JPH0364953A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0364953A JPH0364953A JP1201596A JP20159689A JPH0364953A JP H0364953 A JPH0364953 A JP H0364953A JP 1201596 A JP1201596 A JP 1201596A JP 20159689 A JP20159689 A JP 20159689A JP H0364953 A JPH0364953 A JP H0364953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- melting point
- semiconductor device
- low melting
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、耐湿性の向上をはかった樹脂封止型半導体装
置の製造方法に関するものである。
置の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来より、半導体装置では、量産性、コストパフォーマ
ンスの点から、樹脂材料を用いた封止方法が採用されて
いる。
ンスの点から、樹脂材料を用いた封止方法が採用されて
いる。
以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。
第２図は、従来の樹脂封止型半導体装置の要部断面図で
あり、半導体チップ１をリードフレームの基板支持ｕ２
に銀ペーストあるいは金との共晶により接着し、さらに
、この半導体チップ１の電極をワイヤーリード３により
、リードフレームのインナーリード部４に接続した構成
体を封止樹脂５で封止することにより形成されている。
あり、半導体チップ１をリードフレームの基板支持ｕ２
に銀ペーストあるいは金との共晶により接着し、さらに
、この半導体チップ１の電極をワイヤーリード３により
、リードフレームのインナーリード部４に接続した構成
体を封止樹脂５で封止することにより形成されている。
なお、リードフレームのアウターリード部６はリードフ
レームのインナーリード部４に対してほぼ直角となるよ
うに曲げられている。
レームのインナーリード部４に対してほぼ直角となるよ
うに曲げられている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構造では、リードフレームの
アウターリード部６が、インナーリード部４に対して、
はぼ直角に曲げられるため封止樹脂５に機械的な曲げ応
力が加わり、ストレスが発生する。そして、封止樹脂５
のアウターリード部６の導出部に間隙およびクラック７
の発生が顕著になり、半導体装置の耐湿性が著しく低下
する不都合が生じる。
アウターリード部６が、インナーリード部４に対して、
はぼ直角に曲げられるため封止樹脂５に機械的な曲げ応
力が加わり、ストレスが発生する。そして、封止樹脂５
のアウターリード部６の導出部に間隙およびクラック７
の発生が顕著になり、半導体装置の耐湿性が著しく低下
する不都合が生じる。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の製造方法では、４−
２７０イなどのリードフレームのインナーリード部の一
部にはんだやなまりなどの低融点金属のめっきが施され
た樹脂封止型半導体装置のアウターリード部の曲げ加工
時あるいは、曲げ加工後に低融点金属の融点以上に加熱
する処理を施している。
２７０イなどのリードフレームのインナーリード部の一
部にはんだやなまりなどの低融点金属のめっきが施され
た樹脂封止型半導体装置のアウターリード部の曲げ加工
時あるいは、曲げ加工後に低融点金属の融点以上に加熱
する処理を施している。
作用
この製造方法によれば、リードフレームのアウターリー
ド部の曲げ加工時あるいは、曲げ加工後に施す熱処理で
溶融した低融点金属が封止樹脂に発生したクラックある
い（ま間隙に毛細管現象により流れ込み、外部から進入
してくる水分の経路が遮断される。
ド部の曲げ加工時あるいは、曲げ加工後に施す熱処理で
溶融した低融点金属が封止樹脂に発生したクラックある
い（ま間隙に毛細管現象により流れ込み、外部から進入
してくる水分の経路が遮断される。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の製造方法で形成された樹脂封止型半
導体装置の要点断面図を示すものであり、図中１は半導
体チップ、２は４−２７０イなどの素材から形成したリ
ードフレームの基板支持部、３はワイヤーリード、４は
リードフレームのインナーリード部、５は封止樹脂、６
はリードフレームのアウターリード部である。ところで
、これらの構成要素は従来例の構成と同じである。とこ
ろで、本発明の製造方法で形成される樹脂封止型半導体
装置では、リードフレームのインナーリード部４に、低
融点金属８（なまりやはんだなど〉のめっきが施されて
おり、リードフレームのアウターリード部６の曲げ加工
時あるいは、曲げ加工後に、低融点金属の融点（はんだ
を用いる場合は、２６０℃程度）以上の加熱処理を施す
。この処理によって低融点金属が溶融し、アウターリー
ド部の曲げ加工によって発生するクラックあるいは間隙
に毛細管現象で流れ込み、これらの部分が低融点金属に
よって埋められるところとなる。
導体装置の要点断面図を示すものであり、図中１は半導
体チップ、２は４−２７０イなどの素材から形成したリ
ードフレームの基板支持部、３はワイヤーリード、４は
リードフレームのインナーリード部、５は封止樹脂、６
はリードフレームのアウターリード部である。ところで
、これらの構成要素は従来例の構成と同じである。とこ
ろで、本発明の製造方法で形成される樹脂封止型半導体
装置では、リードフレームのインナーリード部４に、低
融点金属８（なまりやはんだなど〉のめっきが施されて
おり、リードフレームのアウターリード部６の曲げ加工
時あるいは、曲げ加工後に、低融点金属の融点（はんだ
を用いる場合は、２６０℃程度）以上の加熱処理を施す
。この処理によって低融点金属が溶融し、アウターリー
ド部の曲げ加工によって発生するクラックあるいは間隙
に毛細管現象で流れ込み、これらの部分が低融点金属に
よって埋められるところとなる。
発明の効果
本発明の製造方法によればアウターリード部６をインナ
ーリード部４に対して、はぼ直角に曲げる加工によって
封止樹脂５に与えられる機械的なストレスが原因となり
、アウターリード部６の導出部の封止樹脂５にクラック
および間隙７が発生しても、これらにより誘導される耐
湿性の低下を抑えることができる。
ーリード部４に対して、はぼ直角に曲げる加工によって
封止樹脂５に与えられる機械的なストレスが原因となり
、アウターリード部６の導出部の封止樹脂５にクラック
および間隙７が発生しても、これらにより誘導される耐
湿性の低下を抑えることができる。
したがって、樹脂封止型半導体装置の信頼性を著しく高
める効果が奏される。
める効果が奏される。
第１図は本発明の製造方法で形成した樹脂封止型半導体
装置の要部断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装
置の要部断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・リードフ
レームの基板支持部、３・・・・・・ワイヤーリード、
４・・・・・・リードフレームのインナーリード部、５
・・・・・・封止樹脂、６・・・・・・リードフレーム
のアウターリード部、７・・・・・・クラックおよび間
隙、８・・・・・・低融点金属。
装置の要部断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装
置の要部断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・リードフ
レームの基板支持部、３・・・・・・ワイヤーリード、
４・・・・・・リードフレームのインナーリード部、５
・・・・・・封止樹脂、６・・・・・・リードフレーム
のアウターリード部、７・・・・・・クラックおよび間
隙、８・・・・・・低融点金属。
Claims (1)
- 半導体チップに用いられる材料の融点よりも低い、低融
点金属がリードフレームのインナー・リードの一部にめ
っきされた樹脂封止型半導体装置のアウターリードの曲
げ加工時もしくは曲げ加工後に前記低融点金属の融点以
上の加熱処理を施すことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201596A JPH0364953A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201596A JPH0364953A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364953A true JPH0364953A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16443678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201596A Pending JPH0364953A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364953A (ja) |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP1201596A patent/JPH0364953A/ja active Pending
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