JPH0364056A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0364056A JPH0364056A JP1200516A JP20051689A JPH0364056A JP H0364056 A JPH0364056 A JP H0364056A JP 1200516 A JP1200516 A JP 1200516A JP 20051689 A JP20051689 A JP 20051689A JP H0364056 A JPH0364056 A JP H0364056A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- semiconductor device
- die
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は中空パ・1ケージ等の半導体装置の構造に関
するものである。
するものである。
第4図は従来の中空パ・ソケージの半導体装置の圧力セ
ンサーの場合のパ・ソケージ構造を示す断面側面図、第
5図は第4図のパッケージを製造するフローチャートを
示す。
ンサーの場合のパ・ソケージ構造を示す断面側面図、第
5図は第4図のパッケージを製造するフローチャートを
示す。
図において、(1)はリードフレーム、(2)は半導体
素子とリードフレームを接続するシリコン樹脂等のダイ
ボンド材、(4)は金線等のワイヤボンディング材、(
5)はベース、(6)はキヤ・ソプ、(7)はパ・ソケ
ージを作成する際にベース(5)とキヤ・ソプ(6)を
接着スるエポキシ樹脂等の接着剤である。
素子とリードフレームを接続するシリコン樹脂等のダイ
ボンド材、(4)は金線等のワイヤボンディング材、(
5)はベース、(6)はキヤ・ソプ、(7)はパ・ソケ
ージを作成する際にベース(5)とキヤ・ソプ(6)を
接着スるエポキシ樹脂等の接着剤である。
次に動作について説明する。
従来の圧力センサーICは第6図(ml−(6)の工程
図に示す様に、リードフレーム(1)に半導体素子(3
)をシリコンゴム等のダイボンド材Oを用いてダイボン
ドしく(a)図)、金線(4)等によってワイヤボンド
した後((b)図)、ベースク5)とキヤ・ソプ(6)
をエポキシ樹脂等の接着剤(7)を用いて接着固定させ
て完゛成する((6)図)。
図に示す様に、リードフレーム(1)に半導体素子(3
)をシリコンゴム等のダイボンド材Oを用いてダイボン
ドしく(a)図)、金線(4)等によってワイヤボンド
した後((b)図)、ベースク5)とキヤ・ソプ(6)
をエポキシ樹脂等の接着剤(7)を用いて接着固定させ
て完゛成する((6)図)。
また、第7図(a)はエッチング法等によって作られた
従来のリードフレームの平面図、第7図ω)は第7図(
&)の側面図である。図中、(1a)はリードフレーム
(1)のうち、半導体素子(3)との接続を行う金線(
4)が接続する部分で、インナーリード(1b)はリー
ドフレーム(1)のうち、半導体素子(3)をダイボン
ドするダイパ゛ソトである。
従来のリードフレームの平面図、第7図ω)は第7図(
&)の側面図である。図中、(1a)はリードフレーム
(1)のうち、半導体素子(3)との接続を行う金線(
4)が接続する部分で、インナーリード(1b)はリー
ドフレーム(1)のうち、半導体素子(3)をダイボン
ドするダイパ゛ソトである。
従来のリードフレームはインナーリード及びダィパ゛ソ
トの高さが同じで平担のため、第8図に示す様にダイボ
ンド材(2)又はキャップ(6)とベース(5)の接着
剤(7)がワイヤボンドエリアに流れ出し、ステ・ソチ
部のボンディング性を悪くするという問題点があった。
トの高さが同じで平担のため、第8図に示す様にダイボ
ンド材(2)又はキャップ(6)とベース(5)の接着
剤(7)がワイヤボンドエリアに流れ出し、ステ・ソチ
部のボンディング性を悪くするという問題点があった。
第7図(a)はダイボンド材のしみ出した場合を示す。
第7図(blは接着剤のしみ出した場合を示す。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ワイヤボンドエリアの汚染防止を図った半導
体装置を得ることを目的とする。
たもので、ワイヤボンドエリアの汚染防止を図った半導
体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、リードフレームを工・ソ
チング法によってエツチング凹部を設けたものである。
チング法によってエツチング凹部を設けたものである。
〔作用〕
この発明におけるリードフレームのワイヤボンドエリア
以外に設けたリードフレームの工・ソチング凹部により
、ワイヤボンドエリアの汚染が防止され、確実にワイヤ
ボンドがなされ、信頼性の向上が計られる。
以外に設けたリードフレームの工・ソチング凹部により
、ワイヤボンドエリアの汚染が防止され、確実にワイヤ
ボンドがなされ、信頼性の向上が計られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図(a)はこの発明の一実施例であるリードフレー
ムの平面図、第1図(b)は第1図(&)の部分拡大断
面図である。なお1図中符号(1)から(7)までは前
記従来のものと同一につき説明を省略する。図において
、(8)はリードフレーム(1)のインナーリード部(
]0及びダイパッド部(Ib)の1部を工・ソチングし
てできた凹部である。
ムの平面図、第1図(b)は第1図(&)の部分拡大断
面図である。なお1図中符号(1)から(7)までは前
記従来のものと同一につき説明を省略する。図において
、(8)はリードフレーム(1)のインナーリード部(
]0及びダイパッド部(Ib)の1部を工・ソチングし
てできた凹部である。
第3図はこの発明の半導体装置の全体構成図である。
第2図はこの発明の一実施例によるリードフレームを用
いた半導体装置の部分断面図である。
いた半導体装置の部分断面図である。
次に動作について説明する。
第2図に示す様に、リードフレーム(1)のダイパ・ソ
ト(lb)の一部が凹部(8〉になっている為、ダイボ
ンド材(2)の流れ込みが無く又、インナーリード(1
)の一部に凹部(8)を設ける事により外部の接着剤(
7)が流れ込まない。従って、確実なワイヤボンディン
グができる。
ト(lb)の一部が凹部(8〉になっている為、ダイボ
ンド材(2)の流れ込みが無く又、インナーリード(1
)の一部に凹部(8)を設ける事により外部の接着剤(
7)が流れ込まない。従って、確実なワイヤボンディン
グができる。
なお、上記実施例では半導体装置のリードフレーム構造
を示したが、金型成形による凹部を設けてもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
を示したが、金型成形による凹部を設けてもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、リードフレームの一部
をダイボンド材又は接着剤面より低くした凹部を設けた
ので、ダイボンド材または接着剤の流れ出しによるワイ
ヤボンド不良が無くなり、信頼性の高い半導体装置が得
られる効果がある。
をダイボンド材又は接着剤面より低くした凹部を設けた
ので、ダイボンド材または接着剤の流れ出しによるワイ
ヤボンド不良が無くなり、信頼性の高い半導体装置が得
られる効果がある。
第1図(alはこの発明の一実施例を示す半導体装置の
リードフレームの平面図、第1図(11)は第1図(m
lの部分拡大断面図、第2図はこの発明の一実施例であ
る半導体素子実装の状態を示す断面図、第3図はこの発
明の一実施例である半導体装置のパッケージ構造を示す
断面図、第4図は従来の中空パッケージ構造の断面側面
図、第5図は第4図の中空パッケージ(圧力センサー)
の製造工程のフローチャート、第6図(a)〜(1)は
第4図の中空パ・ソケージの製造工程を示す断面図、第
7図(a) (b)は従来のリードフレームの平面図お
よび部分拡大断面図、第8図は従来のリードフレームの
問題点を示した説明図である。 図ニオイて、(1)はリードフレーム、(1m)1.t
インナリード、(1b)はダイパッド部、(2)はダ
イボンド材、(3)は半導体素子、(4)は金線、(5
)はベース、(6)はキャップ、(7〉は接着剤、(8
)は工・ソチング凹部ヲ示ス。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
リードフレームの平面図、第1図(11)は第1図(m
lの部分拡大断面図、第2図はこの発明の一実施例であ
る半導体素子実装の状態を示す断面図、第3図はこの発
明の一実施例である半導体装置のパッケージ構造を示す
断面図、第4図は従来の中空パッケージ構造の断面側面
図、第5図は第4図の中空パッケージ(圧力センサー)
の製造工程のフローチャート、第6図(a)〜(1)は
第4図の中空パ・ソケージの製造工程を示す断面図、第
7図(a) (b)は従来のリードフレームの平面図お
よび部分拡大断面図、第8図は従来のリードフレームの
問題点を示した説明図である。 図ニオイて、(1)はリードフレーム、(1m)1.t
インナリード、(1b)はダイパッド部、(2)はダ
イボンド材、(3)は半導体素子、(4)は金線、(5
)はベース、(6)はキャップ、(7〉は接着剤、(8
)は工・ソチング凹部ヲ示ス。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- リードフレームのボンディングパット部、インナーリー
ド部の一部をエッチング法によるハーフエッチングを施
こすか又は金型成形による凹状部を設けた事を特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200516A JPH0364056A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200516A JPH0364056A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364056A true JPH0364056A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16425614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200516A Pending JPH0364056A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256504B2 (en) | 2004-04-06 | 2007-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit support for a semiconductor chip and component |
-
1989
- 1989-08-01 JP JP1200516A patent/JPH0364056A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256504B2 (en) | 2004-04-06 | 2007-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit support for a semiconductor chip and component |
| DE102004016940B4 (de) | 2004-04-06 | 2019-08-08 | Continental Automotive Gmbh | Schaltungsträger für einen Halbleiterchip und ein Bauelement mit einem Halbleiterchip |
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