JPH0151059B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0151059B2 JPH0151059B2 JP58093702A JP9370283A JPH0151059B2 JP H0151059 B2 JPH0151059 B2 JP H0151059B2 JP 58093702 A JP58093702 A JP 58093702A JP 9370283 A JP9370283 A JP 9370283A JP H0151059 B2 JPH0151059 B2 JP H0151059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- heat dissipation
- resin
- dissipation base
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/114—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by a substrate and the encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は樹脂封止型の半導体装置に関し、特
に中大電力用素子として好適な半導体装置に関す
るものである。 〔発明の技術的背景〕 樹脂封止型半導体装置に使用されるリードフレ
ームは、電気的伝導度、熱伝導度、耐熱性リード
フレームの加工性、リードの機械的強度等の点か
ら銅または銅合金を素材とする場合が多い。この
ような従来の銅系のリードフレームでは、キズ防
止性、耐蝕性等の点から、通常その表面にニツケ
ルメツキ、ニツケル・リン合金メツキ、銀メツキ
等の表面メツキが施される。 例えばTO−126型の装置では、略板厚が0.5mm
の銅系素材からなる薄板を用い表面メツキとして
例えばニツケルメツキを約２〜4μｍの厚みでそ
の表面全体に施し、マウント部およびボンデイン
グ部には部分的に約１〜2μｍの厚みの銀メツキ
を施す。そして、このような金属板をプレス装置
により所定の形状にプレス加工してリードフレー
ムを得る。この後、リードフレームの放熱台板上
に例えばAu−Si（金−シリコン）共晶により半導
体ペレツトをダイボンデイングし、半導体ペレツ
トの電極部とリードフレームの電極リード部とを
ワイヤボンデイングする。続いて放熱台板の半導
体ペレツトのマウントされない背面側が露出する
ような状態で例えばエポキシ樹脂等の樹脂により
上記半導体ペレツトを封止し、所定の樹脂封止部
を形成した後、リードフレームの不要な枠体或い
は連結部を切り落して製品が完成する。 〔背景技術の問題点〕 ところで、上記のように、銅系素材に２層もの
表面メツキ（上記例ではニツケルおよび銀）が実
施されたものでは、ペレツトのマウント時或いは
ワイヤボンデイング時において高温に加熱される
際に、素材との密着性が充分でない表面メツキ層
が膨らむいわゆる加熱ふくれ現象がしばしば生じ
る。このような加熱ふくれ現象のみられるリード
フレームでは、半導体ペレツトとリードフレーム
間に間隙が生じ、製品の信頼性や特性の劣化がみ
られる。例えば、このような加熱ふくれ現象を呈
したリードフレームにボンデイングワイヤを用い
てワイヤボンデイングを行つた場合、ボンデイン
グ部の接着強度が低下するため、著しい場合には
素子移動中に短絡する事故を起こす。 また、一般に表面メツキは、リードフレームに
加工されて使用される迄の保管状態、保管期間に
よりその表面が酸化し、メツキの表面が不動態化
する経時変化を生じる。このような表面が不動態
化したメツキ層を有するリードフレームに半導体
ペレツトを共晶マウントすると、金−シリコンの
共晶部に小さなボイド（巣或いは泡状空隙部）が
形成されるため、熱抵抗が増大し、ペレツトで発
生した熱が放熱台板に効果的に伝導せず、装置の
特性劣化を招く。 さらに、表面メツキ工程は、製品のコスト上昇
を招き、近年の激しい製品のコスト競争が行なわ
れている中では好ましいものではない。 〔発明の目的〕 この発明は上記のような点に鑑みなされたもの
で、製造コストの低減されかつ製品の信頼性の向
上された半導体装置を提供しようとするものであ
る。 〔発明の概要〕 すなわちこの発明に係る半導体装置では、前述
したような諸問題のある金属メツキをリードフレ
ームに施さずに、リードフレーム用金属板の放熱
台板の一方の表面上に半導体ペレツトを配設し、
リードフレームの電極リード部の所定の部位と上
記半導体ペレツトとをボンデイングワイヤ等で電
気的接続し、上記放熱台板の半導体ペレツトの配
設されない他方の表面上が露出するように樹脂封
止部を形成し、この樹脂封止部から露出する放熱
台板の裏面に樹脂からなるコーテイング膜を被着
したものである。 なお、現在ではボンデイング性やマウント性等
を劣化させることなくペレツトをメツキの施され
ていない金属リードフレームに取着する技術は確
立されているが、樹脂封止部から露出した放熱板
の耐蝕性、耐キズ性等の点からリードフレームに
はメツキを施していた。しかしながら本発明によ
るものでは放熱台板の裏面にコーテイング膜が被
着され、放熱板の耐蝕性、耐キズ性等が改善され
る。 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してこの発明の一実施例につき
説明する。 第１図において、例えば銅系素材からなる溝板
をプレス加工し電極リード１２および素子基台と
兼用の放熱台板１３を有するリードフレーム１１
を形成し、上記放熱台板１３上に半導体ペレツト
１５を金−シリコン共晶によりマウントする。次
に半導体ペレツト１５の電極部とリードフレーム
１１の電極リード１２とをボンデイングワイヤ１
６によつてボンデイングする。 なお、ここで用いたリードフレームは、放熱台
板１３の形状が6.4×8.0mmで電極リード１２間の
間隔が1.65mmのものである。 次いで上記リードフレーム１１をエポキシ樹脂
を用いて樹脂モールドし、第２図に示すように放
熱台板１３の背面が露出した樹脂封止部１７を形
成する。なお、第２図は第１図のリードフレーム
１１を裏返した状態でみたものである。第３図
は、上記第２図の装置のＡ−A′線に沿つた断面
図であり、図の１８で示す貫通孔は、外付けの放
熱板を取り付けるための取り付け孔である。 続いて上記樹脂封止部１７から露出した放熱台
板１３の表面に付着したエポキシ樹脂中に含まれ
ているワツクスのしみ出しやゴミを例えばアセト
ン、トリクレン等で除去し、例えばゴムローラ等
を用いて放熱台板１３の露出面にコーテイング剤
を薄く延ばし、硬化させ、コーテイング膜１９を
形成する。上記コーテイング剤は、耐絶縁性、耐
溶剤性、放熱台板１３との密着性および機械的強
度の充分あるものを選定する必要があり、エポキ
シアクリレートを主成分とした紫外線硬化型イン
ク或いは熱硬化型インクなどが実用的である。本
実施例では紫外線硬化型インクとしてアサヒ化学
研究所製の商品名UVR−8000、熱硬化型インク
としてアサヒ化学研究所製の商品名PR−120を用
いた。また、インクの硬化は、紫外線硬化型イン
クの場合、ランプ出力が出力160W／cmの紫外線
装置を用い放熱台板１３との距離が約10cmとなる
ように紫外線装置を設置し、10〜20秒間紫外線を
照射して硬化させ、熱硬化型インクの場合には、
100〜120℃のオーブン中に20〜30分半導体装置を
設置し硬化させた。 またこれらのインクの塗布厚は、乾燥（硬化）
後のインクの膜厚が５〜15μｍになるようにし
た。これは、インクの膜厚が5μｍより薄い場合
には塗膜にピンホールが発生しやすく耐蝕性が十
分に得られず、加えてすりキズ等により下地の金
属面が容易に露出してしまう危険性があり、逆に
インクの膜厚が15μｍよりも厚い場合には放熱台
板１３の熱抵抗が高くなり、例えば放熱台板１３
をアルミニウムのシヤーシに取り付け実装試験を
した場合半導体素子の発熱により素子の破壊に至
る危険性を生じるためである。 〔発明の効果〕 次に本実施例における半導体装置のコーテイン
グ膜１９の強制試験結果を表１に示す。結果の欄
において〇印はコーテイング膜１９のはがれやク
ラツク等の損傷がないことを意味する。 【表】 【表】 この表に示すように上記実施例の装置における
コーテイング膜は十分な機械的強度、耐溶剤性、
放熱台板との密着性、耐熱性を有しているもので
ある。 表２はそれぞれ耐酸化性を調べた試験結果であ
る。試験項目Ａは、半導体装置を80℃、湿度90％
の雰囲気中に設置し、設置時間と放熱台板表面の
酸化の進行度を調べたもので、試験項目Ｂは半導
体装置を150℃の高温槽中に設置した場合の酸化
の進行度を調べたものである。試験は、本実施例
装置、放熱台板にメツキが施された従来装置
、放熱台板に樹脂コーテイングおよび金属メツ
キのいずれも施されていない装置の３種を対象
に行つた。なお表において〇は酸化が初期と変化
のない場合、△は酸化程度が小ないし中程度、×
は酸化が著しくみられた場合をそれぞれ示す。 【表】 この表から明らかなように放熱台板の金属面が
露出したは勿論のこと従来の金属メツキが施さ
れた装置に比べても本実施例の樹脂コーテイン
グの施された装置の方がはるかに耐酸化性が優
れているといえる。 第４図に示すものは、６個の半導体装置につい
て温度35℃の槽に入れ濃度５％の塩水を噴霧する
試験を行つた結果である。Ｃに示すものは樹脂コ
ーテイングおよび金属メツキのいずれも施されて
いない装置、Ｄは樹脂コーテイングの施された本
実施例装置それぞれにおける錆発生がみられた装
置の数を示している。なお、このグラフには示し
ていないが、従来の金属メツキの施された装置で
は試験時間48時間で６個の試料中５個程度に錆が
発生した。ここに示すように、コーテイングの施
されない装置では試験時間Ｔの増加とともに錆の
発生した不良装置の数Ｎが増加するが、樹脂コー
テイングの施された本実施例の装置では、不良装
置の発生がみられず、従来のメツキを施した装置
に比べても放熱台板の保護性、信頼性が大幅に改
善されたことが明らかになつた。 これらの試験結果から明らかなように、樹脂封
止型半導体装置から露出した金属放熱台板に樹脂
コーテイングすることにより、信頼性の高い半導
体装置を得ることができる。さらに、この半導体
装置ではリードフレームへのメツキ工程が不要
で、コーテイング膜の形成工程が非常に簡便であ
るため、大幅な製造コストの低減を図ることがで
きるものである。 尚、上記実施例ではリードフレーム材が銅系金
属からなる場合につき述べたが、これは鉄・アル
ミニウム・コバール（Fe−29、Ni−17Co）合金
や、鉄・ニツケル合金（Fe Ni−42）等の他のリ
ードフレーム材が用いられた半導体装置にも適用
可能であり、装置のパツケージの形状もTO−
126型のものに限らず、樹脂封止パツケージに放
熱台板等の金属面の露出するものであれば他の型
のものにも適用可能である。 以上のようにこの発明によれば、製造コストの
低減でき、信頼性の優れた半導体装置を提供する
ことができる。
に中大電力用素子として好適な半導体装置に関す
るものである。 〔発明の技術的背景〕 樹脂封止型半導体装置に使用されるリードフレ
ームは、電気的伝導度、熱伝導度、耐熱性リード
フレームの加工性、リードの機械的強度等の点か
ら銅または銅合金を素材とする場合が多い。この
ような従来の銅系のリードフレームでは、キズ防
止性、耐蝕性等の点から、通常その表面にニツケ
ルメツキ、ニツケル・リン合金メツキ、銀メツキ
等の表面メツキが施される。 例えばTO−126型の装置では、略板厚が0.5mm
の銅系素材からなる薄板を用い表面メツキとして
例えばニツケルメツキを約２〜4μｍの厚みでそ
の表面全体に施し、マウント部およびボンデイン
グ部には部分的に約１〜2μｍの厚みの銀メツキ
を施す。そして、このような金属板をプレス装置
により所定の形状にプレス加工してリードフレー
ムを得る。この後、リードフレームの放熱台板上
に例えばAu−Si（金−シリコン）共晶により半導
体ペレツトをダイボンデイングし、半導体ペレツ
トの電極部とリードフレームの電極リード部とを
ワイヤボンデイングする。続いて放熱台板の半導
体ペレツトのマウントされない背面側が露出する
ような状態で例えばエポキシ樹脂等の樹脂により
上記半導体ペレツトを封止し、所定の樹脂封止部
を形成した後、リードフレームの不要な枠体或い
は連結部を切り落して製品が完成する。 〔背景技術の問題点〕 ところで、上記のように、銅系素材に２層もの
表面メツキ（上記例ではニツケルおよび銀）が実
施されたものでは、ペレツトのマウント時或いは
ワイヤボンデイング時において高温に加熱される
際に、素材との密着性が充分でない表面メツキ層
が膨らむいわゆる加熱ふくれ現象がしばしば生じ
る。このような加熱ふくれ現象のみられるリード
フレームでは、半導体ペレツトとリードフレーム
間に間隙が生じ、製品の信頼性や特性の劣化がみ
られる。例えば、このような加熱ふくれ現象を呈
したリードフレームにボンデイングワイヤを用い
てワイヤボンデイングを行つた場合、ボンデイン
グ部の接着強度が低下するため、著しい場合には
素子移動中に短絡する事故を起こす。 また、一般に表面メツキは、リードフレームに
加工されて使用される迄の保管状態、保管期間に
よりその表面が酸化し、メツキの表面が不動態化
する経時変化を生じる。このような表面が不動態
化したメツキ層を有するリードフレームに半導体
ペレツトを共晶マウントすると、金−シリコンの
共晶部に小さなボイド（巣或いは泡状空隙部）が
形成されるため、熱抵抗が増大し、ペレツトで発
生した熱が放熱台板に効果的に伝導せず、装置の
特性劣化を招く。 さらに、表面メツキ工程は、製品のコスト上昇
を招き、近年の激しい製品のコスト競争が行なわ
れている中では好ましいものではない。 〔発明の目的〕 この発明は上記のような点に鑑みなされたもの
で、製造コストの低減されかつ製品の信頼性の向
上された半導体装置を提供しようとするものであ
る。 〔発明の概要〕 すなわちこの発明に係る半導体装置では、前述
したような諸問題のある金属メツキをリードフレ
ームに施さずに、リードフレーム用金属板の放熱
台板の一方の表面上に半導体ペレツトを配設し、
リードフレームの電極リード部の所定の部位と上
記半導体ペレツトとをボンデイングワイヤ等で電
気的接続し、上記放熱台板の半導体ペレツトの配
設されない他方の表面上が露出するように樹脂封
止部を形成し、この樹脂封止部から露出する放熱
台板の裏面に樹脂からなるコーテイング膜を被着
したものである。 なお、現在ではボンデイング性やマウント性等
を劣化させることなくペレツトをメツキの施され
ていない金属リードフレームに取着する技術は確
立されているが、樹脂封止部から露出した放熱板
の耐蝕性、耐キズ性等の点からリードフレームに
はメツキを施していた。しかしながら本発明によ
るものでは放熱台板の裏面にコーテイング膜が被
着され、放熱板の耐蝕性、耐キズ性等が改善され
る。 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してこの発明の一実施例につき
説明する。 第１図において、例えば銅系素材からなる溝板
をプレス加工し電極リード１２および素子基台と
兼用の放熱台板１３を有するリードフレーム１１
を形成し、上記放熱台板１３上に半導体ペレツト
１５を金−シリコン共晶によりマウントする。次
に半導体ペレツト１５の電極部とリードフレーム
１１の電極リード１２とをボンデイングワイヤ１
６によつてボンデイングする。 なお、ここで用いたリードフレームは、放熱台
板１３の形状が6.4×8.0mmで電極リード１２間の
間隔が1.65mmのものである。 次いで上記リードフレーム１１をエポキシ樹脂
を用いて樹脂モールドし、第２図に示すように放
熱台板１３の背面が露出した樹脂封止部１７を形
成する。なお、第２図は第１図のリードフレーム
１１を裏返した状態でみたものである。第３図
は、上記第２図の装置のＡ−A′線に沿つた断面
図であり、図の１８で示す貫通孔は、外付けの放
熱板を取り付けるための取り付け孔である。 続いて上記樹脂封止部１７から露出した放熱台
板１３の表面に付着したエポキシ樹脂中に含まれ
ているワツクスのしみ出しやゴミを例えばアセト
ン、トリクレン等で除去し、例えばゴムローラ等
を用いて放熱台板１３の露出面にコーテイング剤
を薄く延ばし、硬化させ、コーテイング膜１９を
形成する。上記コーテイング剤は、耐絶縁性、耐
溶剤性、放熱台板１３との密着性および機械的強
度の充分あるものを選定する必要があり、エポキ
シアクリレートを主成分とした紫外線硬化型イン
ク或いは熱硬化型インクなどが実用的である。本
実施例では紫外線硬化型インクとしてアサヒ化学
研究所製の商品名UVR−8000、熱硬化型インク
としてアサヒ化学研究所製の商品名PR−120を用
いた。また、インクの硬化は、紫外線硬化型イン
クの場合、ランプ出力が出力160W／cmの紫外線
装置を用い放熱台板１３との距離が約10cmとなる
ように紫外線装置を設置し、10〜20秒間紫外線を
照射して硬化させ、熱硬化型インクの場合には、
100〜120℃のオーブン中に20〜30分半導体装置を
設置し硬化させた。 またこれらのインクの塗布厚は、乾燥（硬化）
後のインクの膜厚が５〜15μｍになるようにし
た。これは、インクの膜厚が5μｍより薄い場合
には塗膜にピンホールが発生しやすく耐蝕性が十
分に得られず、加えてすりキズ等により下地の金
属面が容易に露出してしまう危険性があり、逆に
インクの膜厚が15μｍよりも厚い場合には放熱台
板１３の熱抵抗が高くなり、例えば放熱台板１３
をアルミニウムのシヤーシに取り付け実装試験を
した場合半導体素子の発熱により素子の破壊に至
る危険性を生じるためである。 〔発明の効果〕 次に本実施例における半導体装置のコーテイン
グ膜１９の強制試験結果を表１に示す。結果の欄
において〇印はコーテイング膜１９のはがれやク
ラツク等の損傷がないことを意味する。 【表】 【表】 この表に示すように上記実施例の装置における
コーテイング膜は十分な機械的強度、耐溶剤性、
放熱台板との密着性、耐熱性を有しているもので
ある。 表２はそれぞれ耐酸化性を調べた試験結果であ
る。試験項目Ａは、半導体装置を80℃、湿度90％
の雰囲気中に設置し、設置時間と放熱台板表面の
酸化の進行度を調べたもので、試験項目Ｂは半導
体装置を150℃の高温槽中に設置した場合の酸化
の進行度を調べたものである。試験は、本実施例
装置、放熱台板にメツキが施された従来装置
、放熱台板に樹脂コーテイングおよび金属メツ
キのいずれも施されていない装置の３種を対象
に行つた。なお表において〇は酸化が初期と変化
のない場合、△は酸化程度が小ないし中程度、×
は酸化が著しくみられた場合をそれぞれ示す。 【表】 この表から明らかなように放熱台板の金属面が
露出したは勿論のこと従来の金属メツキが施さ
れた装置に比べても本実施例の樹脂コーテイン
グの施された装置の方がはるかに耐酸化性が優
れているといえる。 第４図に示すものは、６個の半導体装置につい
て温度35℃の槽に入れ濃度５％の塩水を噴霧する
試験を行つた結果である。Ｃに示すものは樹脂コ
ーテイングおよび金属メツキのいずれも施されて
いない装置、Ｄは樹脂コーテイングの施された本
実施例装置それぞれにおける錆発生がみられた装
置の数を示している。なお、このグラフには示し
ていないが、従来の金属メツキの施された装置で
は試験時間48時間で６個の試料中５個程度に錆が
発生した。ここに示すように、コーテイングの施
されない装置では試験時間Ｔの増加とともに錆の
発生した不良装置の数Ｎが増加するが、樹脂コー
テイングの施された本実施例の装置では、不良装
置の発生がみられず、従来のメツキを施した装置
に比べても放熱台板の保護性、信頼性が大幅に改
善されたことが明らかになつた。 これらの試験結果から明らかなように、樹脂封
止型半導体装置から露出した金属放熱台板に樹脂
コーテイングすることにより、信頼性の高い半導
体装置を得ることができる。さらに、この半導体
装置ではリードフレームへのメツキ工程が不要
で、コーテイング膜の形成工程が非常に簡便であ
るため、大幅な製造コストの低減を図ることがで
きるものである。 尚、上記実施例ではリードフレーム材が銅系金
属からなる場合につき述べたが、これは鉄・アル
ミニウム・コバール（Fe−29、Ni−17Co）合金
や、鉄・ニツケル合金（Fe Ni−42）等の他のリ
ードフレーム材が用いられた半導体装置にも適用
可能であり、装置のパツケージの形状もTO−
126型のものに限らず、樹脂封止パツケージに放
熱台板等の金属面の露出するものであれば他の型
のものにも適用可能である。 以上のようにこの発明によれば、製造コストの
低減でき、信頼性の優れた半導体装置を提供する
ことができる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例に係
る半導体装置の構造を製造過程順に示す斜視図、
第３図は第２図に示す装置の断面図、第４図はこ
の発明の一実施例に係る半導体装置の塩水噴霧試
験の結果を示すグラフである。 １１……リードフレーム、１２……電極リー
ド、１３……放熱台板、１５……半導体ペレツ
ト、１６……ボンデイングワイヤ、１７……樹脂
封止部、１９……コーテイング膜。
る半導体装置の構造を製造過程順に示す斜視図、
第３図は第２図に示す装置の断面図、第４図はこ
の発明の一実施例に係る半導体装置の塩水噴霧試
験の結果を示すグラフである。 １１……リードフレーム、１２……電極リー
ド、１３……放熱台板、１５……半導体ペレツ
ト、１６……ボンデイングワイヤ、１７……樹脂
封止部、１９……コーテイング膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ペレツトと、一方の表面にこの半導体
ペレツトがマウントされた放熱台板と、上記半導
体ペレツトの所定の部位と電気的に接続された電
極リードと、上記放熱台板の他方の表面が露出す
るように上記半導体ペレツトを樹脂封止する樹脂
封止部と、上記放熱台板の他方の表面に被着され
た５〜15μｍの膜厚の樹脂製コーテイング膜とを
具備することを特徴とする半導体装置。 ２ 上記コーテイング膜の素材が紫外線硬化性樹
脂膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。 ３ 上記コーテイング膜の素材が熱硬化性樹脂膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093702A JPS59218759A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093702A JPS59218759A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218759A JPS59218759A (ja) | 1984-12-10 |
| JPH0151059B2 true JPH0151059B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14089731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58093702A Granted JPS59218759A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218759A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886400A (en) * | 1995-08-31 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insulating layer and method for making |
| JP3740117B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631874Y2 (ja) * | 1976-02-27 | 1981-07-29 | ||
| JPS5753947A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Transistor and electronic device containing it |
-
1983
- 1983-05-27 JP JP58093702A patent/JPS59218759A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59218759A (ja) | 1984-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5122858A (en) | Lead frame having polymer coated surface portions | |
| US6194777B1 (en) | Leadframes with selective palladium plating | |
| US5073521A (en) | Method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed | |
| US5945733A (en) | Structure for attaching a semiconductor wafer section to a support | |
| EP1480270B1 (en) | Packaging component and semiconductor package | |
| US6519845B1 (en) | Wire bonding to dual metal covered pad surfaces | |
| JP2001110971A (ja) | 半導体パッケージ用リードフレーム及びその製造方法 | |
| US20020136872A1 (en) | Lead frame laminate and method for manufacturing semiconductor parts | |
| JPS6050343B2 (ja) | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6243343B2 (ja) | ||
| JPS59161850A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPH0151059B2 (ja) | ||
| JPH03149865A (ja) | リードフレーム | |
| JP2017500750A (ja) | リードフレーム表面を処理するための方法および処理されたリードフレーム表面を有するデバイス | |
| JP4591362B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JPS60195955A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3186408B2 (ja) | 多層リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP3049478B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPS634945B2 (ja) | ||
| JPH0362959A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH0722559A (ja) | リードフレーム | |
| JPH01115151A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS60223147A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS62219628A (ja) | 電子装置およびその製造装置 | |
| JPS58123744A (ja) | リ−ドフレ−ム及び半導体装置の製造方法 |