
適宜偏向させる。該第２マスク４の孔を通過した
電子線は投影レンズ７により材料８上に集束され
る。又、該電子線は電子線のシヨツト位置を指定
する信号が供給されている偏向器９により所定位
置にシヨツトされる。１０はシヨツト時間を指定
したシヨツト信号が供給されるブランキング偏向
器で、その直下に配置された前記集束レンズ２に
は絞り１１が設けられている。１２は電子計算機
の如き中央制御装置（以後CPUと称す）で、材
料上に描画すべきパターンのシヨツトデータ（シ
ヨツト時間データ、電子線の大きさデータ、シヨ
ツト位置データ等から成る）をデータ処理器１３
へ送る。該処理器はシヨツト時間データをレジス
タ１４へ、電子線の大きさデータをDA変換器１
５とアンプ１６を介して前記偏向器６へ、シヨツ
ト位置データをDA変換器１７とアンプ１８を介
して前記偏向器９へ夫々送る。１９は、シヨツト
時間信号を増幅するアンプ２０について、入力さ
れるべき各シヨツト時間データと該各シヨツト時
間信号に対応した蓄積時間データを記憶させたメ
モリである。前記CPU１２は前記レジスタ１４
からのシヨツト時間データの上位ビツトをアドレ
スとし、該メモリから前記レジスタ１４からのシ
ヨツト時間データに対応する蓄積時間データを読
出し、引算回路２１に供給する。該引算回路には
前記レジスタ１４からシヨツト時間データが供給
されているので、該引算回路は該シヨツト時間デ
ータから前記蓄積時間データを差引き、パルス発
生器２２に送る。該パルス発生器は前記シヨツト
時間データから前記蓄積時間データを差引いた時
間データに対応したパルス幅を有するパルス信号
を作成して前記アンプ２０を介してブランキング
偏向器１０に送る。
斯くの如き装置において、CPU１２からシヨ
ツトデータがデータ処理器１３へ送られると、該
処理器はシヨツト時間データをレジスタ１４へ、
電子線の大きさデータをDA変換器１５とアンプ
１６を介して前記偏向器６へ、シヨツト位置デー
タをDA変換器１７とアンプ１８を介して前記偏
向器９へ夫々送る。前記レジスタは第２図ａに示
す如きシヨツト時間がＴである様なパルス幅を有
するパルス信号に対応したシヨツト時間データを
引算回路２１へ送る。又、前記CPU１２は前記
レジスタ１４のシヨツト時間データの上位ビツト
をアドレスとし、メモリ１９から前記レジスタか
らのシヨツト時間データに対応する蓄積時間デー
タ（パルス幅t0を有する第２図ｄに示す如きパル
ス信号に対応した信号）を読出し、引算回路２１
に供給する。該引算回路は前記レジスタの出力か
らメモリ１９の出力の差を取り、パルス発生器２
２に送る。該パルス発生器は第２図Ｃに示す如き
幅T″を有するパルス信号に対応した信号をアン
プ２０に送る。該アンプには前記した様に蓄積効
果による蓄積時間の影響、即ち、入つて来たシヨ
ツト時間信号の幅を蓄積時間t0長くするので、該
アンプの出力は第２図ａに示す様に所定のシヨツ
ト時間に対応した幅を有するパルス信号となる。
そして、該パルス信号はブランキング電極１０に
供給されるので、材料上の所定の位置に所定のパ
ターンが描画される。
ツトデータがデータ処理器１３へ送られると、該
処理器はシヨツト時間データをレジスタ１４へ、
電子線の大きさデータをDA変換器１５とアンプ
１６を介して前記偏向器６へ、シヨツト位置デー
タをDA変換器１７とアンプ１８を介して前記偏
向器９へ夫々送る。前記レジスタは第２図ａに示
す如きシヨツト時間がＴである様なパルス幅を有
するパルス信号に対応したシヨツト時間データを
引算回路２１へ送る。又、前記CPU１２は前記
レジスタ１４のシヨツト時間データの上位ビツト
をアドレスとし、メモリ１９から前記レジスタか
らのシヨツト時間データに対応する蓄積時間デー
タ（パルス幅t0を有する第２図ｄに示す如きパル
ス信号に対応した信号）を読出し、引算回路２１
に供給する。該引算回路は前記レジスタの出力か
らメモリ１９の出力の差を取り、パルス発生器２
２に送る。該パルス発生器は第２図Ｃに示す如き
幅T″を有するパルス信号に対応した信号をアン
プ２０に送る。該アンプには前記した様に蓄積効
果による蓄積時間の影響、即ち、入つて来たシヨ
ツト時間信号の幅を蓄積時間t0長くするので、該
アンプの出力は第２図ａに示す様に所定のシヨツ
ト時間に対応した幅を有するパルス信号となる。
そして、該パルス信号はブランキング電極１０に
供給されるので、材料上の所定の位置に所定のパ
ターンが描画される。
本発明によれば、ブランキング電極に供給され
るシヨツト信号を増幅するアンプの蓄積時間の影
響を実質的に無くしたので、高精度なパターン描
画が出来る。
るシヨツト信号を増幅するアンプの蓄積時間の影
響を実質的に無くしたので、高精度なパターン描
画が出来る。
第１図は本発明の一実施例を示した電子線露光
装置の概略図、第２図はその動作の説明を補助す
る為に用いた図である。 １：電子銃、２：集束レンズ、７：投影レン
ズ、８：材料、１０：ブランキング電極、１１：
絞り、１２：CPU、１３：データ処理器、１
４：レジスタ、１９：メモリ、２０：アンプ、２
１：引算回路。
装置の概略図、第２図はその動作の説明を補助す
る為に用いた図である。 １：電子銃、２：集束レンズ、７：投影レン
ズ、８：材料、１０：ブランキング電極、１１：
絞り、１２：CPU、１３：データ処理器、１
４：レジスタ、１９：メモリ、２０：アンプ、２
１：引算回路。
Claims (1)
- １ シヨツト時間を指定した信号をアンプを介し
てブランキング電極に供給し、該シヨツト時間に
応じた時間荷電粒子線発生手段からの荷電粒子線
を材料上の所定位置に照射させる様に成した荷電
粒子線露光装置において、シヨツト時間を記憶す
るレジスタ、前記アンプのシヨツト時間に応じた
蓄積時間を記憶したメモリ、シヨツト時間を指定
した信号により該メモリから該シヨツト時間に応
じた蓄積時間信号を読み出す手段、及び、前記レ
ジスタからのシヨツト時間と該メモリからの読み
出された蓄積時間の差を求める引算回路を設け、
該差信号を前記アンプを介して前記ブランキング
電極に供給する様に成した荷電粒子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242709A JPS60134419A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 荷電粒子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58242709A JPS60134419A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 荷電粒子線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134419A JPS60134419A (ja) | 1985-07-17 |
| JPH0357609B2 true JPH0357609B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=17093074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58242709A Granted JPS60134419A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 荷電粒子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134419A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0673343B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-09-14 | 株式会社東芝 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038020B2 (ja) * | 1976-11-08 | 1985-08-29 | 日本電子株式会社 | 電子線露光装置 |
| JPS558004A (en) * | 1978-06-30 | 1980-01-21 | Hitachi Ltd | Electronic beam deviation control device |
| JPS5721822A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-04 | Jeol Ltd | Exposing method for electron beam |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP58242709A patent/JPS60134419A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60134419A (ja) | 1985-07-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |