JPH0362959A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH0362959A JPH0362959A JP1198873A JP19887389A JPH0362959A JP H0362959 A JPH0362959 A JP H0362959A JP 1198873 A JP1198873 A JP 1198873A JP 19887389 A JP19887389 A JP 19887389A JP H0362959 A JPH0362959 A JP H0362959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- coupling agent
- lead
- silane coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はリードフレームの製造方法に係り、特に樹脂封
止を完全にするためのリードフレームの表面処理に関す
る。
止を完全にするためのリードフレームの表面処理に関す
る。
（従来の技術）
半導体素子の実装方法としては、封止用のパッケージ材
料として金属を用いる方法、セラミックを用いる方法、
樹脂を用いる方法等がある。
料として金属を用いる方法、セラミックを用いる方法、
樹脂を用いる方法等がある。
これらの方法のうち、樹脂を用いる方法では、例えば、
第４図に示すように、リードフレーム１のダイパッド２
に、半導体素子３を固着し、この半導体索子３のポンデ
ィングパッドとリードフレームのインナーリード４とを
金線あるいはアルミ線のボンディングワイヤ５によって
結線し、更にこれらを樹脂パッケージ６内に封止するこ
とにより製造されている。
第４図に示すように、リードフレーム１のダイパッド２
に、半導体素子３を固着し、この半導体索子３のポンデ
ィングパッドとリードフレームのインナーリード４とを
金線あるいはアルミ線のボンディングワイヤ５によって
結線し、更にこれらを樹脂パッケージ６内に封止するこ
とにより製造されている。
また、ここで用いられるリードフレームは、第５図に１
例を示す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド
２と、先端が該ダイパッドをとり囲む上うに延在せしめ
られたインナーリード４と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド８とダイパッド２を支持するサポートパー９とから構
成される装置 ↑のような樹脂による封止方法は、安価てがっ実装作業
性が良好であることから、広く利用されている。
例を示す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド
２と、先端が該ダイパッドをとり囲む上うに延在せしめ
られたインナーリード４と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一体的に支持
するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド８とダイパッド２を支持するサポートパー９とから構
成される装置 ↑のような樹脂による封止方法は、安価てがっ実装作業
性が良好であることから、広く利用されている。
このとき、樹脂封止は完全パッケージではないため、樹
脂とリードフレーム材料との熱膨張率の違いにより、リ
ードフレームと樹脂パッケージとの間に間隙が生じ、こ
こから水分がパッケージ内に侵入し、半導体素子の特性
の劣化を生じたり、また特性の劣化を生じないまでもリ
ードフレームのダイパッドと樹脂との界面に水分がたま
るなどの問題があった。
脂とリードフレーム材料との熱膨張率の違いにより、リ
ードフレームと樹脂パッケージとの間に間隙が生じ、こ
こから水分がパッケージ内に侵入し、半導体素子の特性
の劣化を生じたり、また特性の劣化を生じないまでもリ
ードフレームのダイパッドと樹脂との界面に水分がたま
るなどの問題があった。
ところで、現在のＩＣパッケージ、特にＳＯＪやＱＦＰ
などの表面実装パッケージは、半田付は等方法による回
路への装着に際し、高温雰囲気にさらされる。
などの表面実装パッケージは、半田付は等方法による回
路への装着に際し、高温雰囲気にさらされる。
この熱により、このダイパッドの裏面側に付着した水分
が気化膨脹し、樹脂パッケージにクラックを生じる等の
問題があった。
が気化膨脹し、樹脂パッケージにクラックを生じる等の
問題があった。
また、リードフレーム素材が銅を主成分とするものであ
る場合、表面に酸化膜が生じ、これがリードフレームと
樹脂パッケージとの間の密着性を低下させる原因となっ
ていた。
る場合、表面に酸化膜が生じ、これがリードフレームと
樹脂パッケージとの間の密着性を低下させる原因となっ
ていた。
そこで、封止樹脂とリードフレームとの密着性を向上す
るために、リードフレームの表面および裏面を粗面化し
たり、インナーリードの一部にアンカーホールと呼ばれ
る小孔をあけ、樹脂を充填させるなどの対策が行われて
いるが、リードフレームの寸法精度が低下し、歩留まり
が悪くなるという欠点があった。
るために、リードフレームの表面および裏面を粗面化し
たり、インナーリードの一部にアンカーホールと呼ばれ
る小孔をあけ、樹脂を充填させるなどの対策が行われて
いるが、リードフレームの寸法精度が低下し、歩留まり
が悪くなるという欠点があった。
さらに、鋼材の酸化防止のために表面をニッケルめっき
層で被覆する方法も提案されているが、半導体装置組み
立て後、アウターリードのハンダデイツプ工程の直°前
でニッケルめっき層を剥離する必要があるなど製造コス
トの上昇につながるという問題があった。
層で被覆する方法も提案されているが、半導体装置組み
立て後、アウターリードのハンダデイツプ工程の直°前
でニッケルめっき層を剥離する必要があるなど製造コス
トの上昇につながるという問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
このように、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム
においては、封止樹脂とリードフレームとの密着性があ
まりよくないため、信頼性の低下の原因となっていた。
においては、封止樹脂とリードフレームとの密着性があ
まりよくないため、信頼性の低下の原因となっていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、封止樹脂
との密着性が高く、経時的変化が小さく信頼性の高いリ
ードフレームを提供することを目的とする。
との密着性が高く、経時的変化が小さく信頼性の高いリ
ードフレームを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明では、リードフレームの形状加工後、必要
に応じてメツキを行った後、ボンディングエリアおよび
アウターリードを除く少なくともパッケージライン近傍
をシランカップリング剤でプライマー処理するようにし
ている。
に応じてメツキを行った後、ボンディングエリアおよび
アウターリードを除く少なくともパッケージライン近傍
をシランカップリング剤でプライマー処理するようにし
ている。
ここで、シランカップリング剤とは、分子中に、メトキ
シ基、エポキシ基、セロソルブ基等の無機質と化学結合
する反応基と、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、
アミノ基、メルカプト基等の有機材料と化学結合する反
応基とを具備した有機ケイ素単量体をいう。
シ基、エポキシ基、セロソルブ基等の無機質と化学結合
する反応基と、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、
アミノ基、メルカプト基等の有機材料と化学結合する反
応基とを具備した有機ケイ素単量体をいう。
（作用）
本発明の方法によれば、リードフレームをシランカップ
リング剤でプライマー処理するようにしているため、実
装に際し、樹脂封止工程において、リードフレーム表面
に形成されたカップリング剤の被膜が樹脂およびリード
フレーム表面の両方に対してカップリング反応を起こし
、リードフレーム表面と樹脂との間に中間物質が生成さ
れ、密着性が大幅に向上する。
リング剤でプライマー処理するようにしているため、実
装に際し、樹脂封止工程において、リードフレーム表面
に形成されたカップリング剤の被膜が樹脂およびリード
フレーム表面の両方に対してカップリング反応を起こし
、リードフレーム表面と樹脂との間に中間物質が生成さ
れ、密着性が大幅に向上する。
さらにまた、銅素材のリードフレームにおいてもこのカ
ップリング剤の被膜が酸化防止作用をもつため、ニッケ
ルメッキの必要もなく、従ってハンダデイツプ工程に先
立ち剥離する必要もない。
ップリング剤の被膜が酸化防止作用をもつため、ニッケ
ルメッキの必要もなく、従ってハンダデイツプ工程に先
立ち剥離する必要もない。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、本発明実施例のリードフレームの製造工程を
示すフローチャート図である（図中ステップ１０４．１
０５はこのリードフレームを用いた実装工程を示す）。
示すフローチャート図である（図中ステップ１０４．１
０５はこのリードフレームを用いた実装工程を示す）。
まず、第２図（ａ）に示すように、スタンピング法ある
いはエツチング法により、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）
合金からなる帯状材料を加］二し、リードフレーム１を
形成する（ステップ１ｏ１）。
いはエツチング法により、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）
合金からなる帯状材料を加］二し、リードフレーム１を
形成する（ステップ１ｏ１）。
次いで、第２図（ｂ）に示すように、コイニング処理を
行い、インナ−リード４先端部の平担幅を確保したのち
、先端部にめっきＭを行う（ステップ１０２）。
行い、インナ−リード４先端部の平担幅を確保したのち
、先端部にめっきＭを行う（ステップ１０２）。
さらに、第２図（Ｃ）に示すように、このリードフレー
ムをテフロン製のラックに載置し、全体を、ヘキサンと
イソプロピルアルコールにシランカップリング剤を数％
溶かしたプライマー溶液に、数秒間浸漬したのち、常温
で４〜５時間放置して乾燥し、表面に膜厚式オーダーの
被膜１０を形成する。このとき、アウターリード先端部
の半田付は領域はシランカップリング剤に浸漬されない
ようにするか、またはマスクで被覆した状態で浸漬する
ようにする。図中斜線で示した領域「１は表面側のプラ
イマー処理領域を示し、裏面側はパッケージエリア全域
においてプライマー処理を行う（ステップ１０３）。
ムをテフロン製のラックに載置し、全体を、ヘキサンと
イソプロピルアルコールにシランカップリング剤を数％
溶かしたプライマー溶液に、数秒間浸漬したのち、常温
で４〜５時間放置して乾燥し、表面に膜厚式オーダーの
被膜１０を形成する。このとき、アウターリード先端部
の半田付は領域はシランカップリング剤に浸漬されない
ようにするか、またはマスクで被覆した状態で浸漬する
ようにする。図中斜線で示した領域「１は表面側のプラ
イマー処理領域を示し、裏面側はパッケージエリア全域
においてプライマー処理を行う（ステップ１０３）。
このようにしてプライマー処理が施され、封止樹脂との
密着性が高く、信頼性の高いリードフレームが完成する
。
密着性が高く、信頼性の高いリードフレームが完成する
。
次に、このリードフレームを用いた半導体装置の実装工
程について説明する。
程について説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、プライマー処理が施
され被膜１０の形成されたリードフレームのダイパッド
２上に半導体素子チップ３を固着し、各インナ−リード
４先端部のボンディングエリアと半導体素子チップ３の
ポンディングパッドとをワイヤボンディング法によりワ
イヤ５を介して結線する（第３図（ｂ））（ステップ１
０４）。
され被膜１０の形成されたリードフレームのダイパッド
２上に半導体素子チップ３を固着し、各インナ−リード
４先端部のボンディングエリアと半導体素子チップ３の
ポンディングパッドとをワイヤボンディング法によりワ
イヤ５を介して結線する（第３図（ｂ））（ステップ１
０４）。
そして、第３図（Ｃ）に示すように、樹脂封止を行い、
アウターリード先端部を残して該リードフレーム構体を
封止する。
アウターリード先端部を残して該リードフレーム構体を
封止する。
最後に、タイバー７を切除し、アウターリード８の先端
を分離すると共に、所望の方向に折り曲げ成型し、第３
図 （ｄ）に示すように、半導体装置が完成する。
を分離すると共に、所望の方向に折り曲げ成型し、第３
図 （ｄ）に示すように、半導体装置が完成する。
このようにして形成された半導体装置では、封止領域の
リードフレーム構体全体がシランカップリング剤の被膜
で覆われた状態で、樹脂封止がなされるため、このシラ
ンカップリング剤と封止樹脂およびリードフレーム表面
とが反応し、界面に中間物質が生成された状態で封止が
なされているため、極めて密着性が良好であり耐湿性が
大幅に向上する。
リードフレーム構体全体がシランカップリング剤の被膜
で覆われた状態で、樹脂封止がなされるため、このシラ
ンカップリング剤と封止樹脂およびリードフレーム表面
とが反応し、界面に中間物質が生成された状態で封止が
なされているため、極めて密着性が良好であり耐湿性が
大幅に向上する。
なお、前記実施例ではリードフレーム素材として、鉄−
ニッケル合金を用いたが、その池の材料を用いても良い
ことはいうまでもない。例えばリードフレーム素材とし
て、銅を用いた場合、このカップリング剤の被膜が酸化
防止作用をもつため、従来は銅の場合不可欠であったニ
ッケルメッキの必要もなく、従ってハンダデイツプ工程
に先立ち剥離する必要もない。
ニッケル合金を用いたが、その池の材料を用いても良い
ことはいうまでもない。例えばリードフレーム素材とし
て、銅を用いた場合、このカップリング剤の被膜が酸化
防止作用をもつため、従来は銅の場合不可欠であったニ
ッケルメッキの必要もなく、従ってハンダデイツプ工程
に先立ち剥離する必要もない。
以上説明してきたように、本発明の方法によれば、リー
ドフレームをカップリング剤に浸漬するようにしている
ため、封ＩＥ樹脂とリードフレームとの密着性が向上し
、耐湿性が良好で信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
ドフレームをカップリング剤に浸漬するようにしている
ため、封ＩＥ樹脂とリードフレームとの密着性が向上し
、耐湿性が良好で信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
特に、近年パッケージの薄型化が急速に進められており
、使用目的も多様化し、今までにない特性が要求されて
いるが、本発明の方法により、封止樹脂とリードフレー
ムの密着性が向上することにより、パッケージ自体の強
度が飛躍的に上昇するという効果が奏功される。
、使用目的も多様化し、今までにない特性が要求されて
いるが、本発明の方法により、封止樹脂とリードフレー
ムの密着性が向上することにより、パッケージ自体の強
度が飛躍的に上昇するという効果が奏功される。
第１図は本発明実施例のリードフレームの製造工程を示
すフローチャート図、第２図は同リードフレームの製造
工程を示す図、第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）は同リー
ドフレームを用いた半導体装置の実装工程を示す図、第
４図は従来例の半導体装置の実装状態を示す説明図、第
５図は従来例のリードフレームを示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・半導体素子、４・・・インナーリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・樹脂、７・・・タイバー ８
・・・アウターリード、９・・・サポートパー １０・
・・シランカップリング剤被膜。 第１図 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図 （Ｃ） 第３図（Ｇ） 第３図（ｂ） 第３図（Ｃ） 第３図（ｄ）
すフローチャート図、第２図は同リードフレームの製造
工程を示す図、第３図（ａ）乃至第３図（ｄ）は同リー
ドフレームを用いた半導体装置の実装工程を示す図、第
４図は従来例の半導体装置の実装状態を示す説明図、第
５図は従来例のリードフレームを示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・半導体素子、４・・・インナーリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・樹脂、７・・・タイバー ８
・・・アウターリード、９・・・サポートパー １０・
・・シランカップリング剤被膜。 第１図 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図 （Ｃ） 第３図（Ｇ） 第３図（ｂ） 第３図（Ｃ） 第３図（ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所望の形状をなすようにリードフレームを形状加工する
成形工程と、 ボンディングエリアおよびアウターリードを除くパッケ
ージ領域およびパッケージエリア内のリードフレーム裏
面をシランカップリングでプライマー処理する処理工程
とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198873A JPH0834276B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198873A JPH0834276B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362959A true JPH0362959A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0834276B2 JPH0834276B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=16398341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198873A Expired - Fee Related JPH0834276B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834276B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995012895A1 (en) * | 1993-11-04 | 1995-05-11 | Nitto Denko Corporation | Process for producing semiconductor element and pressure-sensitive adhesive sheet for sticking wafer |
| JPH08167686A (ja) * | 1994-07-02 | 1996-06-25 | Anam Ind Co Inc | 電子装置パッケージの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164564A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57152157A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59134861A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | 面処理装置 |
| JPS63207148A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Fujitsu Ltd | マスタスライス型半導体集積回路 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198873A patent/JPH0834276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164564A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS57152157A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59134861A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | 面処理装置 |
| JPS63207148A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Fujitsu Ltd | マスタスライス型半導体集積回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995012895A1 (en) * | 1993-11-04 | 1995-05-11 | Nitto Denko Corporation | Process for producing semiconductor element and pressure-sensitive adhesive sheet for sticking wafer |
| JPH08167686A (ja) * | 1994-07-02 | 1996-06-25 | Anam Ind Co Inc | 電子装置パッケージの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0834276B2 (ja) | 1996-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7368328B2 (en) | Semiconductor device having post-mold nickel/palladium/gold plated leads | |
| US6510976B2 (en) | Method for forming a flip chip semiconductor package | |
| US7413934B2 (en) | Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices | |
| US7788800B2 (en) | Method for fabricating a leadframe | |
| JPH10163401A (ja) | リードフレーム、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 | |
| CN101410964A (zh) | 用于半导体qfn/son器件的铝引线框架 | |
| JP2002299540A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20080012101A1 (en) | Semiconductor Package Having Improved Adhesion and Solderability | |
| US6376901B1 (en) | Palladium-spot leadframes for solder plated semiconductor devices and method of fabrication | |
| US6693020B2 (en) | Method of preparing copper metallization die for wirebonding | |
| US7507605B2 (en) | Low cost lead-free preplated leadframe having improved adhesion and solderability | |
| JPH0362959A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2001024132A (ja) | 半導体デバイス用変形吸収形リードフレーム | |
| JPH05144865A (ja) | 半導体装置の製造方法と製造装置 | |
| JPS634945B2 (ja) | ||
| JPH02229440A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11145369A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JP2000349223A (ja) | 半導体デバイスにおける接着と熱散逸とをバランスさせたリードフレーム | |
| JPH05211261A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02172265A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0151059B2 (ja) | ||
| JPH08213540A (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH09326461A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08204095A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6348436B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080329 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090329 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |