JPH0360062A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0360062A JPH0360062A JP1195519A JP19551989A JPH0360062A JP H0360062 A JPH0360062 A JP H0360062A JP 1195519 A JP1195519 A JP 1195519A JP 19551989 A JP19551989 A JP 19551989A JP H0360062 A JPH0360062 A JP H0360062A
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- semiconductor
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に半導体集積回
路の実装構造に関する。
路の実装構造に関する。
従来の半導体集積回路装置では、パッケージ内の半導体
チップはひとつのもので構成されている。
チップはひとつのもので構成されている。
例えば第3図に示す様に、半導体チップ31は、パッケ
ージ内にパッド33.導電膜32をポンディングワイヤ
34でポンディングされ封入されているにすぎない。
ージ内にパッド33.導電膜32をポンディングワイヤ
34でポンディングされ封入されているにすぎない。
前述した従来の半導体集積回路装置では、回路規模が大
きくなると、半導体チップの大きさが大きくなり、プリ
ント基板の実装面積も大きくなってしまうので、その半
導体集積回路装置を使用した装置の大きさが大きくなっ
てしまうという欠点がある。
きくなると、半導体チップの大きさが大きくなり、プリ
ント基板の実装面積も大きくなってしまうので、その半
導体集積回路装置を使用した装置の大きさが大きくなっ
てしまうという欠点がある。
また、従来の半導体集積回路装置のパッケージ内の半導
体集積回路素子の配置では、単数の半導体チップを置く
他に、複数の半導体チップを横に並べて置くものもあっ
た。この場合も、実装面積が大となる欠点があった。
体集積回路素子の配置では、単数の半導体チップを置く
他に、複数の半導体チップを横に並べて置くものもあっ
た。この場合も、実装面積が大となる欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、実装密度を上げ
るようにした半導体集積回路装置を提供することにある
。
るようにした半導体集積回路装置を提供することにある
。
本発明の半導体集積回路装置の構成は、複数の半導体チ
ップを互いに積み重ね、ひとつのパッケージ内に封入し
たことを特徴とする特〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
ップを互いに積み重ね、ひとつのパッケージ内に封入し
たことを特徴とする特〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(A)、第1図(B)は本発明の一実施例の半導
体集積回路装置を示す平面図、断面図である。
体集積回路装置を示す平面図、断面図である。
第1図(A) 、 (B)において、本実施例は、第1
の半導体チップ11の上に、第2の半導体チップ12を
積み重ね、第1の半導体チップ11内に、第2の半導体
チップ12との接続の為のバッド13を設け、ポンディ
ング・ワイヤ15により接続する。
の半導体チップ11の上に、第2の半導体チップ12を
積み重ね、第1の半導体チップ11内に、第2の半導体
チップ12との接続の為のバッド13を設け、ポンディ
ング・ワイヤ15により接続する。
第1の半導体チップ11と導電膜14との接続は、従来
通りのポンディング・ワイヤの構成となる。
通りのポンディング・ワイヤの構成となる。
前記構成により、従来の半導体集積回路装置の実装面積
を変えることなく、より大規模な半導体集積回路装置が
構成できる。さらに、例えば上に積み重ねる第2の半導
体チップ12を既存の半導体チップ、下に積み重ねられ
る第1の半導体チップ11を新規開発した周辺装置の半
導体チップを使用することにより、下に積み重ねられる
半導体チップ11だけを設計するだけで済むので、開発
期間が短かくなり、半導体集積回路装置の信頼性は、上
に積み重ねる半導体チップと下に積み重ねられる半導体
チップを両方開発したものより、高くなる。
を変えることなく、より大規模な半導体集積回路装置が
構成できる。さらに、例えば上に積み重ねる第2の半導
体チップ12を既存の半導体チップ、下に積み重ねられ
る第1の半導体チップ11を新規開発した周辺装置の半
導体チップを使用することにより、下に積み重ねられる
半導体チップ11だけを設計するだけで済むので、開発
期間が短かくなり、半導体集積回路装置の信頼性は、上
に積み重ねる半導体チップと下に積み重ねられる半導体
チップを両方開発したものより、高くなる。
第2図は本発明の他の実施例の半導体集積回路装置の製
法を示す斜視図である。第2図において、本実施例は、
単一の半導体チップ21,22.23を積み重ねて半導
体チップ24.25を構成している。
法を示す斜視図である。第2図において、本実施例は、
単一の半導体チップ21,22.23を積み重ねて半導
体チップ24.25を構成している。
例えば、半導体チップ21をRAM (ランダム・アク
セス・メモリ)素子、半導体チップ22を周辺回路素子
、半導体チップ23をROM(!J−ド・オンリ・メモ
リ)素子とした場合、異なった2つの半導体集積回路装
置23を構成するには、半導体チップ24.25のよう
に、半導体チップ22の上に積み重ねる半導体チップ2
1,23を選択するだけで良く、半導体チップ22を共
通で使用することができる利点があり、開発期間の短縮
の効果がある。
セス・メモリ)素子、半導体チップ22を周辺回路素子
、半導体チップ23をROM(!J−ド・オンリ・メモ
リ)素子とした場合、異なった2つの半導体集積回路装
置23を構成するには、半導体チップ24.25のよう
に、半導体チップ22の上に積み重ねる半導体チップ2
1,23を選択するだけで良く、半導体チップ22を共
通で使用することができる利点があり、開発期間の短縮
の効果がある。
次に、上に積み重ねる半導体チップ21を既作の信頼性
の高い半導体チップ、例えばハードマクロやRAM、R
OM素子、下に積み重ねられる半導体チップ22を新規
開発の周辺装置の半導体チップにすることにより、作成
された半導体チップの信頼性の向上を図れる。
の高い半導体チップ、例えばハードマクロやRAM、R
OM素子、下に積み重ねられる半導体チップ22を新規
開発の周辺装置の半導体チップにすることにより、作成
された半導体チップの信頼性の向上を図れる。
例えば上に積み重ねる半導体チップ21をスタンタート
セル方式、ゲートアレ一方式、又はフルカスタム方式で
設計された半導体チップ、下に積み重ねられる半導体チ
ップ22をゲートアレ一方式、スタンダード・セル方式
、又はフルカスタム方式で設計された半導体チップとし
て、半導体チップ24を構成する。この様に設計方式の
異なった半導体チップを組み合わせて構成することも可
能である。
セル方式、ゲートアレ一方式、又はフルカスタム方式で
設計された半導体チップ、下に積み重ねられる半導体チ
ップ22をゲートアレ一方式、スタンダード・セル方式
、又はフルカスタム方式で設計された半導体チップとし
て、半導体チップ24を構成する。この様に設計方式の
異なった半導体チップを組み合わせて構成することも可
能である。
また、設計プロセスの異なった半導体チップを組み合せ
て構成することも可能である この他に、半導体集積回路装置の実装面積の大きさに応
じて、積み重ねる半導体チップの積み重ね段数を3段、
4段とすることも可能である。
て構成することも可能である この他に、半導体集積回路装置の実装面積の大きさに応
じて、積み重ねる半導体チップの積み重ね段数を3段、
4段とすることも可能である。
以上説明したように、本発明は、複数の半導体チップを
積み重ねた構造をもつ半導体集積回路装置にすることに
より、半導体集積回路装置の実装面積を変えることなく
、集積度を高める効果があり、また開発期間が短縮し、
製品の信頼性が向上する効果もある。
積み重ねた構造をもつ半導体集積回路装置にすることに
より、半導体集積回路装置の実装面積を変えることなく
、集積度を高める効果があり、また開発期間が短縮し、
製品の信頼性が向上する効果もある。
第1図(A)は、本発明の一実施例の半導体集積回路装
置を示す平面図、第1図(B)は第1図(A)の断面図
、第2図は本発明の他の実施例の半導体集積回路の製法
を示す斜視図、第3図は従来の半導体集積回路の断面図
である。 11.12,21,22,23,2,1,25゜31・
・・・・・半導体チップ、13.33・・・・・・パッ
ド、14.32・・・・・・導電膜、15.34・・・
・・・ポンディングワイヤ。
置を示す平面図、第1図(B)は第1図(A)の断面図
、第2図は本発明の他の実施例の半導体集積回路の製法
を示す斜視図、第3図は従来の半導体集積回路の断面図
である。 11.12,21,22,23,2,1,25゜31・
・・・・・半導体チップ、13.33・・・・・・パッ
ド、14.32・・・・・・導電膜、15.34・・・
・・・ポンディングワイヤ。
Claims (1)
- 複数の半導体チップを互いに積み重ね、ひとつのパッケ
ージ内に封入したことを特徴とする半導体集積回路装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195519A JPH0360062A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195519A JPH0360062A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360062A true JPH0360062A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16342437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1195519A Pending JPH0360062A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152616A (ja) * | 2001-03-02 | 2009-07-09 | Qualcomm Inc | 混合アナログおよびデジタル集積回路 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1195519A patent/JPH0360062A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152616A (ja) * | 2001-03-02 | 2009-07-09 | Qualcomm Inc | 混合アナログおよびデジタル集積回路 |
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