JPH0362520A - プラズマクリーニング方法 - Google Patents

プラズマクリーニング方法

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JPH0362520A
JPH0362520A JP19657589A JP19657589A JPH0362520A JP H0362520 A JPH0362520 A JP H0362520A JP 19657589 A JP19657589 A JP 19657589A JP 19657589 A JP19657589 A JP 19657589A JP H0362520 A JPH0362520 A JP H0362520A
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plasma cleaning
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Yoshie Tanaka
田中 佳恵
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマクリーニング方法に係り、特にバリア
メタルのエツチングを行なった後のクリニングに好適な
プラズマクリーニング方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のクリーニング方法には、例えばアルミニウムをエ
ツチングした後のクリーニング方法として特開昭61−
250185@公報に記載のように、処理後の処理室内
に酸化性ガスを導入して残留反応生成物を酸化し、つい
でフッ素含有ガスを導入してプラズマを発生させること
により、残留反応生成物を効果的に取り除く方法があっ
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、M合金膜をエツチングした後に同一チ
ャンバ内でM合金膜以外の材料、例えば、バリアメタル
をエツチングした時にチャンバ内に残る残留反応生成物
のクリーニングの点についてまでは配慮されていなかっ
た。このようなニーyy−ングを行なった後には、M合
金膜のエツチング時に残った残留反応生成物以外の生成
物も残管するため、従来の方法では充分にクリーニング
を行なうことができないという問題があった。
本発明の目的は、同じ処理室を用いてM合金膜とバリア
メタルをエツチングしたときの処理室内に残留する反応
生成物な除去することのできるプラズマクリーニング方
法を提供することにある。
〔11!題を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、塩素を含むガスによる放電
とフッ素を含むガスによる放電とを組合わせて行なうよ
うにしたものである。
〔作   用〕
塩素を含むガスをプラズマ化させることにより、M合金
膜のエツチングで残留した反応生成物やバリアメタルの
エツチングで残留した反応生成物の一部が除去され、フ
ッ素を含むガスをプラズマ化させることにより、残りの
反応生成物が除去される。これにより同一処理室内で複
数処理されて残留した反応生成物を除去できる。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を説明する。
エツチングの被処理物として、上層がM合金膜で下層が
バリアメタルの構造をなしたもので、例えば、M合金膜
としてはke −S i −Cu膜で、バリアメタルと
してはT i Wである。
ke  5i−Cuiは塩素を主体とするガスでエツチ
ングされ、Mの生成物による反応生成物が処理室内に残
留しているものと考えられる。また、TtWgはフッ素
系ガスを主体としてエツチングされ、TiおよびWの生
成物による反応生成物が、Mの生成物による反応生成物
と一緒になって処理室内に残留しているものと考えられ
る。このような残留反応生成物は、これらのエツチング
プロセスを繰り返すことによって、例えば、被処理物で
あるウェハな約10枚程度処理すると、処理室である石
英ベルジャや電極廻りの部品に風温して表れてくる。
このような残留反応生成物なりリーニングするに当って
、塩素を含むガス、例えば、C12ガスのみ、C12+
 B C1s 、+ HC1等をプラズマ化して杓5分
間プラズマクリーニングを行ない、ついで、フッ素を含
むガス、例えば、S Fs * S F、 02 F6
等をプラズマ化して約5分間プラズマクリーニングを行
なう。これにより、例えば、Clzのプラズマクリーニ
ングでは、Mの生成物やTiの生成物はke Cl 2
やTi Clzとなって除去され、SF6のプラズマク
リーニングでは、Wの生成物はWF2  となって除去
される。
以上、本−実施例によれば、塩素を含むガスの放電によ
りMやTiの生成物が除去でき、フッ素を含むガスの放
電によりWの生成物が除去できて、バリアメタルを用い
た配線材料のエツチング処理後の処理室内のクリーニン
グを行なうことができるという効果がある。
なお、本実施例では、M合金膜としてl’J −8l−
cuMを挙げたが、M−84膜、M−C,等でも良い。
また、バリアメタルとしてTi膜膜を挙けたが、MoS
i膜、WSI膜、 Ti膜、TiN膜、α−8i膜等で
も良い。
また、本実施例では、塩素を含むガスの放電の後にフッ
素を含むガスの放電を行なってクリーニングをしたが、
これらの放電を交互に行なっても良い。
さらに、本実施例では塩素を含むガスの放電を約5分、
フッ素を含むガスの放電を約5分としているが、これら
放電の時間比は、バリアメタルの成分比、例えば、Ti
 WiのTiとWとの成分比によって変えると、更に有
効である。
〔発明の効果〕

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.同じ処理室を用いてAl合金膜とバリアメタルをプ
    ラズマエッチングしたときの処理室内のクリーニング方
    法において、塩素を含むガスによる放電とフッ素を含む
    ガスによる放電とを組合わせて行なうことを特徴とする
    プラズマクリーニング方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994000251A1 (en) * 1992-06-22 1994-01-06 Lam Research Corporation A plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber
US5647953A (en) * 1995-12-22 1997-07-15 Lam Research Corporation Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber
JPH10261623A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Hitachi Ltd プラズマ処理方法、および半導体装置の製造方法
US5868853A (en) * 1997-06-18 1999-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Integrated film etching/chamber cleaning process
WO2000019491A1 (en) * 1998-09-30 2000-04-06 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US6350697B1 (en) 1999-12-22 2002-02-26 Lam Research Corporation Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber
US6352081B1 (en) * 1999-07-09 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process
KR100327581B1 (ko) * 1999-06-29 2002-03-14 박종섭 반도체 소자의 금속배선 형성방법
US6626185B2 (en) 1996-06-28 2003-09-30 Lam Research Corporation Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate
US6770214B2 (en) 2001-03-30 2004-08-03 Lam Research Corporation Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor
JP2008078678A (ja) * 2007-11-02 2008-04-03 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
JP2020128567A (ja) * 2019-02-07 2020-08-27 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5615044A (en) * 1979-07-18 1981-02-13 Toshiba Corp Plasma cleaning method
JPS6190445A (ja) * 1984-10-09 1986-05-08 Nec Corp 半導体装置
JPS6329934A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Nec Corp 反応性イオンエツチング方法
JPH01152274A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Iwatani Internatl Corp 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5615044A (en) * 1979-07-18 1981-02-13 Toshiba Corp Plasma cleaning method
JPS6190445A (ja) * 1984-10-09 1986-05-08 Nec Corp 半導体装置
JPS6329934A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Nec Corp 反応性イオンエツチング方法
JPH01152274A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Iwatani Internatl Corp 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5356478A (en) * 1992-06-22 1994-10-18 Lam Research Corporation Plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber
WO1994000251A1 (en) * 1992-06-22 1994-01-06 Lam Research Corporation A plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber
US5647953A (en) * 1995-12-22 1997-07-15 Lam Research Corporation Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber
US6626185B2 (en) 1996-06-28 2003-09-30 Lam Research Corporation Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate
JPH10261623A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Hitachi Ltd プラズマ処理方法、および半導体装置の製造方法
EP0871211A3 (en) * 1997-03-19 1999-12-08 Hitachi, Ltd. Plasma treatment method and manufacturing method of semiconductor device
KR100531337B1 (ko) * 1997-03-19 2006-02-28 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리방법및반도체장치의제조방법
US5868853A (en) * 1997-06-18 1999-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Integrated film etching/chamber cleaning process
US6482746B2 (en) 1998-09-30 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Computer readable medium for controlling a method of cleaning a process chamber
US6242347B1 (en) 1998-09-30 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
WO2000019491A1 (en) * 1998-09-30 2000-04-06 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
KR100327581B1 (ko) * 1999-06-29 2002-03-14 박종섭 반도체 소자의 금속배선 형성방법
US6352081B1 (en) * 1999-07-09 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process
US6350697B1 (en) 1999-12-22 2002-02-26 Lam Research Corporation Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber
US6770214B2 (en) 2001-03-30 2004-08-03 Lam Research Corporation Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor
JP2008078678A (ja) * 2007-11-02 2008-04-03 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
JP2020128567A (ja) * 2019-02-07 2020-08-27 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

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