JPH0358193B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0358193B2 JPH0358193B2 JP57071546A JP7154682A JPH0358193B2 JP H0358193 B2 JPH0358193 B2 JP H0358193B2 JP 57071546 A JP57071546 A JP 57071546A JP 7154682 A JP7154682 A JP 7154682A JP H0358193 B2 JPH0358193 B2 JP H0358193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- aromatic polyimide
- aromatic
- solvent
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31721—Of polyimide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性、電気特性、器械特性が優れ
たポリイミド金属張板からなるフレキシブル配線
基板の製造方法に関するものである。
たポリイミド金属張板からなるフレキシブル配線
基板の製造方法に関するものである。
フレキシブル配線基板とは、可とう性を有する
印刷回路を製造するための基板であつて、近年に
おいて、電子回路などの簡略化、高密度化を主な
目的として多用されつつある。
印刷回路を製造するための基板であつて、近年に
おいて、電子回路などの簡略化、高密度化を主な
目的として多用されつつある。
このようなフレキシブル配線基板としては、従
来より主として銅箔に芳香族ポリイミドフイルム
を接着剤を用いて接着して製造した一般にポリイ
ミド銅張板と呼ばれる複合材料が用いられてい
る。しかしながら、この従来のポリイミド銅張板
には厚さ10〜30μmの接着剤層が設けられている
ため、少なくとも三層からなる積層体の形態とな
る。従つて、そのポリイミド銅張板の耐熱性、電
気特性、耐化学薬品性、機械特性などの諸特性
は、それらの諸特性について優れている芳香族ポ
リイミドの特性ではなく、接着剤層を構成する樹
脂の特性により規定される傾向になり、絶縁層と
して芳香族ポリイミドフイルムを用いたことによ
る利点が充分に生かされないとの問題があつた。
来より主として銅箔に芳香族ポリイミドフイルム
を接着剤を用いて接着して製造した一般にポリイ
ミド銅張板と呼ばれる複合材料が用いられてい
る。しかしながら、この従来のポリイミド銅張板
には厚さ10〜30μmの接着剤層が設けられている
ため、少なくとも三層からなる積層体の形態とな
る。従つて、そのポリイミド銅張板の耐熱性、電
気特性、耐化学薬品性、機械特性などの諸特性
は、それらの諸特性について優れている芳香族ポ
リイミドの特性ではなく、接着剤層を構成する樹
脂の特性により規定される傾向になり、絶縁層と
して芳香族ポリイミドフイルムを用いたことによ
る利点が充分に生かされないとの問題があつた。
従つて、接着剤層を用いずしてポリイミド銅張
板などのフレキシブル配線基板を製造する方法が
従来より検討されている。そのような方法の代表
例としては米国特許第3179634号に示されている
ような芳香族ポリアミツク酸(芳香族ポリアミド
酸とも呼ばれ、芳香族ポリイミドの前駆体であ
る)溶液を銅箔に直接塗布し、次いで加熱を行な
うことによりポリアミツク酸の縮合反応を銅箔上
で生起させて芳香族ポリイミドに変換し、ポリイ
ミド銅張板とする方法が知られている。しかし、
この方法は、ポリアミツク酸からポリイミドに変
換される際に上記のように縮合反応(脱水反応)
が発生するため、ポリアミツク酸塗布層からポリ
イミド層に変化する過程において無視できない体
積収縮が発生する。従つて、得られるポリイミド
銅張板には激しいカール(湾曲)が発生する傾向
があつた。このようなカールの発生はフレキシブ
ル配線基板としては重大な欠点であるため、上記
のポリアミツク酸を銅箔上に直接塗布し、イミド
化させてフレキシブル配線基板を製造するとの方
法は実際の製造工程に採用することが困難であつ
た。
板などのフレキシブル配線基板を製造する方法が
従来より検討されている。そのような方法の代表
例としては米国特許第3179634号に示されている
ような芳香族ポリアミツク酸(芳香族ポリアミド
酸とも呼ばれ、芳香族ポリイミドの前駆体であ
る)溶液を銅箔に直接塗布し、次いで加熱を行な
うことによりポリアミツク酸の縮合反応を銅箔上
で生起させて芳香族ポリイミドに変換し、ポリイ
ミド銅張板とする方法が知られている。しかし、
この方法は、ポリアミツク酸からポリイミドに変
換される際に上記のように縮合反応(脱水反応)
が発生するため、ポリアミツク酸塗布層からポリ
イミド層に変化する過程において無視できない体
積収縮が発生する。従つて、得られるポリイミド
銅張板には激しいカール(湾曲)が発生する傾向
があつた。このようなカールの発生はフレキシブ
ル配線基板としては重大な欠点であるため、上記
のポリアミツク酸を銅箔上に直接塗布し、イミド
化させてフレキシブル配線基板を製造するとの方
法は実際の製造工程に採用することが困難であつ
た。
一方、上記の製造法における欠点の改良を目的
とするフレキシブル配線基板の製造法も提案され
ている。すなわち、特開昭第49−129862号公報に
は、ピロメリツト酸二無水物などを原料として製
造したポリアミド酸をジフエニルエーテル−4,
4′−ジイソシアネートなどと反応させて部分的に
閉環させたポリイミドアミド酸を予め調製し、こ
れを銅箔などの導体箔上に直接塗布したのち、こ
の塗布層を加熱することによりポリイミドアミド
酸の未閉環部分を閉環させてポリイミド層を形成
させる方法が記載されている。この方法によれ
ば、未閉環のポリアミツク酸を銅箔上に直接塗布
し、全ての縮合閉環反応を銅箔上で行なわせる前
記の方法よりも、得られる銅張板のカール性は改
良されると述べられているが、このような方法に
より得られた銅張板でも、そのカールの程度は未
だ充分に低くなつていない。
とするフレキシブル配線基板の製造法も提案され
ている。すなわち、特開昭第49−129862号公報に
は、ピロメリツト酸二無水物などを原料として製
造したポリアミド酸をジフエニルエーテル−4,
4′−ジイソシアネートなどと反応させて部分的に
閉環させたポリイミドアミド酸を予め調製し、こ
れを銅箔などの導体箔上に直接塗布したのち、こ
の塗布層を加熱することによりポリイミドアミド
酸の未閉環部分を閉環させてポリイミド層を形成
させる方法が記載されている。この方法によれ
ば、未閉環のポリアミツク酸を銅箔上に直接塗布
し、全ての縮合閉環反応を銅箔上で行なわせる前
記の方法よりも、得られる銅張板のカール性は改
良されると述べられているが、このような方法に
より得られた銅張板でも、そのカールの程度は未
だ充分に低くなつていない。
従つて、本発明の第一の目的は、接着剤を全く
使用することなく、カール性が充分に改良された
芳香族ポリイミド系の金属張板からなるフレキシ
ブル配線基板を製造する方法を提供することにあ
る。
使用することなく、カール性が充分に改良された
芳香族ポリイミド系の金属張板からなるフレキシ
ブル配線基板を製造する方法を提供することにあ
る。
本発明の第二の目的は、カール性の改良ととも
に、フレキシブル配線基板としての各種の特性、
特に、耐折強さ、および耐アルカリ性が優れた芳
香族ポリイミド系の金属張板からなるフレキシブ
ル配線基板を製造する方法を提供することにあ
る。すなわち、フレキシブル配線基板はその用
途、たとえば、回路板への利用、において、様々
な変形、あるいは機械的衝撃を受けることが多い
ため、そのような変形および衝撃に対する抵抗性
が特に必要である。また、その加工工程において
はフオトレジストの除去処理、あるいはメツキ処
理などのようなアルカリ処理を受ける場合が多
く、従つて、フレキシブル配線基板は充分な耐ア
ルカリ性を持つことが望ましい。本発明は、カー
ル性の改良とともに、それらの特性の改良をも達
成したフレキシブル配線基板を製造する方法を提
供するものである。
に、フレキシブル配線基板としての各種の特性、
特に、耐折強さ、および耐アルカリ性が優れた芳
香族ポリイミド系の金属張板からなるフレキシブ
ル配線基板を製造する方法を提供することにあ
る。すなわち、フレキシブル配線基板はその用
途、たとえば、回路板への利用、において、様々
な変形、あるいは機械的衝撃を受けることが多い
ため、そのような変形および衝撃に対する抵抗性
が特に必要である。また、その加工工程において
はフオトレジストの除去処理、あるいはメツキ処
理などのようなアルカリ処理を受ける場合が多
く、従つて、フレキシブル配線基板は充分な耐ア
ルカリ性を持つことが望ましい。本発明は、カー
ル性の改良とともに、それらの特性の改良をも達
成したフレキシブル配線基板を製造する方法を提
供するものである。
これらの目的は、厚さ100μ以下の金属箔上に、
3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸成
分を90モル%より多く含有するテトラカルボン酸
成分と、一般式: (式中、Xは、O、CH2、C(CH3)2、S、CO、
SO2及びSOからなる群から選択された二価の基
を表わし、それぞれのNH2基はX基に対して対
称の位置にある) で表わされる置換基を有することのない対称型芳
香族ジ第一級アミンとの重合およびイミド化によ
り得られた芳香族ポリイミドのフエノール系溶媒
溶液を直接塗布し、次にその塗布層から溶媒を加
熱除去することにより、該金属箔上に厚さ150μ
以下の芳香族ポリイミド層を形成することを特徴
とする本発明のフレキシブル配線基板の製造方法
により達成することができる。
3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸成
分を90モル%より多く含有するテトラカルボン酸
成分と、一般式: (式中、Xは、O、CH2、C(CH3)2、S、CO、
SO2及びSOからなる群から選択された二価の基
を表わし、それぞれのNH2基はX基に対して対
称の位置にある) で表わされる置換基を有することのない対称型芳
香族ジ第一級アミンとの重合およびイミド化によ
り得られた芳香族ポリイミドのフエノール系溶媒
溶液を直接塗布し、次にその塗布層から溶媒を加
熱除去することにより、該金属箔上に厚さ150μ
以下の芳香族ポリイミド層を形成することを特徴
とする本発明のフレキシブル配線基板の製造方法
により達成することができる。
次に本発明を詳しく説明する。
本発明で用いられるテトラカルボン酸成分は、
3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸成
分を少なくとも90モル%以上含有するものであ
る。3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン
酸成分としては、3,3′,4,4′−ビフエニルテ
トラカルボン酸又は3,3′,4,4′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物を用いることができ
る。
3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸成
分を少なくとも90モル%以上含有するものであ
る。3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン
酸成分としては、3,3′,4,4′−ビフエニルテ
トラカルボン酸又は3,3′,4,4′−ビフエニル
テトラカルボン酸二無水物を用いることができ
る。
3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸
成分は、他のテトラカルボン酸もしくはその誘導
体、たとえば、ベンゾフエノンテトラカルボン
酸、ピロメリツト酸、2,2−ビス(3,4ジカ
ルボキシフエニル)プロパン、ビス(3,4−ジ
カルボキシフエニル)エーテルあるいはそれらの
化合物の誘導体などを10モル%以内の量であるこ
とを条件として含有していてもよい。
成分は、他のテトラカルボン酸もしくはその誘導
体、たとえば、ベンゾフエノンテトラカルボン
酸、ピロメリツト酸、2,2−ビス(3,4ジカ
ルボキシフエニル)プロパン、ビス(3,4−ジ
カルボキシフエニル)エーテルあるいはそれらの
化合物の誘導体などを10モル%以内の量であるこ
とを条件として含有していてもよい。
本発明で用いるアミン成分は、置換基を有する
ことのない対称型芳香族ジ第一級アミンであり、
次に示す一般式により表すことができる。
ことのない対称型芳香族ジ第一級アミンであり、
次に示す一般式により表すことができる。
上記一般式において、Xは、二価のO、CH2、
C(CH3)2、S、CO、SO2、SOのいずれかの基を
表わし、それぞれのNH2基はX基に対して対称
の位置にある。
C(CH3)2、S、CO、SO2、SOのいずれかの基を
表わし、それぞれのNH2基はX基に対して対称
の位置にある。
上記の一般式で表わされる芳香族ジ第一級アミ
ンの例としては、4,4′−ジアミノジフエニルエ
ーテル、4,4′−ジアミノジフエニルチオエーテ
ル、4,4′−ジアミノベンゾフエノン、4,4′−
ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジ
フエニルスルホン、2,2′−ビス(4−アミノフ
エニル)プロパンなどを挙げることができる。こ
れらの芳香族ジ第一級アミンは単独で用いること
ができ、あるいは、組合わせて用いることもでき
る。
ンの例としては、4,4′−ジアミノジフエニルエ
ーテル、4,4′−ジアミノジフエニルチオエーテ
ル、4,4′−ジアミノベンゾフエノン、4,4′−
ジアミノジフエニルメタン、4,4′−ジアミノジ
フエニルスルホン、2,2′−ビス(4−アミノフ
エニル)プロパンなどを挙げることができる。こ
れらの芳香族ジ第一級アミンは単独で用いること
ができ、あるいは、組合わせて用いることもでき
る。
本発明で用いる芳香族ジ第一級アミンは、上記
のように置換基を有することなく、かつ、対称型
であることを必要とする。置換基を有する芳香族
ジ第一級アミンは、対称型であつても、本発明の
芳香族ジ第一級アミンとしては好ましくなく、ま
た、非対称型の芳香族ジ第一級アミンは、置換基
を有していなくとも、本発明の芳香族ジ第一級ア
ミンとして好ましくない。そのような芳香族ジ第
一級アミンを用いて得られるポリイミド金属張板
は、特にフレキシブル配線基板として必須な性質
である耐折強さが充分でなく実用に適さない。
のように置換基を有することなく、かつ、対称型
であることを必要とする。置換基を有する芳香族
ジ第一級アミンは、対称型であつても、本発明の
芳香族ジ第一級アミンとしては好ましくなく、ま
た、非対称型の芳香族ジ第一級アミンは、置換基
を有していなくとも、本発明の芳香族ジ第一級ア
ミンとして好ましくない。そのような芳香族ジ第
一級アミンを用いて得られるポリイミド金属張板
は、特にフレキシブル配線基板として必須な性質
である耐折強さが充分でなく実用に適さない。
本発明において芳香族ポリイミドを製造する方
法については特に限定がなく、公知の方法に準じ
た方法を利用することができる。一般的には、公
知の代表的なポリイミドの製造法であるポリアミ
ツク酸経由でポリイミドを製造する方法、およ
び、一段重合によるポリイミドの製造法のいずれ
かに従つた方法が利用される。
法については特に限定がなく、公知の方法に準じ
た方法を利用することができる。一般的には、公
知の代表的なポリイミドの製造法であるポリアミ
ツク酸経由でポリイミドを製造する方法、およ
び、一段重合によるポリイミドの製造法のいずれ
かに従つた方法が利用される。
ポリアミツク酸経由で芳香族ポリイミドを製造
する方法は、たとえば、次の方法により実施する
ことができる。
する方法は、たとえば、次の方法により実施する
ことができる。
略化学量論量のテトラカルボン酸成分と芳香族
ジ第一級アミンとを、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N′−ジメチルホルムアミド、あるいは、
N,N′−ジメチルアセトアミドなどの有機極性
溶媒中で反応させてポリアミツク酸を得て、次い
で、この溶液にイミド化剤(たとえば、アミン
類)を添加したり、および/または、この溶液を
加熱することによりポリアミツク酸を縮合してポ
リイミドに変換し、これを白色沈澱物として取り
出す。
ジ第一級アミンとを、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N′−ジメチルホルムアミド、あるいは、
N,N′−ジメチルアセトアミドなどの有機極性
溶媒中で反応させてポリアミツク酸を得て、次い
で、この溶液にイミド化剤(たとえば、アミン
類)を添加したり、および/または、この溶液を
加熱することによりポリアミツク酸を縮合してポ
リイミドに変換し、これを白色沈澱物として取り
出す。
本発明においては、上記のようにして製造され
た芳香族ポリイミド粉末を、次に、塗布溶液とす
るためにフエノール系の溶媒に溶解して5〜30重
量%のポリイミドのフエノール系溶媒溶液を調製
する。本発明で用いる特定のテトラカルボン酸成
分と特定の芳香族ジ第一級アミンから製造された
ポリイミドを高い含有量で含有する優れた塗布液
を調製するためには、このフエノール系溶媒を用
いることが必要である。本発明において用いられ
るフエノール系溶媒の例としては、フエノール、
クレゾール類、ニトロフエノール類、および、ハ
ロゲン化フエノールなどを挙げることができる。
特に好ましいフエノールはハロゲン化フエノール
であり、その例としては、3−クロルフエノー
ル、4−クロルフエノール、3−ブロモフエノー
ル、4−ブロモフエノール、あるいは、2−クロ
ル−4−ヒドロキシトルエンなどを挙げることが
できる。これらのフエノール系溶媒は単独で用い
ることができ、あるいは、組合わせて用いること
もできる。
た芳香族ポリイミド粉末を、次に、塗布溶液とす
るためにフエノール系の溶媒に溶解して5〜30重
量%のポリイミドのフエノール系溶媒溶液を調製
する。本発明で用いる特定のテトラカルボン酸成
分と特定の芳香族ジ第一級アミンから製造された
ポリイミドを高い含有量で含有する優れた塗布液
を調製するためには、このフエノール系溶媒を用
いることが必要である。本発明において用いられ
るフエノール系溶媒の例としては、フエノール、
クレゾール類、ニトロフエノール類、および、ハ
ロゲン化フエノールなどを挙げることができる。
特に好ましいフエノールはハロゲン化フエノール
であり、その例としては、3−クロルフエノー
ル、4−クロルフエノール、3−ブロモフエノー
ル、4−ブロモフエノール、あるいは、2−クロ
ル−4−ヒドロキシトルエンなどを挙げることが
できる。これらのフエノール系溶媒は単独で用い
ることができ、あるいは、組合わせて用いること
もできる。
また、一段重合による芳香族ポリイミドの製造
法は、次のような方法で利用される。
法は、次のような方法で利用される。
略化学量論量のテトラカルボン酸成分と芳香族
ジ第一級アミンとを、上記のフエノール系溶媒中
で加熱して、重合およびイミド化を行なわせて5
〜30重量%のポリイミドのフエノール系溶媒溶液
を調製する。この溶液はそのまま、あるいは、フ
エノール系溶媒を更に添加して濃度を調製するな
どして塗布液とされる。
ジ第一級アミンとを、上記のフエノール系溶媒中
で加熱して、重合およびイミド化を行なわせて5
〜30重量%のポリイミドのフエノール系溶媒溶液
を調製する。この溶液はそのまま、あるいは、フ
エノール系溶媒を更に添加して濃度を調製するな
どして塗布液とされる。
なお、芳香族ポリイミドのフエノール系溶媒溶
液からなる塗布液は、上記のようにポリイミドを
5〜30重量%含有する溶液であることが好まし
く、また、含有されるポリイミドはイミド化率が
95%以上で、対数粘度が0.7〜6(50℃、濃度0.5
g/100ml4−クロロフエノールにおける測定
値)、特に0.8〜4であるものであることが好まし
い。
液からなる塗布液は、上記のようにポリイミドを
5〜30重量%含有する溶液であることが好まし
く、また、含有されるポリイミドはイミド化率が
95%以上で、対数粘度が0.7〜6(50℃、濃度0.5
g/100ml4−クロロフエノールにおける測定
値)、特に0.8〜4であるものであることが好まし
い。
ポリイミド塗布液を塗布する対象の金属箔とし
ては、一般には、銅箔が用いられるが、アルミ
箔、ニツケル箔などの他の導電性の金属からなる
金属箔を用いることもできる。金属箔は、フレキ
シブル配線基板を製造する場合には、厚さが10〜
100μのものが利用される。また金属箔は、表面
が粗面化処理を施されているものであることが好
ましい。
ては、一般には、銅箔が用いられるが、アルミ
箔、ニツケル箔などの他の導電性の金属からなる
金属箔を用いることもできる。金属箔は、フレキ
シブル配線基板を製造する場合には、厚さが10〜
100μのものが利用される。また金属箔は、表面
が粗面化処理を施されているものであることが好
ましい。
ポリイミド塗布液を金属箔へ塗布する操作は流
延塗布により行なわれることが好ましく、具体的
には、次のような方法が利用される。
延塗布により行なわれることが好ましく、具体的
には、次のような方法が利用される。
金属箔表面にポリイミド塗布液を製膜用スリツ
トから吐出させて均一な厚さ(厚さは、一般的に
は、50〜1000μとなるように調節される)の塗膜
層を形成させる。塗布手段としては、ロールコー
ター、ナイフコーター、ドクターブレード、フロ
ーコーターなど他の公知の塗布手段を利用するこ
とも可能である。
トから吐出させて均一な厚さ(厚さは、一般的に
は、50〜1000μとなるように調節される)の塗膜
層を形成させる。塗布手段としては、ロールコー
ター、ナイフコーター、ドクターブレード、フロ
ーコーターなど他の公知の塗布手段を利用するこ
とも可能である。
上記のようにして調製された芳香族ポリイミド
塗布層を、次に加熱して溶媒を除去する。この溶
媒の加熱除去の操作は、常圧、減圧、あるいは加
圧などの任意の条件下で行なうことができる。な
お、芳香族ポリイミド塗布層から溶媒を加熱除去
する工程において、特に、その塗布層の表面に芳
香族ポリイミドの皮膜が形成される以前に強い加
熱を行なうと、溶媒の揮散速度が速くなり、その
ために塗布層表面が粗面となる傾向がある。従つ
て、溶媒の加熱除去の初期の工程においては、加
熱は比較的低温下で行なうことが望ましい。そし
て、加熱温度を徐々に高くし、最終的に加熱温度
が250〜400℃となるようにして溶媒の除去を完了
させる。また、塗布層に被膜が形成されたのち、
塗布層に含有されているフエノール系溶媒を、低
沸点の貧溶媒(低級アルカノール、低級ケトンな
ど)で置換して溶媒の除去のための所要時間の短
縮を図ることもできる。このようにして形成され
る芳香族ポリイミド層は、一般的には、10〜
150μとされる。
塗布層を、次に加熱して溶媒を除去する。この溶
媒の加熱除去の操作は、常圧、減圧、あるいは加
圧などの任意の条件下で行なうことができる。な
お、芳香族ポリイミド塗布層から溶媒を加熱除去
する工程において、特に、その塗布層の表面に芳
香族ポリイミドの皮膜が形成される以前に強い加
熱を行なうと、溶媒の揮散速度が速くなり、その
ために塗布層表面が粗面となる傾向がある。従つ
て、溶媒の加熱除去の初期の工程においては、加
熱は比較的低温下で行なうことが望ましい。そし
て、加熱温度を徐々に高くし、最終的に加熱温度
が250〜400℃となるようにして溶媒の除去を完了
させる。また、塗布層に被膜が形成されたのち、
塗布層に含有されているフエノール系溶媒を、低
沸点の貧溶媒(低級アルカノール、低級ケトンな
ど)で置換して溶媒の除去のための所要時間の短
縮を図ることもできる。このようにして形成され
る芳香族ポリイミド層は、一般的には、10〜
150μとされる。
以上に述べたような方法で代表される本発明に
より製造される芳香族ポリイミド金属張板からな
るフレキシブル配線基板は、接着剤層を含まない
ため、フレキシブル配線基板として必要な特性の
うち特に耐熱性が高く、一方、芳香族ポリアミツ
ク酸あるいは、その部分閉環体を金属箔に直接塗
布し、金属箔上でイミド化反応を行なわせる方法
により製造された芳香族ポリイミド金属張板に比
較して特にカールする傾向が少なく、従つて、フ
レキシブル配線基板としての実用性は非常に高い
ものである。
より製造される芳香族ポリイミド金属張板からな
るフレキシブル配線基板は、接着剤層を含まない
ため、フレキシブル配線基板として必要な特性の
うち特に耐熱性が高く、一方、芳香族ポリアミツ
ク酸あるいは、その部分閉環体を金属箔に直接塗
布し、金属箔上でイミド化反応を行なわせる方法
により製造された芳香族ポリイミド金属張板に比
較して特にカールする傾向が少なく、従つて、フ
レキシブル配線基板としての実用性は非常に高い
ものである。
次に本発明の実施例、そして比較例を示す。
実施例 1
反応容器に3,3′,4,4′−ビフエニルテトラ
カルボン酸二無水物73.56g(0.25モル)、4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル50.06g(0.25モ
ル)、N−メチル−2−ピロリドン1000gを仕込
み、25℃で6時間撹拌して重合させ、対数粘度が
2.8のポリアミツク酸を含む溶液を得た。このポ
リアミツク酸溶液にトリエチルアミン50mlを加
え、徐々に200℃まで加熱し、留出する水分を除
去して粉粒状黄色沈澱物を得た。沈澱物を濾取
し、洗浄、乾燥して芳香族ポリイミド粉末を得
た。この芳香族ポリイミドの対数粘度は1.18であ
つた。
カルボン酸二無水物73.56g(0.25モル)、4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル50.06g(0.25モ
ル)、N−メチル−2−ピロリドン1000gを仕込
み、25℃で6時間撹拌して重合させ、対数粘度が
2.8のポリアミツク酸を含む溶液を得た。このポ
リアミツク酸溶液にトリエチルアミン50mlを加
え、徐々に200℃まで加熱し、留出する水分を除
去して粉粒状黄色沈澱物を得た。沈澱物を濾取
し、洗浄、乾燥して芳香族ポリイミド粉末を得
た。この芳香族ポリイミドの対数粘度は1.18であ
つた。
上記の芳香族ポリイミド粉末を、加熱により融
解した4−クロルフエノールに分散させ、さらに
加熱して均一な10重量%濃度の芳香族ポリイミド
溶液を調製した。この溶液を約100℃にて厚さ
35μの電解銅箔上に流延塗布し、減圧下に約140
℃で1時間加熱して溶媒の大部分を除去し、次い
で300℃まで加熱して厚さ約25μの芳香族ポリイ
ミド皮膜をもつフレキシブル銅張板を得た。
解した4−クロルフエノールに分散させ、さらに
加熱して均一な10重量%濃度の芳香族ポリイミド
溶液を調製した。この溶液を約100℃にて厚さ
35μの電解銅箔上に流延塗布し、減圧下に約140
℃で1時間加熱して溶媒の大部分を除去し、次い
で300℃まで加熱して厚さ約25μの芳香族ポリイ
ミド皮膜をもつフレキシブル銅張板を得た。
この銅張板について印刷配線板用としての各種
の性能を次に記載する方法により測定した。
の性能を次に記載する方法により測定した。
(1) 表面抵抗
JIS C−6481に準拠して測定。
(2) 耐引きはがし強さ
JIS C−6481に準拠し、幅10mmの試料の180°
剥離をオートグラフにて引張り速度50mm/分で
測定した。
剥離をオートグラフにて引張り速度50mm/分で
測定した。
(3) 耐溶剤性
JIS C−6481に準拠し、試料を常温のトリク
レン、アセトンおよび塩化メチレンにそれぞれ
浸漬し、ポリイミド被覆層の剥離などの外観変
化を観察した。
レン、アセトンおよび塩化メチレンにそれぞれ
浸漬し、ポリイミド被覆層の剥離などの外観変
化を観察した。
(4) 耐折強さ
JIS P−8115に準拠し、折曲げ面の曲率半径
0.8mm、静止荷重0.5Kgで測定を行なつた。
0.8mm、静止荷重0.5Kgで測定を行なつた。
(5) 耐アルカリ性
JIS C−6481に準拠し、試料を室温下にて10
重量%水酸化ナトリウム水溶液に30分間浸漬し
たのち、上記の(4)の方法により測定した。
重量%水酸化ナトリウム水溶液に30分間浸漬し
たのち、上記の(4)の方法により測定した。
(6) 耐半田性
JIS C−6481に準拠し、試料を300℃の半田
浴中に1分間浸漬したのち、「フクレ」などの
外観を視覚判定した。
浴中に1分間浸漬したのち、「フクレ」などの
外観を視覚判定した。
(7) そり(曲率半径)
フレキシブル銅張板の相対湿度60%、20℃に
おけるカールの曲率半径を「そり」として表示
した。
おけるカールの曲率半径を「そり」として表示
した。
測定結果を次に示す。
(1) 表面抵抗:2.1×1017Ω
(2) 耐引きはがし強さ:1.33Kg/cm
(3) 耐溶剤性:異常なし
(4) 耐折強さ:59回
(5) 耐アルカリ性:53回
(6) 耐半田性:異常なし
(7) そり(曲率半径):9.83cm
実施例 2
実施例1で得た芳香族ポリイミド粉末を4−ブ
ロムフエノールに加温、溶解させて10重量%の芳
香族ポリイミド溶液を調製した。この芳香族ポリ
イミド溶液を実施例1と同様にして銅箔に塗布
し、溶媒を除去することにより厚さ約25μの芳香
族ポリイミド皮膜をもつフレキシブル銅張板を得
た。この銅張板について印刷配線板用としての各
種の性能を実施例1に記載の方法により測定し
た。その測定結果を次に示す。
ロムフエノールに加温、溶解させて10重量%の芳
香族ポリイミド溶液を調製した。この芳香族ポリ
イミド溶液を実施例1と同様にして銅箔に塗布
し、溶媒を除去することにより厚さ約25μの芳香
族ポリイミド皮膜をもつフレキシブル銅張板を得
た。この銅張板について印刷配線板用としての各
種の性能を実施例1に記載の方法により測定し
た。その測定結果を次に示す。
(1) 表面抵抗:2.7×1017Ω
(2) 耐引きはがし強さ:1.42Kg/cm
(3) 耐溶剤性:異常なし
(4) 耐折強さ:54回
(5) 耐アルカリ性:51回
(6) 耐半田性:異常なし
(7) そり(曲率半径):7.62cm
実施例 3
3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボン酸
二無水物73.56g(0.25モル)と4,4′−ジアミノ
ジフエニルエーテル50.06g(0.25モル)とを、
4−クロルフエノール1146g中に加え、撹拌しな
がら160℃まで1時間で昇温し、さらにその溶液
を160℃の反応温度に1時間保持して重合、イミ
ド化させ芳香族ポリイミド溶液を調製した。得ら
れた芳香族ポリイミドの対数粘度は2.28であつ
た。この芳香族ポリイミド溶液を実施例1と同様
にして銅箔に塗布し、溶媒を除去することにより
厚さ約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキ
シブル銅張板を得た。この銅張板について印刷配
線板用としての各種の性能を実施例1に記載の方
法により測定した。その測定結果を次に示す。
二無水物73.56g(0.25モル)と4,4′−ジアミノ
ジフエニルエーテル50.06g(0.25モル)とを、
4−クロルフエノール1146g中に加え、撹拌しな
がら160℃まで1時間で昇温し、さらにその溶液
を160℃の反応温度に1時間保持して重合、イミ
ド化させ芳香族ポリイミド溶液を調製した。得ら
れた芳香族ポリイミドの対数粘度は2.28であつ
た。この芳香族ポリイミド溶液を実施例1と同様
にして銅箔に塗布し、溶媒を除去することにより
厚さ約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキ
シブル銅張板を得た。この銅張板について印刷配
線板用としての各種の性能を実施例1に記載の方
法により測定した。その測定結果を次に示す。
(1) 表面抵抗:4.7×1017Ω
(2) 耐引きはがし強さ:1.74Kg/cm
(3) 耐溶剤性:異常なし
(4) 耐折強さ:63回
(5) 耐アルカリ性:58回
(6) 耐半田性:異常なし
(7) そり(曲率半径):9.33cm
実施例 4
4,4′−ジアミノジフエニルエーテルの代りに
4,4′−ジアミノジフエニルメタン49.57g(0.25
モル)を使用した以外は実施例3と同様にして芳
香族ポリイミド溶液を調製した。得られた芳香族
ポリイミドの対数粘度は1.67であつた。この芳香
族ポリイミド溶液を実施例1と同様にして銅箔に
塗布し、溶媒を除去することにより厚さ約25μの
芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブル銅張板
を得た。この銅張板について印刷配線板用として
の各種の性能を実施例1に記載の方法により測定
した。その測定結果を次に示す。
4,4′−ジアミノジフエニルメタン49.57g(0.25
モル)を使用した以外は実施例3と同様にして芳
香族ポリイミド溶液を調製した。得られた芳香族
ポリイミドの対数粘度は1.67であつた。この芳香
族ポリイミド溶液を実施例1と同様にして銅箔に
塗布し、溶媒を除去することにより厚さ約25μの
芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブル銅張板
を得た。この銅張板について印刷配線板用として
の各種の性能を実施例1に記載の方法により測定
した。その測定結果を次に示す。
(1) 表面抵抗:1.9×1017Ω
(2) 耐引きはがし強さ:1.00Kg/cm
(3) 耐溶剤性:異常なし
(4) 耐折強さ:51回
(5) 耐アルカリ性:46回
(6) 耐半田性:異常なし
(7) そり(曲率半径):6.14cm
実施例 5
4,4′−ジアミノジフエニルエーテルの代りに
4,4′−ジアミノジフエニルチオエーテル49.57
g(0.25モル)を使用した以外は実施例3と同様
にして芳香族ポリイミド溶液を調製した。得られ
た芳香族ポリイミドの対数粘度は1.34であつた。
この芳香族ポリイミド溶液を実施例1と同様にし
て銅箔に塗布し、溶媒を除去することにより厚さ
約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブ
ル銅張板を得た。この銅張板について印刷配線板
用としての各種の性能を実施例1に記載の方法に
より測定した。測定結果を次に示す。
4,4′−ジアミノジフエニルチオエーテル49.57
g(0.25モル)を使用した以外は実施例3と同様
にして芳香族ポリイミド溶液を調製した。得られ
た芳香族ポリイミドの対数粘度は1.34であつた。
この芳香族ポリイミド溶液を実施例1と同様にし
て銅箔に塗布し、溶媒を除去することにより厚さ
約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブ
ル銅張板を得た。この銅張板について印刷配線板
用としての各種の性能を実施例1に記載の方法に
より測定した。測定結果を次に示す。
(1) 表面抵抗:8.7×1016Ω
(2) 耐引きはがし強さ:1.21Kg/cm
(3) 耐溶剤性:異常なし
(4) 耐折強さ:46回
(5) 耐アルカリ性:39回
(6) 耐半田性:異常なし
(7) そり(曲率半径):5.83cm
比較例 1
4,4′−ジアミノジフエニルエーテルの代りに
3,3′,−ジメチル−4,4′−ジアミノジフエニ
ルチオエーテル56.58g(0.25モル)を使用した
以外は実施例3と同様にして芳香族ポリイミド溶
液を調製した。得られた芳香族ポリイミドの対数
粘度は0.75であつた。この芳香族ポリイミド溶液
を実施例1と同様にして銅箔に塗布し、溶媒を除
去することにより厚さ約25μの芳香族ポリイミド
皮膜をもつフレキシブル銅張板を得た。この銅張
板について耐折強さを実施例1に記載の方法によ
り測定したところ、26回との低い結果が得られ
た。
3,3′,−ジメチル−4,4′−ジアミノジフエニ
ルチオエーテル56.58g(0.25モル)を使用した
以外は実施例3と同様にして芳香族ポリイミド溶
液を調製した。得られた芳香族ポリイミドの対数
粘度は0.75であつた。この芳香族ポリイミド溶液
を実施例1と同様にして銅箔に塗布し、溶媒を除
去することにより厚さ約25μの芳香族ポリイミド
皮膜をもつフレキシブル銅張板を得た。この銅張
板について耐折強さを実施例1に記載の方法によ
り測定したところ、26回との低い結果が得られ
た。
比較例 2
4,4′−ジアミノジフエニルエーテルの代りに
4,4′−ジアミノジフエニルメタン24.78g
(0.125モル)と2,4−ジアミノトルエン15.27
g(0.125モル)とを使用した以外は実施例3と
同様にして芳香族ポリイミド溶液を調製した。得
られた芳香族ポリイミドの対数粘度は0.65であつ
た。この芳香族ポリイミド溶液を実施例1と同様
にして銅箔に塗布し、溶媒を除去することにより
厚さ約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキ
シブル銅張板を得た。この銅張板について耐折強
さを実施例1に記載の方法により測定したとこ
ろ、17回との低い結果が得られた。
4,4′−ジアミノジフエニルメタン24.78g
(0.125モル)と2,4−ジアミノトルエン15.27
g(0.125モル)とを使用した以外は実施例3と
同様にして芳香族ポリイミド溶液を調製した。得
られた芳香族ポリイミドの対数粘度は0.65であつ
た。この芳香族ポリイミド溶液を実施例1と同様
にして銅箔に塗布し、溶媒を除去することにより
厚さ約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキ
シブル銅張板を得た。この銅張板について耐折強
さを実施例1に記載の方法により測定したとこ
ろ、17回との低い結果が得られた。
比較例 3
反応容器に3,3′,4,4′−ビフエニルテトラ
カルボン酸二無水物73.56g(0.25モル)、4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル50.06g(0.25モ
ル)、N−メチル−2−ピロリドン1000gを仕込
み、25℃で6時間撹拌して重合させ、対数粘度が
0.78であるポリアミツク酸の溶液を得た。
カルボン酸二無水物73.56g(0.25モル)、4,
4′−ジアミノジフエニルエーテル50.06g(0.25モ
ル)、N−メチル−2−ピロリドン1000gを仕込
み、25℃で6時間撹拌して重合させ、対数粘度が
0.78であるポリアミツク酸の溶液を得た。
この溶液を厚さ35μの電解銅箔上に流延塗布
し、約120℃で2時間、次に300℃で30分間加熱し
て溶媒を除去すると同時にイミド化を行ない厚さ
約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブ
ル銅張板を得た。
し、約120℃で2時間、次に300℃で30分間加熱し
て溶媒を除去すると同時にイミド化を行ない厚さ
約25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブ
ル銅張板を得た。
この銅張板について耐折強さを実施例1に記載
の方法により測定したところ、56回との高い結果
が得られた。しかし、そり(曲率半径)を実施例
1に記載の方法により測定したところ、1.73cmと
の結果が得られ、強くカールした状態となつた。
の方法により測定したところ、56回との高い結果
が得られた。しかし、そり(曲率半径)を実施例
1に記載の方法により測定したところ、1.73cmと
の結果が得られ、強くカールした状態となつた。
比較例 4
反応容器にピロメリツト酸二無水物54.53g
(0.25モル)、4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル50.06g(0.25モル)、N−メチル−2−ピロリ
ドン1000gを仕込み、25℃で6時間撹拌して重合
させ、対数粘度が0.96であるポリアミツク酸の溶
液を得た。
(0.25モル)、4,4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル50.06g(0.25モル)、N−メチル−2−ピロリ
ドン1000gを仕込み、25℃で6時間撹拌して重合
させ、対数粘度が0.96であるポリアミツク酸の溶
液を得た。
この溶液を厚さ35μの電解銅箔上に流延塗布
し、約120℃で2時、次に300℃で30分間加熱して
溶媒を除去すると同時にイミド化を行ない厚さ約
25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブル
銅張板を得た。
し、約120℃で2時、次に300℃で30分間加熱して
溶媒を除去すると同時にイミド化を行ない厚さ約
25μの芳香族ポリイミド皮膜をもつフレキシブル
銅張板を得た。
この銅張板について耐折強さを実施例1に記載
の方法により測定したところ、66回との高い結果
が得られた。しかし、この銅張板をアルカリ処理
したのち、再度、耐折強さを測定したところ、13
回と大幅な低下を示した。また、そり(曲率半
径)を実施例1に記載の方法により測定したとこ
ろ、1.80cmとの結果が得られ、強くカールした状
態となつた。
の方法により測定したところ、66回との高い結果
が得られた。しかし、この銅張板をアルカリ処理
したのち、再度、耐折強さを測定したところ、13
回と大幅な低下を示した。また、そり(曲率半
径)を実施例1に記載の方法により測定したとこ
ろ、1.80cmとの結果が得られ、強くカールした状
態となつた。
比較例 5
テトラカルボン酸成分として、3,3′,4,
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物の代わ
りに2,3,3′,4,−ビフエニルテトラカルボ
ン酸二無水物を使用した他は実施例1と同様に実
施して、厚さ約25μの芳香族ポリイミド皮膜をも
つフレキシブル銅張板を得た。
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物の代わ
りに2,3,3′,4,−ビフエニルテトラカルボ
ン酸二無水物を使用した他は実施例1と同様に実
施して、厚さ約25μの芳香族ポリイミド皮膜をも
つフレキシブル銅張板を得た。
この銅張板について耐折強さを実施例1に記載
の方法により測定したところ、21回と低い値であ
つた。
の方法により測定したところ、21回と低い値であ
つた。
また、そり(曲率半径)を、実施例1に記載の
方法により測定したところ、5.34cmであつた。
方法により測定したところ、5.34cmであつた。
比較例 6
テトラカルボン酸成分として、3,3′,4,
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物の代わ
りに、3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボ
ン酸二無水物(0.125モル)とピロメリツト酸二
無水物(0.125モル)との混合物を使用した他は
実施例1と同様にして重合反応を行なつたとこ
ろ、ポリイミドが粉末状で全て析出し、均一なポ
リイミド溶液が得られなかつた。
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物の代わ
りに、3,3′,4,4′−ビフエニルテトラカルボ
ン酸二無水物(0.125モル)とピロメリツト酸二
無水物(0.125モル)との混合物を使用した他は
実施例1と同様にして重合反応を行なつたとこ
ろ、ポリイミドが粉末状で全て析出し、均一なポ
リイミド溶液が得られなかつた。
上記ポリイミド粉末は、4−クロルフエノール
にも実質的に溶解しないものであつたので、上記
ポリイミドの溶液を調製することができず、銅箔
上に均質なポリイミド皮膜を形成することができ
なかつた。
にも実質的に溶解しないものであつたので、上記
ポリイミドの溶液を調製することができず、銅箔
上に均質なポリイミド皮膜を形成することができ
なかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 厚さ100μ以下の金属箔上に、3,3′,4,
4′−ビフエニルテトラカルボン酸成分を90モル%
より多く含有するテトラカルボン酸成分と、一般
式: (式中、Xは、O、CH2、C(CH3)2、S、CO、
SO2及びSOからなる群から選択された二価の基
を表わし、それぞれのNH2基はX基に対して対
称の位置にある) で表わされる置換基を有することのない対称型芳
香族ジ第一級アミンとの重合およびイミド化によ
り得られた芳香族ポリイミドのフエノール系溶媒
溶液を直接塗布し、次にその塗布層から溶媒を加
熱除去することにより、該金属箔上に厚さ150μ
以下の芳香族ポリイミド層を形成することを特徴
とするフレキシブル配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071546A JPS58190091A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
| US06/487,140 US4508766A (en) | 1982-04-30 | 1983-04-21 | Process for producing aromatic imide polymer laminate material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071546A JPS58190091A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190091A JPS58190091A (ja) | 1983-11-05 |
| JPH0358193B2 true JPH0358193B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=13463839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57071546A Granted JPS58190091A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | フレキシブル配線基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4508766A (ja) |
| JP (1) | JPS58190091A (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190092A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製造法 |
| JPS60206639A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | 日東電工株式会社 | ポリイミド−金属箔複合フイルムの製造方法 |
| EP0167020B1 (de) * | 1984-06-30 | 1988-11-23 | Akzo Patente GmbH | Flexible Polyimid-Mehrschichtlaminate |
| DE3506526A1 (de) * | 1985-02-25 | 1986-08-28 | Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal | Gedrucktes schaltelement mit polyimid enthaltender deckschicht |
| DE3506524A1 (de) * | 1985-02-25 | 1986-08-28 | Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal | Flexible polyimid-mehrschichtlaminate |
| JPS61245868A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | フレキシブルプリント基板の製造法 |
| EP0243507B1 (en) | 1985-10-31 | 1992-03-11 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Flexible laminate for printed circuit board and process for its production |
| JPH0682895B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1994-10-19 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブルプリント回路基板及びその製法 |
| US4788846A (en) * | 1986-03-26 | 1988-12-06 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Process for the correction of curls of flexible metal clad laminate and for the improvement of its dimensional stability |
| JP2585297B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1997-02-26 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブルプラスチック金属積層板 |
| EP0336969B1 (en) * | 1987-09-24 | 1995-03-22 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Flexible metal/plastic laminate and method and apparatus for manufacturing same |
| US5104734A (en) * | 1988-06-03 | 1992-04-14 | International Business Machines Corporation | Method for improving adhesion between a polyimide layer and a metal and the article obtained |
| US5208066A (en) * | 1989-03-18 | 1993-05-04 | Hitachi, Ltd. | Process of forming a patterned polyimide film and articles including such a film |
| JP2761655B2 (ja) * | 1989-11-17 | 1998-06-04 | 鐘淵化学工業株式会社 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
| JPH0725906B2 (ja) * | 1992-07-21 | 1995-03-22 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド複合シート |
| JPH06334279A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Minolta Camera Co Ltd | 多層フレキシブル電装基板 |
| JP4349600B2 (ja) * | 2000-04-20 | 2009-10-21 | 大日本印刷株式会社 | 積層体、絶縁フィルム、電子回路及び積層体の製造方法 |
| US7316930B1 (en) | 2003-04-21 | 2008-01-08 | National Semiconductor Corporation | Use of vertically stacked photodiodes in a gene chip system |
| US7399274B1 (en) * | 2003-08-19 | 2008-07-15 | National Semiconductor Corporation | Sensor configuration for a capsule endoscope |
| US7382627B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-06-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US7436678B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices and printed wiring boards incorporating such devices and methods of making thereof |
| US7430128B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-09-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Capacitive/resistive devices, organic dielectric laminates and printed wiring boards incorporating such devices, and methods of making thereof |
| US20070155948A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Tadashi Ishibashi | Multi-functional polyamic acids, and compositions and methods relating thereto |
| TWI462672B (zh) * | 2013-02-08 | 2014-11-21 | Ichia Tech Inc | 前驅基板、軟性印刷電路板及其製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741491B2 (ja) * | 1974-02-21 | 1982-09-03 | ||
| JPS5516489A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor resistance device |
| JPS56118204A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-17 | Ube Industries | Polyimide insulating member |
| JPS57181857A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-09 | Ube Industries | Polyimide laminated material and its manufacture |
| JPS58190092A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製造法 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57071546A patent/JPS58190091A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-21 US US06/487,140 patent/US4508766A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58190091A (ja) | 1983-11-05 |
| US4508766A (en) | 1985-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0358193B2 (ja) | ||
| US4731287A (en) | Process for producing polyimide/metallic foil composite film | |
| JPS645476B2 (ja) | ||
| JPH0231516B2 (ja) | ||
| JPH0563107B2 (ja) | ||
| JPS646556B2 (ja) | ||
| JPH08230103A (ja) | 金属箔積層ポリイミドフィルム | |
| JPH08224843A (ja) | 多層芳香族ポリイミドフィルム | |
| JPH08100072A (ja) | ポリイミドフィルムおよび積層体 | |
| JPS62104840A (ja) | フレキシブルプリント回路基板の製造法 | |
| JPH0757540B2 (ja) | フレキシブルプリント基板の製造法 | |
| JPS645475B2 (ja) | ||
| JPH0152843B2 (ja) | ||
| JP2000326442A (ja) | ポリイミド/金属積層体並びにそれを用いた電気・電子機器用基盤、磁気記録用基盤、太陽電池用基盤、宇宙空間航行用機材の被覆フィルム、及びフィルム状抵抗体 | |
| JP2958051B2 (ja) | フレキシブルプリント回路用基板及びその製造方法 | |
| JPS61111181A (ja) | ポリイミド−金属箔複合フイルムの製法 | |
| JPS61111182A (ja) | ポリイミド−金属箔複合フイルムの製法 | |
| JP2761655B2 (ja) | フレキシブルプリント基板の製造方法 | |
| JPH06100714A (ja) | 易滑性ポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
| JPH02194947A (ja) | フレキシブル金属張積層板の製造方法 | |
| JP3059248B2 (ja) | フレキシブル印刷回路板の製造方法 | |
| KR100522003B1 (ko) | 플렉시블 동박적층판 및 그 제조방법 | |
| JP3065388B2 (ja) | フレキシブル印刷回路板の製造方法 | |
| JP2787955B2 (ja) | フレキシブルプリント回路板の製造方法 | |
| JP2021142682A (ja) | 金属−ポリイミド積層体及びこれに用いられるポリイミド系樹脂ワニス、並びに金属−ポリイミド積層体の製造方法 |