JPH10237691A - 多層メッキリードフレーム - Google Patents
多層メッキリードフレームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉄合金素材の基板上に第１貴金属メッキ
層、銅メッキ層、ニッケルメッキ層及び第２貴金属メッ
キ層が順序的に積層されているメッキ層構造を提供す
る。 【解決手段】 リードフレームはワイヤボンディング
性、耐腐食性、ハンダ付け性などの諸特性が非常に向上
している。
層、銅メッキ層、ニッケルメッキ層及び第２貴金属メッ
キ層が順序的に積層されているメッキ層構造を提供す
る。 【解決手段】 リードフレームはワイヤボンディング
性、耐腐食性、ハンダ付け性などの諸特性が非常に向上
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームに係
り、より詳細には鉄合金素材の基板に先メッキフレーム
工程が適用できるようにメッキ層の構造を改善した多層
メッキリードフレームに関する。
り、より詳細には鉄合金素材の基板に先メッキフレーム
工程が適用できるようにメッキ層の構造を改善した多層
メッキリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体リードフレームは半導体チップと
共に半導体パッケージを成す中心構成要素の１つであっ
て、半導体パッケージの内部と外部とを連結する導線の
役割と半導体チップを支持する支持体の役割をする。こ
のような半導体リードフレームは通常、スタンピング方
式またはエッチング方式により製造される。
共に半導体パッケージを成す中心構成要素の１つであっ
て、半導体パッケージの内部と外部とを連結する導線の
役割と半導体チップを支持する支持体の役割をする。こ
のような半導体リードフレームは通常、スタンピング方
式またはエッチング方式により製造される。
【０００３】スタンピング方式はプレス金型装置を利用
して薄板の素材を所定形状に製造する方法であって、こ
れはリードフレームを大量生産する場合に主に適用され
る。
して薄板の素材を所定形状に製造する方法であって、こ
れはリードフレームを大量生産する場合に主に適用され
る。
【０００４】エッチング方式は化学薬品を利用して素材
の局所部位を腐蝕させる化学的食刻方法により所定形状
に製造する方法であって、リードフレームを少量生産す
る場合に主に適用される。
の局所部位を腐蝕させる化学的食刻方法により所定形状
に製造する方法であって、リードフレームを少量生産す
る場合に主に適用される。
【０００５】前記した２つの製造方法中何れか１つの方
法により製造される半導体リードフレームは基板に実装
される形態等によって多様な構造を有するが、一般的な
構造は図１に示した通りである。
法により製造される半導体リードフレームは基板に実装
される形態等によって多様な構造を有するが、一般的な
構造は図１に示した通りである。
【０００６】図１は一般的なリードフレームの構造を示
す図面である。具体的に、記憶素子のチップを搭載して
静的の状態に維持させるダイパッド１１、ワイヤボンデ
ィングによりチップと連結される内部リード１２及び外
部回路との連結のための外部リード１３を含む構造より
なっている。
す図面である。具体的に、記憶素子のチップを搭載して
静的の状態に維持させるダイパッド１１、ワイヤボンデ
ィングによりチップと連結される内部リード１２及び外
部回路との連結のための外部リード１３を含む構造より
なっている。
【０００７】このような構造を有する半導体リードフレ
ームは半導体の他の部品、例えば記憶素子のチップなど
との組立過程を経て半導体パッケージを成す。
ームは半導体の他の部品、例えば記憶素子のチップなど
との組立過程を経て半導体パッケージを成す。
【０００８】前記半導体の組立過程中半導体チップとリ
ードフレームの内部リードとのワイヤボンディングを改
善するために、ダイパッド１１と内部リード１２に所定
の特性を有する金属素材をメッキする場合が多い。また
ハンダ付け性向上のために外部リード１３の一定部位に
ハンダメッキ(Ｓｎ-Ｐｄ)を行なう。
ードフレームの内部リードとのワイヤボンディングを改
善するために、ダイパッド１１と内部リード１２に所定
の特性を有する金属素材をメッキする場合が多い。また
ハンダ付け性向上のために外部リード１３の一定部位に
ハンダメッキ(Ｓｎ-Ｐｄ)を行なう。
【０００９】しかし、前記ハンダメッキ過程においてメ
ッキ液が内部リード１２の領域にまで浸透する場合が頻
繁に発生するので、これを除去するための追加工程を必
ず経るべきであるという問題点があった。
ッキ液が内部リード１２の領域にまで浸透する場合が頻
繁に発生するので、これを除去するための追加工程を必
ず経るべきであるという問題点があった。
【００１０】このような問題点を解決するために提案さ
れたのが先メッキフレーム方法である。この方法によれ
ば、半導体パッケージ工程前に基板にハンダ付け濡れ性
が良好な素材をあらかじめ塗布してメッキ層を形成する
方法である。このような方法により製造されたメッキ層
の構造は図２、図３及び図４に示した通りである。
れたのが先メッキフレーム方法である。この方法によれ
ば、半導体パッケージ工程前に基板にハンダ付け濡れ性
が良好な素材をあらかじめ塗布してメッキ層を形成する
方法である。このような方法により製造されたメッキ層
の構造は図２、図３及び図４に示した通りである。
【００１１】図２を参照すると、リードフレームはＣｕ
基板２１の上にＮｉメッキ層２２と、ＰｄまたはＰｄ／
Ｎｉ合金メッキ層２３が順次積層されている多層構造の
メッキ層から成る。
基板２１の上にＮｉメッキ層２２と、ＰｄまたはＰｄ／
Ｎｉ合金メッキ層２３が順次積層されている多層構造の
メッキ層から成る。
【００１２】図３に示したリードフレームはＣｕ基板３
１の上にＮｉメッキ層３２とＰｄ／Ｎｉ合金メッキ層３
３が順次積層されており、前記Ｐｄ／Ｎｉ合金メッキ層
３３の上部にＮｉメッキ層３４とＰｄメッキ層３５が順
次形成されている多層構造のメッキ層を具備している。
１の上にＮｉメッキ層３２とＰｄ／Ｎｉ合金メッキ層３
３が順次積層されており、前記Ｐｄ／Ｎｉ合金メッキ層
３３の上部にＮｉメッキ層３４とＰｄメッキ層３５が順
次形成されている多層構造のメッキ層を具備している。
【００１３】図４に示したリードフレームはＣｕ基板４
１の上にＮｉメッキ層４２と、ＰｄまたはＡｕメッキ層
４３が順次積層されている。そして前記ＰｄまたはＡｕ
メッキ層４３の上部にはＰｄ／Ｎｉ合金メッキ層４４、
ＰｄまたはＡｕメッキ層４３エ及びＰｄメッキ層４５が
順次形成されている構造を成す。
１の上にＮｉメッキ層４２と、ＰｄまたはＡｕメッキ層
４３が順次積層されている。そして前記ＰｄまたはＡｕ
メッキ層４３の上部にはＰｄ／Ｎｉ合金メッキ層４４、
ＰｄまたはＡｕメッキ層４３エ及びＰｄメッキ層４５が
順次形成されている構造を成す。
【００１４】ところが、前記図２乃至図４に示したリー
ドフレームは基板の素材がＣｕまたはＣｕ合金の場合に
先メッキフレーム方法を適用して製造しており、Ｎｉ等
の元素を少量含有している鉄合金素材である合金４２素
材には適用が難しかった。合金４２はＮｉ、Ｆｅ及び少
量の他の元素よりなり、リードフレームの基板素材とし
て広く使われるが、塩水雰囲気下の組立工程中に発生す
る腐蝕がひどいという問題点があった。これは合金４２
素材の鉄系合金とメッキ層成分のＰｄの電気化学ポテン
シャルの差が大きいためにガルバーニ腐蝕現象を起こす
ことによる。
ドフレームは基板の素材がＣｕまたはＣｕ合金の場合に
先メッキフレーム方法を適用して製造しており、Ｎｉ等
の元素を少量含有している鉄合金素材である合金４２素
材には適用が難しかった。合金４２はＮｉ、Ｆｅ及び少
量の他の元素よりなり、リードフレームの基板素材とし
て広く使われるが、塩水雰囲気下の組立工程中に発生す
る腐蝕がひどいという問題点があった。これは合金４２
素材の鉄系合金とメッキ層成分のＰｄの電気化学ポテン
シャルの差が大きいためにガルバーニ腐蝕現象を起こす
ことによる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は前記問
題点を解決するためにメッキ層の構造を改善することに
よって、ハンダ付け性とワイヤボンディング性に優れて
いるばかりでなく、非常に耐腐食性にも優れたリードフ
レームを提供することである。
題点を解決するためにメッキ層の構造を改善することに
よって、ハンダ付け性とワイヤボンディング性に優れて
いるばかりでなく、非常に耐腐食性にも優れたリードフ
レームを提供することである。
【００１６】
【発明を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では、鉄系合金素材の基板上に第１貴金属メッ
キ層、中間メッキ層及び第２貴金属メッキ層が順次積層
されていることを特徴とする多層メッキリードフレーム
を提供する。
に本発明では、鉄系合金素材の基板上に第１貴金属メッ
キ層、中間メッキ層及び第２貴金属メッキ層が順次積層
されていることを特徴とする多層メッキリードフレーム
を提供する。
【００１７】前記中間メッキ層は銅メッキ層とニッケル
メッキ層よりなる。
メッキ層よりなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明は鉄合金素材の基板上に貴
金属またはその合金を予めメッキすることにその特徴が
ある。このような貴金属メッキ層形成以後に中間メッキ
と最外郭メッキ層を形成して全体的なメッキ層構造が完
成するようになる。この際中間メッキ層と最外郭メッキ
層の間にはパラジウムメッキ層が形成できる。ここでパ
ラジウムメッキ層は全体的なメッキ層表面の照度を向上
させるだけでなく、中間メッキ層と最外郭メッキ層との
密着性を向上させてハンダ付け性、ワイヤボンディング
などの特性を向上させる役割をする。
金属またはその合金を予めメッキすることにその特徴が
ある。このような貴金属メッキ層形成以後に中間メッキ
と最外郭メッキ層を形成して全体的なメッキ層構造が完
成するようになる。この際中間メッキ層と最外郭メッキ
層の間にはパラジウムメッキ層が形成できる。ここでパ
ラジウムメッキ層は全体的なメッキ層表面の照度を向上
させるだけでなく、中間メッキ層と最外郭メッキ層との
密着性を向上させてハンダ付け性、ワイヤボンディング
などの特性を向上させる役割をする。
【００１９】ワグナー混合電極理論を参照して、本発明
の基本的な原理を説明する。
の基本的な原理を説明する。
【００２０】電気化学分野において、金属の腐食速度は
一般的に下記の数式１に示される。
一般的に下記の数式１に示される。
【００２１】
【数１】i=i0exp(ΔE/β) ここで、i0は交換電流密度、βはターフェル係数、ΔE
は酸化反応電位と還元反応電位の差である。
は酸化反応電位と還元反応電位の差である。
【００２２】混合電極理論によると、金属の腐食反応は
酸化反応と還元反応よりなっている。そして腐食反応速
度は酸化反応速度と還元反応速度が同一である時決定さ
れる。
酸化反応と還元反応よりなっている。そして腐食反応速
度は酸化反応速度と還元反応速度が同一である時決定さ
れる。
【００２３】金属の腐食反応は数式１のΔEと電流密度i
との関係を片対数形式で示した図５のエバンスダイアグ
ラムより容易に分かる。
との関係を片対数形式で示した図５のエバンスダイアグ
ラムより容易に分かる。
【００２４】一般的に原子がvを有する金属Mの腐食は下
記酸化反応と還元反応により起こる。
記酸化反応と還元反応により起こる。
【００２５】酸化反応(リードフレーム/メッキ層の界
面)：M＝Mv+＋ve- 還元反応(メッキ層/外部大気の界面)；O2＋2H2O＋4e-＝
4(OH)- 金属の腐食速度は酸化反応の“ΔE vs．log I”カーブ
を還元反応の“ΔE vs．log i”カーブが相接する点か
ら決定される。
面)：M＝Mv+＋ve- 還元反応(メッキ層/外部大気の界面)；O2＋2H2O＋4e-＝
4(OH)- 金属の腐食速度は酸化反応の“ΔE vs．log I”カーブ
を還元反応の“ΔE vs．log i”カーブが相接する点か
ら決定される。
【００２６】金属の腐食速度を落とすためには酸化反応
及び還元反応の速度を各々落とすべきである。しかし、
通常的な塩水雰囲気下で還元反応は酸素還元反応に固定
されている。従って、金属の腐食速度を落とすためには
金属の酸化反応速度を変化させる必要がある。
及び還元反応の速度を各々落とすべきである。しかし、
通常的な塩水雰囲気下で還元反応は酸素還元反応に固定
されている。従って、金属の腐食速度を落とすためには
金属の酸化反応速度を変化させる必要がある。
【００２７】前述したように、金属酸化反応は主にリー
ドフレームと第１メッキ層間の界面から起こる。従って
第１メッキ層の電気化学ポテンシャルの大きさは非常に
重要である。腐食速度はリードフレームと第１メッキ層
の電気化学ポテンシャルの差が小さくなるほど減少され
る。
ドフレームと第１メッキ層間の界面から起こる。従って
第１メッキ層の電気化学ポテンシャルの大きさは非常に
重要である。腐食速度はリードフレームと第１メッキ層
の電気化学ポテンシャルの差が小さくなるほど減少され
る。
【００２８】例えば、図５から分かるように金属の電気
化学ポテンシャルがＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕ及びＰｄの順序で
増加する。そして、全体的な金属腐食速度がＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｕ及びＰｄの順序で顕著に減少する。
化学ポテンシャルがＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕ及びＰｄの順序で
増加する。そして、全体的な金属腐食速度がＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｕ及びＰｄの順序で顕著に減少する。
【００２９】このような原理を利用して本発明では鉄リ
ードフレーム上部にパラジウム等のような貴金属ストラ
イク層をメッキして酸化反応速度を落とし、これにより
全体的な腐食速度を減少させている。
ードフレーム上部にパラジウム等のような貴金属ストラ
イク層をメッキして酸化反応速度を落とし、これにより
全体的な腐食速度を減少させている。
【００３０】以下、図６を参照して、本発明の好ましい
実施例によるリードフレームの構造を調べる。
実施例によるリードフレームの構造を調べる。
【００３１】鉄合金素材の基板６１の上部に形成された
第１貴金属メッキ層６２はＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒ
ｕ及びＡｇの中選択された金属またはこれらの合金より
なる。この際前記基板６１の厚さは０.０１乃至５ｍｍ
ある。
第１貴金属メッキ層６２はＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒ
ｕ及びＡｇの中選択された金属またはこれらの合金より
なる。この際前記基板６１の厚さは０.０１乃至５ｍｍ
ある。
【００３２】前記第１貴金属合金の具体的な例には、合
金総重量に対して５０%未満のＡｕ成分を有するＰｄ−
Ａｕ合金、全体組成において５０％未満のＣｏ成分を有
するＰｄ−Ｃｏ合金、全体組成において５０％未満のW
成分を有するＰｄ−Ｗ合金、全体組成において５０％未
満のＴｉ成分を有するＰｄ−Ｔｉ合金、全体組成におい
て５０％未満のＳｎ成分を有するＰｄ−Ｓｎ合金、全体
組成において５０％未満のＮｉ成分を有するＰｄ−Ｎｉ
合金、全体組成において５０％未満のＭｏ成分を有する
Ｐｄ−Ｍｏ合金などがある。第１貴金属メッキ層は前述
したように酸化反応と還元反応の電気化学ポテンシャル
差を減らすことによって耐腐食性を向上させる役割をす
るが、適正な厚さは０.０１乃至１０μｍである。
金総重量に対して５０%未満のＡｕ成分を有するＰｄ−
Ａｕ合金、全体組成において５０％未満のＣｏ成分を有
するＰｄ−Ｃｏ合金、全体組成において５０％未満のW
成分を有するＰｄ−Ｗ合金、全体組成において５０％未
満のＴｉ成分を有するＰｄ−Ｔｉ合金、全体組成におい
て５０％未満のＳｎ成分を有するＰｄ−Ｓｎ合金、全体
組成において５０％未満のＮｉ成分を有するＰｄ−Ｎｉ
合金、全体組成において５０％未満のＭｏ成分を有する
Ｐｄ−Ｍｏ合金などがある。第１貴金属メッキ層は前述
したように酸化反応と還元反応の電気化学ポテンシャル
差を減らすことによって耐腐食性を向上させる役割をす
るが、適正な厚さは０.０１乃至１０μｍである。
【００３３】前記第１貴金属メッキ層６２の上部に形成
されている銅メッキ層６３は銅または合金重量に対し５
０％未満のＳｎ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｍｎ及びＣｏの中選択さ
れた、少なくとも１種の金属が添加された銅合金よりな
る。この層の厚さは０.０１乃至１０μｍであることが
望ましい。
されている銅メッキ層６３は銅または合金重量に対し５
０％未満のＳｎ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｍｎ及びＣｏの中選択さ
れた、少なくとも１種の金属が添加された銅合金よりな
る。この層の厚さは０.０１乃至１０μｍであることが
望ましい。
【００３４】前記銅メッキ層６３は第１貴金属メッキ層
６２とニッケルメッキ層６４の間の密着性を向上させ、
基板素材の金属原子が広がることを防止する役割をす
る。
６２とニッケルメッキ層６４の間の密着性を向上させ、
基板素材の金属原子が広がることを防止する役割をす
る。
【００３５】ニッケルメッキ層６４は中間層であって、
銅原子が最外郭表面まで広がって銅酸化物や銅黄化物の
ような反応性銅化合物を生成することを防止するために
形成してある。このようなニッケルメッキ層６４はニッ
ケルまたは合金総重量に対し５０％未満のＣｕ、Ｓｎ、
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＷの中選択された、少なくとも１
種の金属が添加されたニッケル合金よりなる。そして前
記ニッケルメッキ層６４の厚さは０.０１乃至１０μｍ
であることが望ましい。
銅原子が最外郭表面まで広がって銅酸化物や銅黄化物の
ような反応性銅化合物を生成することを防止するために
形成してある。このようなニッケルメッキ層６４はニッ
ケルまたは合金総重量に対し５０％未満のＣｕ、Ｓｎ、
Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＷの中選択された、少なくとも１
種の金属が添加されたニッケル合金よりなる。そして前
記ニッケルメッキ層６４の厚さは０.０１乃至１０μｍ
であることが望ましい。
【００３６】前記ニッケルメッキ層６４の上部に形成さ
れたパラジウムメッキ層６５はパラジウムまたはＭｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｏの中選択さ
れた、少なくとも１種の金属パラジウム合金を利用して
０.０１乃至１０μｍの厚さで形成する。前記パラジウ
ムメッキ層６５はニッケルメッキ層６４の表面の気孔を
隠して表面粗度を均一化させられるので、後続に形成さ
れる最外郭メッキ層の厚さを均一に維持する作用をす
る。
れたパラジウムメッキ層６５はパラジウムまたはＭｏ、
Ｗ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣｏの中選択さ
れた、少なくとも１種の金属パラジウム合金を利用して
０.０１乃至１０μｍの厚さで形成する。前記パラジウ
ムメッキ層６５はニッケルメッキ層６４の表面の気孔を
隠して表面粗度を均一化させられるので、後続に形成さ
れる最外郭メッキ層の厚さを均一に維持する作用をす
る。
【００３７】前述のようなパラジウムメッキ層６５を形
成すると、塩水雰囲気下での局部腐食現象が著しく減少
する。そしてニッケルメッキ層５４と最外郭メッキ層の
第２貴金属メッキ層６２′の間の結合力が増大する。こ
のように２つの層間の結合力が増大すると、リードフレ
ームのパッド上に半導体チップを実装した後の後続工程
のトリミング過程及びフォーミング過程で亀裂が発生し
たり、またはこの亀裂によって生成された隙間がさらに
大きくなる現象を最小化できる。その結果、耐腐食性が
非常に向上するだけでなく、ニッケルメッキ層６４のニ
ッケルが広がることを防止することによってハンダ付け
性とワイヤボンディングも向上する。
成すると、塩水雰囲気下での局部腐食現象が著しく減少
する。そしてニッケルメッキ層５４と最外郭メッキ層の
第２貴金属メッキ層６２′の間の結合力が増大する。こ
のように２つの層間の結合力が増大すると、リードフレ
ームのパッド上に半導体チップを実装した後の後続工程
のトリミング過程及びフォーミング過程で亀裂が発生し
たり、またはこの亀裂によって生成された隙間がさらに
大きくなる現象を最小化できる。その結果、耐腐食性が
非常に向上するだけでなく、ニッケルメッキ層６４のニ
ッケルが広がることを防止することによってハンダ付け
性とワイヤボンディングも向上する。
【００３８】前記パラジウムメッキ層６５の上部に形成
された第２貴金属メッキ層６２′はＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、
Ａｇ、Ｒｕ及びＲｈの中選択された金属またはこれらの
合金よりなる。この層の役割は下部層を保護する最外郭
メッキ層であって、全体メッキ層の酸化防止とハンダ付
け性、ワイヤボンディング性などを向上させる役割を果
たす。
された第２貴金属メッキ層６２′はＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、
Ａｇ、Ｒｕ及びＲｈの中選択された金属またはこれらの
合金よりなる。この層の役割は下部層を保護する最外郭
メッキ層であって、全体メッキ層の酸化防止とハンダ付
け性、ワイヤボンディング性などを向上させる役割を果
たす。
【００３９】前記第２貴金属メッキ層６２′の厚さは
０.０１乃至１０μｍであることが望ましい。
０.０１乃至１０μｍであることが望ましい。
【００４０】前記のような構造を有するリードフレーム
において、メッキされる部位はワイヤボンディング領域
またはこの 領域を含んだリードフレーム全体である。
において、メッキされる部位はワイヤボンディング領域
またはこの 領域を含んだリードフレーム全体である。
【００４１】以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明
するが、本発明が下記実施例にだけ限定されることでは
ない。
するが、本発明が下記実施例にだけ限定されることでは
ない。
【００４２】鉄−ニッケル基板を前処理した後、約３μ
インチのパラジウムストライクメッキ層を形成した。前
記パラジウムストライクメッキ層上部に約２μｍの厚さ
で銅をメッキした後、ニッケルとニッケル−パラジウム
合金を順次メッキして約１μｍ厚さのニッケルメッキ層
と３μインチのニッケル−パラジウム合金メッキ層を形
成した。次いで、前記ニッケル−パラジウム合金メッキ
の上部に約３μインチのパラジウムメッキ層を形成し
た。
インチのパラジウムストライクメッキ層を形成した。前
記パラジウムストライクメッキ層上部に約２μｍの厚さ
で銅をメッキした後、ニッケルとニッケル−パラジウム
合金を順次メッキして約１μｍ厚さのニッケルメッキ層
と３μインチのニッケル−パラジウム合金メッキ層を形
成した。次いで、前記ニッケル−パラジウム合金メッキ
の上部に約３μインチのパラジウムメッキ層を形成し
た。
【００４３】ここでパラジウムとニッケル-パラジウム
メッキ液としてはMo.GL-2(S)(Degussa社)溶液を、銅メ
ッキ液としてはピロリン酸塩銅(Copper pyrophosphate;
豊元化学製)溶液を、そしてニッケルメッキ液としてはM
o.6450(Degussa社)を各々使用した。
メッキ液としてはMo.GL-2(S)(Degussa社)溶液を、銅メ
ッキ液としてはピロリン酸塩銅(Copper pyrophosphate;
豊元化学製)溶液を、そしてニッケルメッキ液としてはM
o.6450(Degussa社)を各々使用した。
【００４４】以下比較例について説明する。
【００４５】合金４２基板を前処理した後、この基板上
に銅、ニッケル及びパラジウムを順次メッキして３層メ
ッキ層構造を有するリードフレームを完成した。
に銅、ニッケル及びパラジウムを順次メッキして３層メ
ッキ層構造を有するリードフレームを完成した。
【００４６】以下別の比較例について説明する。
【００４７】合金４２基板を前処理した後、この基板上
にニッケル、銅、ニッケル及びパラジウムを順次メッキ
して４層メッキ層構造を有するリードフレームを完成し
た。
にニッケル、銅、ニッケル及びパラジウムを順次メッキ
して４層メッキ層構造を有するリードフレームを完成し
た。
【００４８】前記実施例及び２つの比較例によって製造
された多層リードフレームのハンダ付け性実験(soldera
bility test:MIL-STD-883D、Method 2003.7)、塩水噴霧
実験(salt water spray test:MIL-STD-883D、Method 10
09.8)、ワイヤボンディング実験を実施した。その結果
を下記の表１に示した。
された多層リードフレームのハンダ付け性実験(soldera
bility test:MIL-STD-883D、Method 2003.7)、塩水噴霧
実験(salt water spray test:MIL-STD-883D、Method 10
09.8)、ワイヤボンディング実験を実施した。その結果
を下記の表１に示した。
【００４９】
【表１】
【００５０】上記の表１より、実施例に従って製造され
たリードフレームは２つの比較例によって製造されたリ
ードフレームに比べてハンダ付け性、ワイヤボンディン
グ性及び耐腐食性に優れていることが分かった。
たリードフレームは２つの比較例によって製造されたリ
ードフレームに比べてハンダ付け性、ワイヤボンディン
グ性及び耐腐食性に優れていることが分かった。
【００５１】
【発明の効果】本発明によるリードフレームはワイヤボ
ンディング性、耐腐食性、ハンダ付け性などの諸特性が
非常に向上するため、半導体パッケージ工程において高
い収益率が期待でき、製品の生産性を向上させる。
ンディング性、耐腐食性、ハンダ付け性などの諸特性が
非常に向上するため、半導体パッケージ工程において高
い収益率が期待でき、製品の生産性を向上させる。
【図１】通常的なリードフレームの構造を概略的に示し
た平面図である。
た平面図である。
【図２】従来の技術によるリードフレームのメッキ層構
造を示した図面である。
造を示した図面である。
【図３】従来の技術によるリードフレームのメッキ層構
造を示した図面である。
造を示した図面である。
【図４】従来の技術によるリードフレームのメッキ層構
造を示した図面である。
造を示した図面である。
【図５】エバンスダイアグラム(Evans diagram)を示し
た図面である。
た図面である。
【図６】本発明によるリードフレームのメッキ層構造を
概略的に示した断面図である。
概略的に示した断面図である。
１１ ダイパッド １２ 内部リード １３ 外部リード ２１ Ｃｕ基板 ２２ Ｎｉメッキ層 ２３ ＰｄまたはＰｄ／Ｎｉ合金メッキ層 ３１ Ｃｕ基板 ３２ Ｎｉメッキ層 ３３ Ｐｄ／Ｎｉ合金メッキ層 ３４ Ｎｉメッキ層 ３５ Ｐｄメッキ層 ４１ Ｃｕ基板 ４２ Ｎｉメッキ層 ４３ Ａｕメッキ層 ４３′ ＰｄまたはＡｕメッキ層 ４４ Ｐｄ／Ｎｉ合金メッキ層 ４５ Ｐｄメッキ層 ６１ 鉄合金基板 ６２ 第１貴金属メッキ層 ６２′ 第２貴金属メッキ層 ６３ 銅メッキ層 ６４ ニッケルメッキ層 ６５ パラジウムメッキ層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｋ
Claims (8)
- 【請求項１】 鉄合金素材の基板上に第１貴金属メッ
キ層、中間メッキ層及び第２貴金属メッキ層が順次積層
されていることを特徴とする多層メッキリードフレー
ム。 - 【請求項２】 前記中間メッキ層が銅メッキ層とニッ
ケルメッキ層よりなることを特徴とする請求項１に記載
の多層メッキリードフレーム。 - 【請求項３】 前記銅メッキ層が銅またはＳｎ、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ｍｎ及びＣｏの中から選択された、少なくと
も１種の金属が添加された銅合金よりなることを特徴と
する請求項２に記載の多層メッキリードフレーム。 - 【請求項４】 前記ニッケルメッキ層がニッケルまた
はＣｕ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｃｏ、及びＷの中から選択
された、少なくとも１種の金属が添加されたニッケル合
金よりなることを特徴とする請求項２に記載の多層メッ
キリードフレーム。 - 【請求項５】 前記ニッケルメッキ層と第２貴金属メ
ッキ層の間にパラジウムメッキ層がさらに積層されてい
ることを特徴とする請求項２に記載の多層メッキリード
フレーム。 - 【請求項６】 前記パラジウムメッキ層がパラジウム
またはＭｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びＣ
ｏの中から選択された、少なくとも１種の金属が添加さ
れたパラジウム合金よりなることを特徴とする請求項５
に記載の多層メッキリードフレーム。 - 【請求項７】 前記第１貴金属メッキ層がＰｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ及びＡｇの中から選択された金属
またはこの合金からなることを特徴とする請求項１に記
載の多層メッキリードフレーム。 - 【請求項８】 前記第２貴金属メッキ層がＰｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ及びＡｇの中から選択された金属
またはこの合金からなることを特徴とする請求項１に記
載の多層メッキリードフレーム。
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