JPH0362560A - はんだ付け適性仕上げを形成する方法 - Google Patents

はんだ付け適性仕上げを形成する方法

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JPH0362560A
JPH0362560A JP2013755A JP1375590A JPH0362560A JP H0362560 A JPH0362560 A JP H0362560A JP 2013755 A JP2013755 A JP 2013755A JP 1375590 A JP1375590 A JP 1375590A JP H0362560 A JPH0362560 A JP H0362560A
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chip
lead frame
silver
coating
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JP2013755A
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Pieter Willem Meuldijk
ピーター ウィルエム メウルディエク
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MECO EQUIP ENG BV
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特許請求の範囲のプレアンブル部に記載した様
に集積回路(IC’s)又は他の半導体部品の製造に用
いられるリードフレーム上にはんだ付け適性仕上げを製
造する方法に関する。その部品はまずリードフレームに
チップをグイボンディングと云われる連結工程、次に該
チップをボンディングや冷間溶接によって、細いワイヤ
でチップに近いリードフレームのリードにそれら部品の
部分への接続工程によって作られる。
〔従来の技術〕
ICその他の製造に用いられるリードフレームはこれら
のフレームを金属ストリップ素材からスタンピング(打
抜き〉によって得られるもので、その金属はニッケル鉄
、鋼鉄の合金や類似の銅合金である。その打抜き作業は
リードフレームの他の処理を容易にするため個々のリー
ドフレームをまだ結合した状態で通常実施される。
多くの場合、チップ−ポンディングパッド−及びそのポ
ンディングパッドに直近のリードフレームのリードの部
分を連結するための領域は簡単なチップとワイヤボンデ
ィングのとするため選択的にめっきされた貴金属コーテ
ィングを必要とする。
共融チップやグイボンディングに対してめっきコーティ
ングとして金が好ましく、エポキシダイス結合には銀が
ほとんど一般的に用いられる。
リードフレーム部分を貴金属で選択的にめっきする装置
がヨーロッパ特許第0060591号公報に開示されて
いる。
チップをグイポンディングパッド上にダイアタッチして
から、そのグイポンディングパッドに近いリードフレー
ムのリード端を冷間溶接か細い金属接続ワイヤのボンデ
ィングでチップと接続する。
この工程はワイヤボンディングと呼ばれる。
これら作動チップの組付け後、接続ワイヤとリード端を
、チップに近くないリードフレームのリード部−外部リ
ードがパッケージの外側に出るようにパッケージを構成
するプラスチック内に封止する。
パッケージ外でリードと信頼性よく接続させるために、
これらの外部リードに錫又ははんだコーティングを行い
、プリント回路基板等に設けられたリード部の良好なは
んだ付け適性を保証するのはこれまで一般的であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、錫や錫鉛のコーティングが適用される前
にパッケージから出ている外部リードの金属表面に上記
作業中に形成された酸化物層を除く必要があった。これ
はその外部リードを暖めた酸溶液、例えば硫酸あるいは
塩酸に湛すことによって一般に除かれる。このような金
属酸化物除去後、信頼性のある錫やはんだ層の表面コー
ティングがホットデイプ錫めっきや電気めっきによって
なされる。
上記方法の錫や錫鉛コーティングは重要なコスト要因で
ある。
更に又、リードフレームの金属とプラスチック耐量の細
い空間に入り込んだ他の薬品により危険が存在し、それ
らは究極的には製品の不良になる。
グイ−アタッチ(連結)の前に錫又ははんだとのはんだ
付け適性を要するリードフレームの領域をコーティング
することはいくつかの理由により不可能である。
まず錫やはんだは非常に軟かい金属である。ダイアタッ
チやそれに続く作業の前のコーティングは軟かいコーテ
ィングにかなりのダメージになり、使用に不適な最#部
品を作ることになる。
更に、選択的貴金属コーティングと錫又ははんだでカバ
ーされた領域間に、ある距離が好ましくない金属間反応
を防止するために必要である。これにより、プラスチッ
ク封外部の外部リード領域が完全に錫あるいははんだで
コーティングされない危険を招く。
製造中に個々のリードフレーム間の連結材として作用す
るキャリアレールは、後の組付け作業中核部品を案内す
るのに用いられる。組付け作業でその案内に沿った錫あ
るいははんだコーティングキャリアレールの運搬は案内
ガイドを錫あるいは錫鉛の汚染させ、リードフレームス
トリップの円滑な運搬を妨げる。
最後に、組付け中、フレームは長時間160−200℃
の温度に深される。しかしながら、60%錫40%鉛の
好ましい共融はんだ合金は180℃の融点を有し、この
合金の使用実際的に不可能にする。232℃の融点を持
つ錫コーティングは組付け中、高温に長く濡されると銅
−路中間金属の形成で錫コーティングのはんだ付け性は
悪化する。
IEU−A、第0132596号公報に、ニッケルー鉄
合金(42アロイ)からなるリードフレームを、極端に
薄いニッケル層とそれに続けて同様に金、銀、パラジウ
ムあるいはそれらの合金のような貴金属の薄い層でコー
ティングすることが開示されている。
金の使用はコストの面で非常に高い。
銀の使用は、プラスチック耐外のリードフレームの銀が
プラスチック面上に移動する傾向にあり、従って究極的
に電気的ショートを招くので好ましくない。
更に又、EU−A−0132596号に開示された方法
は熱不良伝導体のニッケルー鉄合金にのみ好ましい。
その方法は銅ベースの合金には用いられない。
実際、EO−A−0132596号に開示されたコーテ
ィングは新たに付され場合のみはんだ付け性がある。
しかしながら、時効で急速にそして加速時効でほとんど
すぐに劣化する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によればリードフレーム上にチップを搭載する前
に、パラジウム含有量が10−90重量%のパラジウム
と銀の合金からなるはんだ付け適性コーティングを該リ
ードフレーム上に形成する際に得られるものである。
パラジウム−銀合金の比較的薄いコーティングでも加速
時効後、驚くべきことに完全なはんだ付け適性を示すこ
とが見出された。またパラジウム銀合金は硬く組付け品
運搬中、案内ガイドの汚染の危険を完全に除ける。
パラジウム−銀合金の電気めっきはそれ自体、いくつか
の特許で知られている。US−A−4465563号、
−4478692号、−4741818号はパラジウム
−銀合金をめっきするための浴組成を開示する。他の浴
組成は08−A−3609309号に開示されている。
更にパラジウム−銀合金に関するめっき浴とその適用を
種々の文献、例えば、Metal finishing
(米国) 1986年1月55頁等、Plating 
and 5urface Finishing(米国)
 1986年6月、88頁等、及びGa1vanote
chnik〈西ドイツ) 1987年No、 6.15
70頁等に開示されている。
上記特許と文献はパラジウム−銀めっきの溶液組成、加
工条件及び技術を一般的に論じている。
上記Plating and 5urface Fin
ishingの文献はコネクターへの金の代替品として
パラジウム銀を記している。
本発明の目的とするパラジウム−銀合金の適用について
はこれらどの文献にも言及していない。
〔実施例〕
添付図面は打抜きリードフレームの金属ストリップの一
部を示す。そのストリップはキャリアレール1と2によ
って連結されている。各リードフレームは多くのリード
3.4とチップのダイアタッチ用ポンディングパッド5
を有し、そのパッドはキャリアレール1を有するストリ
ップ6と7により接続されている。リードフレームスト
リップは銅合金あるいはニッケル鉄材料から打抜かれる
連結されたリードフレームからなるリードフレームスト
リップを形成するため金属ス) IJツブを打抜いた後
、そのリードフレームストリップは例えば前述の文献に
示された方法を用いることによりパラジウム−銀合金で
コーティングされる。続いて図中のハツチ領域Aが貴金
属と選択的にめっきされる。
次の作業ではチップがポンディングパッド5に連結され
、その後、ハツチ領域Aのポンディングパッド5に近い
リード3の端部がワイヤボンディングによってチップの
指定点に接続される。次の組付け作業において、ハツチ
領域Aを含むチップとワイヤボンドがプラスチックで封
止される。
例えばプリント基板内での次の組付けのため、リードフ
レームでと封止チップで形成された部品をキャリアレー
ル1と2及び近くの部材から分離しリード3’  、4
’によってプリント回路基板上にはんだ付け作業で接続
を可能にするようにする必要がある。リード3′と4′
はパラジウム−銀合金でめっきされるので完全なはんだ
付け適性が保証される。
実際の作業では10−90重量%パラジウム、残部銀を
含有する合金で厚さ最小0.05 ミクロン仲)、好ま
しくは0.1−0.15−で良好な結果が得られる。
厚さは厚ければ厚い程良いが経済的理由から興味が薄ら
ぐ。
パラジウム銀被着前にまず、鋼鉄のような銅合金を、ニ
ッケルにめっきするのが好ましい。ニッケル層厚は最小
0.5−にすべきで、好ましくは1〜2−が好ましい。
また厚さは厚ければ厚い程、十分であるが、組付け作業
で製品を曲げる必要がある場合、延性の見地からみてク
ラック形成の危険が生じる。
最上の結果は、ベース材料が銅合金の場合、30%パラ
ジウムと70%銀を含有する合金を、ニッケル下地層上
0.1−0.15μの厚さにめっきした時に得られた。
また規格試験B、 S、 1872−Dry Heat
 f スト−に記載されたような加速時効後、前述のコ
ーティングのはんだ付け性は完全であった。
本発明は、打抜きリードフレームへのパラジウム−銀合
金めっきついて記載されたが、他の部あるいは光化学法
のような他の方法で作られたリードフレームでも本発明
の前述の方法にあてはまることが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
図は打抜きリードフレームの金属ス 一部を示す。 1.2・・・キャアレーノぺ 3.4.3’  、4’  ・・・リード、5・・・ポ
ンディングパッド、 6.7・・・ストリップ。 トリップの

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.リードフレームにチップを連結し、細いワイヤによ
    って該リードフレームの他の部分に該チップを接続して
    、前記ワイヤを前記リードフレームの他の部分にボンド
    あるいは冷間溶接することによって製造された集積回路
    あるいは他の半導体部品の製造に用いる、リードフレー
    ム上へのはんだ付け適性仕上げを形成する方法において
    、前記リードフレーム上にチップを搭載する前に該リー
    ドレーム上に、10−90重量%のパラジウム含有量の
    パラジウムと銀の合金からなるはんだ付け適性コーティ
    ングを設けることを特徴とするはんだ付け適性仕上げを
    形成する方法。
  2. 2.約30%パラジウムを含有する前記パラジウムと銀
    の合金を用いることを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 3.前記パラジウムと銀の合金が最小0.05μm好ま
    しくは0.10〜0.5μmの厚さの層に形成されるこ
    とを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
  4. 4.前記リードフレーム上にパラジウム−銀合金のコー
    ティングを設ける前にニッケルコーティングを設けるこ
    とを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方
    法。
  5. 5.前記ニッケルが最小0.5μm、好ましくは1〜2
    μmの厚さを有する層に形成されることを特徴とする請
    求項4記載の方法。
JP2013755A 1989-01-25 1990-01-25 はんだ付け適性仕上げを形成する方法 Pending JPH0362560A (ja)

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NL8900172A NL8900172A (nl) 1989-01-25 1989-01-25 Werkwijze voor het soldeerbaar maken van metalen roosters voor halfgeleiders.

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010005433A (ko) * 1999-06-09 2001-01-15 고지 미야자키 나무 부스러기를 소재로 하는 용기

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