JPH0348135B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0348135B2 JPH0348135B2 JP62092574A JP9257487A JPH0348135B2 JP H0348135 B2 JPH0348135 B2 JP H0348135B2 JP 62092574 A JP62092574 A JP 62092574A JP 9257487 A JP9257487 A JP 9257487A JP H0348135 B2 JPH0348135 B2 JP H0348135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- heating
- oxide
- decomposed
- lutetium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材
料として有用な新規化合物であるLuGaZn4O7で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄１モルに対して、
YbFeO3がｎモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
料として有用な新規化合物であるLuGaZn4O7で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄１モルに対して、
YbFeO3がｎモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/4に相当し、Yb3+の代わりにLu3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を置き
かえて得られた新規化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のLuGaZn4O7で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではLu3+（Ga3+、Zn2+）
Zn3 2+O7 2-として記載され、その構造はLuO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオン数の1/4は
Ga3+と共に（Ga3+、Zn2+）O2.5層を作り、残り
の3/4はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.328±0.001（Å） ｃ＝32.45±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））、
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕およびＸ線に
対する相対反射強度（％）を示すと表−２の通
りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
ｎ＝1/4に相当し、Yb3+の代わりにLu3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を置き
かえて得られた新規化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のLuGaZn4O7で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではLu3+（Ga3+、Zn2+）
Zn3 2+O7 2-として記載され、その構造はLuO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオン数の1/4は
Ga3+と共に（Ga3+、Zn2+）O2.5層を作り、残り
の3/4はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.328±0.001（Å） ｃ＝32.45±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））、
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕およびＸ線に
対する相対反射強度（％）を示すと表−２の通
りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
【表】
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしく
は加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Lu、Gaおよび
Znの割合が原子比で１対１対４の割合で混合し、
該混合物を650℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々３価イオン
状態、Znが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによつて製造し得られ
る。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高いこと
が好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物を
得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に十分に混合する。 原料の混合割合は、Lu、Ga、およびZnの割合
が原子比で１対１対４の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
LuおよびGaが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で650℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたLuGaZn4O7化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
LuO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層およびZnO層の積み
重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化ルテチウム（Lu2O3）
粉末、純度99.99％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）
粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末をモ
ル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒
径数μｍの微粉末混合物を得た。この混合物を白
金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリコ
ニツト炉内に入れ、３日間加熱し、その後、試料
を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。得ら
れた試料はLuGaZn4O7の単一相であつた。粉末
Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、面間隔（dp）
および相対反射強度（％）を測定した。その結
果は表−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.328±0.001（Å） ｃ＝32.45±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしく
は加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Lu、Gaおよび
Znの割合が原子比で１対１対４の割合で混合し、
該混合物を650℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々３価イオン
状態、Znが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによつて製造し得られ
る。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高いこと
が好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物を
得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に十分に混合する。 原料の混合割合は、Lu、Ga、およびZnの割合
が原子比で１対１対４の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
LuおよびGaが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で650℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたLuGaZn4O7化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
LuO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層およびZnO層の積み
重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化ルテチウム（Lu2O3）
粉末、純度99.99％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）
粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末をモ
ル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒
径数μｍの微粉末混合物を得た。この混合物を白
金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリコ
ニツト炉内に入れ、３日間加熱し、その後、試料
を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。得ら
れた試料はLuGaZn4O7の単一相であつた。粉末
Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、面間隔（dp）
および相対反射強度（％）を測定した。その結
果は表−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.328±0.001（Å） ｃ＝32.45±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ LuGaZn4O7で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもし
くは加熱により酸化ルテチウムに分解される化合
物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしく
は加熱により酸化ガリウムに分解される化合物
と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱によ
り酸化亜鉛に分解される化合物とを、Lu、Gaお
よびZnの割合が原子比で１対１対４の割合で混
合し、該混合物を650℃以上の温度で大気中、酸
化性雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々３価イ
オン状態、Znが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
LuGaZn4O7で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257487A JPS63256524A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257487A JPS63256524A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256524A JPS63256524A (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0348135B2 true JPH0348135B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=14058197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9257487A Granted JPS63256524A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63256524A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9257487A patent/JPS63256524A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63256524A (ja) | 1988-10-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |