JPH0361287B2 - - Google Patents

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JPH0361287B2
JPH0361287B2 JP57174185A JP17418582A JPH0361287B2 JP H0361287 B2 JPH0361287 B2 JP H0361287B2 JP 57174185 A JP57174185 A JP 57174185A JP 17418582 A JP17418582 A JP 17418582A JP H0361287 B2 JPH0361287 B2 JP H0361287B2
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JP
Japan
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dielectric constant
oxide
dielectric
temperature change
purity
Prior art date
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JP57174185A
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English (en)
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JPS5963605A (ja
Inventor
Hiroaki Ishii
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KYORITSU CERAMIC MATERIALS
Original Assignee
KYORITSU CERAMIC MATERIALS
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Publication date
Application filed by KYORITSU CERAMIC MATERIALS filed Critical KYORITSU CERAMIC MATERIALS
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器誘電体組成物に係り、特
に、誘電率が高く、しかも該誘電率の温度変化率
の小さい、積層コンデンサ用として好適な磁器誘
電体組成物に関するものである。 従来、平坦な誘電率温度特性を有する磁器誘電
体としては、チタン酸バリウム(BaTiO3)およ
び酸化ビスマス(Bi2O3)を主成分とし、これに
酸化スズ(SnO2)または酸化チタン(TiO2)あ
るいは酸化ジルコニウム(ZrO2)を添加したも
のがあるが、何れも−30℃から+85℃の温度範囲
において誘電率の温度変化率を小さく、例えば±
15%以内にしようとすると、誘電率が低く、例え
ば3000以下となり、また誘電率が3000以上のもの
では、その誘電率の温度変化率は上記温度範囲に
おいて大きくならざるを得なかつた。 一方、かかる問題を解消する磁器誘電体組成物
として、BaTiO3及びBi2O3に、Nb2O5と、CeO2
またはLa2O3とを加え、これによつて小さな誘電
率温度変化率で、しかも高い誘電率を達成しよう
とする試みが、特公昭55−21402号公報に明らか
にされている。しかしながら、そのような組成物
にあつては、該組成物中に含まれるBi2O3が、積
層コンデンサを作る場合において、高い焼成温度
が採用されると、蒸発せしめられ、それによつて
電極を傷める問題を生じ、それ故Bi2O3の如き成
分を含む組成物は、積層コンデンサ用としては不
適当なものであつたのである。 本発明は、かかる事情を背景にして為されたも
のであつて、その目的とするところは、平坦な誘
電率温度変化特性を有し、しかも高誘電率であ
る、積層コンデンサ用として好適な磁器誘電体を
提供することにある。 而して、本発明に係る高誘電率磁器誘電体組成
物は、純度が99%以上の炭酸バリウム(BaCO3
と純度が99%以上の酸化チタン(TiO2)から形
成される高純度のチタン酸バリウム(BaTiO3
が96.225〜97.625%を占め、残部が0.08〜0.25%
の酸化コバルト(Co2O3)と、1.0〜1.5%の酸化
ニオブ(Nb2O5)と、0.10〜0.25%の酸化セリウ
ム(CeO2)と、0.1〜0.4%の酸化亜鉛(ZnO)、
並びに0.5〜1.5%の酸化バリウム(BaO)からな
るものである(何れも百分率は重量基準である。) かくの如き本発明に従う組成の磁器誘電体組成
物によれば、高誘電率にして、その温度変化率の
小さなものが具現され、特に−55℃から+125℃
の温度範囲内において+25℃の誘電率を基準とし
たとき、その誘電率の温度変化率が±15%以内で
誘電率を3300以上に有利に為し得、さらには3600
以上の誘電率を有するものをも有利に得ることが
できるのである。 また、かかる本発明に従う、焼成して得られる
磁器誘電体組成物にあつては、Bi2O3、PbO等の
蒸発成分を含有していないために、高温の焼成温
度が採用されても電極を傷めるようなことは全く
なく、それ故積層コンデンサ用として好適に用い
られ得るものである。 なお、本発明においては、高純度のBaTiO3
分を96.225〜97.625%の割合で組成物中に存在せ
しめる必要があり、その含有割合が少ないと、誘
電率が著しく低下し、誘電率の温度変化率も大と
なり、一方逆にかかる割合より多くても誘電率は
低下してしまう等の問題を生じるのである。そし
て、この高純度のBaTiO3は、従来のBaTiO3
97〜98%程度のBaCO3と98〜99%程度のTiO2
用いて形成されているのに対して、それぞれ純度
が99%以上、好ましくは99.5%以上の、高度に精
製されたBaCO3とTiO2を用いて形成されるもの
であつて、このような高純度の出発原料を用いて
初めて高純度のBaTiO3が得られるのである。ま
た、この高純度のBaTiO3は、他の成分との焼成
に先立つてBaCO3とTiO2とを仮焼することによ
り得られるものを用いることによつて導入される
他、他の成分との焼成時にBaCO3とTiO2を反応
せしめて焼成と同時に、本発明に従う磁器誘電体
組成物中に導入するようにすることも可能であ
る。 また、本発明に係る組成物を構成するCo2O3
分は、誘電率の温度変化率を平坦化せしめる成分
であり、その含有割合が少な過ぎれば、誘電率の
温度変化率が大となり、反対に多ければ、誘電率
が低くなるため、0.08〜0.25%の割合で存在せし
める必要がある。 これと同様に、Nb2O5成分も誘電率の温度変化
率を平坦化せしめる作用を有するが、その割合が
少ないときには焼結不良の問題が惹起され、結果
として誘電率の低下を招き、他方多いときには誘
電率の温度変化率が大きくなるので、1.00〜1.50
%の割合にて、含有せしめられる必要があるので
ある。 更に、本発明の組成物中のCeO2成分は焼成温
度を低下せしめる効果があるが、その割合があま
りにも少な過ぎたり、またあまりにも多過ぎたり
すると、誘電率の改善効果が充分に達成され得な
くなつたり、誘電率の温度変化率が大となつたり
する問題がある。それ故、CeO2の割合は0.10〜
0.25%とする必要がある。 そしてまた、ZnO成分は、BaOと共存のもと
に誘電損失の改善に寄与するものであるが、その
割合が多過ぎると誘電率の温度変化率を大きくし
たり、絶縁抵抗を低下せしめたり、誘電損失
(tanδ)を大きくするので0.10〜0.40%の含有割
合とする必要がある。 更にまた、組成物中のBaO成分は、誘電率の
温度変化率を平坦にする効果を奏するもので、前
記高純度のBaTiO3の形成に際して過剰のBaCO3
をTiO2と組み合わせることによつて導入され得
るものである他、必要な量のBaOをBaCO3の形
で別途に原料組成物中に配合せしめて、これを焼
成することによつても導入せしめられ得るもので
ある。そして、その含有割合は、それが多過ぎた
りすると、焼結不良の原因となり、結果として誘
電率の低下を招くので、0.5〜1.5%とする必要が
ある(何れも百分率は重量規準)。 また、これらの各成分は原料としてその酸化物
そのものを使用することによつて導入されるもの
である他、塩化物、炭酸塩などの形態のものを焼
成に供して、目的とする酸化物成分が磁器誘電体
組成物に形成されるようにすることも可能であ
る。 このように、本発明は、特定のBaTiO3と、
Co2O3、Nb2O5、CeO2、ZnO、BaOとを所定割
合で、磁器誘電体組成物を構成せしめることによ
り、前述した如き数々の優れた特徴を発揮し得た
のである。 以下に実施例を挙げ、本発明を更に具体的に明
らかにするが、本発明がかかる実施例の記載によ
つて何等の制約をも受けるものでないことは言う
までもないところである。なお、実施例中の部及
び百分率はすべて重量基準で示されている。 実施例 第1表に示される組成の磁器誘電体組成物を与
えるように、各成分原料をボールミルにて均一に
湿式混合せしめ、ついで900〜1000℃で3時間の
間仮焼して化学反応を行なわしめた後、再びボー
ルミルにて平均粒径が1ミクロン程度になるまで
粉砕した。なお、高純度BaTiO3成分を形成する
ために、純度が99.5%のBaCO3と純度が99.9%の
TiO2が用いられ、他の成分と共に、前記ボール
ミルにて湿式混合せしめられた。 ついで、この混合物を乾燥せしめた後、粘結剤
としてポリビニルアルコールを適当量加え、約1
トン/cm2の圧力にて成形し、直径16m/m、厚さ
0.5m/mの円板状成形物を作製した。 さらに、かくして得られた成形物に対して、約
1330〜1350℃の温度で、3時間の本焼成操作を施
した後、得られた焼成物についてその両面に銀電
極を焼き付けることにより試料と為し、ついで
3000時間、試料厚さ1mmあたり10KV印加の寿命
試験を行なつた後、それぞれの電気的諸特性を測
定して、その結果を第2表に示した。 第1表及び第2表の結果より明らかなように、
本発明に従う組成からなる磁器誘電体組成物は、
−55℃から+125℃の温度範囲内において+25℃
の誘電率を基準としたとき、3000以上の誘電率で
あつても、その温度変化率が小さく、特に誘電率
の温度変化率が±7.5%以内で誘電率が3300以上、
また温度変化率が±15%以内では3600以上である
ものも得ることが出来、しかもそれらは誘電損失
(tanδ)の小さな特性を具備しているのである。 また、これとは別に、現用に供されている市販
のBaTiO3系の磁器誘電体組成物では、同一諸特
性のもとにおいて、誘電率の温度変化率を±7.5
%以内としたとき誘電率は2400程度、±15%以内
としたときには2900程度であつて、本発明の磁器
誘電体組成物に比し著しく劣るものであつた。 さらに、BaTiO3の純度の異なるものを用いた
結果が第3表及び第4表に示されているが、これ
らの結果から明らかなように、その純度を99%以
上とした高純度のものにあつては、誘電率、変化
率、誘電損失とも著しく改善されていることが認
められる。
【表】
【表】
【表】 基準としたときの誘電率の温度変
化率を示す。
【表】
【表】 の温度変化率を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 純度が99%以上の炭酸バリウム並びに純度が
    99%以上の酸化チタンから形成される高純度のチ
    タン酸バリウムが96.225〜97.625%を占め、残部
    が0.08〜0.25%の酸化コバルトと、1.0〜1.5%の
    酸化ニオブと、0.10〜0.25%の酸化セリウムと、
    0.1〜0.4%の酸化亜鉛、並びに0.5〜1.5%の酸化
    バリウムからなる高誘電率磁器誘電体組成物。
JP57174185A 1982-10-04 1982-10-04 高誘電率磁器誘電体組成物 Granted JPS5963605A (ja)

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JP57174185A JPS5963605A (ja) 1982-10-04 1982-10-04 高誘電率磁器誘電体組成物

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JP57174185A JPS5963605A (ja) 1982-10-04 1982-10-04 高誘電率磁器誘電体組成物

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Publication Number Publication Date
JPS5963605A JPS5963605A (ja) 1984-04-11
JPH0361287B2 true JPH0361287B2 (ja) 1991-09-19

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ID=15974198

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JPS61275164A (ja) * 1985-05-03 1986-12-05 タム セラミツクス インコ−ポレイテツド 誘電体セラミック組成物
US4939108A (en) * 1986-11-03 1990-07-03 Tam Ceramics, Inc. Process for producing dielectric ceramic composition with high dielectric constant, low dissipation factor and flat TC characteristics
JPH0512997Y2 (ja) * 1989-12-14 1993-04-06
US5086021A (en) * 1990-06-28 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition

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