JPH0358191B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0358191B2 JPH0358191B2 JP56017926A JP1792681A JPH0358191B2 JP H0358191 B2 JPH0358191 B2 JP H0358191B2 JP 56017926 A JP56017926 A JP 56017926A JP 1792681 A JP1792681 A JP 1792681A JP H0358191 B2 JPH0358191 B2 JP H0358191B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- layer
- semi
- insulating substrate
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザ装置の改良に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to improvements in semiconductor laser devices.
半導体レーザ装置として、従来、半導体レーザ
がそれを駆動するための駆動用トランジスタに直
列関係に連結されている、という構成のものが提
案されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor laser devices have been proposed in which a semiconductor laser is connected in series to a driving transistor for driving the semiconductor laser.
しかしながら、この場合、駆動用トランジスタ
として、その全ての電極層が、半導体層ないし半
導体基板に、その上方のみより連結されてなる構
成を有してなるものが存するとしても、また半導
体レーザとして、その対の電極層が、半導体層な
いし半導体基板に、その上方及び下方より各別に
連結されてなる構成を有しているものが存すると
しても、半導体レーザとして、その対の電極層
が、半導体層ないし半導体基板に、その上方のみ
より連結されてなる構成のものが存せず、このた
め、半導体レーザが駆動用トランジスタに直列関
係に連結されてなる構成を、半導体レーザ及び駆
動用トランジスタに共通な半絶縁性基板を用いて
いわゆるモノリシツクに小型密実に構成し得な
い、という欠点を有していた。 However, in this case, even if there is a driving transistor having a structure in which all of its electrode layers are connected to a semiconductor layer or a semiconductor substrate only from above, it also cannot be used as a semiconductor laser. Even if there is a structure in which the paired electrode layer is connected to the semiconductor layer or the semiconductor substrate separately from above and below, as a semiconductor laser, the paired electrode layer is connected to the semiconductor layer or the semiconductor substrate separately from above and below. There is no structure in which a semiconductor laser is connected only from above, and therefore, a structure in which a semiconductor laser is connected in series with a driving transistor is used as a semiconductor substrate that is common to both the semiconductor laser and the driving transistor. It has the disadvantage that it cannot be constructed monolithically in a small and dense manner using an insulating substrate.
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
な半導体レーザ装置を提案せんとするもので、以
下詳述するところより明らかとなるであろう。 Therefore, the present invention aims to propose a novel semiconductor laser device free from the above-mentioned drawbacks, which will become clear from the detailed description below.
第１図は、本発明による半導体レーザ装置の一
例を示し、面部ａと、それより斜め上方に延長し
ている面部ｂと、それより面部ａ側とは反対側に
面部ａとほぼ平行に延長せる面部ｃとを有する主
面１を有する例えばFeのドープされたInPでなる
半絶縁性半導体基板２を有し、しかして、その半
絶縁性基板２の面部ａ上に、半導体レーザ３が形
成されている。 FIG. 1 shows an example of a semiconductor laser device according to the present invention, in which a surface portion a, a surface portion b extending diagonally upward from the surface portion a, and a surface portion b extending substantially parallel to the surface portion a on the opposite side to the surface portion a side. It has a semi-insulating semiconductor substrate 2 made of, for example, InP doped with Fe, and has a main surface 1 having a surface portion c that is flat, and a semiconductor laser 3 is formed on the surface portion a of the semi-insulating substrate 2. has been done.
この場合、半導体レーザ３は、半絶縁性基板２
の面部ａ上に半絶縁性基板２の面部ｂと連接して
形成され且つ例えばInPでなる例えばＮ型の半導
体クラツド層４と、その半導体クラツド層４上に
半絶縁性基板２の面部ｂ側の領域において面部ｂ
と連接して形成され且つ例えばInGaAsP系でな
るＮ型またはＰ型（ただし、図においては、Ｎ型
であるとして示されている）のストライプ状（そ
の延長方向は紙面と垂直方向）の半導体活性層５
と、その半導体活性層５上に半絶縁性基板２の面
部ｂと連接して形成され且つ例えばInPでなるＰ
型の半導体クラツド層６とを有し、一方、半導体
クラツド層４に、その上に半導体活性層５を形成
していない領域において、上方より、例えば金属
でなる電極層７がオーミツクに連結され、また、
半導体クラツド層６に、上方より、同様に例えば
金属でなる電極層８がオーミツクに連結されてな
る構成を有する。 In this case, the semiconductor laser 3 is connected to the semi-insulating substrate 2.
For example, an N-type semiconductor cladding layer 4 formed on the surface a of the semi-insulating substrate 2 in connection with the surface b of the semi-insulating substrate 2 and made of, for example, InP; In the area of surface part b
N-type or P-type (however, N-type is shown in the figure) striped (extending direction is perpendicular to the plane of the paper) semiconductor active material formed in connection with the semiconductor and made of, for example, InGaAsP. layer 5
and a P layer formed on the semiconductor active layer 5 in connection with the surface b of the semi-insulating substrate 2 and made of, for example, InP.
On the other hand, an electrode layer 7 made of, for example, a metal is ohmicly connected to the semiconductor clad layer 4 from above in a region on which the semiconductor active layer 5 is not formed. Also,
It has a structure in which an electrode layer 8 made of metal, for example, is ohmicly connected to the semiconductor cladding layer 6 from above.
実際上、上述した構成は、図示詳細説明は省略
するが、面部ｃとなる主面を有する半絶縁性基板
２となる半絶縁性基板の主面上に、SiO2、
Al2O3、Si3N4等でなる第１のマスク層を形成し、
次に、そのマスク層をマスクとした半絶縁性基板
に対する選択的エツチング処理により、面部ａ，
ｂ及びｃを有する主面１を有する半絶縁性基板２
を形成し、次に、第１のマスク層を残した状態
で、液相または気相もしくは分子線エピタキシヤ
ル成長法等によつて、半絶縁性基板２の面部ａ上
に、順次半導体クラツド層４、半導体活性層５と
なる半導体活性層及び半導体クラツド層６となる
半導体クラツド層を形成し、次に、マスク層を半
絶縁性基板２上より除去し、次に、半導体クラツ
ド層上に電極層８となる電極層を形成し、次に、
その電極層上に第２のマスク層を形成し、次に、
第２のマスク層をマスクとした電極層、半導体
層、半導体クラツド層及び半導体活性層に対する
エツチング処理により、半導体活性層５、半導体
クラツド層６及び電極層８を形成し、しかる後、
いわゆるリフトオフ法を用いて、半導体クラツド
層４上に電極層７を形成することにより得ること
ができる。 In fact, in the above-mentioned configuration, although illustration and detailed description are omitted, SiO 2 ,
forming a first mask layer made of Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , etc.;
Next, by selectively etching the semi-insulating substrate using the mask layer as a mask, surface portions a,
a semi-insulating substrate 2 having a main surface 1 having b and c;
Next, with the first mask layer remaining, a semiconductor cladding layer is sequentially formed on surface portion a of the semi-insulating substrate 2 by liquid phase, vapor phase, molecular beam epitaxial growth, etc. 4. Form a semiconductor active layer to become the semiconductor active layer 5 and a semiconductor cladding layer to become the semiconductor cladding layer 6, then remove the mask layer from the semi-insulating substrate 2, and then form an electrode on the semiconductor cladding layer. Form an electrode layer to become layer 8, and then:
forming a second mask layer on the electrode layer, then
A semiconductor active layer 5, a semiconductor cladding layer 6, and an electrode layer 8 are formed by etching the electrode layer, semiconductor layer, semiconductor cladding layer, and semiconductor active layer using the second mask layer as a mask, and then,
This can be obtained by forming the electrode layer 7 on the semiconductor cladding layer 4 using a so-called lift-off method.
以上で、本発明による半導体レーザ装置の一例
構成が明らかとなつた。 As described above, one example of the configuration of a semiconductor laser device according to the present invention has been clarified.
このような構成を有する半導体レーザ装置によ
れば、その半導体レーザ３の電極層７及び８間に
電極層８側を正とする所要の電源を接続すること
により、半導体活性層５に、電極層８側より、半
導体クラツド層６−半導体活性層５−半導体クラ
ツド層４を通つて電極層７側に至る電流が流れ、
これに基き、半導体活性層５に発光が得られ、こ
れが半導体活性層５を半導体クラツド層４及び６
にて閉込められて、紙面と垂直方向に伝播し、そ
して、紙面と平行なフアブリペロー反射面を形成
せる端面（図示せず）で反射し、これにより、レ
ーザ発振が得られ、よつて、レーザ光が、端面よ
り、外部に出射するという機構で、半導体レーザ
３より、レーザ光が得られるものである。 According to the semiconductor laser device having such a configuration, by connecting a required power source with the positive electrode layer 8 side between the electrode layers 7 and 8 of the semiconductor laser 3, the electrode layer 5 is connected to the semiconductor active layer 5. A current flows from the 8 side through the semiconductor cladding layer 6 - the semiconductor active layer 5 - the semiconductor cladding layer 4 to the electrode layer 7 side,
Based on this, light emission is obtained in the semiconductor active layer 5, which causes the semiconductor active layer 5 to pass through the semiconductor cladding layers 4 and 6.
is confined by the paper, propagates in a direction perpendicular to the plane of the paper, and is reflected at an end face (not shown) forming a Fabry-Perot reflective surface parallel to the plane of the paper, thereby obtaining laser oscillation. It is a mechanism in which light is emitted to the outside from the end face, and laser light is obtained from the semiconductor laser 3.
ところで、この場合、半導体レーザとしてのそ
の対の電極層７及び８が、半絶縁性基板２の上方
のみより、半導体クラツド層４及び６に連結され
ている構成を有するので、後述するところより明
らかとなるが、その半導体レーザ３と、それと直
列関係に連結された半導体レーザ３を駆動するた
めの駆動用トランジスタとを有する構成を、駆動
用トランジスタを半導体レーザ３を形成している
半絶縁性基板２の面部Ｃ上を利用してその面部Ｃ
上に形成した電極層８を利用して、いわゆるモノ
シリツクに、小型密実に、容易に構成し得る、と
いう大なる特徴を有する。 Incidentally, in this case, since the pair of electrode layers 7 and 8 as a semiconductor laser is connected to the semiconductor cladding layers 4 and 6 only from above the semi-insulating substrate 2, it will be clear from what will be described later. However, a configuration including the semiconductor laser 3 and a driving transistor for driving the semiconductor laser 3 connected in series with the semiconductor laser 3 is constructed using a semi-insulating substrate forming the semiconductor laser 3. Using the surface part C of 2, move the surface part C.
It has a great feature that it can be easily constructed into a so-called monolithic structure using the electrode layer 8 formed thereon in a compact and dense manner.
また、第１図に示す本発明による半導体レーザ
装置の場合、半導体活性層５が、半導体クラツド
層４上に、半絶縁性基板２の面部ｂ側の領域にお
いて局部的に形成されている構成を有するので、
そのストライプの幅を所望に応じ狭くすることが
できるので発光幅の十分小さなレーザ発光を得る
ことができ、また、半導体活性層５の幅方向の両
端がそれぞれ半絶縁性基板２の面部ｂに接してい
るので、半導体活性層５に流れる電流に漏れを実
質的に生ぜしめなくすることができ、さらに、半
導体活性層５の幅方向の一端は空気に接している
が、他端が空気に比し大なる屈折率を有する半絶
縁性基板２に接しているので、レーザ発光が半導
体活性層５の半絶縁性基板２の面部ｂ側において
面部ｂ側とは反対側よりも高い出力で得られ、従
つて、レーザ発光が、半導体活性層５の両端が空
気に接している場合よりも高い出力で得られ、よ
つて、レーザ発光が効率良く得られる特徴を有す
る。 Further, in the case of the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIG. 1, the semiconductor active layer 5 is locally formed on the semiconductor cladding layer 4 in a region on the side b of the semi-insulating substrate 2. Since we have
Since the width of the stripe can be narrowed as desired, laser light emission with a sufficiently small emission width can be obtained, and both ends of the semiconductor active layer 5 in the width direction are in contact with the surface b of the semi-insulating substrate 2. Therefore, leakage can be substantially prevented from occurring in the current flowing through the semiconductor active layer 5. Furthermore, although one end of the semiconductor active layer 5 in the width direction is in contact with air, the other end is in contact with the air. Since the semiconductor active layer 5 is in contact with the semi-insulating substrate 2 having a large refractive index, the laser emission can be obtained at a higher output on the surface b side of the semi-insulating substrate 2 of the semiconductor active layer 5 than on the side opposite to the surface b side. Therefore, laser emission can be obtained at a higher output than when both ends of the semiconductor active layer 5 are in contact with air, and therefore, laser emission can be obtained efficiently.
さらに、上述した優れた作用効果が得られる。
半導体レーザ３を、半絶縁性基板２の面部ａの上
に、半導体クラツド層４、半導体活性層５になる
半導体層及び半導体クラツド層６になる半導体層
を順次積層して形成し、次に、半導体活性層５に
なる半導体層及び半導体クラツド層６になる半導
体層から、それに対するエツチング処理を施すこ
とによつて、半導体活性層５及び半導体クラツド
層６を形成し、次に、電極層８を形成するだけ
で、製造することができ、従つて、半導体活性層
５になる半導体層を形成して後、半導体クラツド
層６になる半導体層を形成する前に、幅狭の半導
体活性層５を得るための拡散処理を、半導体活性
層５になる半導体層に対し施す必要なしに、容易
に半導体レーザ３を製造することができる。 Furthermore, the excellent effects described above can be obtained.
The semiconductor laser 3 is formed by sequentially stacking a semiconductor cladding layer 4, a semiconductor layer to become the semiconductor active layer 5, and a semiconductor layer to become the semiconductor cladding layer 6 on the surface part a of the semi-insulating substrate 2, and then: The semiconductor layer that will become the semiconductor active layer 5 and the semiconductor layer that will become the semiconductor cladding layer 6 are etched to form the semiconductor active layer 5 and the semiconductor cladding layer 6, and then the electrode layer 8 is formed. Therefore, after forming the semiconductor layer that will become the semiconductor active layer 5 and before forming the semiconductor layer that will become the semiconductor cladding layer 6, the narrow semiconductor active layer 5 is formed. The semiconductor laser 3 can be easily manufactured without the need to perform a diffusion process on the semiconductor layer that will become the semiconductor active layer 5 to obtain the semiconductor active layer 5.
次に、第２図を伴つて本発明による半導体レー
ザ装置の他の例を述べよう。 Next, another example of the semiconductor laser device according to the present invention will be described with reference to FIG.
第２図において、第１図との対応部分には同一
符号を付して詳細説明を省略する。 In FIG. 2, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
第２図に示す本発明による半導体レーザ装置
は、半絶縁性基板２の面部ａ上に、第１図で上述
した半導体レーザ３が形成され、ただし、電極層
８が半絶縁性基板２の面部ｃ上に僅かに延長し、
また、半絶縁性基板２の面部ｃ上に、半導体レー
ザ３を駆動するための駆動用トランジスタ１１が
形成されている。 In the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIG. 2, the semiconductor laser 3 described above in FIG. 1 is formed on the surface a of the semi-insulating substrate 2, but the electrode layer 8 is slightly extended onto c;
Further, on the surface c of the semi-insulating substrate 2, a driving transistor 11 for driving the semiconductor laser 3 is formed.
この場合、駆動用トランジスタ１１は、半絶縁
性基板２の面部ｃ上にエピタキシヤル成長法によ
つて形成され且つ例えばInPでなる例えばＮ型の
半導体層１２を有し、そしてその半導体層１２を
用いて次のように構成されている。 In this case, the driving transistor 11 is formed by epitaxial growth on the surface c of the semi-insulating substrate 2 and has an N-type semiconductor layer 12 made of, for example, InP. It is constructed as follows.
すなわち、半導体層１２上に、例えばInPでな
るN+型の半導体層１３及び１４が形成され、ま
た、半導体層１２内に、その上方より、半導体層
１３及び１４間の領域において、Ｐ型半導体領域
１５が形成され、一方、半導体層１３及び半導体
領域１５に、それぞれ電極層１６及び１７がオー
ミツクに連結され、また、半導体層１４及び半導
体レーザ３の電極層８に、それらに共通の電極層
１８がオーミツクに連結されている構成を有す
る。 That is, N + -type semiconductor layers 13 and 14 made of, for example, InP are formed on the semiconductor layer 12, and a P-type semiconductor is formed in the semiconductor layer 12 from above in a region between the semiconductor layers 13 and 14. A region 15 is formed, and electrode layers 16 and 17 are ohmicly connected to the semiconductor layer 13 and the semiconductor region 15, respectively, and an electrode layer common to the semiconductor layer 14 and the electrode layer 8 of the semiconductor laser 3 is formed. 18 is connected to the ohmic.
以上が、本発明による半導体レーザ装置の他の
例の構成である。 The above is the configuration of another example of the semiconductor laser device according to the present invention.
このような構成を有する本発明による半導体レ
ーザ装置によれば、その駆動用トランジスタ１１
が、半導体層１３及び１４をそれぞれドレイン領
域及びソース領域、電極層１６及び１８をそれぞ
れドレイン用電極及びソース用電極、電極層１７
をゲート電極としているPN接合（半導体層１２
及び半導体領域１５のPN接合）型の電界効果ト
ランジスタ構成を有し、しかして、そのトランジ
スタ１１が電極層８を介して半導体レーザ３と直
列関係に連結されている構成を有することは明ら
かである。 According to the semiconductor laser device according to the present invention having such a configuration, the driving transistor 11
However, the semiconductor layers 13 and 14 are respectively drain regions and source regions, the electrode layers 16 and 18 are respectively drain electrodes and source electrodes, and the electrode layer 17 is
PN junction (semiconductor layer 12
It is clear that the transistor 11 has a field effect transistor structure of the type PN junction of the semiconductor region 15 and the semiconductor region 15, and that the transistor 11 is connected in series with the semiconductor laser 3 via the electrode layer 8. .
よつてトランジスタ１１の電極層１６及び半導
体レーザ３の電極層７間に、所要の電源を接続し
ている状態で、トリジスタ１１の電極層１６及び
１７間に駆動制御源を接続することにより、半導
体レーザ３の半導体活性層５に流れる電流を、ト
ランジスタ１１によつて駆動制御し得、よつて、
半導体レーザ３を、駆動用トランジスタ１１によ
つて駆動制御し得るものである。 Therefore, by connecting a drive control source between the electrode layers 16 and 17 of the tri-transistor 11 while a required power source is connected between the electrode layer 16 of the transistor 11 and the electrode layer 7 of the semiconductor laser 3, the semiconductor The current flowing through the semiconductor active layer 5 of the laser 3 can be driven and controlled by the transistor 11, and therefore,
The semiconductor laser 3 can be driven and controlled by the driving transistor 11.
従つて、第２図に示す本発明による半導体レー
ザ装置の場合、半導体レーザがそれを駆動するた
めの駆動用トランジスタに直列関係に連結されて
なる構成を有するが、この場合、半導体レーザ３
駆動用トランジスタ１１が、それらに共通の半絶
縁性基板２を用いて半絶縁性基板２上にいわゆる
モノリシツクに構成されている構成を有するので
半導体レーザが駆動用トランジスタに直列関係に
連結されてなる構成が、小型密実に構成されてい
るという大なる特徴を、半導体レーザ３が有する
第１図で上述した特徴とともに有する。 Therefore, the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIG. 2 has a configuration in which a semiconductor laser is connected in series to a driving transistor for driving the semiconductor laser.
Since the driving transistor 11 has a so-called monolithic configuration on the semi-insulating substrate 2 using a common semi-insulating substrate 2, the semiconductor laser is connected to the driving transistor in series. The semiconductor laser 3 has the great feature of being compact and compact, as well as the features described above in FIG. 1 that the semiconductor laser 3 has.
次に、第３図を伴つて本発明による半導体レー
ザ装置のさらに他の例を述べよう。 Next, another example of the semiconductor laser device according to the present invention will be described with reference to FIG.
第３図において、第２図との対応部分には同一
符号を付して詳細説明を省略する。 In FIG. 3, parts corresponding to those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
第３図に示す本発明による半導体レーザ装置
は、第２図で上述した構成において、その半導体
クラツド層４及び６が、それぞれＮ型及びＰ型よ
り、Ｐ型及びＮ型に代えらえ、また、電極層８及
び１８が省略され、しかしながら、駆動用トラン
ジスタ１１を構成している半導体層１２が、その
上に形成されている半導体層１４とともにクラツ
ド層６上まで、電極層８に代る電極層を兼ねるも
のとして、連続延長していることを除いて、第２
図の場合と同様の構成を有する。 In the semiconductor laser device according to the present invention shown in FIG. 3, in the configuration described above in FIG. , the electrode layers 8 and 18 are omitted; however, the semiconductor layer 12 constituting the driving transistor 11, together with the semiconductor layer 14 formed thereon, extends over the cladding layer 6 as an electrode in place of the electrode layer 8. The second layer also serves as a layer, except that it is continuously extended.
It has the same configuration as the case shown in the figure.
以上が、本発明による半導体レーザ装置の他の
例の構成である。 The above is the configuration of another example of the semiconductor laser device according to the present invention.
このような構成を有する本発明による半導体レ
ーザ装置によれば、それが上述した事項を除い
て、第２図の場合と同様の構成を有するので、詳
細説明は省略するが、第２図の場合と同様の特徴
を有する。 According to the semiconductor laser device according to the present invention having such a configuration, it has the same configuration as the case in FIG. 2 except for the above-mentioned matters. It has similar characteristics.
なお、上述においては、駆動用トランジスタ１
１がPN接合型電界効果トランジスタを構成して
いる場合の例を述べたが、詳細説明は省略する
が、第４図に示すように、第３図で上述した構成
において、その半導体領域１５を省略し、しかし
ながら、電極層１７を、半導体層１２に、シヨツ
トキ接合を形成するように付し、シヨツトキ接合
型電界効果トランジスタを構成しているものとす
ることもできる。また、第５図に示すように、第
３図で上述した構成において、その半導体層１３
及び１４を省略し、しかして、電極層１６を半導
体層１２にオーム接触せしめ、また、半導体領域
１５を半導体層１２の全厚さにわたつて延長せし
め、さらに、電極層１７を絶縁層２１を介して半
導体領域１５上に配し、MIS型電界効果トランジ
スタを構成しているものとすることもできる。 Note that in the above description, the driving transistor 1
Although the detailed explanation is omitted, as shown in FIG. 4, in the configuration described above in FIG. 3, the semiconductor region 15 is However, the electrode layer 17 may be attached to the semiconductor layer 12 so as to form a Schottky junction, thereby configuring a Schottky junction field effect transistor. Further, as shown in FIG. 5, in the configuration described above in FIG. 3, the semiconductor layer 13
and 14 are omitted, thus bringing the electrode layer 16 into ohmic contact with the semiconductor layer 12, extending the semiconductor region 15 over the entire thickness of the semiconductor layer 12, and further bringing the electrode layer 17 into contact with the insulating layer 21. It is also possible to arrange it on the semiconductor region 15 via the MIS type field effect transistor.
さらに、第６図に示すように、第３図で上述し
た構成において、その半導体層１３及び１４を省
略し、しかして、半導体領域１５内に上方よりＮ
型半導体領域２２を形成し、電極層１６を半導体
領域２２にオーム接触せしめ、半導体層１２、半
導体領域１５及び２２をそれぞれコレクタ領域、
ベース領域及びエミツタ領域としているバイポー
ラ型トランジスタを構成しているものとすること
もできる。 Furthermore, as shown in FIG. 6, in the structure described above in FIG.
A type semiconductor region 22 is formed, the electrode layer 16 is brought into ohmic contact with the semiconductor region 22, and the semiconductor layer 12, the semiconductor regions 15 and 22 are connected to a collector region, respectively.
A bipolar transistor having a base region and an emitter region may also be configured.
また、上述においては、金属でなる電極層７及
び８を、半導体クラツド層４及び６に直接連結し
ている例を述べたが、半導体クラツド層４及び６
とそれぞれ同じ、導電型を有する半導体層をそれ
ぞれ介して、半導体クラツド層４及び６に、連結
することもでき、また、半絶縁性基板２を絶縁基
板とすることもでき、さらに、上述においてＮ型
をＰ型、Ｐ型をＮ型に読み替えた構成とすること
もでき、その他、本発明の精神を脱することなし
に、種々の変型、変更をなし得るであろう。 Further, in the above description, an example has been described in which the electrode layers 7 and 8 made of metal are directly connected to the semiconductor clad layers 4 and 6.
The semi-insulating substrate 2 may be an insulating substrate, and the semi-insulating substrate 2 may be an insulating substrate. It is also possible to have a configuration in which the type is changed to P type and P type to N type, and various other modifications and changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
第１図は、本発明による半導体レーザ装置の一
例を示す略線的断面図である。
第２図、第３図、第４図、第５図及び第６図
は、それぞれ本発明による半導体レーザ装置の他
の例を示す略線的断面図である。
１……主面、ａ，ｂ，ｃ……面部、２……半絶
縁性基板、３……半導体レーザ、４，６……半導
体クラツド層、５……半導体活性層、７，８，１
６，１７，１８……電極層、１１……駆動用トラ
ンジスタ、１２，１３，１４……半導体層、１
５，２２……半導体領域、２１……絶縁層。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor laser device according to the present invention. FIG. 2, FIG. 3, FIG. 4, FIG. 5, and FIG. 6 are schematic cross-sectional views showing other examples of the semiconductor laser device according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Principal surface, a, b, c... Surface part, 2... Semi-insulating substrate, 3... Semiconductor laser, 4, 6... Semiconductor clad layer, 5... Semiconductor active layer, 7, 8, 1
6, 17, 18... Electrode layer, 11... Drive transistor, 12, 13, 14... Semiconductor layer, 1
5, 22...Semiconductor region, 21...Insulating layer.
Claims (1)
している第２の面部と、該第２の面部より上記第
１の面部をほぼ平行に延長している第３の面部と
を有する主面を有する半絶縁性基板を有し、 該半絶縁性基板の上記第１の面部上に、半導体
レーザが形成され、 該半導体レーザは、上記半絶縁性基板の第１の
面部上に上記半絶縁性基板の第２の面部と連接し
て形成された第１の電導型を有する第１の半導体
クラツド層と、該第１の半導体クラツド層上に上
記半絶縁性基板の第２の面部側の領域において局
部的に且つ上記第２の面部と連接して形成された
第１の電導型またはそれとは逆の第２の電導型を
有する半導体活性層と、該半導体活性層上に上記
半絶縁性基板の第３の面部とほぼ同じ上面を有す
るように上記半絶縁性基板の第２の面部と連接し
て形成された第２の電導型を有する第２の半導体
クラツド層とを有し、 上記第１の半導体クラツド層に第１の電導型を
有する半導体層を介してまたは介することなし
に、上方より、第１の電極層が連結され、 上記第２の半導体クラツド層に、上方より、上
記半絶縁性基板の上記第３の面部上に延長してい
る第２の電極層または第２の電導型を有する半導
体層が連結されている事を特徴とする半導体レー
ザー装置。 ２ 第１の面部と、該第１の面部より上方に延長
している第２の面部と、該第２の面部より上記第
１の面部とほぼ平行に延長している第３の面部と
を有する主面を有する半絶縁性基板を有し、 該半絶縁性基板の上記第１の面部上に、半導体
レーザが形成され、 上記半絶縁性基板の上記第３の面部上に、駆動
用トランジスタが形成され、 上記半導体レーザは、上記半絶縁性基板の第１
の面部上に上記半絶縁性基板の第２の面部と連接
して形成された第１の電導型を有する第１の半導
体クラツド層と、該第１の半導体クラツド層上に
上記半絶縁性基板の第２の面部側の領域において
局部的に且つ上記第２の面部と連接して形成され
た第１の導電型またはそれとは逆の第２の導電型
を有する半導体活性層と、該半導体活性層上に上
記半絶縁性基板の第３の面部とほぼ同じ上面を有
するように上記半絶縁性基板の第２の面部と連接
して形成された第２の導電型を有する第２の半導
体クラツド層とを有し、 上記第１の半導体クラツド層に、第１の導電型
を有する半導体層を介してまたは介することなし
に、上方より、第１の電極層が連結され、 上記第２の半導体クラツド層に、上方より、上
記半絶縁性基板の上記第３の面部上に延長してい
る第２の電極層または第２の導電型を有する第１
の半導体層が連結され、 上記駆動用トランジスタが、上記第１の半導体
層または上記半絶縁性基板の第３の面部上に形成
された半導体層を用いて構成され、 上記半導体レーザが、上記第２の電極層または
上記第１もしくは第２の半導体層を介して上記駆
動用トランジスタに直列関係に連結されている事
を特徴とする半導体レーザ装置。[Claims] 1. A first surface, a second surface extending upward from the first surface, and the first surface extending substantially parallel to the second surface. a semi-insulating substrate having a main surface having a third surface; a semiconductor laser is formed on the first surface of the semi-insulating substrate; the semiconductor laser is formed on the first surface of the semi-insulating substrate; a first semiconductor cladding layer having a first conductivity type formed on the first surface so as to be connected to the second surface of the semi-insulating substrate; a semiconductor active layer having a first conductivity type or a second conductivity type opposite to the first conductivity type formed locally in a region on the second surface side of the sexual substrate and connected to the second surface; a second conductivity type having a second conductivity type formed on the semiconductor active layer so as to be connected to the second surface of the semi-insulating substrate so as to have substantially the same upper surface as the third surface of the semi-insulating substrate; a semiconductor cladding layer, a first electrode layer is connected to the first semiconductor cladding layer from above with or without a semiconductor layer having a first conductivity type; A second electrode layer or a semiconductor layer having a second conductivity type extending from above onto the third surface of the semi-insulating substrate is connected to the semiconductor cladding layer. Semiconductor laser equipment. 2. A first surface, a second surface extending upward from the first surface, and a third surface extending from the second surface substantially parallel to the first surface. a semiconductor laser is formed on the first surface of the semi-insulating substrate, and a driving transistor is formed on the third surface of the semi-insulating substrate. is formed, and the semiconductor laser includes a first semiconductor laser of the semi-insulating substrate.
a first semiconductor cladding layer having a first conductivity type formed on a surface of the semi-insulating substrate so as to be connected to the second surface of the semi-insulating substrate; a semiconductor active layer having a first conductivity type or a second conductivity type opposite to the first conductivity type formed locally in a region on the second surface side of the semiconductor active layer and connected to the second surface; a second semiconductor cladding having a second conductivity type formed on the layer so as to be connected to the second surface of the semi-insulating substrate so as to have an upper surface substantially the same as the third surface of the semi-insulating substrate; a first electrode layer is connected to the first semiconductor cladding layer from above with or without a semiconductor layer having a first conductivity type; A second electrode layer or a first electrode layer having a second conductivity type extending from above onto the third surface of the semi-insulating substrate on the cladding layer.
the semiconductor layers are connected to each other, the driving transistor is configured using the semiconductor layer formed on the first semiconductor layer or the third surface of the semi-insulating substrate, and the semiconductor laser is connected to the semiconductor layer A semiconductor laser device characterized in that the semiconductor laser device is connected in series to the driving transistor via the second electrode layer or the first or second semiconductor layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1792681A JPS57132387A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1792681A JPS57132387A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132387A JPS57132387A (en) | 1982-08-16 |
| JPH0358191B2 true JPH0358191B2 (en) | 1991-09-04 |
Family
ID=11957368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1792681A Granted JPS57132387A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57132387A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57198689A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| DE3728568A1 (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-16 | Telefunken Electronic Gmbh | SEMICONDUCTOR LASER ARRANGEMENT |
| DE102016125430A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Surface-mountable semiconductor laser, arrangement with such a semiconductor laser and operating method therefor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51138393A (en) * | 1975-05-26 | 1976-11-29 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emission device |
| JPS51138394A (en) * | 1975-05-26 | 1976-11-29 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS55117295A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor light emitting element and fabricating the same |
| JPS55126680U (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-08 |
-
1981
- 1981-02-09 JP JP1792681A patent/JPS57132387A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132387A (en) | 1982-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3242963B2 (en) | Laser diode / waveguide monolithic integrated device | |
| JP2928535B2 (en) | Integrated multiple quantum well photons and electronic devices | |
| JPS58501567A (en) | Semiconductor laser with conductive current mask | |
| US4280108A (en) | Transverse junction array laser | |
| US5781577A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0358191B2 (en) | ||
| US5100833A (en) | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate | |
| US5275968A (en) | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate | |
| US5194399A (en) | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate | |
| JPH05160506A (en) | Semiconductor laser and its manufacture | |
| JPS6126278A (en) | Photoelectronic ic | |
| JPS627186A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH084180B2 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| JPH0766993B2 (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| JPH0213943B2 (en) | ||
| JPH06326399A (en) | Semiconductor laser element and manufacture thereof | |
| JPH0783157B2 (en) | Semiconductor laser | |
| JPS62229892A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPH10209568A (en) | Manufacture of semiconductor optical device | |
| KR970054999A (en) | Manufacturing method of laser diode | |
| JPH03142985A (en) | Optical semiconductor device | |
| JPH02253683A (en) | Algaas laser | |
| JPS61194886A (en) | Semiconductor laser element | |
| JPS6261386A (en) | Semiconductor laser element | |
| JPH07106704A (en) | Semiconductor laser manufacturing method |