JPH036109A - amplifier circuit - Google Patents
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- JPH036109A JPH036109A JP1140451A JP14045189A JPH036109A JP H036109 A JPH036109 A JP H036109A JP 1140451 A JP1140451 A JP 1140451A JP 14045189 A JP14045189 A JP 14045189A JP H036109 A JPH036109 A JP H036109A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、無線通信機器等に用いられる増幅回路に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an amplifier circuit used in wireless communication equipment and the like.
従来の技術
増幅器では、電圧、温度等の変動に対して安電した出力
が得られることが必要となされる。このために各種の対
策が講じられている。以下、第８図を参照して従来の増
幅器について説明する。Prior art amplifiers are required to provide a stable output with respect to fluctuations in voltage, temperature, etc. Various measures are being taken for this purpose. A conventional amplifier will be explained below with reference to FIG.
第８図において、８０１は増幅用トランジスタ、８０２
は増幅用トランジスタ８０１へ信号を渡す前段増幅器、
８０３は前段増幅器８０２のコレクタ電流を制御する検
出電流制御用ｐｎｐトランジスタ、８０４はダイオード
、８０５は検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ８０３の
ベースバイアスを設定する可変抵抗器、８０６はダイオ
ード、８０７はツェナーダイオード、８０８は電流制限
のための抵抗、８０９はダイオード８０４．８０６と、
可変抵抗器８０５と、ツェナーダイオード８０７に流れ
る電流を設定する抵抗、８）０は電流検出用抵抗、８）
１は高周波出力信号を阻止するインダクタ、８）２は容
量、８）３，８）４は結合容量、８）５は増幅用トラン
ジスタ８０１のベースバイアスを設定するベースバイア
ス端子、８）６は電源端子である。In FIG. 8, 801 is an amplification transistor, 802
is a pre-stage amplifier that passes a signal to the amplification transistor 801;
803 is a detection current control pnp transistor that controls the collector current of the preamplifier 802, 804 is a diode, 805 is a variable resistor that sets the base bias of the detection current control pnp transistor 803, 806 is a diode, 807 is a zener diode, 808 is a resistor for current limiting, 809 is a diode 804 and 806,
A variable resistor 805 and a resistor that sets the current flowing to the Zener diode 807, 8) 0 is a current detection resistor, 8)
1 is an inductor that blocks high frequency output signals, 8) 2 is a capacitor, 8) 3, 8) 4 is a coupling capacitance, 8) 5 is a base bias terminal that sets the base bias of the amplification transistor 801, 8) 6 is a power supply It is a terminal.
以上のような構成において、以下その動作について説明
する。The operation of the above configuration will be explained below.
可変抵抗器８０５によって検出電流制御用ｐｎｐトラン
ジスタ８０３のベース電圧を設定している場合において
、電源電圧の変動や温度の変化によって増幅用トランジ
スタ８０１のコレクタ電流が増し、出力が増すと、電流
検出用抵抗８）０による電圧降下が大きくなり、電源端
子８）６と検出電流制御用ｐｎｐ トランジスタ８０３
のベース間の電圧が、ダイオード８０４と可変抵抗器８
０５で決められている電圧と等しくなるように検出電流
制御用ｐｎＰ ）ランジスタ８０３のベース・エミッタ
間電圧が下がり、前段増幅器８０２のコレクタ電流を減
少させるため、前段増幅器８０２の出力が低下し、増幅
用トランジスタ８０１の入力電力が減少し、その出力が
一定になる方向に動作する。増幅用トランジスタ８０１
のコレクタ電流が減少した場合は、前記コレクタ電流が
増加した場合と逆の動作を行い、前段増幅器８０２の出
力を増加させて、出カ一定の方向に動作する。When the base voltage of the detection current control PNP transistor 803 is set by the variable resistor 805, if the collector current of the amplification transistor 801 increases due to fluctuations in the power supply voltage or temperature changes, and the output increases, the current detection The voltage drop caused by the resistor 8)0 becomes large, and the voltage drop between the power supply terminal 8)6 and the detection current control pnp transistor 803 increases.
The voltage between the bases of diode 804 and variable resistor 8
The voltage between the base and emitter of the transistor 803 (pnP) for detecting current control decreases so that it is equal to the voltage determined by 05), and the collector current of the preamplifier 802 decreases, so the output of the preamplifier 802 decreases and the amplification The input power of the transistor 801 decreases, and the output thereof becomes constant. Amplification transistor 801
When the collector current decreases, the operation is opposite to that when the collector current increases, and the output of the front-stage amplifier 802 is increased, so that the output is constant.
発明が解決しようとする課題
しかし、以上のような構成では部品の温度特性、例えば
ダイオード８０４，８０６の流れる電流の変化による電
圧震動、増幅用トランジスタ８０１の直流電流増幅率の
ばらつき等のために、増幅用トランジスタ８０１の出力
変動がみられ、また、増幅用トランジスタ８０１の直流
電流増幅率の変動が大きい場合には増幅用トランジスタ
８０１０ベースバイアス供給を調整する必要があるとい
う課題を有していた。Problems to be Solved by the Invention However, in the above configuration, due to the temperature characteristics of the components, for example, voltage vibration due to changes in the current flowing through the diodes 804 and 806, and variations in the DC current amplification factor of the amplification transistor 801, etc. There is a problem in that when the output of the amplification transistor 801 fluctuates and the DC current amplification factor of the amplification transistor 801 fluctuates greatly, it is necessary to adjust the base bias supply of the amplification transistor 8010.
本発明は上記問題を解決するもので、温度、電源電圧、
直流電流増幅率、負荷インピーダンス等の変動に対して
出力変動が小さい、電流検出形の補正回路を具備した増
幅回路を提供することを目的とするものである。The present invention solves the above-mentioned problems, and the temperature, power supply voltage,
It is an object of the present invention to provide an amplifier circuit equipped with a current detection type correction circuit whose output fluctuation is small with respect to fluctuations in DC current amplification factor, load impedance, etc.
課題を解決するための手段
本発明は、検出電流制御用ｐｎｐ トランジスタのベー
ス電圧の設定にウィルソン形カレントミラー回路の電圧
基準用トランジスタのベース電圧を使用し、また、ウィ
ルソン形カレントミラー回路とツェナーダイオードとに
流れる電流を定電流源回路で一定とし、検出電流制御用
ｐｎｐｔ’ランジスタのコレクタ出力電流を前段増幅器
のコレクタ電流、あるいは増幅用トランジスタ自身のベ
ース電流に供給することによシ、上記目的を達成するも
のである。Means for Solving the Problems The present invention uses the base voltage of a voltage reference transistor of a Wilson type current mirror circuit to set the base voltage of a pnp transistor for detecting current control, and also uses a Wilson type current mirror circuit and a Zener diode. The above purpose can be achieved by keeping the current flowing in the current source constant using a constant current source circuit, and by supplying the collector output current of the pnpt' transistor for detection current control to the collector current of the pre-stage amplifier or the base current of the amplification transistor itself. It is something to be achieved.
作 用
本発明は、ウィルソン形カレントミラー回路の抵抗値を
調整することにより検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ
のベースバイアス電圧およびその温度特性が設定できる
ことを利用し、電流検出用抵抗よシ増幅用トランジスタ
のコレクタ電流の変動分を検出して検出電流制御用ｐｎ
ｐｌ’ランジスタのベース・エミッタ間電圧を変化させ
て、そのコレクタ電流を増幅用トランジスタの前段の前
段増幅器のコレクタ電流あるいは増幅用トランジスタ自
身へのベースバイアス１１１流へ供給することにより、
電源電圧、トランジスタの直流電流増幅率。Function The present invention takes advantage of the fact that the base bias voltage of the pnp transistor for detecting current control and its temperature characteristics can be set by adjusting the resistance value of the Wilson type current mirror circuit. PN for detecting current control by detecting fluctuations in collector current
By changing the voltage between the base and emitter of the pl' transistor and supplying the collector current to the collector current of the pre-stage amplifier in the previous stage of the amplification transistor or the base bias 111 flow to the amplification transistor itself,
Power supply voltage, transistor DC current amplification factor.
温度、あるいは負荷インピータンス等の変動に対する増
幅用トランジスタの出力変動を小さくするという作用を
有する。It has the effect of reducing output fluctuations of the amplifying transistor due to fluctuations in temperature, load impedance, etc.
実施例
以下、図面を参照しな〃・ら本発明の第１の実施例につ
いて説明する。Embodiment A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の第１の実施Ｖ」における増幅回路の回
路図である。第１図において、１ｕｌｌは増幅用トラン
ジスタ、１０２は増幅用トランジスタ１０１のベースバ
イアス欺抗、１０３は前段増幅器１２１のコレクタ電流
を与える検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ、１０４，
１０５は電圧基準用トランジスタである。１０６はｎｐ
ｎ トランジスタで、抵抗１０７，１０８．［３９とと
もにウィルソン形カレントミラー回路１１０を構成し、
検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のベースバイ
アスを与える。１１１は検出電流制御用ｐｎＰ）ランジ
スタ１０３のベース・エミッタ間電圧を補償するダイオ
ード、１１２は一定電圧を与えるツェナーダイオード、
１１３はツェナーダイオード１１２．ダイオード１１１
ｊ ウィルソン形カレントミラー回路１１０に流れる電
流を一定にする定電流源回路、１１４は電流検出用抵抗
、１１５は高周波信号を阻止するインダクタ、１１６と
１１７はそれぞれ信号入力端子１１８と信号出力端子１
１９の結合容量、１２０は電源端子、１２１は増幅用ト
ランジスタ１０１の前段の前段増幅器である。FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit in the first embodiment V of the present invention. In FIG. 1, 1ull is an amplification transistor, 102 is a base bias bias suppressor for the amplification transistor 101, 103 is a detection current control pnp transistor that provides the collector current of the preamplifier 121, 104,
105 is a voltage reference transistor. 106 is np
n transistors, resistors 107, 108 . [39 constitutes a Wilson type current mirror circuit 110,
Provides base bias for the detection current control pnp transistor 103. 111 is a diode for compensating the voltage between the base and emitter of the pnP (pnP) transistor for detecting current control; 112 is a Zener diode for providing a constant voltage;
113 is a Zener diode 112. diode 111
j A constant current source circuit that keeps the current flowing through the Wilson type current mirror circuit 110 constant; 114 is a current detection resistor; 115 is an inductor that blocks high-frequency signals; 116 and 117 are a signal input terminal 118 and a signal output terminal 1, respectively;
19 is a coupling capacitor, 120 is a power supply terminal, and 121 is a pre-stage amplifier in front of the amplification transistor 101.
上記構成において、以下その動作について説明する。ま
ず、ウィルソン形カレントミラー回路１１０は、ツェナ
ーダイオード１１２によジ電源電圧が変動しても、定電
流源回路１１３で流れる電流を一定に保ち、かつ一定の
端子間電圧で動作し、検出電流制御用ｐｎｐトランジス
タ１０３のベースバイアスを設定する。この状態で電源
端子１２０と検出電流制御用ｐｎｐ トランジスタ１０
３のベース間の電圧は電流検出用抵抗１１４での電圧降
下と検出電流制御用ｐｎｐ トランジスタ１０３のベー
ス・エミッタ間電圧の和であり、それは、ダイオード１
１１の順方向電圧と、抵抗１０７での電圧降下と、ｎｐ
ｎトランジスタ１０６のベース・エミッタ間電圧の和と
等しい。増幅用トランジスタ１０１の直流電流増幅率の
ばらつき、電源電圧の変動、温度変化、あるいは負荷イ
ンピーダンスの変動等によって増幅用トランジスタ１０
１のコレクタ電流が増加した場合、電流検出用抵抗１１
４での電圧降下が増加し、電源端子１２０と検出電流制
御用ｐｎｐトランジス′り１０３のべ一ス間の電圧が、
ダイオード１１１とウィルソン形カレントミラー回路１
１０で決められている電圧と等しくなるように検出電流
制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のベース・エミッタ間
電圧が減少し、前段増幅器１２１のコレクタ電流を減少
させるため前段増幅器１２１の出力が低下し、増幅用ト
ランジスタ１０１の入力電力が減少し、その出力を一定
にする方向に動作する。また、抵抗１０７゜１０８．１
０９の値を調整することにより、検出電流制御用ｐｎｐ
）ランジスタ１０３のベース電圧の設定とベース電圧の
温度特性を設定することができるため本回路の温度特性
の制御も行うことができる。増幅用トランジスタ１０１
のコレクタ電流が減少した場合は、前記コレクタ電流が
増加した場合の逆の動作で出力を一定にする方向に動作
する。The operation of the above configuration will be explained below. First, the Wilson type current mirror circuit 110 maintains the current flowing in the constant current source circuit 113 constant even if the power supply voltage fluctuates due to the Zener diode 112, and operates with a constant voltage between terminals, and controls the detection current. The base bias of the pnp transistor 103 is set. In this state, the power supply terminal 120 and the pnp transistor 10 for controlling the detection current
The voltage between the bases of the diode 1 is the sum of the voltage drop across the current detection resistor 114 and the base-emitter voltage of the detected current control PNP transistor 103.
11 forward voltage, voltage drop across resistor 107, and np
It is equal to the sum of the base-emitter voltages of the n-transistor 106. The amplification transistor 10 may be affected by variations in the DC current amplification factor of the amplification transistor 101, fluctuations in the power supply voltage, temperature changes, fluctuations in load impedance, etc.
When the collector current of 1 increases, the current detection resistor 11
4 increases, and the voltage between the power supply terminal 120 and the base of the detection current control PNP transistor 103 becomes
Diode 111 and Wilson type current mirror circuit 1
The voltage between the base and emitter of the detection current control pnp transistor 103 is decreased so that it becomes equal to the voltage determined by 10, and the output of the preamplifier 121 is decreased to reduce the collector current of the preamplifier 121. The input power of the transistor 101 decreases, and the transistor 101 operates in the direction of keeping its output constant. Also, resistance 107°108.1
By adjusting the value of 09, the detection current control pnp
) Since the base voltage of the transistor 103 and the temperature characteristics of the base voltage can be set, the temperature characteristics of this circuit can also be controlled. Amplification transistor 101
When the collector current decreases, the output operates in the direction of keeping the output constant, which is the opposite of the operation when the collector current increases.
以上本実施例によれば、検出電流制御用ｐｎｐトランジ
スタ１０３のベース電圧の設定にウィルソン形カレント
ミラー回路１１０を使用し、前段増幅器１２１のコレク
タ電流を検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のコ
レクタから与えることにより、検出電流制御用ｐｎｌ）
ｈランラスタ１０３のベース電圧の温度特性が設定でき
、出力変動を小さくすることができる。As described above, according to this embodiment, the Wilson type current mirror circuit 110 is used to set the base voltage of the pnp transistor 103 for controlling the detection current, and the collector current of the preamplifier 121 is supplied from the collector of the pnp transistor 103 for controlling the detection current. (pnl for detection current control)
The temperature characteristics of the base voltage of the h-run raster 103 can be set, and output fluctuations can be reduced.
次に本発明の第２の実施例について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
第１の実施例の構成と異なる点は、ツェナーダイオード
１１２を、互いに順方向に接続した複数のダイオードに
変更した点である。The difference from the configuration of the first embodiment is that the Zener diode 112 is changed to a plurality of diodes connected to each other in the forward direction.
上記構成の場合の動作は、第１の実施例の動作と同じで
ある。The operation in the case of the above configuration is the same as that in the first embodiment.
本実施例によれば、ツェナーダイオード１１２を必要と
することなく、複数のダイオードの順方向電圧を利用す
ることで一定電圧が得られる。この場合特に定電流源回
路１１３による、一定端子間電圧を保つ効果は太き、い
。According to this embodiment, a constant voltage can be obtained by using the forward voltages of a plurality of diodes without requiring the Zener diode 112. In this case, the effect of the constant current source circuit 113 to maintain a constant voltage between terminals is particularly large.
次に本発明の第３の実施例について説明する。Next, a third embodiment of the present invention will be described.
第２図は本発明の第３の実施例における増幅回路の回路
図である。第２図において、第１の実施例の構成と異な
る点は、検出電流制御用ｐｎｐ ）ランジスタ１０３の
エミッタが電流検出用抵抗１１４とインダクタ１１５の
接続点に接続され。FIG. 2 is a circuit diagram of an amplifier circuit in a third embodiment of the present invention. In FIG. 2, the difference from the configuration of the first embodiment is that the emitter of the detection current control PNP transistor 103 is connected to the connection point between the current detection resistor 114 and the inductor 115.
さらに容量２０１を設けた点である。Furthermore, a capacitor 201 is provided.
上記構成においての基本動作は、第１の実施例と同じで
あるため、その説明は割愛する。The basic operation in the above configuration is the same as that in the first embodiment, so a description thereof will be omitted.
本実施例によれば、検出電流制御用Ｐｎｐトランジスタ
１０３のエミッタでは、出力信号成分がインダクタ１１
５と容量２０１によって阻止されるためにエミッタ電圧
が出力信号の影響を受けないと言う効果がある。According to this embodiment, at the emitter of the detection current control Pnp transistor 103, the output signal component is transferred to the inductor 11.
5 and the capacitor 201, there is an effect that the emitter voltage is not affected by the output signal.
次に本発明の第４の実施例について説明する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
第３図は本発明の第４の実施例における増幅回路の回路
図である。第３図において、第１の実施例の構成と異な
る点は、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のコ
レクタ電流を増幅するｎｐｎトランジスタ３０１を設け
ている点である。FIG. 3 is a circuit diagram of an amplifier circuit in a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 3, the difference from the configuration of the first embodiment is that an npn transistor 301 is provided to amplify the collector current of the detection current control pnp transistor 103.
上記構成において、前段増幅器１２１のコレクタ電流を
ｎｐｎトランジスタ３０１で与えていること以外の動作
は本発明筒１の実施例と同じである。In the above configuration, the operation is the same as in the embodiment of the tube 1 of the present invention except that the collector current of the pre-stage amplifier 121 is provided by the npn transistor 301.
本実施例によれば、検出電流制御用１）ｎｐトランジス
タ１０３の電流容量が小さい場合においてもｎｐｎ ト
ランジスタ３０１で直流増幅するので前段増幅器１２１
のコレクタ電流を十分与えることができる。According to this embodiment, even if the current capacity of the detection current control 1) np transistor 103 is small, the npn transistor 301 performs DC amplification, so the preamplifier 121
can provide sufficient collector current.
以下、図面を参照しながら本発明の第５の実施例につい
て説明する。A fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第４図は本発明の第５の実施例における増幅回路の回路
図である。第４図において、１０１は増幅用トランジス
タ、１０２は増幅用トランジスタ１０１のベースバイア
ス抵抗、１０３は増幅用トランジスタ１０１のベースバ
イアスを与える検出電流制御用ｐｎｐｌ’ランジスタ、
１０４，１．０５は電圧基桑用トランジスタである。１
０６はｎｐｎトランジスタで、抵抗１０７，１０８，１
０９と共にウィルソン形カレントミラー回路１１０を構
成し、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のベー
スバイアスを与える。１１１は検出電流側ａ用ｐｎｐｔ
ランジスタ１０３のベース・エミッタ間電圧を補償する
ためのダイオード、１１２は一定電圧を与えるためのツ
ェナーダイオード、１１３はツェナーダイオード１１２
．ダイオード１１１．ウィルソン形カレントミラー回路
１１０に流れる電流を一定にする定電流源回路、１１４
は電流検出用抵抗、１１５は高周波信号を阻止するため
のインダクタ、１１６と１１７はそれぞれ信号入力端子
１１８と信号出力端子１１９の結合容量、１２０は電源
端子である。FIG. 4 is a circuit diagram of an amplifier circuit in a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 4, 101 is an amplification transistor, 102 is a base bias resistor of the amplification transistor 101, 103 is a detection current control pnpl' transistor that provides a base bias of the amplification transistor 101,
104 and 1.05 are voltage reference transistors. 1
06 is an npn transistor, resistors 107, 108, 1
09 constitutes a Wilson type current mirror circuit 110, and provides a base bias of the pnp transistor 103 for controlling the detection current. 111 is pnpt for detection current side a
A diode for compensating the voltage between the base and emitter of the transistor 103, 112 a Zener diode for providing a constant voltage, 113 a Zener diode 112
．． Diode 111. A constant current source circuit 114 that keeps the current flowing through the Wilson type current mirror circuit 110 constant.
115 is a current detection resistor, 115 is an inductor for blocking high frequency signals, 116 and 117 are coupling capacitances between the signal input terminal 118 and the signal output terminal 119, respectively, and 120 is a power supply terminal.
上記構成において、以下その動作について説明する。ま
ず、ウィルソン形カレントミラー回路１１０は、ツェナ
ーダイオード１１２により電源電圧が変動しても、定電
流源回路１１３で流れる電流を一定に保ちかつ一定の端
子間電圧で動作し、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ
１０３のベースバイアスとその温度特性を設定する。こ
の状態で電源端子１２０と検出電流制御用ｐｎｐトラン
ジスタ１０３のベース間の電圧は電流検出用抵抗１１４
での電圧降下と検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ１０
３のベース・エミッタ間電圧の和で、１、それは、ダイ
オード１１１の順方向電圧と、抵抗１０７での電圧降下
と、ｎｐｎトランジスタ１０６のベース・エミッタ間電
圧の和と等しい。The operation of the above configuration will be explained below. First, the Wilson type current mirror circuit 110 maintains the current flowing in the constant current source circuit 113 constant even if the power supply voltage fluctuates due to the Zener diode 112 and operates with a constant voltage between terminals, and the pnp transistor for detection current control 103 base bias and its temperature characteristics are set. In this state, the voltage between the power supply terminal 120 and the base of the detection current control pnp transistor 103 is the current detection resistor 114.
PNP transistor 10 for voltage drop and detection current control
The sum of the base-emitter voltages of 3 is 1, which is equal to the sum of the forward voltage of the diode 111, the voltage drop across the resistor 107, and the base-emitter voltage of the npn transistor 106.
増幅用トランジスタ１０１の直流電流増幅率のばらつき
、電源電圧の変動、温度変化、あるいは負荷インピーダ
ンスの変動等によって増幅用トランジスタ１０１のコレ
クタ電流が増加した場合、電流検出用抵抗１１４での電
圧降下が増加し、電源端子１２０と検出電流制御用Ｐｎ
ｐトランジスタ１０３のベース間の電圧が、ダイオード
１１１とウィルソン形カレントミラー回路１１０で決め
られている電圧と等しくなるように検出電流制御用ｐｎ
ｐトランジスタ１０３のベース・エミッタ間電圧が減少
し、増幅用トランジスタ１０１のベースバイアス電流を
減少させるために、増幅用トランジスタ１０１のコレク
タ電流の増加を抑制し、出力を一定にする方向に動作す
る。また、抵抗１０７．１０８，１０９の値を調整する
ことにより、増幅用トランジスタ１０１のコレクタ電流
の設定と、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのベース
電圧の設定とその温度特性を設定することができるため
、本回路の温度特性の制御も行うことができる。増幅用
トランジスタ１０１のコレクタ電流が減少した場合は、
前記コレクタ電流が増加した場合の逆の動作で電流の減
少を抑制し、出力を一定にする方向に動作する。If the collector current of the amplification transistor 101 increases due to variations in the DC current amplification factor of the amplification transistor 101, fluctuations in power supply voltage, temperature changes, or fluctuations in load impedance, the voltage drop at the current detection resistor 114 increases. and the power supply terminal 120 and the detection current control Pn
The detection current control pn is used so that the voltage between the base of the p transistor 103 is equal to the voltage determined by the diode 111 and the Wilson current mirror circuit 110.
In order to reduce the base-emitter voltage of the p-transistor 103 and reduce the base bias current of the amplification transistor 101, it operates to suppress an increase in the collector current of the amplification transistor 101 and keep the output constant. Furthermore, by adjusting the values of the resistors 107, 108, and 109, it is possible to set the collector current of the amplification transistor 101, the base voltage of the detection current control pnp transistor, and its temperature characteristics. The temperature characteristics of this circuit can also be controlled. When the collector current of the amplification transistor 101 decreases,
The reverse operation when the collector current increases suppresses the decrease in current and operates in the direction of keeping the output constant.
以上本実施例によれば、検出電流制御用ｐｎｐトランジ
スタ１０３のベース電圧の設定にウィルソン形カレント
ミラー回路１１０を使用し、増幅用トランジスタ１０１
のベースノ（イアスを検出電流制御用ｐｎｐ トランジ
スタ１０３のコレクタから与えることにより、検出電流
制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のベース電圧の温度特
拙が設定テき、増幅用トランジスタ１０１のコレクタ電
流の変動を小さく抑え、出力変動を小さくすることがで
きる。As described above, according to this embodiment, the Wilson type current mirror circuit 110 is used to set the base voltage of the pnp transistor 103 for detecting current control, and the amplification transistor 101
By applying the base voltage (Iass) from the collector of the PNP transistor 103 for controlling the detection current, the temperature characteristics of the base voltage of the PNP transistor 103 for controlling the detection current can be set, and fluctuations in the collector current of the amplification transistor 101 can be suppressed to a small level. , output fluctuations can be reduced.
次に本発明の第６の実施例について説明する。Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
第５の実施例の構成と異なる点は、ツェナーダイオード
１１２を、互いに順方向に接続された複数のダイオード
に変更した点である。The difference from the configuration of the fifth embodiment is that the Zener diode 112 is changed to a plurality of diodes connected to each other in the forward direction.
上記構成の場合の動作は、第５の実施例の動作と同じで
あるため、その説明は割愛する。The operation in the case of the above configuration is the same as the operation in the fifth embodiment, so a description thereof will be omitted.
本実施例によれば、ツェナーダイオードを必要とするこ
となく、複数のダイオードの順方向電圧を利用すること
で一定電圧が得られる。この場合特に定電源回路１１３
による、一定端子間電圧を保つ効果は大きい。According to this embodiment, a constant voltage can be obtained by using the forward voltages of a plurality of diodes without requiring a Zener diode. In this case, especially the constant power supply circuit 113
The effect of maintaining a constant voltage between terminals is large.
次に本発明の第７の実施例について説明する。Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
第５図は本発明の第７の実施例における増幅回路の回路
図である。第５図において第５の実施例の構成と異なる
点は、検出電流制御用ｐｎｐｌ’ランジスタ１０３のエ
ミッタが電流検出用抵抗１１４とインダクタ１１５の接
続点に接続され、さらに容量２０１を設けた点である。FIG. 5 is a circuit diagram of an amplifier circuit in a seventh embodiment of the present invention. The difference in the configuration of FIG. 5 from the fifth embodiment is that the emitter of the detection current control pnpl' transistor 103 is connected to the connection point between the current detection resistor 114 and the inductor 115, and a capacitor 201 is further provided. be.
上記構成においての動作は、第５の実施例と同じである
。The operation in the above configuration is the same as in the fifth embodiment.
本実施例によれば、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ
１０３のエミッタでは、出力信号成分がインダクタ１１
５と容量２０１によって阻止されるためにエミッタ電圧
が出力信号の影響を受けないという効果がある。According to this embodiment, at the emitter of the detected current control pnp transistor 103, the output signal component is transferred to the inductor 11.
5 and the capacitor 201, the emitter voltage is not affected by the output signal.
次に本発明の第８の実施例について説明する。Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
第６図は本発明の第８の実施例における増幅回路の回路
図である。第６図において第５の実施例の構成と異なる
点は、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ１０３のコレ
クタ電流を増幅するｎｐｎトランジスタ３０１を設けて
いる点である。FIG. 6 is a circuit diagram of an amplifier circuit in an eighth embodiment of the present invention. The configuration of FIG. 6 differs from that of the fifth embodiment in that an npn transistor 301 is provided to amplify the collector current of the detection current control pnp transistor 103.
上記構成において、増幅用トランジスタ１０１ノヘース
バイアス電流をｎｐｎトランジスタ３０１で与えている
こと以外の動作は本発明筒５の実施例と同じである。In the above configuration, the operation is the same as that of the embodiment of the present invention cylinder 5 except that the NPN transistor 301 provides the heirloom bias current to the amplification transistor 101.
本実施例によれば、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタ
１０３の電流容量が小さい場合においてもｎｐｎ トラ
ンジスタ３０１で直流増幅するので増幅用トランジスタ
１０１０ベースバイアス電流を十分与えることができる
。According to this embodiment, even when the current capacity of the detection current control pnp transistor 103 is small, the npn transistor 301 performs DC amplification, so that a sufficient base bias current can be provided to the amplification transistor 1010.
なお、定電流源回路１１３は例えば第７図のようなカレ
ントミラーを利用した回路を用いることができる。また
、第１．第３．第４．第５．第７゜第８の実施例では定
電流源回路１１３を抵抗あるいは可変抵抗器に変更して
もよい。さらに、抵抗１０７．１０８，１０９は可変抵
抗器に変更してもよい。さらに、抵抗１０７，１０８，
１０９は可変抵抗器に変更してもよい。Note that the constant current source circuit 113 may be a circuit using a current mirror as shown in FIG. 7, for example. Also, 1st. Third. 4th. Fifth. 7. In the eighth embodiment, the constant current source circuit 113 may be replaced with a resistor or a variable resistor. Furthermore, the resistors 107, 108, 109 may be changed to variable resistors. Furthermore, resistors 107, 108,
109 may be replaced with a variable resistor.
発明の効果
以上のように本発明は、第１に検出電流制御用ｐｎｌ）
トランジスタのベース電圧の設定に温度特性を制御で
きるウィルソン形カレントミラー回路を利用し、ツェナ
ーダイオードとウィルソン形カレントミラー回路に流れ
る電流を定電流源回路で制御し、前段増幅器のコレクタ
電流を制御することによって特に温度、電圧変動に対す
る増幅用トランジスタの出力変動を小さくできる。本発
明は、第２に検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのベー
ス電圧の設定に温度特性を制御できるウィルソン形カレ
ントミラー回路を利用し、ツェナーダイオードとウィル
ソン形カレントミラー回路に流れる電流を定電流源回路
で制御し、検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのコレク
タから増幅用トランジスタ自身へベースバイアスを供給
し温度、電圧変動だけではなく特に増幅用トランジスタ
の直流電流増幅率の変動を補償することによシ、増幅用
トランジスタのコレクタ電流の変動を小さくし、出力変
動を小さくすることができ、その効果は大きい。Effects of the Invention As described above, the present invention has the following advantages:
A Wilson-type current mirror circuit that can control temperature characteristics is used to set the base voltage of a transistor, and the current flowing through the Zener diode and Wilson-type current mirror circuit is controlled by a constant current source circuit to control the collector current of the preamplifier. This makes it possible to reduce fluctuations in the output of the amplifying transistor particularly with respect to temperature and voltage fluctuations. Second, the present invention uses a Wilson-type current mirror circuit that can control temperature characteristics to set the base voltage of a pnp transistor for detecting current control, and uses a constant current source circuit to control the current flowing through the Zener diode and the Wilson-type current mirror circuit. By supplying a base bias from the collector of the pnp transistor for detecting current control to the amplification transistor itself, and compensating not only for temperature and voltage fluctuations, but especially for fluctuations in the DC current amplification factor of the amplification transistor, Fluctuations in the collector current of the transistor can be reduced, and output fluctuations can be reduced, which is highly effective.
第１図は本発明の第１の実施例における増幅回路の回路
図、第２図は本発明の第３の実施例における増幅回路の
回路図、第３図は本発明の第４の実施例における増幅回
路の回路図、第４図は本発明の第５の実施例における増
幅回路の回路図、第５図は本発明の第７の実施例におけ
る増幅回路の回路図、第６図は本発明の第８の実施例に
おける増幅回路の回路図、第７図は本発明の実施例にお
ける増幅回路中の定電流源回路の例として示したカレン
トミラー回路の回路図、第８図は従来の増幅回路の回路
図である。
１０１・・・増幅用トランジスタ、１０３・・・検出電
流制御用りｎＰトランジスタ、１０４，１０５・・・電
圧基準用トランジスタ、１０６・・・ｎｐｎ）ランジス
タ、１０７，１０８，１０９・・・抵抗、１１０・・・
ウィルソン形カレントミラー回路、ｔｔｉ・・・ダイオ
ード、１１２・・・ツェナーダイオード、１１３・・・
定電流源回路、１１４・・・電流検出用抵抗、１１５・
・・インダクタ、１２０・・・電源端子、１２１・・・
前段増幅器、２０１−・・容量、３０１・・・ｎｐｎト
ランジスタ。FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a third embodiment of the present invention. 4 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 5 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a seventh embodiment of the present invention. A circuit diagram of an amplifier circuit according to an eighth embodiment of the invention, FIG. 7 is a circuit diagram of a current mirror circuit shown as an example of a constant current source circuit in an amplifier circuit according to an embodiment of the invention, and FIG. 8 is a circuit diagram of a conventional current mirror circuit. FIG. 3 is a circuit diagram of an amplifier circuit. 101... Amplification transistor, 103... nP transistor for detection current control, 104, 105... Voltage reference transistor, 106... npn) transistor, 107, 108, 109... Resistor, 110 ...
Wilson type current mirror circuit, tti... diode, 112... Zener diode, 113...
Constant current source circuit, 114... Current detection resistor, 115.
...Inductor, 120...Power terminal, 121...
Pre-stage amplifier, 201--capacitor, 301--npn transistor.
Claims (8)
インダクタと、電源の間に設けた電流検出用抵抗と、前
記第１の増幅用トランジスタのコレクタにエミッタ側を
接続した検出電流制御用ｐｎｐトランジスタと、前記電
源と定電流源回路との間に前記電源側にカソードを接続
したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードの
両端に前記電源側からダイオードとウィルソン形カレン
トミラー回路を直列にして設け前記ウィルソン形カレン
トミラー回路の電圧基準用トランジスタのベースと前記
検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのベースを接続し、
前記検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのコレクタ出力
を前記第１の増幅用トランジスタの前段に設けた前段増
幅器の第２の増幅用トランジスタのコレクタへ接続する
ことを特徴とする増幅回路。(1) A current detection resistor provided between an inductor connected to the collector of the first amplification transistor and a power supply, and a pnp transistor for detection current control whose emitter side is connected to the collector of the first amplification transistor. and a Zener diode having a cathode connected to the power supply side between the power supply and the constant current source circuit, and a Wilson type current mirror circuit having the diode and a Wilson type current mirror circuit connected in series from the power supply side to both ends of the Zener diode. Connecting the base of the voltage reference transistor of the current mirror circuit and the base of the detected current control pnp transistor,
An amplifier circuit characterized in that a collector output of the detection current control PNP transistor is connected to a collector of a second amplification transistor of a pre-stage amplifier provided at a stage before the first amplification transistor.
方向電圧を利用したものであることを特徴とする請求項
１記載の増幅回路。(2) The amplifier circuit according to claim 1, wherein the Zener diode utilizes the forward voltage of a plurality of diodes.
トランジスタのエミッタが、電流検出用抵抗とインダク
タの接続点に接続されたものであることを特徴とする請
求項１記載の増幅回路。(3) Capacitor with one end grounded and pnp for detection current control
2. The amplifier circuit according to claim 1, wherein the emitter of the transistor is connected to a connection point between the current detection resistor and the inductor.
用トランジスタのコレクタとの間にｎｐｎトランジスタ
を設け、前記検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのエミ
ッタに前記ｎｐｎトランジスタのコレクタが接続され、
前記検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのコレクタに前
記ｎｐｎトランジスタのベースが接続され、前記第２の
増幅用トランジスタのコレクタに前記ｎｐｎトランジス
タのエミッタからの出力が接続されたことを特徴とする
請求項１記載の増幅回路。(4) An npn transistor is provided between the detection current control pnp transistor and the collector of the second amplification transistor, and the collector of the npn transistor is connected to the emitter of the detection current control pnp transistor,
2. The base of the npn transistor is connected to the collector of the detection current control pnp transistor, and the output from the emitter of the npn transistor is connected to the collector of the second amplification transistor. amplifier circuit.
クタと、電源の間に設けた電流検出用抵抗と、前記増幅
用トランジスタのコレクタにエミッタ側を接続した検出
電流制御用ｐｎｐトランジスタと、前記電源と定電流源
回路との間に前記電源側にカソードを接続したツェナー
ダイオードと、前記ツェナーダイオードの両端に前記電
源側からダイオードとウィルソン形カレントミラー回路
を直列にして設け、前記ウィルソン形カレントミラー回
路の電圧基準用トランジスタのベースと前記検出電流制
御用ｐｎｐトランジスタのベースを接続し、前記検出電
流制御用ｐｎｐトランジスタのコレクタ出力を第１の増
幅用トランジスタのベースへ接続することを特徴とする
増幅回路。(5) An inductor connected to the collector of the amplification transistor and a current detection resistor provided between the power supply, a pnp transistor for detection current control whose emitter side is connected to the collector of the amplification transistor, and the power supply and the A Zener diode with a cathode connected to the power supply side is provided between the current source circuit and the diode and a Wilson type current mirror circuit are connected in series from the power supply side to both ends of the Zener diode, and the voltage of the Wilson type current mirror circuit is An amplifier circuit characterized in that a base of a reference transistor is connected to a base of the detection current control pnp transistor, and a collector output of the detection current control pnp transistor is connected to a base of a first amplification transistor.
方向電圧を利用したものであることを特徴とする請求項
５記載の増幅回路。(6) The amplifier circuit according to claim 5, wherein the Zener diode utilizes the forward voltage of a plurality of diodes.
トランジスタのエミッタが、電流検出用抵抗とインダク
タの接続点に接続されたものであることを特徴とする請
求項５記載の増幅回路。(7) Capacitor with one end grounded and pnp for detection current control
6. The amplifier circuit according to claim 5, wherein the emitter of the transistor is connected to a connection point between the current detection resistor and the inductor.
ジスタのベースとの間にｎｐｎトランジスタを設け、前
記検出電流制御用ｐｎｐトランジスタのエミッタに前記
ｎｐｎトランジスタのコレクタが接続され、前記検出電
流制御用ｐｎｐトランジスタのコレクタに前記ｎｐｎト
ランジスタのベースが接続され、増幅用トランジスタの
ベースに前記ｎｐｎトランジスタのエミッタからの出力
が接続されたことを特徴とする請求項５記載の増幅回路
。(8) An npn transistor is provided between the detection current control pnp transistor and the base of the amplification transistor, the collector of the npn transistor is connected to the emitter of the detection current control pnp transistor, and the detection current control pnp transistor is connected to the emitter of the detection current control pnp transistor. 6. The amplifier circuit according to claim 5, wherein the base of the npn transistor is connected to the collector, and the output from the emitter of the npn transistor is connected to the base of the amplification transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140451A JPH0828616B2 (en) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | Amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140451A JPH0828616B2 (en) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | Amplifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036109A true JPH036109A (en) | 1991-01-11 |
| JPH0828616B2 JPH0828616B2 (en) | 1996-03-21 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1140451A Expired - Fee Related JPH0828616B2 (en) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | Amplifier circuit |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828616B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19604239A1 (en) * | 1995-02-08 | 1996-08-22 | Alps Electric Co Ltd | High frequency power amplifier for portable communication equipment |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140451A patent/JPH0828616B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19604239A1 (en) * | 1995-02-08 | 1996-08-22 | Alps Electric Co Ltd | High frequency power amplifier for portable communication equipment |
| DE19604239C2 (en) * | 1995-02-08 | 2002-09-19 | Alps Electric Co Ltd | High-frequency transistor power amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828616B2 (en) | 1996-03-21 |
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