JPH0358314A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高い保磁力を有する面内記録型の磁気記録体
に関する。

（従来の技術） 蒸着法やスバッタ法で例えばアルミニウム材から成る非
磁性体基板上にＣｒ膜を形戊し、次いで該Ｃ『膜上にＣ
ｏ合金膜を形戊した磁気記録体は知られている。この磁
気記録体は面内方向に高い保磁力を有するので高密度記
録可能なハードディスク媒体として多用されている，。

この磁気記録体の保磁力の発生メカニズムは次の通りで
ある。すなわち、蒸着法やスバッタ法により非磁性体基
板上にＣｒ膜を形成するとそのＢＣＣの（１１０）面が
基板面と平行になるように結晶配向した柱状粒子膜が得
られる。該Ｃｒ膜上に連続的にＣｏ合金膜を形或すると
、Ｃｏ合金膜のＩＩ　Ｃ　ＰのＣ軸の原子間距離とＣｒ
膜の（１１０）面の原子間距離がほとんど等しいため、
ｃｏ合金膜はＣ軸が基板面に平行になるようにエビタキ
シャル戊長する。このＣｏ合金膜のＨＣＰのＣＩＴｏは
磁化容易軸なので、該Ｃｏ合金膜は面内磁化膜となる。

また下地のＣｒ膜は比較的明瞭な柱状粒子構造をとるの
で、該Ｃｒ膜上に成長したＣｏ合金膜も相互に隔離した
粒子構造となる。このようにＰ　品磁気異方性を面内に
もった単磁区粒子構造となる結果、高保磁力が発生する
。

もし下地のＣｒ膜がない場合、或いはＣｒ膜の表面が汚
染されてエビタキシャル成長が出来ないような場合には
、Ｃｏ合金膜はＣ軸を基板面に垂直にした結晶配向をと
ってしまう。いわゆる垂直磁化膜はこのような場合に相
当する。

このように、この種の面内記録型の磁気記録体では、下
地のＣｒ膜はＣｏ合金膜の結晶方向と粒子形状を制御し
ており、高保磁力を発生させる上で極めて重要な役割を
はたしている。

前記Ｃｏ合金膜としては、例えばＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ　−
Ｎｉ　−　Ｃｒ，　Ｇｏ　−　Ｎ１　−　Ｐｔ，　Ｃｏ
　−　Ｃｒ，　Ｃｏ　−　Ｏｒ　−　ＰｔＳＣｏ−　Ｎ
ｉ　−　ＺｒＳＣｏ　−　Ｎｉ　−　Ｗ，　Ｃｏ　−　
Ｃｒ　−　Ｔａ等の合金膜が知られている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、記録密度を増加させるために、更に高い
保磁力か要求されている。

本発明は、更に、保磁力を向上させた面内記録型の磁気
記録体を提供することを目的とする。

（課題を解失するための手段） 磁気記録媒体の保磁力の発生には、下地のＣｒ膜が次の
二点で重要な役割をはたしており、その一つはＣｒ膜上
に形成されるＣｏ合金膜の結晶方位の制御であり、もう
一つはＣＯ合金膜を粒子の集合体状の膜構造にすること
である。

そこで本発明者らは、下地Ｃｒ膜の特に後者の作用に着
眼し、該下地Ｏｒ膜の結晶粒を微細化すべく種々試みた
ところ、Ｏｒに固溶しないか、或いは固溶しにくい元素
をＣｒに添加混入することによりＣｒ膜の結晶粒は微細
化して柱状粒子構造が明味となり、高い保磁力が得られ
ることを知見した。

本発明の磁気記録体は、前記知見に基づいてなされたも
のであって、非磁性体基板上にＣｒ膜とｃｏ合金膜を連
続的に形成してなる面内記録型の磁気記録体において、
前記Ｃｒ膜中に少なくともＧｅを添加したことを特徴と
する。

Ｃｒに添加するＧｅは単独で添加してもよいが、Ｇｅと
同様にＣｒに固溶しない、或いは固溶しにくい例えばＳ
１、希土類元素、Ｃｕ，　Ｐ等と共に添加してもよい。

（作　用） 下地となるＣｒ膜中に少なくともＧｅを添加することに
よって、ＧｅはＣｒに固溶しにくいため、Ｃｒ結晶粒子
の粒界に偏折するなどして、Ｃｒ結晶粒子が粗大化する
ことを防止したり、粒子間の隔離を促進する。

（実施例） 次に本発明を実施例につき説明する。

実験例１ 本実験例では、下地となるＣｒ膜中に添加する添加物と
してＧｅ単独、ＧｅとＳ１の組或比を１：１としたＧｅ
−Ｓｉ混合物を用い、非磁性体基板上へのＣｒ膜と、Ｃ
ｏ合金膜の連続的形成を次のように行った。

先ず、下地となるＣｒ膜材としてＣｒへのＧｅの添加量
がｉ％の膜材を用意した。

次に、アルミニウム板上にＮｉ−Ｇｅを無電解メッキし
た非磁性体基板を径７インチの直流マグネトロンカソー
ドを３台備えたバッチ式スパツタ装置内に載置した後、
該スパッタ装置の処理室内を真空ポンプを介して真空度
ＩＸＩＯ−６Ｔｏｒｒ以下に設定し、続いて、処理室内
が２ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒとなるようにアルゴンガスを導
入した。

次いで該基板を温度２００℃に加熱保持し、これに−３
００Ｖのバイアス電圧を印加しながら直流マグネトロン
スバッタ法で該基板上に厚さ５００大の前記組成のＣｒ
膜を形成し、続いて該Ｃ『膜上に厚さ５００ＡのＣｏ−
２０ａｔ％Ｎｉ　−　１０ａｔ％Ｃｒ組戊から或るＣｏ
合金膜を形戊した後、更に該Ｃｏ合金膜上に厚さ３００
ＡのＣ保護膜を形戊した磁気記録体を作成した。

また、下地Ｃｒ膜材としてＧｅを１％含むＣｒ膜材の代
わりに表に示すようにＣｒへのＧｅの添加量を変化させ
たＣｒ膜材、ＣｒへのＧｅ−Ｓｌ混合物の添加量を変化
させたＣｒ膜材、ＣｒにＧｅ或いはＧｅ−Ｓｉ混合物を
全く添加しないＣｒ膜材を用いた以外は前記と同様の方
法で夫々の磁気記録体を作或した。

尚、基板上に形成する下地のＣｒ膜層の前記添加物の添
加ｍｌ整はＣｒターゲット上に載置する該添加物のペレ
ットの面積を変化させて行い、また下地のＣｒ膜上に形
戊するＣｏ合金膜はＣｏ−２０ａｔ％ＮｉＧＴターゲッ
ト（商品名　日本真空技術株式会社製）上にＮ１および
Ｃｒベレットを載置してＣｏ−２０ａｔ％Ｎｌ　−　ｆ
ｏａｌ％Ｃｒ組成となるように調整した。

そして得られた各磁気記録体の保磁力を測定した。得ら
れた測定結果を表および第１図に示す。

表 尚、Ｃｒ膜中の添加物の分析はオージエ分析法により行
い、また保磁力は振動式磁束計（ＶＳＭ）により測定し
た。

表および第１図に示すように非磁性体基板上に形成する
下地のＣｒ膜にＧｅまたはＧｅ−Ｓｔ混合物を０．２％
以上５％以下の範囲で添加することによって、添加しな
い場合に比して保磁力が向上したことが確認された。

Ｇｅをｌａｔ％添加したＣｒ膜を非磁性体基板上に形成
する下地とし、該Ｃｒ膜上に前記Ｃｏ合金膜およびＣ膜
を形成して作戊された磁気記録体の断面をＳＥＨにより
観察したところ、Ｇｅを全く添加していないＣｒ単独膜
を下地とし、該Ｃｒ膜上に前記Ｃｏ合金膜およびＣ膜を
形戊して作成された磁気記録体に比してＯｒ膜の柱状粒
子構造が明確で、粒子も微細化していることが確認され
た。

前記実験例では非磁性体基板上に形成する下地のＣｒ膜
層への添加物の添加をＣｒターゲット上に該添加物のペ
レットを載置して行ったが、これ等の添加物をＣｒに予
め添加した合金をターゲットとして用いても同様の効果
が得られることが確認された。

実験例２ 前記実験例１で作成した各磁気記録体のディスクを５　
Ｍ　Ｉｆ　ｚにおいて記録再生した場合のＳ／Ｎ比を測
定した。得られた結果を第２図に示す。

第２図から明らかなようにＣｒ膜中にＧｅまたはＧｅと
８１を共に添加することによって、添加しない場合に比
してＳ／Ｎ比が３〜６ｄＢ向上した。これは磁気記録体
の保磁力が向上したためと考えられる。

比較実験例 非磁性体基板上に形成する下地のＣｒ膜への添加する添
加物として前記添加物の代わりにＷ，Ｖ．Ｍｏ，　ＴＩ
を用い、その添加量を夫々ｆａｔ％とじた以外は実験例
１と同様方法で磁気記録体を作成した。そして得られた
各磁気記録体の保磁力を実験例１と同様方広てｌＤ１定
した。得られた測定結果を第３図に示す。

第３図から明らかなように下地となるＣｒ膜への添加物
として少なくともＩＪ，ｖ，Ｎｏ，ＴＩの元素を用いる
と得られる磁気記録体の保磁力は向上せずにむしろ減少
することが確認された。

（発明の効果） このように本発明磁気記録体によるときは、非磁性体基
板上のＣｒ膜中に少なくともＧｅを添加仕しめることに
よって、非磁性体基板上に形成されたＣｒ膜構造は柱状
構造が明瞭となり、各粒子間の隔離作用が大きくなるの
で、該Ｃｒ膜上に形成されるＧｏ合金膜の粒子間の隔離
が進行するため、従来の無添加のＣｒ単独膜を下地とし
た磁気記録体に比して保磁力を向上させることが出来る
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実験例における磁気記録体の保磁力と添
加物の添加量変化との関係を示す特性線図、第２図は本
発明の磁気記録体のディスクの記録再生時におけるＳ／
Ｎ比と添加元素の添加量変化との関係を示す特性線図、
第３図は比較実験例における磁気記録体の保磁力と添加
元素の関係を示す特性線図である。 特　許　出　願　人　　日本真空技術株式会社代　　　
　　理　　　　　人　　　北　　　村　　　欣　　　一
二外３名

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性体側板上にＣｒ膜とＣｏ合金膜を連続的に形成し
   てなる面内記録型の磁気記録体において、前記Ｃｒ膜中
   に少なくともＧｅを添加したことを特徴とする磁気記録
   体。