JPH0673343B2 - 荷電ビ−ム描画方法 - Google Patents
荷電ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPH0673343B2 JPH0673343B2 JP60265507A JP26550785A JPH0673343B2 JP H0673343 B2 JPH0673343 B2 JP H0673343B2 JP 60265507 A JP60265507 A JP 60265507A JP 26550785 A JP26550785 A JP 26550785A JP H0673343 B2 JPH0673343 B2 JP H0673343B2
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- Japan
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- pattern
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、可変成形ビームを用いてLSI等のパターンを
試料上に描画する荷電ビーム描画方法に係わり、特に描
画する際の露光時間の制御方法を改良した荷電ビーム描
画方法に関する。
試料上に描画する荷電ビーム描画方法に係わり、特に描
画する際の露光時間の制御方法を改良した荷電ビーム描
画方法に関する。
電子ビーム描画装置を用いて微細なLSIパターンを描画
する場合、描画パターンの形状により、パターン寸法が
本来の露光パターンに対して太くなったり或いは細くな
ったりする、所謂近接効果の影響がある。この近接効果
を補正するために、従来の装置では、露光パターンの形
状或いは可変成形ビームによる露光時間を制御する方法
が採られている。
する場合、描画パターンの形状により、パターン寸法が
本来の露光パターンに対して太くなったり或いは細くな
ったりする、所謂近接効果の影響がある。この近接効果
を補正するために、従来の装置では、露光パターンの形
状或いは可変成形ビームによる露光時間を制御する方法
が採られている。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、ビームの形状，位置及び露光時間を制
御するためのデータは制御計算機より送られてくる。近
接効果の補正量は露光されたレジストの現像条件等に依
存しており、この条件が異なるものについては近接効果
補正計算をやり直して別の描画データを作成する必要が
ある。そして、この補正計算には通常、多量の計算処理
を必要とし、計算処理コストが大きく、且つ長い計算時
間を待たなくてはならない等の問題があった。
があった。即ち、ビームの形状，位置及び露光時間を制
御するためのデータは制御計算機より送られてくる。近
接効果の補正量は露光されたレジストの現像条件等に依
存しており、この条件が異なるものについては近接効果
補正計算をやり直して別の描画データを作成する必要が
ある。そして、この補正計算には通常、多量の計算処理
を必要とし、計算処理コストが大きく、且つ長い計算時
間を待たなくてはならない等の問題があった。
なお、上記の問題は電子ビーム描画方法に限らず、イオ
ンビームを用いて所望パターンを描画するイオンビーム
描画方法についても同様に言えることである。
ンビームを用いて所望パターンを描画するイオンビーム
描画方法についても同様に言えることである。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、露光時間の可変制御を簡易に行うこと
ができ、近接効果補正を行ってパターンを描画する際
に、レジストのプロセス条件等を変えても近接効果補正
計算を再度やり直す必要はなく、該補正を効果的に行い
得る荷電ビーム描画方法を提供することにある。
とするところは、露光時間の可変制御を簡易に行うこと
ができ、近接効果補正を行ってパターンを描画する際
に、レジストのプロセス条件等を変えても近接効果補正
計算を再度やり直す必要はなく、該補正を効果的に行い
得る荷電ビーム描画方法を提供することにある。
本発明の骨子は、描画データとしては、従来のように各
パターン毎にビーム露光時間（或いは照射量）を指定す
るのではなく、基準露光時間の変更量を指定するものと
し、基準露光時間データは描画データとは別に予め設定
可能としておき、これらのデータにより実際の露光時間
を決定することにある。
パターン毎にビーム露光時間（或いは照射量）を指定す
るのではなく、基準露光時間の変更量を指定するものと
し、基準露光時間データは描画データとは別に予め設定
可能としておき、これらのデータにより実際の露光時間
を決定することにある。
即ち本発明は、可変成形ビームの試料上に位置，形状及
び露光時間を制御して試料上に所望パターンを描画する
荷電ビーム描画方法において、可変設定可能な基準露光
時間データを予め設定し、且つパターン設計データには
上記基準露光時間に対する変更量を表わす露光時間変更
データを含ませておき、前記露光時間の制御として、上
記基準露光時間データに対しパターン設計データで指定
される露光時間変更データを用いて実際の露光時間を演
算し、この演算結果を用いて実際の露光時間を制御し、
プロセス条件が変更した場合には、前記基準露光時間デ
ータを前記プロセス条件に対応した基準露光時間データ
に変更して、新たに実際の露光時間を演算し、この新た
な演算結果を用いて実際の露光時間を制御するようにし
た方法である。
び露光時間を制御して試料上に所望パターンを描画する
荷電ビーム描画方法において、可変設定可能な基準露光
時間データを予め設定し、且つパターン設計データには
上記基準露光時間に対する変更量を表わす露光時間変更
データを含ませておき、前記露光時間の制御として、上
記基準露光時間データに対しパターン設計データで指定
される露光時間変更データを用いて実際の露光時間を演
算し、この演算結果を用いて実際の露光時間を制御し、
プロセス条件が変更した場合には、前記基準露光時間デ
ータを前記プロセス条件に対応した基準露光時間データ
に変更して、新たに実際の露光時間を演算し、この新た
な演算結果を用いて実際の露光時間を制御するようにし
た方法である。
〔発明の効果〕 本発明によれば、近接効果補正計算の後に描画データ
（パターン設計データ）で指定される露光時間は、基準
露光時間の変更量を示しており、プロセス条件が変更さ
れ基準照射量を変更する必要が生じた場合でも、近接効
果補正計算を再実行することなく、基準露光時間を設定
し直すだけでよい。このため、レジストのプロセス条件
等が変更されても、多量の計算処理及び長い計算時間を
要することなく、近接効果の補正を効果的に行うことが
できる。
（パターン設計データ）で指定される露光時間は、基準
露光時間の変更量を示しており、プロセス条件が変更さ
れ基準照射量を変更する必要が生じた場合でも、近接効
果補正計算を再実行することなく、基準露光時間を設定
し直すだけでよい。このため、レジストのプロセス条件
等が変更されても、多量の計算処理及び長い計算時間を
要することなく、近接効果の補正を効果的に行うことが
できる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図である。図中10は電子光学鏡筒
であり、この光学鏡筒10は電子銃、各種レンズ及び各種
偏向系等から構成されている。電子光学鏡筒10の下方に
は、試料室11が設けられている。この試料室11内には、
電子ビーム描画に供される試料12を載置した試料ステー
ジ13が収容されている。試料ステージ13は、計算機14か
らインターフェース15を介して指令を受けたステージ駆
動回路16によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙
面表裏方向）に移動される。そして、試料ステージ13の
移動位置は、位置測定回路17により測定され、その位置
情報がビーム制御回路18に送られるものとなっている。
画装置を示す概略構成図である。図中10は電子光学鏡筒
であり、この光学鏡筒10は電子銃、各種レンズ及び各種
偏向系等から構成されている。電子光学鏡筒10の下方に
は、試料室11が設けられている。この試料室11内には、
電子ビーム描画に供される試料12を載置した試料ステー
ジ13が収容されている。試料ステージ13は、計算機14か
らインターフェース15を介して指令を受けたステージ駆
動回路16によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙
面表裏方向）に移動される。そして、試料ステージ13の
移動位置は、位置測定回路17により測定され、その位置
情報がビーム制御回路18に送られるものとなっている。
一方、描画データ（パターン設計データ）は計算機14か
らインターフェース15を介してビーム制御回路18と共に
露光時間変更回路19に送られる。露光時間変更回路19
は、後述する基準露光時間データT0及び露光時間変更デ
ータＡを入力し、実際の露光時間を演算するものであ
り、その演算結果がビーム制御回路18に供給されてい
る。ビーム制御回路18は、上記入力した各データに基づ
いてビームの形状，位置を制御する信号を発生し、描画
のための電子光学鏡筒10の制御を行うと共に、ビームの
ブランキング信号を発生して露光時間の制御を行うもの
となっている。
らインターフェース15を介してビーム制御回路18と共に
露光時間変更回路19に送られる。露光時間変更回路19
は、後述する基準露光時間データT0及び露光時間変更デ
ータＡを入力し、実際の露光時間を演算するものであ
り、その演算結果がビーム制御回路18に供給されてい
る。ビーム制御回路18は、上記入力した各データに基づ
いてビームの形状，位置を制御する信号を発生し、描画
のための電子光学鏡筒10の制御を行うと共に、ビームの
ブランキング信号を発生して露光時間の制御を行うもの
となっている。
この装置において、パターンを描画する際は、まず計算
機14からインターフェース15を介して試料ステージ13を
所定位置に移動させる。その後、試料ステージ13を停止
させたままで、或いは連続的に移動させながら、電子ビ
ームを偏向及びブランキング制御することにより、試料
12上に所望のパターンを描画する。
機14からインターフェース15を介して試料ステージ13を
所定位置に移動させる。その後、試料ステージ13を停止
させたままで、或いは連続的に移動させながら、電子ビ
ームを偏向及びブランキング制御することにより、試料
12上に所望のパターンを描画する。
ここで、前記パターン設計データは、第２図に示す如き
形式パターンデータメモリ等に格納されている。即ち、
第２図（ａ）に示す如く描画領域21に描画すべきパター
ン22が存在したとすると、従来装置では同図（ｂ）に示
す如く、このパターン22に対し座標（x,y）、幅Ｗ及び
高さＨ等のデータと共に、露光時間Ｔが１セットでパタ
ーンデータメモリ等に格納されている。これに対し本実
施例では、第２図（ｃ）に示す如く露光時間データＴの
代りに、露光時間変更データＡが格納されている。そし
て、パターン設計データのうち露光時間変更データＡ
は、基準露光時間データT0と共に露光時間変更回路19に
供給される。他のデータx,y,W,Hは、ビーム制御回路18
に供給されるものとなっている。なお、基準露光時間デ
ータT0とは、描画すべき全てのパターンに対する基準と
なる時間を表わすデータであり、計算機14に予め設定さ
れるものである。露光時間変更データＡ（A1，A2，‥
‥）とは、基準露光時間データT0に対し加算，減算或い
は乗算されて実際の露光時間を求めるためのものであ
り、個々のパターン毎に決定され、x,y,W,Hのデータと
共にパターン設計データに含まれている。
形式パターンデータメモリ等に格納されている。即ち、
第２図（ａ）に示す如く描画領域21に描画すべきパター
ン22が存在したとすると、従来装置では同図（ｂ）に示
す如く、このパターン22に対し座標（x,y）、幅Ｗ及び
高さＨ等のデータと共に、露光時間Ｔが１セットでパタ
ーンデータメモリ等に格納されている。これに対し本実
施例では、第２図（ｃ）に示す如く露光時間データＴの
代りに、露光時間変更データＡが格納されている。そし
て、パターン設計データのうち露光時間変更データＡ
は、基準露光時間データT0と共に露光時間変更回路19に
供給される。他のデータx,y,W,Hは、ビーム制御回路18
に供給されるものとなっている。なお、基準露光時間デ
ータT0とは、描画すべき全てのパターンに対する基準と
なる時間を表わすデータであり、計算機14に予め設定さ
れるものである。露光時間変更データＡ（A1，A2，‥
‥）とは、基準露光時間データT0に対し加算，減算或い
は乗算されて実際の露光時間を求めるためのものであ
り、個々のパターン毎に決定され、x,y,W,Hのデータと
共にパターン設計データに含まれている。
第３図及び第４図はそれぞれ露光時間変更回路19の具体
的構成を示すブロック図である。第３図の例は、基準露
光時間データT0に露光時間変更データＡを加算して実際
の露光時間を求めるものであり、露光時間変更回路19は
基準露光時間レジスタ31及び加算器32から構成されてい
る。基準露光時間データT0は、描画に先立ち計算機13よ
りレジスタ31に書込まれる。描画時には、レジスタ31の
記憶データは、パターン設計データで指定される露光時
間変更データＡと共に加算器32に供給される。そして、
加算器32の加算出力（T0＋Ａ）が実際の露光時間データ
として、前記ビーム制御回路18に供給されるものとなっ
ている。なお、露光時間変更データＡは正負両方の値を
取り得るものである。
的構成を示すブロック図である。第３図の例は、基準露
光時間データT0に露光時間変更データＡを加算して実際
の露光時間を求めるものであり、露光時間変更回路19は
基準露光時間レジスタ31及び加算器32から構成されてい
る。基準露光時間データT0は、描画に先立ち計算機13よ
りレジスタ31に書込まれる。描画時には、レジスタ31の
記憶データは、パターン設計データで指定される露光時
間変更データＡと共に加算器32に供給される。そして、
加算器32の加算出力（T0＋Ａ）が実際の露光時間データ
として、前記ビーム制御回路18に供給されるものとなっ
ている。なお、露光時間変更データＡは正負両方の値を
取り得るものである。
第４図の例は、基準露光時間データT0に露光時間変更デ
ータＡを乗算して実際の露光時間を求めるものであり、
露光時間変更回路19は基準露光時間レジスタ41、オフセ
ットレジスタ42、乗算器43及び加算器44から構成されて
いる。また、この例では時間変更のオフセットデータＢ
が加算されるものとなっている。このオフセット値は基
準露光時間データT0の一部として扱っている。基準露光
時間データT0（オフセットデータＢも含む）は、描画に
先立ちレジスタ41,42に予め記憶される。描画時には、
パターン設計データで指定される露光時間変更データＡ
が乗算器43に入力され、この乗算器43により基準露光時
間データT0と露光時間変更データＡとが乗算され、さら
にオフセットレジスタ42の内容が加算器44により加算さ
れる。そして、加算出力（Ａ・T0＋Ｂ）が実際の露光時
間データとして前記ビーム制御回路18に送られる。な
お、オフセットレジスタ42及び加算器44は、装置性能上
必要がなければ省略してもよい。
ータＡを乗算して実際の露光時間を求めるものであり、
露光時間変更回路19は基準露光時間レジスタ41、オフセ
ットレジスタ42、乗算器43及び加算器44から構成されて
いる。また、この例では時間変更のオフセットデータＢ
が加算されるものとなっている。このオフセット値は基
準露光時間データT0の一部として扱っている。基準露光
時間データT0（オフセットデータＢも含む）は、描画に
先立ちレジスタ41,42に予め記憶される。描画時には、
パターン設計データで指定される露光時間変更データＡ
が乗算器43に入力され、この乗算器43により基準露光時
間データT0と露光時間変更データＡとが乗算され、さら
にオフセットレジスタ42の内容が加算器44により加算さ
れる。そして、加算出力（Ａ・T0＋Ｂ）が実際の露光時
間データとして前記ビーム制御回路18に送られる。な
お、オフセットレジスタ42及び加算器44は、装置性能上
必要がなければ省略してもよい。
次に、上記構成された電子ビーム装置を用いたパターン
描画方法について説明する。なお、露光時間の制御以外
は従来方法と同様であるので、ここでは特に露光時間の
制御方法について説明する。
描画方法について説明する。なお、露光時間の制御以外
は従来方法と同様であるので、ここでは特に露光時間の
制御方法について説明する。
パターン設計データには先に説明したように、各種デー
タx,y,W,H,Aが含まれており、露光時間変更データＡは
パターンの大きさ等の条件により予め決定されているも
のとする。まず、レジストのプロセス条件等に応じて、
計算機14に基準露光時間データT0をセットする。描画時
には、パターン設計データのうち露光時間変更データＡ
は、予め設定した基準露光時間データT0と共に露光時間
変更回路19に供給される。その他のパターンデータx,y,
W,Hはビーム制御回路18に供給される。
タx,y,W,H,Aが含まれており、露光時間変更データＡは
パターンの大きさ等の条件により予め決定されているも
のとする。まず、レジストのプロセス条件等に応じて、
計算機14に基準露光時間データT0をセットする。描画時
には、パターン設計データのうち露光時間変更データＡ
は、予め設定した基準露光時間データT0と共に露光時間
変更回路19に供給される。その他のパターンデータx,y,
W,Hはビーム制御回路18に供給される。
露光時間変更回路19では、前記第３図に示す構成とした
場合、基準露光時間データT0及び露光時間変更データＡ
に基づいて、これらを加算して実際の露光時間データ
（T0＋Ａ）が演算される。そして、このデータ（T0＋
Ａ）がビーム制御回路18に供給される。ビーム制御回路
18では、上記入力したデータ（T0＋ａ）及び計算機13か
ら入力したデータx,y,W,H等に基づいて、ビームの偏向
信号及びブランキング信号が発生される。これにより、
電子ビームの形状，位置及び露光時間等が制御され、近
接効果による影響の少ない状態で、試料12上に所望のパ
ターンが描画されることになる。
場合、基準露光時間データT0及び露光時間変更データＡ
に基づいて、これらを加算して実際の露光時間データ
（T0＋Ａ）が演算される。そして、このデータ（T0＋
Ａ）がビーム制御回路18に供給される。ビーム制御回路
18では、上記入力したデータ（T0＋ａ）及び計算機13か
ら入力したデータx,y,W,H等に基づいて、ビームの偏向
信号及びブランキング信号が発生される。これにより、
電子ビームの形状，位置及び露光時間等が制御され、近
接効果による影響の少ない状態で、試料12上に所望のパ
ターンが描画されることになる。
ここで、レジストの現像プロセス条件等が変更された場
合、前記基準露光時間データT0再設定する。この場合、
実際の露光時間は、上述した露光時間変更回路19におけ
る演算処理により自動的に求められ、変更された露光時
間データが露光時間変更回路19からビーム制御回路18に
供給される。そして、ビーム制御回路18では、露光時間
を変更して上記と同様にしてパターンを描画することに
なる。
合、前記基準露光時間データT0再設定する。この場合、
実際の露光時間は、上述した露光時間変更回路19におけ
る演算処理により自動的に求められ、変更された露光時
間データが露光時間変更回路19からビーム制御回路18に
供給される。そして、ビーム制御回路18では、露光時間
を変更して上記と同様にしてパターンを描画することに
なる。
このように本実施例方法によれば、パターン設計データ
としては基準露光時間T0からの変更量（露光時間変更デ
ータＡ）を指定するものとしておき、基準露光時間デー
タT0をパターン設計データとは別に設定しておくことに
より、各パターン毎の実際の露光時間を露光時間変更回
路19により演算処理して求めることができる。そしてこ
の場合、レジストのプロセス条件等の変更により露光時
間を変更する必要が生じた場合、基準露光時間T0を再設
定するのみで良く、近接効果補正の計算をやり直して別
のパターン設計データを作成する必要はない。このた
め、露光時間の可変制御を簡易に行うことができ、近接
効果の補正を効果的に行うことができる。
としては基準露光時間T0からの変更量（露光時間変更デ
ータＡ）を指定するものとしておき、基準露光時間デー
タT0をパターン設計データとは別に設定しておくことに
より、各パターン毎の実際の露光時間を露光時間変更回
路19により演算処理して求めることができる。そしてこ
の場合、レジストのプロセス条件等の変更により露光時
間を変更する必要が生じた場合、基準露光時間T0を再設
定するのみで良く、近接効果補正の計算をやり直して別
のパターン設計データを作成する必要はない。このた
め、露光時間の可変制御を簡易に行うことができ、近接
効果の補正を効果的に行うことができる。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記実際の露光時間を求める演算処理
は、（T0＋Ａ），（Ａ・T0），（Ａ・T0＋Ｂ）等に限る
ものではなく、レジストの現像プロセス条件等により露
光時間が最適となるように決定すればよい。さらに、露
光時間変更回路の構成は、上記定めた演算処理に応じて
適宜変更可能である。また、露光装置の構成は第１図に
何等限定されるものではなく、可変成形ビーム方式の電
子ビーム描画装置であれば各種の装置に適用することが
できる。さらに、電子ビーム描画方法に限らず、イオン
ビームを用いて所望パターンを描画するイオンビーム描
画装置に適用することも可能である。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
はない。例えば、前記実際の露光時間を求める演算処理
は、（T0＋Ａ），（Ａ・T0），（Ａ・T0＋Ｂ）等に限る
ものではなく、レジストの現像プロセス条件等により露
光時間が最適となるように決定すればよい。さらに、露
光時間変更回路の構成は、上記定めた演算処理に応じて
適宜変更可能である。また、露光装置の構成は第１図に
何等限定されるものではなく、可変成形ビーム方式の電
子ビーム描画装置であれば各種の装置に適用することが
できる。さらに、電子ビーム描画方法に限らず、イオン
ビームを用いて所望パターンを描画するイオンビーム描
画装置に適用することも可能である。その他、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図は上記実施例に用いた
パターン設計データの例を示す模式図、第３図及び第４
図はそれぞれ露光時間変更回路の具体的構成を示すブロ
ック図である。 10……電子光学鏡筒、11……試料室、12……試料、13…
…試料ステージ、14……計算機、15……インターフェー
ス、16……ステージ駆動回路、17……位置測定回路、18
……ビーム制御回路、19……露光時間変更回路、31,41,
42……レジスタ、32,44……加算器、43……乗算器。
画装置を示す概略構成図、第２図は上記実施例に用いた
パターン設計データの例を示す模式図、第３図及び第４
図はそれぞれ露光時間変更回路の具体的構成を示すブロ
ック図である。 10……電子光学鏡筒、11……試料室、12……試料、13…
…試料ステージ、14……計算機、15……インターフェー
ス、16……ステージ駆動回路、17……位置測定回路、18
……ビーム制御回路、19……露光時間変更回路、31,41,
42……レジスタ、32,44……加算器、43……乗算器。
Claims (3)
- 【請求項１】可変形成ビームの試料上に位置，形状及び
露光時間を制御して試料上に所望パターンを抽画する荷
電ビーム抽画方法において、可変設定可能な基準露光時
間データを予め設定し、且つパターン設計データには上
記基準露光時間に対する変更量を表わす露光時間変更デ
ータを含ませておき、前記露光時間の制御として、上記
基準露光時間データに対しパターン設計データで指定さ
れる露光時間変更データを用いて実際の露光時間を演算
し、この演算結果を用いて実際の露光時間を制御し、プ
ロセス条件が変更した場合には、前記基準露光時間デー
タを前記プロセス条件に対応した基準露光時間データに
変更して、新たに実際の露光時間を演算し、この新たな
演算結果を用いて実際の露光時間を制御することを特徴
とする荷電ビーム抽画方法。 - 【請求項２】実際の露光時間を演算する手段として、前
記基準露光時間データに対し、前記パターン設計データ
で指定される露光時間変換データを加算或いは減算する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の荷電ビー
ム抽画方法。 - 【請求項３】実際の露光時間を演算する手段として、前
記基準露光時間データに対し、前記パターン設計データ
で指定される露光時間変換データを露光時間の加減比率
として乗算することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の荷電ビーム抽画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265507A JPH0673343B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60265507A JPH0673343B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125617A JPS62125617A (ja) | 1987-06-06 |
| JPH0673343B2 true JPH0673343B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=17418122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60265507A Expired - Lifetime JPH0673343B2 (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673343B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105331B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1995-11-13 | シャープ株式会社 | ホログラム光学素子の製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567136A (en) * | 1978-11-14 | 1980-05-21 | Fujitsu Ltd | Method and device for controlling electron beam |
| JPS5721822A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-04 | Jeol Ltd | Exposing method for electron beam |
| JPS60134419A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-17 | Jeol Ltd | 荷電粒子線露光装置 |
| JPS60198817A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光方法 |
| JPS6231119A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP60265507A patent/JPH0673343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62125617A (ja) | 1987-06-06 |
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