JPH0360497A - 超伝導擬単結晶の製造法 - Google Patents
超伝導擬単結晶の製造法Info
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- JPH0360497A JPH0360497A JP1193346A JP19334689A JPH0360497A JP H0360497 A JPH0360497 A JP H0360497A JP 1193346 A JP1193346 A JP 1193346A JP 19334689 A JP19334689 A JP 19334689A JP H0360497 A JPH0360497 A JP H0360497A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分身）
本発明は、電流密度を上げることができる超伝導擬単結
晶の製造法に関する。
晶の製造法に関する。
（従来の技術）
従来、焼結超伝導複合酸化物の製造法は、成分元素の酸
化物あるいは炭酸塩等の粉末を所定量秤量したのちよく
混合し、成形して数１００’Ｃで予備焼成したものを再
び粉砕し、成形して約９００〜１１００℃で本焼成して
製造している。
化物あるいは炭酸塩等の粉末を所定量秤量したのちよく
混合し、成形して数１００’Ｃで予備焼成したものを再
び粉砕し、成形して約９００〜１１００℃で本焼成して
製造している。
このようにして得られた超伝導焼結体は多結晶であり、
結晶構造が斜方晶の場合はａ軸、ｂ軸、Ｃ軸の格子定数
（，４）ａ、ｂ、ｃで表わされるカーこれらの軸はばら
ばらの方向に向いており、一定方向に配向していない。
結晶構造が斜方晶の場合はａ軸、ｂ軸、Ｃ軸の格子定数
（，４）ａ、ｂ、ｃで表わされるカーこれらの軸はばら
ばらの方向に向いており、一定方向に配向していない。
また、これらの軸方向の電気伝導度δはａ＠が最も大き
く、ｂ軸はａ軸につやや小さく、Ｃ軸はａ軸に比較し極
端に小さく１／１０００程度であり、次式で表わすこと
ができる。
く、ｂ軸はａ軸につやや小さく、Ｃ軸はａ軸に比較し極
端に小さく１／１０００程度であり、次式で表わすこと
ができる。
δａ〉δｂ＞＞δＣ
現在、多結晶焼結体の臨界電流Ｊｃは１０＋Ａ／ｃｍ２
（７７Ｋ）程度が得られているが、実用的には無磁
界で１０ Ａ／ｃｍ２ 、ＩＯＴの磁界下で１０
Ａ／ｃｍ２位が要望されている。
（７７Ｋ）程度が得られているが、実用的には無磁
界で１０ Ａ／ｃｍ２ 、ＩＯＴの磁界下で１０
Ａ／ｃｍ２位が要望されている。
多結晶焼結体の臨界電流ＪＣが低い理由は、焼結密度が
十分に高くないために多結晶粒子同志の接触が不十分で
あること、多結晶粒子の粒界部が高電流密度に対してネ
ックになること、結晶の異方性が大きいために磁界や電
流の方向に不利な方位を有する粒子の超伝導性が早く破
れること等である。
十分に高くないために多結晶粒子同志の接触が不十分で
あること、多結晶粒子の粒界部が高電流密度に対してネ
ックになること、結晶の異方性が大きいために磁界や電
流の方向に不利な方位を有する粒子の超伝導性が早く破
れること等である。
多結晶焼結体の臨界電流ＪＣに関してはキャリア密度が
小さいこと、コヒーレンス長が短いこと等により一部で
は頭打ちが憂慮されている状態である。
小さいこと、コヒーレンス長が短いこと等により一部で
は頭打ちが憂慮されている状態である。
しかし、他方、臨界電流Ｊｃは配向した多結晶薄膜で１
０ Ａ／ｃｒｎ２、単結晶薄膜ｒ１０’、Ａ、７０ｍ
２が得られていることも事実である。
０ Ａ／ｃｒｎ２、単結晶薄膜ｒ１０’、Ａ、７０ｍ
２が得られていることも事実である。
（解決しようとする問題点）
本発明は、多結晶超伝導体の臨界電流ＪＣを高め実用に
供しうる超伝導結晶を製造する方法を提供しようとする
ものである。
供しうる超伝導結晶を製造する方法を提供しようとする
ものである。
（問題を解決するための手段）
本発明は、多結晶超伝導体を単結晶に極めて近い状態（
超伝導擬革結晶）にすることによって臨界電流ＪＣを向
上させようとず゛るものである。
超伝導擬革結晶）にすることによって臨界電流ＪＣを向
上させようとず゛るものである。
これは斜方晶型の多結晶超伝導体の場合、ａ＠ｂ＠、Ｃ
軸を一定方向に揃え配向させることによって目的を達成
することができる。
軸を一定方向に揃え配向させることによって目的を達成
することができる。
先ず第一段階としてＣ軸を揃える。
以下、方法を詳細に説明する。
高周波コイルの中に多結晶超伝導体を置き、コイルに高
周波電流を流し４５０．．６００℃の相転移点以下の温
度（例えば、ＹＢａ系の超伝導体の相転移点は５７０℃
である）で多結晶超伝導体を加熱する。
周波電流を流し４５０．．６００℃の相転移点以下の温
度（例えば、ＹＢａ系の超伝導体の相転移点は５７０℃
である）で多結晶超伝導体を加熱する。
この場合、変化する磁場の軸方向にＣ軸が平行である結
晶は渦電流が誘導され、結晶の温度が上がりやがてその
結晶は熱運動により消滅する。
晶は渦電流が誘導され、結晶の温度が上がりやがてその
結晶は熱運動により消滅する。
他方、変化する磁場の軸方向にＣ軸が垂直である結晶は
渦電流は誘導されず、結晶の温度も変化せず熱運動によ
り消滅した結晶を原料とし結晶成長する。
渦電流は誘導されず、結晶の温度も変化せず熱運動によ
り消滅した結晶を原料とし結晶成長する。
さらに、多結晶超伝導体またはコイルの少なくとも一方
を変化する磁場の方向と垂直な方向を軸に回転させる。
を変化する磁場の方向と垂直な方向を軸に回転させる。
この回転は連続回転でなくてもよい。例えば、多結晶超
伝導体をコイル軸に垂直な定方向に回転すると回転軸と
Ｃ軸は一致する。
伝導体をコイル軸に垂直な定方向に回転すると回転軸と
Ｃ軸は一致する。
上記の方法によってＣ軸を一定方向に揃え配向させるこ
とができる。
とができる。
次に第二段階としてａ軸とｂ軸を揃える。
以下、方法を詳細に説明する。
第一段階で揃えたＣ軸方向と垂直方向に電流を流し、４
５０〜６００’Ｃの相転移点以下の温度で多結晶超伝導
体を加熱する。
５０〜６００’Ｃの相転移点以下の温度で多結晶超伝導
体を加熱する。
電流は直流、交流あるいは静電誘導でもよい。
この場合、電流の流れに平行なａ軸の結晶にはより多く
の電流が流れ、結晶の温度が上がりやがてその結晶は熱
運動により消滅する。
の電流が流れ、結晶の温度が上がりやがてその結晶は熱
運動により消滅する。
他方、電流の流れに垂直なａ軸の結晶には電流の流れが
少ないため結晶の温度はそれ程上らず、熱運動により消
滅した結晶を原料とし結晶成長する。
少ないため結晶の温度はそれ程上らず、熱運動により消
滅した結晶を原料とし結晶成長する。
上記の方法によってａ軸およびｂ軸を一定方向に揃え配
向させることができる。
向させることができる。
本発明によってａ軸、ｂ軸、Ｃ軸を一定方向に配向させ
た多結晶超伝導体は単結晶に極めて近い鼓車結晶超伝導
体であり、このため臨界電流Ｊｃを著しく向上させるこ
とができる。
た多結晶超伝導体は単結晶に極めて近い鼓車結晶超伝導
体であり、このため臨界電流Ｊｃを著しく向上させるこ
とができる。
本発明者等は本発明によって臨界電流３５０００Ａ／ｃ
ｍ２の超伝導焼結体を製造することができた。さらに注
意深い操作を行なうことによってさらに高い臨界電流を
得ることが十分に期待できるものである。
ｍ２の超伝導焼結体を製造することができた。さらに注
意深い操作を行なうことによってさらに高い臨界電流を
得ることが十分に期待できるものである。
（発明の効果）
本発明によれば、多結晶超伝導体を極めて単結晶に近い
擬革結晶とすることができるため著しく臨界電流を向上
させることができる特徴がある。
擬革結晶とすることができるため著しく臨界電流を向上
させることができる特徴がある。
Claims (1)
- 多結晶超伝導体に渦電流を発生させることにより斜方
晶のＣ軸を一定方向に配向させたのち、該多結晶超伝導
体にＣ軸と垂直方向に電流を流してａ軸およびｂ軸を一
定方向に配向させることを特徴とする超伝導擬単結晶の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193346A JPH0360497A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 超伝導擬単結晶の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193346A JPH0360497A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 超伝導擬単結晶の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360497A true JPH0360497A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16306372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193346A Pending JPH0360497A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 超伝導擬単結晶の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006667A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | National Institute For Materials Science | 酸化物超伝導焼結体とその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1193346A patent/JPH0360497A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006667A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | National Institute For Materials Science | 酸化物超伝導焼結体とその製造方法 |
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