JPH036495B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH036495B2 JPH036495B2 JP61085220A JP8522086A JPH036495B2 JP H036495 B2 JPH036495 B2 JP H036495B2 JP 61085220 A JP61085220 A JP 61085220A JP 8522086 A JP8522086 A JP 8522086A JP H036495 B2 JPH036495 B2 JP H036495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- solubilizer
- formula
- weight
- castable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 48
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- -1 poly(vinylphenol) Polymers 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- MYEPYYIILKNOGS-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-ethoxycarbonyl-3-oxo-4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-4h-naphthalen-1-olate Chemical group C1CCCC2C([O-])=C([N+]#N)C(=O)C(C(=O)OCC)C21 MYEPYYIILKNOGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- GHCHCJJMJCKBPD-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-6-ethoxycarbonyl-5,5-dimethyl-3-oxocyclohexen-1-olate Chemical group CCOC(=O)C1C([O-])=C([N+]#N)C(=O)CC1(C)C GHCHCJJMJCKBPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SURCGQGDUADKBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylamino)-5-nitrobenzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(C(N(NCCO)C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 SURCGQGDUADKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 claims 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- APDHCQLDDVMXRK-NKWVEPMBSA-N (4as,8ar)-2-diazonio-3-oxo-4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-4h-naphthalen-1-olate Chemical compound C1CCC[C@H]2C([O-])=C([N+]#N)C(=O)C[C@@H]21 APDHCQLDDVMXRK-NKWVEPMBSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 3
- QHMIKDWRCOBYRY-UHFFFAOYSA-N 4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-4h-naphthalene-1,3-dione Chemical compound C1CCCC2C(=O)CC(=O)CC21 QHMIKDWRCOBYRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004904 UV filter Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJMNLPRMBFMFDL-UHFFFAOYSA-N n-diazo-2-methylbenzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(=O)(=O)N=[N+]=[N-] YJMNLPRMBFMFDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KURCYEGRZOENBR-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenecyclohexane-1,3-dione Chemical compound C=C1C(=O)CCCC1=O KURCYEGRZOENBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019502 Orange oil Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- MPDGNQLGWZNXNN-UHFFFAOYSA-N ethyl 2,4-dioxo-4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-1h-naphthalene-1-carboxylate Chemical compound C1CCCC2C(=O)CC(=O)C(C(=O)OCC)C21 MPDGNQLGWZNXNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003818 flash chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010502 orange oil Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- HSVFKFNNMLUVEY-UHFFFAOYSA-N sulfuryl diazide Chemical compound [N-]=[N+]=NS(=O)(=O)N=[N+]=[N-] HSVFKFNNMLUVEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N tosyl azide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)[N-][N+]#N)C=C1 NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/492—Photosoluble emulsions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
- G03F7/0163—Non ionic diazonium compounds, e.g. diazosulphonates; Precursors thereof, e.g. triazenes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/52—Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
［発明の属する技術分野］
本発明は樹脂と感光性可溶化剤とを含有する遠
紫外フオトレジスト組成物、及びこの組成物を使
用しリソグラフイー用レジストの画像を形成する
方法に関する。 ［先行技術及び問題点］ 投射焼付け又は平版印刷の分野での進歩した技
術水準のため、２ミクロンより小さい画像平面図
形と非常に高度なデバイス集積密度を提供できる
ようにすることが強く望まれるものとなつた。こ
れを最も有利に得るためには、約300nmより低い
遠紫外（UV）領域の焼付け画像形成波長を使用
することが非常に望ましいものとなつた。従つて
遠UV領域の画像形成波長によつて使用するのに
適した遠UVレジスト組成物を利用できるのが望
ましい。 1982年７月13日交付されたインターナシヨナ
ル・ビジネス・マシンズ・コーポレーシヨンに譲
渡されたアール・バラムソン（R.Balamson）ら
の合衆国特許第4339522号は最近、メルドラムの
酸ジアゾ又はその同族体で感受性化したフエノー
ル―アルデヒド樹脂を含むこのような遠UVレジ
スト組成物を明らかにした。 他のこのような遠UVレジスト、及び特に改良
された解像特性を提供する遠UVレジストが必要
とされている。0.75ミクロン以下の線の良好な解
像を提供する遠UVレジスト組成物類は、特に有
用であろう。 ［問題点を解決する手段］ 約240―300nmの遠UV範囲で感光し塩基可溶
性であるような陽画の遠UVフオトレジストは、
塩基可溶性重合体と、次式の化合物類からなる群
から選ばれる感光性可溶化剤とを含むレジスト類
によつて提供される。 式中R4は水素又は−Ｃ（Ｏ）R5であり、ここで
R5は１ないし約20個の炭素原子のアルコキシ基
である。 R6、R7、R8及びR9は各々同じもの又は異なる
ものであつて、R4が−Ｃ（Ｏ）R5の時には水素と
１ないし約６個の炭素原子のアルキルである。 R4が水素又は−Ｃ（Ｏ）R5の時には、 ａ） R6又はR7のいずれか一方とR8とR9のいず
れか一方は水素であり、水素でない方のR6又
はR7の他方とR8又はR9の他方は、一緒に１な
いし約６個の炭素原子のアルキレン基を形成す
るか、 ｂ） 又は、R6とR7の組又はR8とR9の組のいず
れか一方が４ないし８個の炭素原子のシクロア
ルキル基であつて、シクロアルキルでない方の
R6とR7、又はR8とR9の他方の組は各々水素で
ある。 上の式で、R5がアルコキシ基の時には、ア
ルコキシ基は１ないし約20個の炭素原子、好まし
くは１ないし約６個の炭素原子をもち、最も好ま
しくはエトキシである。 式の可溶化剤は次の式の化合物類を包含して
いる。 式中R4、R5、R6、R7、R8及びR9は式につい
て定義されたとおりであり、ｎは１―６の数、ｍ
は４―８の数である。 本発明の可溶化剤として好ましいのは、式化
合物類（R5はエトキシ基、R6とR7は各々水素、
及びR8とR9は各々メチル基）；式化合物類（R4
は水素又はカルベトキシ基で、ｎは４に等し
い）；及び式との化合物類（R4は水素又はカ
ルベトキシ基で、ｍは５に等しい）である。 このような可溶化剤の例として、例えば以下の
ものを挙げることができる。 トランス―２―ジアゾデカリン―１，３―ジオ
ン、 エチル３―ジアゾ―２，４―ジオキソデカリン
カルボキシレート、 エチル５―ジアゾ―２，２―ジメチル―４，６
―ジオキソシクロヘキサンカルボキシレート、及
び ２―ジアゾ―５，５―ペンタメチレンシクロヘ
キサン―１，３―ジオン。 本発明に従つて可溶化剤として有用な化合物類
は、既知のものか、又は容易につくることができ
る。例えば、式（R4は水素又は−Ｃ（Ｏ）R5
で、R5はアルコキシ基）のβ―ジアゾ―α，γ
―ジケトン化合物類は、乾燥トリエチルアミンの
ような触媒と、エタノール、ベンゼン又はアセト
ニトリル等のような任意適当な溶媒の存在下、ｐ
―トルエンスルホニルアジド（TSA）やナフチ
レンスルホニルアジド（NSA）のような任意適
当なスルホニルアジドを入手の容易なα，γ―ジ
ケトンと反応させることによつてつくられる。一
般には、約３時間ないし約５時間かけて反応させ
てから、沈澱するスルホンアミドを除くために反
応混合物をろ過し、ろ液を乾固まで蒸発させる。
次にエーテルと希アルカリ水酸化物との間の分配
によつて生成物を部分的に精製する。生成物が固
体ならば再結晶により、また生成物が油ならばシ
リカゲル上のフラツシユ・クロマトグラフイのよ
うなクロマトグラフイにより残留物を精製する。 以下の調製例は本発明に従つて可溶化剤として
使用される式化合物類の調製について例示した
ものである。 調製例 １ トランス―２―ジアゾデカリン―１，３―ジオ
ン 乾燥エタノール３ml中のデカリン―１，３―ジ
オン1.06ｇ（6.28ミリモル）の溶液を氷浴中で冷
却しトリエチルアミン0.89ml（6.4ミリモル）に
続いてｐ―トルエンスルホニルアジド1.28ｇ
（6.50ミリモル）で処理した。混合物を氷浴中で
４時間かきまぜてから、真空中（40℃未満）で濃
縮した。残留物をエーテル45mlに溶解し、エーテ
ルを水30ml中のKOH0.42ｇの溶液で洗い、乾燥
（Na2SO4）し、ろ過してオレンジ色の油1.22ｇに
濃縮した。これを40ミクロンのシリカゲル上のク
ロマトグラフイにかけると、トランス―２―ジア
ゾデカリン―１，３―ジオン0.45ｇを生じた。融
点81―３℃。 調製例 ２ エチル３―ジアゾ―２，４―ジオキソデカリン
カルボキシレート 調製例１に記述した方法で本化合物をつくつた
が、但し出発の試薬としてデカリン―１，３―ジ
オンの代わりにエチル２，４―ジオキソデカリン
カルボキシレートを使用した。反応生成物のクロ
マトグラフイは望んでいる生成物を薄黄色の油と
して生じた。 元素分析 C13H16N2O4 測定値：Ｃ，58.75；Ｈ，5.98；Ｎ，10.40 計算値：Ｃ，59.08；Ｈ，6.10；Ｎ，10.60 調製例 ３ エチル５―ジアゾ―２，２―ジメチル―４，６
―ジオキソシクロヘキサンカルボキシレート 調製例１に記述した方法で本化合物をつくつた
が、但し出発反応体としてデカリン―１，３―ジ
オンの代わりにエチル２，２―ジメチル―４，６
―ジオキソシクロヘキサンカルボキシレートを使
用した。反応生成物のクロマトグラフイは、望ん
でいる生成物を薄黄色の油として生じた。 元素分析 C11H14N2O4 測定値：Ｃ，55.32；Ｈ，5.84；Ｎ，12.12 計算値：Ｃ，55.46；Ｈ，5.92；Ｎ，11.76 調製例 ４ ２―ジアゾ―５，５―ペンタメチレンシクロヘ
キサン―１，３―ジオン エム・レギツツ（M.Regitz）及びデイー・シ
ユタツトラー（D.Stadler）、Ann.Chem.678巻214
頁（1965年）に記述されたとおりに本化合物をつ
くつた。得られた本生成物は88.5―89.5℃の融点
を有していた。 本発明の可溶化剤を塩基に可溶な重合体に加え
て、生ずるフオトレジスト組成物を基材上にフイ
ルムとして流延すると、可溶化剤は遠UV光に露
光されないフイルム部分に比べ、遠UVに露光さ
れた部分では現像液中で重合体フイルムの溶解度
を高める。遠UV光に露光されたフイルム部分
で、本発明の可溶化剤は露光されたパターン部分
で現像液に対する重合体フイルムの溶解度を高め
る。 市販のフエノール―ホルムアルデヒド樹脂、ク
レゾール―ホルムアルデヒド樹脂、ポリ（ビニル
フエノール）、ポリ（メチルメタクリレート―メ
タクリル酸）樹脂等の任意適当な塩基可溶性フオ
トレジスト重合体を、本発明のフオトレジスト組
成物に使用できる。メタクリル酸含有量約20ない
し30％、好ましくは約25重量％、分子量（ゲル浸
透クロマトグラフイ）約20000ないし120000、好
ましくは約80000、及び狭い多分散度をもつポリ
（メチルメタクリレート―メタクリル酸）が特に
好ましい樹脂である。このような樹脂は次の方法
に従つてつくられる樹脂である。適当量のメチル
メタクリレート及びメタクリル酸（２単量体計
17.5モル）の溶液4.9リツトルを80＋２℃で窒素
下にかきまぜながら、１，２―ジメトキシエタン
2100ml中の適当量の２，２―ジアゾビス（２―メ
チルプロピオニトリル）（分子量80000の重合体で
3.5ｇ又は分子量20000の重合体で16.5ｇ）の溶液
を30分間隔で300mlずつ添加する。添加完了後、
反応混合物を更に16時間、80＋２℃でかきまぜて
から乾固まで蒸発させる。残留物をジクロロメタ
ン15で24時間洗い、次に洗浄液を傾斜させて捨
てる。不溶性重合体をメタノール15リツトルに溶
解し、溶液をろ過する。ろ液を乾固まで蒸発させ
ると重合体生成物を生ずる。本発明のフオトレジ
ストは約50ないし85重量％の塩基可溶性重合体と
約15ないし約50重量％の本発明の可溶化剤、好ま
しくは約70％の塩基可溶性重合体と約30％の可溶
化剤を含む。レジストは、普通の溶媒中に重合体
を可溶化剤を溶解し、フイルムを適当な基材上に
流延することによつて容易に形成される。任意適
当なフイルム形成溶媒を使用できるが、一般には
例えばジグライム、メチルイソブチルケトン、２
―エトキシエタノール、２―メトキシエチルアセ
テート、γ―ブチロラクトン等のような約120な
いし210℃の沸点をもつフイルム形成溶媒を使用
できる。レジスト形成組成物は概して約50ないし
約95重量％の溶媒と約５ないし約50重量％の固体
（すなわち塩基可溶性重合体と可溶化剤を合わせ
たもの）を含む。溶媒が約80ないし85重量％を占
め、固体が約15ないし20重量％を占めるのが好ま
しい。使用固体量は、レジスト形成組成物の望ん
でいる粘度に依存しており、厚さ約１ミクロンの
レジストの流延を可能とするような量である。 本発明の特に好ましいレジスト組成物は、約86
重量％の２―メトキシエチルアセテート溶媒と約
14重量％の固体を含み、この固体は(a)約80000の
分子量のポリ（メチルメタクリレート―メタクリ
ル酸）（メチルメタクリレートとメタクリル酸と
の比は75／25）と、(b)エチル３―ジアゾ―２，４
―ジオキソデカリンカルボキシレート（重合体と
ジオン可溶化剤との重量比は70／30）との混合物
である。 本発明の可溶化剤は、このような用途にこれま
で提案された化合物類に比べ、改良された熱安定
性とより低い揮発性をもつている。フイルム形成
重合体及び適当なフイルム形成溶媒と共に流延可
能なレジスト組成物中に取り入れられ、基材上に
フオトレジストを硬化させるためのプレベーキン
グにかける時、これらの可溶化剤の低揮発性のた
めに可溶化剤のロスが少なくて硬化フオトレジス
トが得られ、その結果、露光フオトレジストと未
露光フオトレジストとの間の溶解度の差が改良さ
れる。 以上のパラグラフに述べた平版印刷用レジスト
組成物をつくり、適当なウエハー基材上にフイル
ムとして流延し、溶媒のほとんどを追出すために
約56ないし約126℃、好ましくは約56ないし約85
℃の温度で約30分ないし約45分のプレベーキング
にかけ、次に下の手順に述べるように遠UVレジ
ストとしての有用性について試験した。 高圧水銀キセノン灯と240―300nmを透過する
遠UVフイルターを使用し、厚さ150なし1050nm
のレジストフイルムをもつ３インチのウエハーを
70mm×150mmの穴から種々の時間に露光した。ア
ルカリ現像液、例えばアンモニア水溶液、トリエ
タノールアミン水溶液、酢酸アンモニウム水溶
液、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン水
溶液等で約５―1200秒間現像後、レジストに画像
が形成された。少なくとも150mj／cm2の放射に露
光された部分ではレジストの完全な除去が生じ
た。 こうして調製・試験されたレジスト組成物は、
実施例の以下の表に記載されたとおりである。
紫外フオトレジスト組成物、及びこの組成物を使
用しリソグラフイー用レジストの画像を形成する
方法に関する。 ［先行技術及び問題点］ 投射焼付け又は平版印刷の分野での進歩した技
術水準のため、２ミクロンより小さい画像平面図
形と非常に高度なデバイス集積密度を提供できる
ようにすることが強く望まれるものとなつた。こ
れを最も有利に得るためには、約300nmより低い
遠紫外（UV）領域の焼付け画像形成波長を使用
することが非常に望ましいものとなつた。従つて
遠UV領域の画像形成波長によつて使用するのに
適した遠UVレジスト組成物を利用できるのが望
ましい。 1982年７月13日交付されたインターナシヨナ
ル・ビジネス・マシンズ・コーポレーシヨンに譲
渡されたアール・バラムソン（R.Balamson）ら
の合衆国特許第4339522号は最近、メルドラムの
酸ジアゾ又はその同族体で感受性化したフエノー
ル―アルデヒド樹脂を含むこのような遠UVレジ
スト組成物を明らかにした。 他のこのような遠UVレジスト、及び特に改良
された解像特性を提供する遠UVレジストが必要
とされている。0.75ミクロン以下の線の良好な解
像を提供する遠UVレジスト組成物類は、特に有
用であろう。 ［問題点を解決する手段］ 約240―300nmの遠UV範囲で感光し塩基可溶
性であるような陽画の遠UVフオトレジストは、
塩基可溶性重合体と、次式の化合物類からなる群
から選ばれる感光性可溶化剤とを含むレジスト類
によつて提供される。 式中R4は水素又は−Ｃ（Ｏ）R5であり、ここで
R5は１ないし約20個の炭素原子のアルコキシ基
である。 R6、R7、R8及びR9は各々同じもの又は異なる
ものであつて、R4が−Ｃ（Ｏ）R5の時には水素と
１ないし約６個の炭素原子のアルキルである。 R4が水素又は−Ｃ（Ｏ）R5の時には、 ａ） R6又はR7のいずれか一方とR8とR9のいず
れか一方は水素であり、水素でない方のR6又
はR7の他方とR8又はR9の他方は、一緒に１な
いし約６個の炭素原子のアルキレン基を形成す
るか、 ｂ） 又は、R6とR7の組又はR8とR9の組のいず
れか一方が４ないし８個の炭素原子のシクロア
ルキル基であつて、シクロアルキルでない方の
R6とR7、又はR8とR9の他方の組は各々水素で
ある。 上の式で、R5がアルコキシ基の時には、ア
ルコキシ基は１ないし約20個の炭素原子、好まし
くは１ないし約６個の炭素原子をもち、最も好ま
しくはエトキシである。 式の可溶化剤は次の式の化合物類を包含して
いる。 式中R4、R5、R6、R7、R8及びR9は式につい
て定義されたとおりであり、ｎは１―６の数、ｍ
は４―８の数である。 本発明の可溶化剤として好ましいのは、式化
合物類（R5はエトキシ基、R6とR7は各々水素、
及びR8とR9は各々メチル基）；式化合物類（R4
は水素又はカルベトキシ基で、ｎは４に等し
い）；及び式との化合物類（R4は水素又はカ
ルベトキシ基で、ｍは５に等しい）である。 このような可溶化剤の例として、例えば以下の
ものを挙げることができる。 トランス―２―ジアゾデカリン―１，３―ジオ
ン、 エチル３―ジアゾ―２，４―ジオキソデカリン
カルボキシレート、 エチル５―ジアゾ―２，２―ジメチル―４，６
―ジオキソシクロヘキサンカルボキシレート、及
び ２―ジアゾ―５，５―ペンタメチレンシクロヘ
キサン―１，３―ジオン。 本発明に従つて可溶化剤として有用な化合物類
は、既知のものか、又は容易につくることができ
る。例えば、式（R4は水素又は−Ｃ（Ｏ）R5
で、R5はアルコキシ基）のβ―ジアゾ―α，γ
―ジケトン化合物類は、乾燥トリエチルアミンの
ような触媒と、エタノール、ベンゼン又はアセト
ニトリル等のような任意適当な溶媒の存在下、ｐ
―トルエンスルホニルアジド（TSA）やナフチ
レンスルホニルアジド（NSA）のような任意適
当なスルホニルアジドを入手の容易なα，γ―ジ
ケトンと反応させることによつてつくられる。一
般には、約３時間ないし約５時間かけて反応させ
てから、沈澱するスルホンアミドを除くために反
応混合物をろ過し、ろ液を乾固まで蒸発させる。
次にエーテルと希アルカリ水酸化物との間の分配
によつて生成物を部分的に精製する。生成物が固
体ならば再結晶により、また生成物が油ならばシ
リカゲル上のフラツシユ・クロマトグラフイのよ
うなクロマトグラフイにより残留物を精製する。 以下の調製例は本発明に従つて可溶化剤として
使用される式化合物類の調製について例示した
ものである。 調製例 １ トランス―２―ジアゾデカリン―１，３―ジオ
ン 乾燥エタノール３ml中のデカリン―１，３―ジ
オン1.06ｇ（6.28ミリモル）の溶液を氷浴中で冷
却しトリエチルアミン0.89ml（6.4ミリモル）に
続いてｐ―トルエンスルホニルアジド1.28ｇ
（6.50ミリモル）で処理した。混合物を氷浴中で
４時間かきまぜてから、真空中（40℃未満）で濃
縮した。残留物をエーテル45mlに溶解し、エーテ
ルを水30ml中のKOH0.42ｇの溶液で洗い、乾燥
（Na2SO4）し、ろ過してオレンジ色の油1.22ｇに
濃縮した。これを40ミクロンのシリカゲル上のク
ロマトグラフイにかけると、トランス―２―ジア
ゾデカリン―１，３―ジオン0.45ｇを生じた。融
点81―３℃。 調製例 ２ エチル３―ジアゾ―２，４―ジオキソデカリン
カルボキシレート 調製例１に記述した方法で本化合物をつくつた
が、但し出発の試薬としてデカリン―１，３―ジ
オンの代わりにエチル２，４―ジオキソデカリン
カルボキシレートを使用した。反応生成物のクロ
マトグラフイは望んでいる生成物を薄黄色の油と
して生じた。 元素分析 C13H16N2O4 測定値：Ｃ，58.75；Ｈ，5.98；Ｎ，10.40 計算値：Ｃ，59.08；Ｈ，6.10；Ｎ，10.60 調製例 ３ エチル５―ジアゾ―２，２―ジメチル―４，６
―ジオキソシクロヘキサンカルボキシレート 調製例１に記述した方法で本化合物をつくつた
が、但し出発反応体としてデカリン―１，３―ジ
オンの代わりにエチル２，２―ジメチル―４，６
―ジオキソシクロヘキサンカルボキシレートを使
用した。反応生成物のクロマトグラフイは、望ん
でいる生成物を薄黄色の油として生じた。 元素分析 C11H14N2O4 測定値：Ｃ，55.32；Ｈ，5.84；Ｎ，12.12 計算値：Ｃ，55.46；Ｈ，5.92；Ｎ，11.76 調製例 ４ ２―ジアゾ―５，５―ペンタメチレンシクロヘ
キサン―１，３―ジオン エム・レギツツ（M.Regitz）及びデイー・シ
ユタツトラー（D.Stadler）、Ann.Chem.678巻214
頁（1965年）に記述されたとおりに本化合物をつ
くつた。得られた本生成物は88.5―89.5℃の融点
を有していた。 本発明の可溶化剤を塩基に可溶な重合体に加え
て、生ずるフオトレジスト組成物を基材上にフイ
ルムとして流延すると、可溶化剤は遠UV光に露
光されないフイルム部分に比べ、遠UVに露光さ
れた部分では現像液中で重合体フイルムの溶解度
を高める。遠UV光に露光されたフイルム部分
で、本発明の可溶化剤は露光されたパターン部分
で現像液に対する重合体フイルムの溶解度を高め
る。 市販のフエノール―ホルムアルデヒド樹脂、ク
レゾール―ホルムアルデヒド樹脂、ポリ（ビニル
フエノール）、ポリ（メチルメタクリレート―メ
タクリル酸）樹脂等の任意適当な塩基可溶性フオ
トレジスト重合体を、本発明のフオトレジスト組
成物に使用できる。メタクリル酸含有量約20ない
し30％、好ましくは約25重量％、分子量（ゲル浸
透クロマトグラフイ）約20000ないし120000、好
ましくは約80000、及び狭い多分散度をもつポリ
（メチルメタクリレート―メタクリル酸）が特に
好ましい樹脂である。このような樹脂は次の方法
に従つてつくられる樹脂である。適当量のメチル
メタクリレート及びメタクリル酸（２単量体計
17.5モル）の溶液4.9リツトルを80＋２℃で窒素
下にかきまぜながら、１，２―ジメトキシエタン
2100ml中の適当量の２，２―ジアゾビス（２―メ
チルプロピオニトリル）（分子量80000の重合体で
3.5ｇ又は分子量20000の重合体で16.5ｇ）の溶液
を30分間隔で300mlずつ添加する。添加完了後、
反応混合物を更に16時間、80＋２℃でかきまぜて
から乾固まで蒸発させる。残留物をジクロロメタ
ン15で24時間洗い、次に洗浄液を傾斜させて捨
てる。不溶性重合体をメタノール15リツトルに溶
解し、溶液をろ過する。ろ液を乾固まで蒸発させ
ると重合体生成物を生ずる。本発明のフオトレジ
ストは約50ないし85重量％の塩基可溶性重合体と
約15ないし約50重量％の本発明の可溶化剤、好ま
しくは約70％の塩基可溶性重合体と約30％の可溶
化剤を含む。レジストは、普通の溶媒中に重合体
を可溶化剤を溶解し、フイルムを適当な基材上に
流延することによつて容易に形成される。任意適
当なフイルム形成溶媒を使用できるが、一般には
例えばジグライム、メチルイソブチルケトン、２
―エトキシエタノール、２―メトキシエチルアセ
テート、γ―ブチロラクトン等のような約120な
いし210℃の沸点をもつフイルム形成溶媒を使用
できる。レジスト形成組成物は概して約50ないし
約95重量％の溶媒と約５ないし約50重量％の固体
（すなわち塩基可溶性重合体と可溶化剤を合わせ
たもの）を含む。溶媒が約80ないし85重量％を占
め、固体が約15ないし20重量％を占めるのが好ま
しい。使用固体量は、レジスト形成組成物の望ん
でいる粘度に依存しており、厚さ約１ミクロンの
レジストの流延を可能とするような量である。 本発明の特に好ましいレジスト組成物は、約86
重量％の２―メトキシエチルアセテート溶媒と約
14重量％の固体を含み、この固体は(a)約80000の
分子量のポリ（メチルメタクリレート―メタクリ
ル酸）（メチルメタクリレートとメタクリル酸と
の比は75／25）と、(b)エチル３―ジアゾ―２，４
―ジオキソデカリンカルボキシレート（重合体と
ジオン可溶化剤との重量比は70／30）との混合物
である。 本発明の可溶化剤は、このような用途にこれま
で提案された化合物類に比べ、改良された熱安定
性とより低い揮発性をもつている。フイルム形成
重合体及び適当なフイルム形成溶媒と共に流延可
能なレジスト組成物中に取り入れられ、基材上に
フオトレジストを硬化させるためのプレベーキン
グにかける時、これらの可溶化剤の低揮発性のた
めに可溶化剤のロスが少なくて硬化フオトレジス
トが得られ、その結果、露光フオトレジストと未
露光フオトレジストとの間の溶解度の差が改良さ
れる。 以上のパラグラフに述べた平版印刷用レジスト
組成物をつくり、適当なウエハー基材上にフイル
ムとして流延し、溶媒のほとんどを追出すために
約56ないし約126℃、好ましくは約56ないし約85
℃の温度で約30分ないし約45分のプレベーキング
にかけ、次に下の手順に述べるように遠UVレジ
ストとしての有用性について試験した。 高圧水銀キセノン灯と240―300nmを透過する
遠UVフイルターを使用し、厚さ150なし1050nm
のレジストフイルムをもつ３インチのウエハーを
70mm×150mmの穴から種々の時間に露光した。ア
ルカリ現像液、例えばアンモニア水溶液、トリエ
タノールアミン水溶液、酢酸アンモニウム水溶
液、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン水
溶液等で約５―1200秒間現像後、レジストに画像
が形成された。少なくとも150mj／cm2の放射に露
光された部分ではレジストの完全な除去が生じ
た。 こうして調製・試験されたレジスト組成物は、
実施例の以下の表に記載されたとおりである。
【表】
実施例 １
調製例化合物１からの処方剤をシリコンウエハ
ー上に展開し、熱対流炉で65℃、30分焼くと、厚
さ774nmのレジストフイルムを生じた。このフイ
ルムの75×150mmの面を、240―300nmを透過させ
る遠UVフイルターに通してろ過した高圧水銀キ
セノンからの光に露出した。0.4％トリエタノー
ルアミン水溶液で30秒間現像することにより、露
光レジストの完全な除去が達成された。露光され
ない部分は652nmレジスト層を保持していた（現
像後の厚さ［TAD］＝84％）。 実施例 ２ 手順は実施例１と同様であつたが、調製例化合
物２からの処方剤を使用した。ベーキングは83℃
で30分であり、厚さ1039nmのフイルムを得た。
80秒の現像で露光部分のレジストが除去された。
未露光部分は895nmのレジスト層を保持していた
（TDA＝86％）。 実施例 ３ 手順は実施例１と同様であつたが、調製例化合
物３からの処方剤を使用した。ベーキングは79℃
で30分であり、厚さ723nmのフイルムを生じた。
150秒の現像で露光部分のレジストが除去された。
未露光部分は416nmのレジスト層を保持していた
（TDA＝58％）。 実施例 ４ 手順は実施例１と同様であつたが、調製例化合
物４からの処方剤を使用した。ベーキングは79℃
で30分であり、厚さ800nmのフイルムを生じた。
１％トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン水
溶液中で10秒現像すると、露光部分のレジストが
除去された。未露光部分は474nmのレジスト層を
保持していた（TAD＝59％）。 実施例 ５ レジストで被覆されたウエハーを露光するため
に、UVモードでパーキン・エルマー・コーポ
レーシヨンのマイクラライン（Micralign）500
投射アライナーを使用して、同様な実験を行なつ
た。約1000nmの厚さに実施例２のレジスト組成
物で被覆し、70℃で30分プレベーキングした５イ
ンチ・ウエハーを使用した。露光したウエハーを
0.4％トリエタノールアミン水溶液で120秒間現像
した。走査電子顕微鏡での観察は、0.75マイクロ
メートルの線と空間がこのやり方で印刷できるこ
とを示した。
ー上に展開し、熱対流炉で65℃、30分焼くと、厚
さ774nmのレジストフイルムを生じた。このフイ
ルムの75×150mmの面を、240―300nmを透過させ
る遠UVフイルターに通してろ過した高圧水銀キ
セノンからの光に露出した。0.4％トリエタノー
ルアミン水溶液で30秒間現像することにより、露
光レジストの完全な除去が達成された。露光され
ない部分は652nmレジスト層を保持していた（現
像後の厚さ［TAD］＝84％）。 実施例 ２ 手順は実施例１と同様であつたが、調製例化合
物２からの処方剤を使用した。ベーキングは83℃
で30分であり、厚さ1039nmのフイルムを得た。
80秒の現像で露光部分のレジストが除去された。
未露光部分は895nmのレジスト層を保持していた
（TDA＝86％）。 実施例 ３ 手順は実施例１と同様であつたが、調製例化合
物３からの処方剤を使用した。ベーキングは79℃
で30分であり、厚さ723nmのフイルムを生じた。
150秒の現像で露光部分のレジストが除去された。
未露光部分は416nmのレジスト層を保持していた
（TDA＝58％）。 実施例 ４ 手順は実施例１と同様であつたが、調製例化合
物４からの処方剤を使用した。ベーキングは79℃
で30分であり、厚さ800nmのフイルムを生じた。
１％トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン水
溶液中で10秒現像すると、露光部分のレジストが
除去された。未露光部分は474nmのレジスト層を
保持していた（TAD＝59％）。 実施例 ５ レジストで被覆されたウエハーを露光するため
に、UVモードでパーキン・エルマー・コーポ
レーシヨンのマイクラライン（Micralign）500
投射アライナーを使用して、同様な実験を行なつ
た。約1000nmの厚さに実施例２のレジスト組成
物で被覆し、70℃で30分プレベーキングした５イ
ンチ・ウエハーを使用した。露光したウエハーを
0.4％トリエタノールアミン水溶液で120秒間現像
した。走査電子顕微鏡での観察は、0.75マイクロ
メートルの線と空間がこのやり方で印刷できるこ
とを示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 塩基可溶性フイルム形成重合体と、これに混
合される式 ［式中R4は水素と−Ｃ（Ｏ）R5からなる群から選
ばれ（ここでR5は１ないし20個の炭素原子をも
つアルコキシ基である）、R6、R7、R8及びR9は
各々同じもの又は異なるものであつて、R4が−
Ｃ（Ｏ）R5の時には水素と１ないし６個の炭素原
子のアルキルからなる群から選ばれるか、或いは
R4が水素又は−Ｃ（Ｏ）R5の時には、 ａ） R6又はR7のいずれか一方とR8とR9のいず
れか一方は水素であり、水素でない方のR6又
はR7の他方とR8又はR9の他方は、一緒に１な
いし６個の炭素原子のアルキレン基を形成し、
又は ｂ） R6とR7の組又はR8とR9の組のいずれか一
方が４ないし８個の炭素原子のシクロアルキル
基であつて、シクロアルキルでない方のR6と
R7、又はR8とR9の他方の組は各々水素である］ の感光性可溶化剤化合物とを含み、遠紫外放射へ
の露光時に露光された組成物がアルカリ性現像液
にいつそう可溶性となる、300nm未満の遠紫外光
によつて使用するリゾグラフイー用レジスト組成
物。 ２ 塩基可溶性フイルム形成重合体がフエノール
―ホルムアルデヒド、クレゾール―ホルムアルデ
ヒド、ポリ（ビニルフエノール）及びポリ（メチ
ルメタクリレート―メタクリル酸）樹脂類からな
る群から選ばれる樹脂である、特許請求の範囲第
１項の組成物。 ３ 可溶化剤が重合体と可溶化剤を合せた重量に
基づいて、15ないし50重量％の量で存在する、特
許請求の範囲第１項の組成物。 ４ 可溶化剤が、重合体と可溶化剤を合せた重量
に基づいて、15ないし50重量％の量で存在する、
特許請求の範囲第２項の組成物。 ５ 可溶化剤が式 ［式中R5、R6、R7、R8及びR9は特許請求の範囲
第１項で定義されたとおり］の化合物である、特
許請求の範囲第１項の組成物。 ６ 可溶化剤が式 ［式中ｎは１―６の数であり、R4は特許請求の
範囲第１項で定義されたとおり］の化合物であ
る、特許請求の範囲第１項の組成物。 ７ 可溶化剤が式 ［式中ｍは４―８の数であり、R4は特許請求の
範囲第１項で定義されたとおり］の化合物であ
る、特許請求の範囲第１項の組成物。 ８ 可溶化剤が式 ［式中ｍは４―８の数であり、R4は特許請求の
範囲第１項で定義されたとおり］の化合物であ
る、特許請求の範囲第１項の組成物。 ９ 可溶化剤がトランス―２―ジアゾデカリン―
１，３―ジオンである、特許請求の範囲第６項の
組成物。 １０ 可溶化剤がエチル３―ジアゾ―２，４―ジ
オキソデカリンカルボキシレートである、特許請
求の範囲第６項の組成物。 １１ 可溶化剤がエチル５―ジアゾ―２，２―ジ
メチル―４，６―ジオキソシクロヘキサンカルボ
キシレートでる、特許請求の範囲第５項の組成
物。 １２ 可溶化剤が２―ジアゾ―５，５―ペンタメ
チレンシクロヘキサン―１，３―ジオンである、
特許請求の範囲第８項の組成物。 １３ 可溶化剤がエチル３―ジアゾ―２，４―ジ
オキソデカリンカルボキシレートである、特許請
求の範囲第４項の組成物。 １４ 可溶化剤がエチル５―ジアゾ―２，２―ジ
メチル―４，６―ジオキソシクロヘキサンカルボ
キシレートである、特許請求の範囲第４項の組成
物。 １５ 重合体がポリ（メチルメタクリレート―メ
タクリル酸）である、特許請求の範囲第１０項の
組成物。 １６ 可溶化剤が重合体と可溶化剤を合せた重量
に基づいて15ないし50重量％の量で存在しポリ
（メチルメタクリレート―メタクリル酸）が80000
の分子量をもち、メタクリレートとメタクリル酸
との比が75／25である、特許請求の範囲第１５項
の組成物。 １７ 可溶化剤が30重量％の量で存在する、特許
請求の範囲第１６項の組成物。 １８ 特許請求の範囲第１項に記載の重合体と化
合物を120ないし210℃の沸点のフイルム形成溶媒
中に含んでいる流延可能な特許請求の範囲第１項
に記載のレジスト組成物。 １９ 溶媒が流延可能な組成物の50ないし95重量
％を占めている、流延可能な特許請求の範囲第１
８項のレジスト組成物。 ２０ 溶媒がジグライム、メチルイソブチルケト
ン、２―エトキシエタノール、２―メトキシエチ
ルアセテート及びγ―ブチロラクトンからなる群
から選ばれる流延可能な特許請求の範囲第１９項
のレジスト組成物。 ２１ 可溶化剤がエチル３―ジアゾ―２，４―ジ
オキソデカリンカルボキシレートである、流延可
能な特許請求の範囲第２０項のレジスト組成物。 ２２ 可溶化剤が式 ［式中R4、R6、R7、R8及びR9は特許請求の範囲
第１項で定義されたとおり］の化合物である場合
の平版印刷用レジスト組成物を、120ないし210℃
の沸点のフイルム形成溶媒中に含み、この溶媒が
流延可能な組成物の50ないし95重量％を占めてお
り、ジグライム、メチルイソブチルケトン、２―
エトキシエタノール、２―メトキシエチルアセテ
ート及びγ―ブチロラクトンからなる群から選ば
れる場合の流延可能な特許請求の範囲第１８項に
記載のレジスト組成物。 ２３ 可溶化剤が式 ［式中ｎは１―６の数であり、R4は特許請求の
範囲第１８項で定義されたとおり］の化合物であ
る、流延可能な特許請求の範囲第２２項のレジス
ト組成物。 ２４ 可溶化剤が式 ［式中ｍは４―８の数であり、R4は特許請求の
範囲第１８項で定義されたとおり］の化合物であ
る、流延可能な特許請求の範囲第２２項のレジス
ト組成物。 ２５ 可溶化剤が式 ［式中ｍは４―８の数であり、R4は特許請求の
範囲第１８項で定義されたとおり］の化合物であ
る、流延可能な特許請求の範囲第２２項のレジス
ト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/723,273 US4624908A (en) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using |
| US723273 | 2000-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240237A JPS61240237A (ja) | 1986-10-25 |
| JPH036495B2 true JPH036495B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=24905568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61085220A Granted JPS61240237A (ja) | 1985-04-15 | 1986-04-15 | 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4624908A (ja) |
| EP (1) | EP0198674A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61240237A (ja) |
| KR (1) | KR900000863B1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752551A (en) * | 1986-10-02 | 1988-06-21 | J. T. Baker Inc. | Photosensitive solubilization inhibition agents, and deep ultra-violet lithographic resist compositions |
| US4808512A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | J. T. Baker Inc. | Process of deep ultra-violet imaging lithographic resist compositions |
| EP0271187B1 (en) * | 1986-10-17 | 1995-12-20 | Amdahl Corporation | Split instruction and operand cache management |
| US5158855A (en) * | 1987-09-24 | 1992-10-27 | Hitachi, Ltd. | α-diazoacetoacetates and photosensitive resin compositions containing the same |
| EP0319325A3 (en) * | 1987-12-04 | 1990-12-27 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Photosensitive material and process for forming pattern using the same |
| US5169741A (en) * | 1988-10-11 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming high sensitivity positive patterns employing a material containing a photosensitive compound having a diazo group, an alkaline-soluble polymer, a compound capable of adjusting the pH to 4 or less and a solvent |
| US4959293A (en) * | 1988-10-28 | 1990-09-25 | J. T. Baker, Inc. | Deep UV photoresist with alkyl 2-diazo-1-ones as solubility modification agents |
| DE3837438A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-10 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3837513A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-10 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3900735A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-26 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
| US5039596A (en) * | 1989-06-29 | 1991-08-13 | Hoechst Celanese Corporation | Deep u.v. photoresist process utilizing compositions containing polycyclic cyclopentane 2-diazo-1,3-dione |
| US5182185A (en) * | 1989-06-29 | 1993-01-26 | Hoechst Celanese Corporation | Deep u.v. photoresist compositions containing 4-tert-butylstyrene/maleimide copolymer and polycyclic cyclopentane-2-diazo-1,3-dione and elements utilizing the compositions |
| EP0410256A1 (de) * | 1989-07-26 | 1991-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Lichtempfindliches Gemisch |
| DE4014648A1 (de) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindiches gemisch und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer die belichtung mit duv-strahlung |
| DE4014649A1 (de) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle verbindungen mit (alpha)-diazo-ss-ketoester- und sulfonsaeureester-einheiten, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
| GB9407511D0 (en) * | 1994-04-15 | 1994-06-08 | Smithkline Beecham Corp | Compounds |
| US5876897A (en) * | 1997-03-07 | 1999-03-02 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive photoresists containing novel photoactive compounds |
| US7022452B2 (en) * | 2002-09-04 | 2006-04-04 | Agilent Technologies, Inc. | Contrast enhanced photolithography |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL247406A (ja) * | 1959-01-17 | |||
| US4207107A (en) * | 1978-08-23 | 1980-06-10 | Rca Corporation | Novel ortho-quinone diazide photoresist sensitizers |
| US4339522A (en) * | 1979-06-18 | 1982-07-13 | International Business Machines Corporation | Ultra-violet lithographic resist composition and process |
| US4284706A (en) * | 1979-12-03 | 1981-08-18 | International Business Machines Corporation | Lithographic resist composition for a lift-off process |
| US4522911A (en) * | 1983-06-28 | 1985-06-11 | International Business Machines Corporation | Deep ultra-violet lithographic resists with diazohomotetramic acid compounds |
-
1985
- 1985-04-15 US US06/723,273 patent/US4624908A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-31 KR KR1019860002420A patent/KR900000863B1/ko not_active Expired
- 1986-04-10 EP EP86302677A patent/EP0198674A3/en not_active Ceased
- 1986-04-15 JP JP61085220A patent/JPS61240237A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860008476A (ko) | 1986-11-15 |
| EP0198674A3 (en) | 1987-09-02 |
| US4624908A (en) | 1986-11-25 |
| KR900000863B1 (ko) | 1990-02-17 |
| JPS61240237A (ja) | 1986-10-25 |
| EP0198674A2 (en) | 1986-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH036495B2 (ja) | ||
| JP2562178B2 (ja) | 感光層形成材料用の放射線感応性混合物 | |
| EP1046958B1 (en) | Use of a composition for bottom reflection preventive film | |
| US5585220A (en) | Resist composition with radiation sensitive acid generator | |
| US6235448B1 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same | |
| KR20010100970A (ko) | 3급 부틸 아크릴레이트 중합체 및 감광성 내식막조성물에서의 이의 용도 | |
| US4980264A (en) | Photoresist compositions of controlled dissolution rate in alkaline developers | |
| WO1994010608A1 (en) | Chemically amplified photoresist | |
| WO1994010608A9 (en) | Chemically amplified photoresist | |
| EP0264908B1 (en) | High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160 C | |
| EP0614121B1 (en) | neep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay | |
| US7858287B2 (en) | Photosensitive resin, and photosensitive composition | |
| KR100520168B1 (ko) | 화학증폭형 레지스트에 첨가되는 새로운 페닐렌디아민계 유도체 | |
| US4622283A (en) | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using | |
| US4626491A (en) | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using | |
| KR100632572B1 (ko) | 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
| JPH0692909A (ja) | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 | |
| KR100546105B1 (ko) | 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
| KR19990044959A (ko) | 신규한 광활성 화합물을 갖는 감광성 내식막 | |
| JPH04217250A (ja) | ノボラックフォトレジストとカルボジイミドを用いた二色調像 | |
| EP0410794A2 (en) | Maleimide containing, negative working deep UV photoresist | |
| US4959293A (en) | Deep UV photoresist with alkyl 2-diazo-1-ones as solubility modification agents | |
| EP2137140B1 (en) | Novel diazonaphthoquinonesulfonic acid bisphenol derivative useful in photo lithographic sub micron patterning and a process for preparation thereof | |
| JP2676902B2 (ja) | トリフェニルメタン誘導体及びその製法 | |
| US4752551A (en) | Photosensitive solubilization inhibition agents, and deep ultra-violet lithographic resist compositions |