JPH0359834A - 情報記録読取装置および情報記録読取方法 - Google Patents
情報記録読取装置および情報記録読取方法Info
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- JPH0359834A JPH0359834A JP19633289A JP19633289A JPH0359834A JP H0359834 A JPH0359834 A JP H0359834A JP 19633289 A JP19633289 A JP 19633289A JP 19633289 A JP19633289 A JP 19633289A JP H0359834 A JPH0359834 A JP H0359834A
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- semiconductor recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
- G11B9/1445—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other switching at least one head in operating function; Controlling the relative spacing to keep the head operative, e.g. for allowing a tunnel current flow
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
- G11B9/149—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the memorising material or structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は情報記録読取装置および情報記録読取方法に関
する。
する。
［従来の技術］
情報を記録する方法として、磁気記録方法、光磁気記録
方法、光記録方法、半導体記録方法などが知られている
。これらの中で、光磁気記録方法および光記録方法は最
も優れた高密度記録方法として最近特に注目を集めてい
る。
方法、光記録方法、半導体記録方法などが知られている
。これらの中で、光磁気記録方法および光記録方法は最
も優れた高密度記録方法として最近特に注目を集めてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
上記光磁気記録方法または光記録方法によって情報か記
録される情報領域の大きさは、情報を記録するために用
いるレーザ光の最小収束径によって制限される。レーザ
光の最小収束径ｄは、レーザ光の波長λ、収束レンズの
開口数ＮＡを用いることによって次式で表される。
録される情報領域の大きさは、情報を記録するために用
いるレーザ光の最小収束径によって制限される。レーザ
光の最小収束径ｄは、レーザ光の波長λ、収束レンズの
開口数ＮＡを用いることによって次式で表される。
を５０００人、ＮＡを１と設定すれば、光磁気記録方法
または光記録方法によって記録される情報領域の最小収
束径ｄは３１８３人となる。光磁気記録方法または光記
録方法においては、上記の情報領域の大きさは原理的に
上記の最小収束径よりも小さくなり得ないので、情報を
高い密度で記録することはできない。
または光記録方法によって記録される情報領域の最小収
束径ｄは３１８３人となる。光磁気記録方法または光記
録方法においては、上記の情報領域の大きさは原理的に
上記の最小収束径よりも小さくなり得ないので、情報を
高い密度で記録することはできない。
本発明の１つの目的は情報を高い密度で記録し、かつそ
の記録された情報を読取る情報記録読取装置を提供する
ことにある。本発明の他の１つの目的は情報を高い密度
で記録し、または、その記録された情報を読取る方法を
提供することにある。
の記録された情報を読取る情報記録読取装置を提供する
ことにある。本発明の他の１つの目的は情報を高い密度
で記録し、または、その記録された情報を読取る方法を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、上記の１つの目的は、半導体記録膜の
微小領域に対して垂直方向に、記録する情報に対応して
電圧を印加する装置と、電圧を半導体記録膜に印加する
ことによって該半導体記録膜の電気伝導度を変化させて
情報を記録する手段と、電圧を半導体記録膜に印加する
ことによって該半導体記録膜の電気伝導度の差を検出し
て該半導体記録膜に記録された情報を読取る手段とを備
えることを特徴とする情報記録読取装置を提供すること
によって遠戚される。
微小領域に対して垂直方向に、記録する情報に対応して
電圧を印加する装置と、電圧を半導体記録膜に印加する
ことによって該半導体記録膜の電気伝導度を変化させて
情報を記録する手段と、電圧を半導体記録膜に印加する
ことによって該半導体記録膜の電気伝導度の差を検出し
て該半導体記録膜に記録された情報を読取る手段とを備
えることを特徴とする情報記録読取装置を提供すること
によって遠戚される。
本発明の情報記り読取装置が有する電圧を印加する装置
としては、白金、タングステンなどからなる針状の金属
電極を備えていることが好ましい。
としては、白金、タングステンなどからなる針状の金属
電極を備えていることが好ましい。
また、情報の記録時および読取り時における金属電極と
半導体記録膜との間隔は０．１〜２ｎｍの範囲であるこ
とが、トンネル顕微鏡の原理を応用して情報の記録およ
び読取りを行うことができる観点から望ましい。電極の
先端は最小曲率半径が約０．１μｍ以下であることが良
好な結果を与える。かかるトンネル顕微鏡の原理を応用
して半導体記録膜に情報を記録する場合、記録を高密度
で行うことができる。
半導体記録膜との間隔は０．１〜２ｎｍの範囲であるこ
とが、トンネル顕微鏡の原理を応用して情報の記録およ
び読取りを行うことができる観点から望ましい。電極の
先端は最小曲率半径が約０．１μｍ以下であることが良
好な結果を与える。かかるトンネル顕微鏡の原理を応用
して半導体記録膜に情報を記録する場合、記録を高密度
で行うことができる。
電極と半導体記録膜との間隔は記録時と涜取り時とで同
じである必要はない。記録に際しては、数ボルトないし
数ｌＯボルトの範囲の電圧を印加する。
じである必要はない。記録に際しては、数ボルトないし
数ｌＯボルトの範囲の電圧を印加する。
本発明において半導体記録膜への情報の記録は、半導体
記録膜の微小領域と電極との間に、記録する情報に対応
して書込み電圧を印加してトンネル電流を生じさせ、ト
ンネル電流によって半導体記録膜の微小領域に変化を与
え、電気伝導度を変化させることによって行うのが好ま
しい。記録した情報の読取りは、一定のトンネル電流が
流れるように、電極と半導体記録膜との間隔を調節しな
がら電極を移動させ、半導体記録膜の電気伝導度を検出
することによって行うのが適当である。かかるトンネル
電流を利用する記録手段および読取手段を備えた情報記
録読取装置を用いれば、微小領域の電気伝導度を変化さ
せることが可能であり、情報領域の大きさを小さくする
ことができる。
記録膜の微小領域と電極との間に、記録する情報に対応
して書込み電圧を印加してトンネル電流を生じさせ、ト
ンネル電流によって半導体記録膜の微小領域に変化を与
え、電気伝導度を変化させることによって行うのが好ま
しい。記録した情報の読取りは、一定のトンネル電流が
流れるように、電極と半導体記録膜との間隔を調節しな
がら電極を移動させ、半導体記録膜の電気伝導度を検出
することによって行うのが適当である。かかるトンネル
電流を利用する記録手段および読取手段を備えた情報記
録読取装置を用いれば、微小領域の電気伝導度を変化さ
せることが可能であり、情報領域の大きさを小さくする
ことができる。
上記の半導体記録膜が、電圧非直線抵抗特性を示す金属
酸化物薄膜である場合には、記録密度を高くすることが
できる。半導体記録膜としては、スパッタリング法によ
って作製した酸化亜鉛の単層膜、酸化亜鉛膜と酸化ビス
マス膜とを交互に積層した多層膜、酸化亜鉛膜とチタン
酸ストロンチウム膜とを交互に積層した多層膜などが好
ましい。
酸化物薄膜である場合には、記録密度を高くすることが
できる。半導体記録膜としては、スパッタリング法によ
って作製した酸化亜鉛の単層膜、酸化亜鉛膜と酸化ビス
マス膜とを交互に積層した多層膜、酸化亜鉛膜とチタン
酸ストロンチウム膜とを交互に積層した多層膜などが好
ましい。
本発明によれば、上記の他の１つの目的は、半導体記録
膜の微小領域に対して垂直方向に、記録する情報に対応
して電圧を印加し、半導体記録膜の電気伝導度を変化さ
せることによって情報を記録し、読取りに際しては、半
導体記録膜に対して垂直方向に電圧を印加することによ
って該半導体記録膜の電気伝導度の差を検出して該半導
体装置膜に記録された情報を読取ることを特徴とする情
報記録読取方法を提供することによって達成される。
膜の微小領域に対して垂直方向に、記録する情報に対応
して電圧を印加し、半導体記録膜の電気伝導度を変化さ
せることによって情報を記録し、読取りに際しては、半
導体記録膜に対して垂直方向に電圧を印加することによ
って該半導体記録膜の電気伝導度の差を検出して該半導
体装置膜に記録された情報を読取ることを特徴とする情
報記録読取方法を提供することによって達成される。
［実施例］
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこの実施例によって限定されるものではない。
明はこの実施例によって限定されるものではない。
実施例１
本発明の情報記録読取装置の一例の概略構成図を第１図
に示す。この情報記録読取装置は、最小曲率半径が例え
ば０．１μｍである針状のタングステン電極１を備えて
おり、半導体記録＠２が形成されている。電極ｌと基板
３とに接続された電源装置４が出力する電圧によって、
電極ｌと基板３との間に数ポルトル数十ボルトの電圧を
垂直方向に印加し、トンネル電流を生じさせる。電源装
置４と電極１との間に接続された電流検出器５はトンネ
ル電流を検出する。電流検出器５はトンネル電流の検出
結果をバンドパスフィルタ６に出力する。バンドパスフ
ィルタ６が出力する信号は、半導体記録膜に対して垂直
方向、すなわちＸ方向のピエゾを駆動するＸ方向ピエゾ
駆動回路７に入力される。Ｘ方向ピエゾ駆動回路７はバ
ンドパスフィルタ６の出力信号に対応する駆動電圧を電
極（に取付けられたＸ方向ピエゾ８に出力する。電極ｌ
には、半導体記録膜と平行方向で、かつ、互いに直交す
る、Ｘ方向またはＹ方向に電極ｌをそれぞれ走査する、
Ｘ方向ピエゾ９およびＹ方向ピエゾエ０が取付けられて
いる。また電源装置４には書込み信号源１１が接続され
ており、書き込み信号源１１は、記録する情報に対応し
て書込み信号を電源装置４に出力する。
に示す。この情報記録読取装置は、最小曲率半径が例え
ば０．１μｍである針状のタングステン電極１を備えて
おり、半導体記録＠２が形成されている。電極ｌと基板
３とに接続された電源装置４が出力する電圧によって、
電極ｌと基板３との間に数ポルトル数十ボルトの電圧を
垂直方向に印加し、トンネル電流を生じさせる。電源装
置４と電極１との間に接続された電流検出器５はトンネ
ル電流を検出する。電流検出器５はトンネル電流の検出
結果をバンドパスフィルタ６に出力する。バンドパスフ
ィルタ６が出力する信号は、半導体記録膜に対して垂直
方向、すなわちＸ方向のピエゾを駆動するＸ方向ピエゾ
駆動回路７に入力される。Ｘ方向ピエゾ駆動回路７はバ
ンドパスフィルタ６の出力信号に対応する駆動電圧を電
極（に取付けられたＸ方向ピエゾ８に出力する。電極ｌ
には、半導体記録膜と平行方向で、かつ、互いに直交す
る、Ｘ方向またはＹ方向に電極ｌをそれぞれ走査する、
Ｘ方向ピエゾ９およびＹ方向ピエゾエ０が取付けられて
いる。また電源装置４には書込み信号源１１が接続され
ており、書き込み信号源１１は、記録する情報に対応し
て書込み信号を電源装置４に出力する。
上記の半導体記録膜２としては基板上に酸化亜鉛膜、チ
タン酸ストロンチウム膜および酸化亜鉛膜とが順次積層
されてなる多層膜を用いる。この半導体記録膜の電圧電
流特性を第２図に示す。第２図の縦軸に示す電流値が大
きい場合が、電気伝導度が高い場合に対応する。第２図
から明らかなように上記の半導体記録膜に約０．１ｖの
電圧を与えた時点（Ａ点）における電流は約ｌＸｌ０−
”Ａである。半導体記録膜に与える電圧を上昇させ、約
８ｖに達した時点（Ｂ点）における電流は約１×１０°
”Ａである。この後半導体記録膜の電気伝導度は急激に
増加し、０点における電流は約１×１Ｏ−３Ａ以上にな
る。電圧を降下させ、再び約０．１■にした時点（Ｄ点
）における電気伝導度はＡ点の場合よりはるかに小さく
、Ｄ点における電流はＩＸ ｔｏ−’Ａである。このよ
うに電気伝導度が変化するのは、過大電流が生じた半導
体記録膜の微小領域における結晶の電子構造が非可逆的
に変化するためである。
タン酸ストロンチウム膜および酸化亜鉛膜とが順次積層
されてなる多層膜を用いる。この半導体記録膜の電圧電
流特性を第２図に示す。第２図の縦軸に示す電流値が大
きい場合が、電気伝導度が高い場合に対応する。第２図
から明らかなように上記の半導体記録膜に約０．１ｖの
電圧を与えた時点（Ａ点）における電流は約ｌＸｌ０−
”Ａである。半導体記録膜に与える電圧を上昇させ、約
８ｖに達した時点（Ｂ点）における電流は約１×１０°
”Ａである。この後半導体記録膜の電気伝導度は急激に
増加し、０点における電流は約１×１Ｏ−３Ａ以上にな
る。電圧を降下させ、再び約０．１■にした時点（Ｄ点
）における電気伝導度はＡ点の場合よりはるかに小さく
、Ｄ点における電流はＩＸ ｔｏ−’Ａである。このよ
うに電気伝導度が変化するのは、過大電流が生じた半導
体記録膜の微小領域における結晶の電子構造が非可逆的
に変化するためである。
半導体記録膜に情報を記録する場合には、書込み信号源
１１が出力する書込み信号に対応して、電源装置４が書
込み電圧を出力し、電極１と基板３との間に高電４が印
加される。書込み電圧によって半導体記録膜の微小領域
に過大なトンネル電流が生じ、半導体記録膜の電気伝導
度が高くなる。該微小領域の高い電気伝導度は書込み電
圧を取除いた状態においてもそのまま保持され、これに
より該微小領域以外の領域よりも電気伝導度が高い情報
領域が形成される。
１１が出力する書込み信号に対応して、電源装置４が書
込み電圧を出力し、電極１と基板３との間に高電４が印
加される。書込み電圧によって半導体記録膜の微小領域
に過大なトンネル電流が生じ、半導体記録膜の電気伝導
度が高くなる。該微小領域の高い電気伝導度は書込み電
圧を取除いた状態においてもそのまま保持され、これに
より該微小領域以外の領域よりも電気伝導度が高い情報
領域が形成される。
記録された情報を読取る場合には、電源装置４は一定の
読取り電圧を電極ｌに出力する。読取り電圧によって電
極１と半導体記録膜２との間にトンネル電流が流れる。
読取り電圧を電極ｌに出力する。読取り電圧によって電
極１と半導体記録膜２との間にトンネル電流が流れる。
電流検出器５はトンネル電流を検出する。電流検出器５
は検出結果を示す検出信号をバンドパスフィルタ６に出
力する。該検出信号は、（１）半導体記録膜表面のうね
りと該表面の原子オーダーの凹凸とによって変動する、
電極と半導体記録膜との間隔と、（２）半導体記録膜の
微小領域の電気伝導度の差とに対応して変化する。
は検出結果を示す検出信号をバンドパスフィルタ６に出
力する。該検出信号は、（１）半導体記録膜表面のうね
りと該表面の原子オーダーの凹凸とによって変動する、
電極と半導体記録膜との間隔と、（２）半導体記録膜の
微小領域の電気伝導度の差とに対応して変化する。
該検出信号をバンドパスフィルタに入力して電気伝導度
の変化のみを取り出すことによって、半導体記録膜の微
小領域の電気伝導度の変化のみを検出することができる
。バンドパスフィルタ６が出力する出力信号をＸ方向ピ
エゾ駆動回路７に入力する。Ｘ方向ピエゾ駆動回路７は
電極と半導体記録膜との間隔が一定になるようにＸ方向
ピエゾ８に出力する駆動電圧を調節する。駆動電圧は情
報が記録されて電気伝導度が変化した微小領域上を走査
する時点に対応して変化することから、上記駆動電圧を
Ｚ方向ピエゾ駆動回路７に接続された駆動電圧検出器１
２で検出することによって情報を読取ることができる。
の変化のみを取り出すことによって、半導体記録膜の微
小領域の電気伝導度の変化のみを検出することができる
。バンドパスフィルタ６が出力する出力信号をＸ方向ピ
エゾ駆動回路７に入力する。Ｘ方向ピエゾ駆動回路７は
電極と半導体記録膜との間隔が一定になるようにＸ方向
ピエゾ８に出力する駆動電圧を調節する。駆動電圧は情
報が記録されて電気伝導度が変化した微小領域上を走査
する時点に対応して変化することから、上記駆動電圧を
Ｚ方向ピエゾ駆動回路７に接続された駆動電圧検出器１
２で検出することによって情報を読取ることができる。
第１図に示す情報記録読取装置によるトラッキング方法
を説明するための概略斜視図を第３図に示す。半導体記
録膜２は間隔：１μｍ１幅二〇、４μｍである線状凸部
からなるトラッキングライン１３を備えている。トラッ
キングライン１３上には情報領域１４が形成されている
。半導体記録Ｈ２の電気伝導度を変化させない範囲の低
い電圧を電極ｌを用いて半導体記録膜２に印加しトンネ
ル電流を生じさせる。一定のトンネル電流が流れるよう
に、トラッキングライン１３に対して垂直方向、すなわ
ちＸ方向のピエゾの位置を調節しながら、トラッキング
ライン１３に対して平行方向、すなりちＹ方向のピエゾ
を調節することにより電極１をＹ方向に移動させること
によってトラッキングを行う。
を説明するための概略斜視図を第３図に示す。半導体記
録膜２は間隔：１μｍ１幅二〇、４μｍである線状凸部
からなるトラッキングライン１３を備えている。トラッ
キングライン１３上には情報領域１４が形成されている
。半導体記録Ｈ２の電気伝導度を変化させない範囲の低
い電圧を電極ｌを用いて半導体記録膜２に印加しトンネ
ル電流を生じさせる。一定のトンネル電流が流れるよう
に、トラッキングライン１３に対して垂直方向、すなわ
ちＸ方向のピエゾの位置を調節しながら、トラッキング
ライン１３に対して平行方向、すなりちＹ方向のピエゾ
を調節することにより電極１をＹ方向に移動させること
によってトラッキングを行う。
上記の電極を用いると、トラッキングラインの間隔は５
００人まで小さくすることができる。
００人まで小さくすることができる。
［発明の効果］
本発明によれば、情報を高い密度で記録し、記録された
情報を読取る情報記録読取装置が提供される。また、情
報を高い密度で記録する方法および高い密度で記録され
た情報を読み取る方法が提供され条。本発明の情報記録
読取装置が電圧を印加する装置として、針状の電極を備
えている場合には、本発明の情報記録方法によれば、半
導体記録膜に数個以上数１００個以下の原子の大きさ、
すなわち直径１００人の情報領域を形成することが可能
である。これは先に述べた光記録方法による場合の約３
０分の１の情報領域の、大きさに相当し、単位面積当り
の記録密度は約９００倍となる。現在実用化されている
光ディスクの場合、情報領域の直径が８（１０（＋大で
あり、記録密度は約３９００万＠／Ｃ−である。情報領
域の直径が上述の１００人であれば、記録密度は約２４
００億個／Ｃ−となり、飛躍的に高い記録密度を実現し
得る。
情報を読取る情報記録読取装置が提供される。また、情
報を高い密度で記録する方法および高い密度で記録され
た情報を読み取る方法が提供され条。本発明の情報記録
読取装置が電圧を印加する装置として、針状の電極を備
えている場合には、本発明の情報記録方法によれば、半
導体記録膜に数個以上数１００個以下の原子の大きさ、
すなわち直径１００人の情報領域を形成することが可能
である。これは先に述べた光記録方法による場合の約３
０分の１の情報領域の、大きさに相当し、単位面積当り
の記録密度は約９００倍となる。現在実用化されている
光ディスクの場合、情報領域の直径が８（１０（＋大で
あり、記録密度は約３９００万＠／Ｃ−である。情報領
域の直径が上述の１００人であれば、記録密度は約２４
００億個／Ｃ−となり、飛躍的に高い記録密度を実現し
得る。
第１図は本発明の情報ｇｃ！録続取装置の一例の概略構
成図、第２図は実施例の半導体記録膜の電圧電流特性を
示す図、第３図はトラッキングの方法を説明するために
示す概略斜視図である。 １・・・電極 ２・・・半導体記録膜
成図、第２図は実施例の半導体記録膜の電圧電流特性を
示す図、第３図はトラッキングの方法を説明するために
示す概略斜視図である。 １・・・電極 ２・・・半導体記録膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体記録膜の微小領域に対して垂直方向に、記録
する情報に対応して電圧を印加する装置と、電圧を半導
体記録膜に印加することによつて該半導体記録膜の電気
伝導度を変化させて情報を記録する手段と、電圧を半導
体記録膜に印加することによつて該半導体記録膜の電気
伝導度の差を検出して該半導体記録膜に記録させた情報
を読取る手段とを備えることを特徴とする情報記録読取
装置。 ２、電圧を印加する装置として、針状の金属電極を備え
ており、かつ情報の記録時および読取り時における金属
電極と半導体記録膜との間隔が０．１〜２ｎｍの範囲で
あることを特徴とする請求項１記載の情報記録読取装置
。 ３、半導体記録膜が、電圧非直線抵抗特性を有する金属
酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１または２記
載の情報記録読取装置。 ４、請求項１記載の情報記録読取装置を用いて、半導体
記録膜に情報を記録することを特徴とする情報記録方法
。 ５、請求項１記載の情報記録読取装置を用いて半導体記
録膜に記録された情報を読取ることを特徴とする情報読
取方法。 ６、半導体記録膜の微小領域に対して垂直方向に、記録
する情報に対応して電圧を印加し、半導体記録膜の電気
伝導度を変化させることによつて情報を記録し、読取り
に際しては、半導体記録膜に対して垂直方向に電圧を印
加することによつて該半導体記録膜の電気伝導度の差を
検出して該半導体記録膜に記録された情報を読取ること
を特徴とする情報記録読取方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19633289A JPH0359834A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 情報記録読取装置および情報記録読取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19633289A JPH0359834A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 情報記録読取装置および情報記録読取方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359834A true JPH0359834A (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=16356069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19633289A Pending JPH0359834A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 情報記録読取装置および情報記録読取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0359834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0739004A1 (en) * | 1995-04-21 | 1996-10-23 | Hewlett-Packard Company | High capacity recording device having high density recording media |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19633289A patent/JPH0359834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0739004A1 (en) * | 1995-04-21 | 1996-10-23 | Hewlett-Packard Company | High capacity recording device having high density recording media |
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