JPH0692909A - 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH0692909A JPH0692909A JP5005792A JP579293A JPH0692909A JP H0692909 A JPH0692909 A JP H0692909A JP 5005792 A JP5005792 A JP 5005792A JP 579293 A JP579293 A JP 579293A JP H0692909 A JPH0692909 A JP H0692909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- represented
- general formula
- positive photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/96—Esters of carbonic or haloformic acids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/11—Vinyl alcohol polymer or derivative
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
- Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポジ型の化学増幅型フォトレジスト用の溶解
阻止剤として有用な炭酸エステル環状化合物及びそれを
用いてなるポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 【構成】 下式（５） 【化１】 等で示される炭酸エステル環状化合物、並びに、該炭酸
エステル環状化合物、アルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤
を含有してなるポジ型フォトレジスト組成物。 【効果】 解像度、プロファイル及び感度等の諸性能に
優れたポジ型フォトレジストが得られる。
阻止剤として有用な炭酸エステル環状化合物及びそれを
用いてなるポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 【構成】 下式（５） 【化１】 等で示される炭酸エステル環状化合物、並びに、該炭酸
エステル環状化合物、アルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤
を含有してなるポジ型フォトレジスト組成物。 【効果】 解像度、プロファイル及び感度等の諸性能に
優れたポジ型フォトレジストが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポジ型の化学増幅型フォ
トレジスト用の溶解阻止剤として有用な炭酸エステル環
状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フ
ォトレジスト組成物に関する。
トレジスト用の溶解阻止剤として有用な炭酸エステル環
状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フ
ォトレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトレジストについては集積回
路の高集積化（64又は256 ＭＤＲＡＭ）に伴ってサブミ
クロンのパターン形成が要求され、特にエキシマレーザ
等を光源とするような遠紫外線リソグラフィーに適した
ポジ型フォトレジストの開発が急がれている。そして、
アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び酸発生剤からなる
ポジ型の化学増幅型フォトレジストが注目されている。
このフォトレジストの作用は露光及びベークにより発生
した酸を利用して溶解阻止剤を溶解促進剤に変化させ、
これによりアルカリ可溶性樹脂の非露光部と露光部との
溶解速度比を高めて、解像度の向上を図るものである。
例えば、第38回春季応用物理学会講演予稿集（1991、29
ａ−ZC−７）には、ポリビニルフェノールの−ＯＨ基の
一部を酸分解性基で置き換えた樹脂、溶解阻止剤及び酸
発生剤からなるポジ型の化学増幅型フォトレジスト組成
物を深紫外線露光した場合の、解像度に対する影響が記
載されている。そして、上記樹脂の置換率を20％以上に
すると現像液に対して溶解しないこと、及び、溶解阻止
剤を含む３成分系レジストが溶解阻止剤を含まない２成
分系レジストよりも、現像時の溶解速度比が高くなるこ
と、並びに、エキシマレーザステッパーを用いて３成分
系レジストのパターニング評価を行なったところ、0.35
μｍのラインアンドスペースが解像された（図１）こと
が記載されている。又、第38回春季応用物理学会講演予
稿集（1991、30ａ−ZA−３）には、ノボラック樹脂、ｔ
−ブトキシカルボニルオキシ基を有する溶解阻止剤、及
び金属を含まないオニウム塩からなる化学増幅型のポジ
型フォトレジスト組成物を、エレクトロンビームリソグ
ラフィーに適用したことが記載されている。そして、こ
の３者の系では、上記オニウム塩として、トリフェニル
スルホニウムトリフルオレートは好ましくないが、ビス
（ｔ−ブチルフェニル）−アイオドニウムトリフルオレ
ート〔（ｐ−ｔ−Ｃ4 Ｈ9 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｉ・Ｏ3 ＳＣ
Ｆ3 〕(a) は優れた特性を示すことが記載されている。
又、このレジスト系ではｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基を有する溶解阻止剤の種類により異なった性質を示
し、ポリマー性ｔ−ブトキシカルボニルオキシは優れた
溶解阻止力を示すが、プロファイルがよくない（OVERHA
NGING PATTERN ）ことが示されている。上記溶解阻止剤
の中では〔ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＯ−Ｏ−Ｃ4 Ｈ4 〕2 ・Ｃ
（ＣＨ3 ）2 (b) が感度及び解像度において最も良好で
あることが記載されている。上記(a) 及び(b) を含む試
作レジストがエレクトロンビームリソグラフィーで0.47
μｍ厚の0.15μｍラインアンドスペースパターンを、14
μＣ／cm2 の露光量で解像した（図１）ことが記載さ
れ、又、試作レジストはＸ線リソグラフィーにも有用で
あり、1.3 μｍ厚で0.2μｍコンタクトホールを解像し
たことが記載されている。さらには、特開平３−206458
号公報の請求項１には、(A) 溶解度が酸で除去できる保
護基の存在に依存する重合性又は分子状組成物及び(B)
輻射線に露光すると強酸を発生するスルホン酸前駆体の
重合性又は分子状組成物からなる、フォト、電子線及び
Ｘ線露光装置で使用するためのレジストが記載され、
又、例えば実施例５には、MDT （酸発生剤）、ノボラッ
ク樹脂及び〔（ｐ−ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＯ−Ｏ−Ｃ
6 Ｈ4 ）2 〕・Ｃ（ＣＨ3 ）2 （溶解阻止剤）からな
る、240-260nmの露光装置で使用するためのレジスト組
成物が記載されている。しかしながら、上記フォトレジ
スト組成物は解像度、プロファイル及び感度等の観点か
ら未だ十分なものではない。
路の高集積化（64又は256 ＭＤＲＡＭ）に伴ってサブミ
クロンのパターン形成が要求され、特にエキシマレーザ
等を光源とするような遠紫外線リソグラフィーに適した
ポジ型フォトレジストの開発が急がれている。そして、
アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び酸発生剤からなる
ポジ型の化学増幅型フォトレジストが注目されている。
このフォトレジストの作用は露光及びベークにより発生
した酸を利用して溶解阻止剤を溶解促進剤に変化させ、
これによりアルカリ可溶性樹脂の非露光部と露光部との
溶解速度比を高めて、解像度の向上を図るものである。
例えば、第38回春季応用物理学会講演予稿集（1991、29
ａ−ZC−７）には、ポリビニルフェノールの−ＯＨ基の
一部を酸分解性基で置き換えた樹脂、溶解阻止剤及び酸
発生剤からなるポジ型の化学増幅型フォトレジスト組成
物を深紫外線露光した場合の、解像度に対する影響が記
載されている。そして、上記樹脂の置換率を20％以上に
すると現像液に対して溶解しないこと、及び、溶解阻止
剤を含む３成分系レジストが溶解阻止剤を含まない２成
分系レジストよりも、現像時の溶解速度比が高くなるこ
と、並びに、エキシマレーザステッパーを用いて３成分
系レジストのパターニング評価を行なったところ、0.35
μｍのラインアンドスペースが解像された（図１）こと
が記載されている。又、第38回春季応用物理学会講演予
稿集（1991、30ａ−ZA−３）には、ノボラック樹脂、ｔ
−ブトキシカルボニルオキシ基を有する溶解阻止剤、及
び金属を含まないオニウム塩からなる化学増幅型のポジ
型フォトレジスト組成物を、エレクトロンビームリソグ
ラフィーに適用したことが記載されている。そして、こ
の３者の系では、上記オニウム塩として、トリフェニル
スルホニウムトリフルオレートは好ましくないが、ビス
（ｔ−ブチルフェニル）−アイオドニウムトリフルオレ
ート〔（ｐ−ｔ−Ｃ4 Ｈ9 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｉ・Ｏ3 ＳＣ
Ｆ3 〕(a) は優れた特性を示すことが記載されている。
又、このレジスト系ではｔ−ブトキシカルボニルオキシ
基を有する溶解阻止剤の種類により異なった性質を示
し、ポリマー性ｔ−ブトキシカルボニルオキシは優れた
溶解阻止力を示すが、プロファイルがよくない（OVERHA
NGING PATTERN ）ことが示されている。上記溶解阻止剤
の中では〔ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＯ−Ｏ−Ｃ4 Ｈ4 〕2 ・Ｃ
（ＣＨ3 ）2 (b) が感度及び解像度において最も良好で
あることが記載されている。上記(a) 及び(b) を含む試
作レジストがエレクトロンビームリソグラフィーで0.47
μｍ厚の0.15μｍラインアンドスペースパターンを、14
μＣ／cm2 の露光量で解像した（図１）ことが記載さ
れ、又、試作レジストはＸ線リソグラフィーにも有用で
あり、1.3 μｍ厚で0.2μｍコンタクトホールを解像し
たことが記載されている。さらには、特開平３−206458
号公報の請求項１には、(A) 溶解度が酸で除去できる保
護基の存在に依存する重合性又は分子状組成物及び(B)
輻射線に露光すると強酸を発生するスルホン酸前駆体の
重合性又は分子状組成物からなる、フォト、電子線及び
Ｘ線露光装置で使用するためのレジストが記載され、
又、例えば実施例５には、MDT （酸発生剤）、ノボラッ
ク樹脂及び〔（ｐ−ｔ−Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＯ−Ｏ−Ｃ
6 Ｈ4 ）2 〕・Ｃ（ＣＨ3 ）2 （溶解阻止剤）からな
る、240-260nmの露光装置で使用するためのレジスト組
成物が記載されている。しかしながら、上記フォトレジ
スト組成物は解像度、プロファイル及び感度等の観点か
ら未だ十分なものではない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは解像度、
プロファイル及び感度等の諸性能に優れたポジ型フォト
レジストを提供すべく、鋭意検討した結果、新規な溶解
阻止剤を含む組成物がその目的を達成することを見出し
た。
プロファイル及び感度等の諸性能に優れたポジ型フォト
レジストを提供すべく、鋭意検討した結果、新規な溶解
阻止剤を含む組成物がその目的を達成することを見出し
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化６】
【０００６】（式中、Ｒ1 〜Ｒ9 は各々独立して水素も
しくはハロゲン原子、置換されていてもよい直鎖もしく
は分岐状のアルキル又はアルケニル基、ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基或いはアセチル基を表わす。但し、Ｒ
1 〜Ｒ4 の中少なくとも１つはｔ−ブトキシカルボニル
オキシ基であり、且つＲ5 〜Ｒ9 の中少なくとも１つは
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基である。）で示される
炭酸エステル環状化合物、前記一般式（Ｉ）で示される
溶解阻止剤、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型
フォトレジスト組成物である。
しくはハロゲン原子、置換されていてもよい直鎖もしく
は分岐状のアルキル又はアルケニル基、ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基或いはアセチル基を表わす。但し、Ｒ
1 〜Ｒ4 の中少なくとも１つはｔ−ブトキシカルボニル
オキシ基であり、且つＲ5 〜Ｒ9 の中少なくとも１つは
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基である。）で示される
炭酸エステル環状化合物、前記一般式（Ｉ）で示される
溶解阻止剤、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型
フォトレジスト組成物である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。Ｒ1 〜Ｒ
9 で表わされるアルキル又はアルケニル基としては、炭
素数５以下のものが好ましく、置換基としては例えばハ
ロゲン原子、−ＯＨ基、−ＳＨ基、フェニル基又は低級
アルキルチオ基等が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ9 として好ま
しくは水素原子又はアルキル基が、より好ましくは水素
原子又はメチルもしくはエチル基が、各々挙げられる。
9 で表わされるアルキル又はアルケニル基としては、炭
素数５以下のものが好ましく、置換基としては例えばハ
ロゲン原子、−ＯＨ基、−ＳＨ基、フェニル基又は低級
アルキルチオ基等が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ9 として好ま
しくは水素原子又はアルキル基が、より好ましくは水素
原子又はメチルもしくはエチル基が、各々挙げられる。
【０００８】一般式（Ｉ）で示される炭酸エステル環状
化合物は一般式（ＩＩ）
化合物は一般式（ＩＩ）
【０００９】
【化７】
【００１０】（式中、Ｚ1 〜Ｚ9 は各々独立して水素も
しくはハロゲン原子、置換されていてもよい直鎖もしく
は分岐状のアルキル又はアルケニル基、−ＯＨ基或いは
アセチル基を表わす。但し、Ｚ1 〜Ｚ4 の中少なくとも
１つは−ＯＨ基であり、且つＺ 5 〜Ｚ9 の中少なくとも
１つは−ＯＨ基である。）で示される化合物とジ−ｔ−
ブチルジカーボネートとを、塩基性触媒の存在下に反応
させることにより製造することができる。好ましい一般
式（ＩＩ）で示される化合物としては、例えば
しくはハロゲン原子、置換されていてもよい直鎖もしく
は分岐状のアルキル又はアルケニル基、−ＯＨ基或いは
アセチル基を表わす。但し、Ｚ1 〜Ｚ4 の中少なくとも
１つは−ＯＨ基であり、且つＺ 5 〜Ｚ9 の中少なくとも
１つは−ＯＨ基である。）で示される化合物とジ−ｔ−
ブチルジカーボネートとを、塩基性触媒の存在下に反応
させることにより製造することができる。好ましい一般
式（ＩＩ）で示される化合物としては、例えば
【００１１】
【化８】
【００１２】等が挙げられ、上記式（４）で示される化
合物がより好ましい。一般式（ＩＩ）で示される化合物
は、例えばｍ−もしくはｐ−イソプロペニルフェノール
又はこれらの線状二量体を用いて、米国特許第3288864
号明細書、特開昭54−64589 号公報又は特開昭49−1013
66号公報に記載の方法により製造することができる。塩
基性触媒として好ましくは、例えば苛性ソーダもしくは
炭酸カリウム等のアルカリ性物質等が挙げられる。これ
らの塩基性触媒は粒状もしくは粉末状等の固体又は水も
しくは有機溶媒の溶液として使用できるが、好ましくは
固体で用いられ、水溶液として使用する場合、その濃度
は通常10〜50重量％（好ましくは20〜30重量％）であ
る。塩基性触媒及びジ−ｔ−ブチルジカーボネートの使
用量は一般式（ＩＩ）で示される化合物の−ＯＨ基１個
当たり、各々、通常1.1 〜2.2 倍当量（好ましくは1.2
〜1.8 倍当量）及び通常1.0 〜2.0 倍当量（好ましくは
1.0 〜1.6 倍当量）である。上記反応は通常、有機溶媒
の存在下に行われる。溶媒としては例えばエーテル（テ
トラヒドロフラン等）、ケトン（アセトン等）、ハロゲ
ン化炭化水素（クロロホルム等）もしくはエステル（酢
酸エチル等）類等が挙げられ、好ましい有機溶媒として
はエーテル類が挙げられる。有機溶媒の使用量は通常、
一般式（ＩＩ）で示される化合物の１〜10倍重量、好ま
しくは３〜６倍重量である。上記反応において、（ｎ−
Ｃ4 Ｈ9 ）4 ＮＨＳＯ4 もしくはクラウンエーテル（18
−クラウン−６等）等の相間移動触媒を用いてもよく、
その使用量は適宜設定される。反応温度は通常10〜50
℃、好ましくは15〜30℃である。反応終点の決定は、例
えばガス、液体もしくは薄層等の各クロマトグラフィー
を用いて一般式（ＩＩ）で示される化合物の消失した時
点を求めることにより行われる。
合物がより好ましい。一般式（ＩＩ）で示される化合物
は、例えばｍ−もしくはｐ−イソプロペニルフェノール
又はこれらの線状二量体を用いて、米国特許第3288864
号明細書、特開昭54−64589 号公報又は特開昭49−1013
66号公報に記載の方法により製造することができる。塩
基性触媒として好ましくは、例えば苛性ソーダもしくは
炭酸カリウム等のアルカリ性物質等が挙げられる。これ
らの塩基性触媒は粒状もしくは粉末状等の固体又は水も
しくは有機溶媒の溶液として使用できるが、好ましくは
固体で用いられ、水溶液として使用する場合、その濃度
は通常10〜50重量％（好ましくは20〜30重量％）であ
る。塩基性触媒及びジ−ｔ−ブチルジカーボネートの使
用量は一般式（ＩＩ）で示される化合物の−ＯＨ基１個
当たり、各々、通常1.1 〜2.2 倍当量（好ましくは1.2
〜1.8 倍当量）及び通常1.0 〜2.0 倍当量（好ましくは
1.0 〜1.6 倍当量）である。上記反応は通常、有機溶媒
の存在下に行われる。溶媒としては例えばエーテル（テ
トラヒドロフラン等）、ケトン（アセトン等）、ハロゲ
ン化炭化水素（クロロホルム等）もしくはエステル（酢
酸エチル等）類等が挙げられ、好ましい有機溶媒として
はエーテル類が挙げられる。有機溶媒の使用量は通常、
一般式（ＩＩ）で示される化合物の１〜10倍重量、好ま
しくは３〜６倍重量である。上記反応において、（ｎ−
Ｃ4 Ｈ9 ）4 ＮＨＳＯ4 もしくはクラウンエーテル（18
−クラウン−６等）等の相間移動触媒を用いてもよく、
その使用量は適宜設定される。反応温度は通常10〜50
℃、好ましくは15〜30℃である。反応終点の決定は、例
えばガス、液体もしくは薄層等の各クロマトグラフィー
を用いて一般式（ＩＩ）で示される化合物の消失した時
点を求めることにより行われる。
【００１３】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は一
般式（Ｉ）で示される炭酸エステル環状化合物（溶解阻
止剤）、アルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有してな
る。
般式（Ｉ）で示される炭酸エステル環状化合物（溶解阻
止剤）、アルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有してな
る。
【００１４】アルカリ可溶性樹脂としては、例えばテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶液等のアル
カリ現像液に溶解する樹脂が挙げられ、好ましくはポリ
ビニルフェノール、又は一般式（ＩＩＩ）
ラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶液等のアル
カリ現像液に溶解する樹脂が挙げられ、好ましくはポリ
ビニルフェノール、又は一般式（ＩＩＩ）
【００１５】
【化９】
【００１６】（式中、Ｙ1 〜Ｙ9 は各々独立して水素も
しくはハロゲン原子、置換されていてもよい直鎖もしく
は分岐状のアルキル又はアルケニル基、−ＯＨ基或いは
アセチル基を表わす。但し、Ｙ1 〜Ｙ9 の中少なくとも
１つは−ＯＨ基であり、且つ、該−ＯＨ基に対してｏ−
又はｐ−位に少なくとも２つの水素原子を有する。）で
示される化合物を含むフェノール類とアルデヒド類と
を、酸触媒（蓚酸等）の存在下に縮合させて得られるノ
ボラック樹脂が挙げられる。
しくはハロゲン原子、置換されていてもよい直鎖もしく
は分岐状のアルキル又はアルケニル基、−ＯＨ基或いは
アセチル基を表わす。但し、Ｙ1 〜Ｙ9 の中少なくとも
１つは−ＯＨ基であり、且つ、該−ＯＨ基に対してｏ−
又はｐ−位に少なくとも２つの水素原子を有する。）で
示される化合物を含むフェノール類とアルデヒド類と
を、酸触媒（蓚酸等）の存在下に縮合させて得られるノ
ボラック樹脂が挙げられる。
【００１７】酸発生剤としては遠紫外線等の放射線の露
光により酸を発生するものであれば特に制限されない
が、例えば特開昭62−164045号、特開昭63−153542号、
特開昭53−133428号公報、F.C.Schaefer et. al. J. Or
g. Chem., 29 1527(1964)、Bull. Chem. Soc. Japan,
42, 2924(1969)もしくは米国特許第3987037 号明細書に
記載の化合物、或いは英国特許第1388492 号明細書に記
載のハロゲン化トリアジン類、下式
光により酸を発生するものであれば特に制限されない
が、例えば特開昭62−164045号、特開昭63−153542号、
特開昭53−133428号公報、F.C.Schaefer et. al. J. Or
g. Chem., 29 1527(1964)、Bull. Chem. Soc. Japan,
42, 2924(1969)もしくは米国特許第3987037 号明細書に
記載の化合物、或いは英国特許第1388492 号明細書に記
載のハロゲン化トリアジン類、下式
【００１８】
【化１０】
【００１９】
【化１１】
【００２０】等のトリフルオロメタンスルホン酸エステ
ル類、下式
ル類、下式
【００２１】
【化１２】
【００２２】等のアリールスルホニルアセトフェノン
類、下式
類、下式
【００２３】
【化１３】
【００２４】等のジスルホン化合物もしくは下式
【００２５】
【化１４】
【００２６】等のオニウム塩類が挙げられる。
【００２７】酸発生剤としてさらに、一般式（ＩＶ）
【００２８】
【化１５】
【００２９】（式中、Ｒ10は置換されていてもよいアリ
ーレン、アルキレンもしくはアルケニレン基を表わし、
Ｒ11は置換されていてもよいアルキルもしくはアリール
基を表わす。）で示されるＮ−ヒドロキシイミド化合物
のスルホン酸エステル、又は一般式（Ｖ）
ーレン、アルキレンもしくはアルケニレン基を表わし、
Ｒ11は置換されていてもよいアルキルもしくはアリール
基を表わす。）で示されるＮ−ヒドロキシイミド化合物
のスルホン酸エステル、又は一般式（Ｖ）
【００３０】
【化１６】
【００３１】（式中、Ｒ12は置換されていてもよいアル
キルもしくはアリール基を表わし、ｎは１〜３の整数を
表わす。）で示されるエステルが挙げられる。一般式
（ＩＶ）中、Ｒ10で表わされるアリーレン基としては単
環又は２環のものが挙げられ、好ましくはフェニレンも
しくはナフチレン等が挙げられる。アリーレン基の好ま
しい置換基としてはハロゲン原子、ニトロ基もしくはア
セチルアミノ基等が挙げられる。同じくアルキレン基と
しては直鎖又は分岐状のものが挙げられる。好ましくは
炭素数１〜６のものが挙げられる。特に好ましくはエチ
レンもしくはプロピレン基等が挙げられる。アルキレン
基の好ましい置換基としてはハロゲン原子、低級アルコ
キシ基もしくは単環のアリール基等が挙げられる。同じ
くアルケニレンとしては炭素数２〜４のものが挙げら
れ、好ましくはビニリデン基等が挙げられる。アルケニ
レン基の好ましい置換基としては単環のアリール基等が
挙げられる。Ｒ11で表わされるアルキル基としては直
鎖、分岐又は環状のものが挙げられ、好ましくは直鎖状
の炭素数１〜８のものが挙げられる。アルキル基の好ま
しい置換基としてはハロゲン原子もしくは低級アルコキ
シ基等が挙げられる。同じくアリール基としては単環又
は２環のものが挙げられ、好ましくは単環のものが挙げ
られる。特に好ましくはフェニル基等が挙げられる。ア
リール基の好ましい置換基としては低級アルキル基、低
級アルコキシ基もしくはハロゲン原子等が挙げられる。
好適な一般式（ＩＶ）で示されるＮ−ヒドロキシイミド
化合物のスルホン酸エステルとしては、例えば
キルもしくはアリール基を表わし、ｎは１〜３の整数を
表わす。）で示されるエステルが挙げられる。一般式
（ＩＶ）中、Ｒ10で表わされるアリーレン基としては単
環又は２環のものが挙げられ、好ましくはフェニレンも
しくはナフチレン等が挙げられる。アリーレン基の好ま
しい置換基としてはハロゲン原子、ニトロ基もしくはア
セチルアミノ基等が挙げられる。同じくアルキレン基と
しては直鎖又は分岐状のものが挙げられる。好ましくは
炭素数１〜６のものが挙げられる。特に好ましくはエチ
レンもしくはプロピレン基等が挙げられる。アルキレン
基の好ましい置換基としてはハロゲン原子、低級アルコ
キシ基もしくは単環のアリール基等が挙げられる。同じ
くアルケニレンとしては炭素数２〜４のものが挙げら
れ、好ましくはビニリデン基等が挙げられる。アルケニ
レン基の好ましい置換基としては単環のアリール基等が
挙げられる。Ｒ11で表わされるアルキル基としては直
鎖、分岐又は環状のものが挙げられ、好ましくは直鎖状
の炭素数１〜８のものが挙げられる。アルキル基の好ま
しい置換基としてはハロゲン原子もしくは低級アルコキ
シ基等が挙げられる。同じくアリール基としては単環又
は２環のものが挙げられ、好ましくは単環のものが挙げ
られる。特に好ましくはフェニル基等が挙げられる。ア
リール基の好ましい置換基としては低級アルキル基、低
級アルコキシ基もしくはハロゲン原子等が挙げられる。
好適な一般式（ＩＶ）で示されるＮ−ヒドロキシイミド
化合物のスルホン酸エステルとしては、例えば
【００３２】
【化１７】
【００３３】
【化１８】
【００３４】が挙げられる。一般式（Ｖ）で示されるエ
ステルとしては、例えば
ステルとしては、例えば
【００３５】
【化１９】
【００３６】等が挙げられる。
【００３７】以上詳述した酸発生剤の中、一般式（Ｉ
Ｖ）で示されるＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン
酸エステル及び一般式（Ｖ）で示されるエステルが特に
好ましい。
Ｖ）で示されるＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン
酸エステル及び一般式（Ｖ）で示されるエステルが特に
好ましい。
【００３８】ポジ型フォトレジスト組成物中の組成比
は、通常、アルカリ可溶性樹脂20〜90重量％、溶解阻止
剤５〜50重量％、酸発生剤0.1 〜20重量％であり、好ま
しくは各々50〜80重量％、15〜40重量％、１〜10重量％
である。本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、必
要に応じて増感剤、染料又は接着性改良剤等の当該技術
分野において慣用されている各種添加物を加えてもよ
い。
は、通常、アルカリ可溶性樹脂20〜90重量％、溶解阻止
剤５〜50重量％、酸発生剤0.1 〜20重量％であり、好ま
しくは各々50〜80重量％、15〜40重量％、１〜10重量％
である。本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、必
要に応じて増感剤、染料又は接着性改良剤等の当該技術
分野において慣用されている各種添加物を加えてもよ
い。
【００３９】ポジ型フォトレジスト液の調製は一般的に
アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び酸発生剤等をポジ
型フォトレジスト液中、１〜50重量％になるように溶剤
と混合することにより行われる。溶剤としては、例えば
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、乳酸エチ
ル、ピルビン酸エチル、メチルイソブチルケトン、２−
ヘプタノンもしくはキシレン等が挙げられる。これらの
溶剤は単独で、或いは２種以上混合して用いられる。
アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び酸発生剤等をポジ
型フォトレジスト液中、１〜50重量％になるように溶剤
と混合することにより行われる。溶剤としては、例えば
エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、乳酸エチ
ル、ピルビン酸エチル、メチルイソブチルケトン、２−
ヘプタノンもしくはキシレン等が挙げられる。これらの
溶剤は単独で、或いは２種以上混合して用いられる。
【００４０】
【発明の効果】本発明の炭酸エステル環状化合物は化学
増幅型フォトレジスト用の溶解阻止剤として有用であ
る。又、本発明のポジ型フォトレジスト組成物は解像
度、プロファイル及び感度等の諸性能に優れている。
増幅型フォトレジスト用の溶解阻止剤として有用であ
る。又、本発明のポジ型フォトレジスト組成物は解像
度、プロファイル及び感度等の諸性能に優れている。
【００４１】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００４２】合成例１ 前記式（４）で示される化合物（ｐ−OST サイクリック
ダイマー、三井東圧製）100 ｇ（0.37mol ）、メチルイ
ソブチルケトン100 ｇ、５％蓚酸13.6ｇ（0.0074mol ）
及び酢酸30ｇ（0.37mol ）の混合物に、37％ホルマリン
30.18 ｇ（0.37mol ）を80℃・１時間かけて滴下した。
滴下終了後、95〜100 ℃で20時間反応させた。反応混合
物を60℃以下に冷却し、イオン交換水100ml を加えて攪
拌後、静置した。分液して得られた油層をイオン交換水
100ml で数回洗浄後、メチルイソブチルケトンを留去
し、得られた残分にエチルセロソルブアセテートを加え
て固形分濃度40％の樹脂溶液（樹脂Ａ）を得た。この樹
脂のポリスチレン換算重量平均分子量は3975（GPC によ
り測定）であった。
ダイマー、三井東圧製）100 ｇ（0.37mol ）、メチルイ
ソブチルケトン100 ｇ、５％蓚酸13.6ｇ（0.0074mol ）
及び酢酸30ｇ（0.37mol ）の混合物に、37％ホルマリン
30.18 ｇ（0.37mol ）を80℃・１時間かけて滴下した。
滴下終了後、95〜100 ℃で20時間反応させた。反応混合
物を60℃以下に冷却し、イオン交換水100ml を加えて攪
拌後、静置した。分液して得られた油層をイオン交換水
100ml で数回洗浄後、メチルイソブチルケトンを留去
し、得られた残分にエチルセロソルブアセテートを加え
て固形分濃度40％の樹脂溶液（樹脂Ａ）を得た。この樹
脂のポリスチレン換算重量平均分子量は3975（GPC によ
り測定）であった。
【００４３】実施例１ 前記式（４）で示される化合物（ｐ−OST サイクリック
ダイマー、三井東圧製）26.8ｇ（0.1mol）及びテトラヒ
ドロフラン107 ｇの混合物に、ジ−ｔ−ブチルジカーボ
ネート（和光純薬製）48.0ｇ（0.22mol ）、炭酸カリウ
ム36.5ｇ（0.26mol ）及びクラウンエーテル（18−クラ
ウン−６）0.1 ｇを添加した。添加後、室温で24時間反
応させた。反応混合物を濾過後、得られた濾液を濃縮
し、得られた残分に酢酸エチル300 ｇを添加した。添加
後、得られた溶液を水洗した。水洗後の溶液を濃縮して
下式（５）で示される化合物を得た。
ダイマー、三井東圧製）26.8ｇ（0.1mol）及びテトラヒ
ドロフラン107 ｇの混合物に、ジ−ｔ−ブチルジカーボ
ネート（和光純薬製）48.0ｇ（0.22mol ）、炭酸カリウ
ム36.5ｇ（0.26mol ）及びクラウンエーテル（18−クラ
ウン−６）0.1 ｇを添加した。添加後、室温で24時間反
応させた。反応混合物を濾過後、得られた濾液を濃縮
し、得られた残分に酢酸エチル300 ｇを添加した。添加
後、得られた溶液を水洗した。水洗後の溶液を濃縮して
下式（５）で示される化合物を得た。
【００４４】
【化２０】
【００４５】上記化合物の元素分析結果は次のとおりで
あった。
あった。
【００４６】
【００４７】又、上記化合物の 1H-NMR(日本電子製 GX
−270)スペクトルを図１に示す。
−270)スペクトルを図１に示す。
【００４８】実施例２ 合成例１で得た樹脂Ａ33.8部、実施例１で得た式（５）
で示される化合物３部及びピロガロールトリメシレート
1.5 部をジエチレングリコールジメチルエーテル29.7部
に溶解した。得られた溶液を孔径0.2 μｍのテフロン製
フィルターで濾過してレジスト液を調製した。これを、
常法により洗浄したシリコンウエハーにスピンコータを
用いて塗布した。次いで、このシリコンウエハーをホッ
トプレート上、100 ℃で１分プリベークし、膜厚を0.7
μｍとした。次に上記の塗膜を、パターンを有するレク
チルを通して、248nm の露光波長を有するＫr Ｆエキシ
マレーザーステッパー（ニコン社製、NSR-1755EX8NA ＝
0.45）を用いて露光した。露光後、上記ウエハーをホッ
トプレート上、80℃で90秒加熱した。この後テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38重量％水溶液
で現像してポジ型パターンを得た。形成された微細パタ
ーンを電子顕微鏡で観察したところ、85mJ／cm2 の感度
で、0.35μｍのラインアンドスペースパターンをプロフ
ァイル良く解像していた。
で示される化合物３部及びピロガロールトリメシレート
1.5 部をジエチレングリコールジメチルエーテル29.7部
に溶解した。得られた溶液を孔径0.2 μｍのテフロン製
フィルターで濾過してレジスト液を調製した。これを、
常法により洗浄したシリコンウエハーにスピンコータを
用いて塗布した。次いで、このシリコンウエハーをホッ
トプレート上、100 ℃で１分プリベークし、膜厚を0.7
μｍとした。次に上記の塗膜を、パターンを有するレク
チルを通して、248nm の露光波長を有するＫr Ｆエキシ
マレーザーステッパー（ニコン社製、NSR-1755EX8NA ＝
0.45）を用いて露光した。露光後、上記ウエハーをホッ
トプレート上、80℃で90秒加熱した。この後テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドの2.38重量％水溶液
で現像してポジ型パターンを得た。形成された微細パタ
ーンを電子顕微鏡で観察したところ、85mJ／cm2 の感度
で、0.35μｍのラインアンドスペースパターンをプロフ
ァイル良く解像していた。
【００４９】実施例３ ピロガロールトリメシレートに代えてピロガロールのエ
タンスルホン酸トリエステルを用いる以外は、実施例２
と同様にしてポジ型パターンを得た。形成された微細パ
ターンを電子顕微鏡で観察したところ、150mJ ／cm2 の
感度で、0.35μｍのラインアンドスペースパターンをプ
ロファイル良く解像していた。
タンスルホン酸トリエステルを用いる以外は、実施例２
と同様にしてポジ型パターンを得た。形成された微細パ
ターンを電子顕微鏡で観察したところ、150mJ ／cm2 の
感度で、0.35μｍのラインアンドスペースパターンをプ
ロファイル良く解像していた。
【００５０】実施例４ ピロガロールトリメシレートに代えてＮ−ヒドロキシこ
はく酸イミドベンゼンスルホン酸エステルを用いる以外
は、実施例２と同様にしてポジ型パターンを得た。形成
された微細パターンを電子顕微鏡で観察したところ、18
0mJ ／cm2 の感度で、0.50μｍのラインアンドスペース
パターンをプロファイル良く解像していた。
はく酸イミドベンゼンスルホン酸エステルを用いる以外
は、実施例２と同様にしてポジ型パターンを得た。形成
された微細パターンを電子顕微鏡で観察したところ、18
0mJ ／cm2 の感度で、0.50μｍのラインアンドスペース
パターンをプロファイル良く解像していた。
【００５１】実施例５ ピロガロールトリメシレートに代えてＮ−ヒドロキシこ
はく酸イミドイソプロピルスルホン酸エステルを用いる
以外は、実施例２と同様にしてポジ型パターンを得た。
形成された微細パターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、180mJ ／cm2の感度で、0.70μｍのラインアンドス
ペースパターンをプロファイル良く解像していた。
はく酸イミドイソプロピルスルホン酸エステルを用いる
以外は、実施例２と同様にしてポジ型パターンを得た。
形成された微細パターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、180mJ ／cm2の感度で、0.70μｍのラインアンドス
ペースパターンをプロファイル良く解像していた。
【００５２】実施例６ 合成例１で得た樹脂Ａ53.8重量部、実施例１で得た式
（５）で示される化合物５重量部及びα−フェニルスル
ホニルアセトフェノン2.0 重量部をエチルセロソルブア
セテート39.2重量部に溶解した。得られた溶液を孔径0.
2 μｍのテフロン製フィルターで濾過してレジスト液を
調製した。これを、常法により洗浄したシリコンウエハ
ーにスピンコートを用いて0.7 μｍ厚に塗布した。次い
で、このウエハーをオーブン中、100 ℃・１分プリベー
クした。次に、上記の塗膜を、パターンを有するクロム
マスクを通してキャノンプロキシミティーマスクアライ
ナーPLA-501FでCM-250ミラーを用いて遠紫外線露光を行
った。露光後、ウエハーをホットプレート上で120 ℃・
１分加熱した。これをテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキシド2.0 重量％水溶液で現像してポジ型パターン
を得た。露光量と残膜率との特性曲線から感度を求めた
ところ、40mJ／cm2 （254nm 、残膜率90％での露光量）
であった。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察した
ところ、0.8 μｍの微細パターンを解像しており、プロ
ファイルも良好であった。
（５）で示される化合物５重量部及びα−フェニルスル
ホニルアセトフェノン2.0 重量部をエチルセロソルブア
セテート39.2重量部に溶解した。得られた溶液を孔径0.
2 μｍのテフロン製フィルターで濾過してレジスト液を
調製した。これを、常法により洗浄したシリコンウエハ
ーにスピンコートを用いて0.7 μｍ厚に塗布した。次い
で、このウエハーをオーブン中、100 ℃・１分プリベー
クした。次に、上記の塗膜を、パターンを有するクロム
マスクを通してキャノンプロキシミティーマスクアライ
ナーPLA-501FでCM-250ミラーを用いて遠紫外線露光を行
った。露光後、ウエハーをホットプレート上で120 ℃・
１分加熱した。これをテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキシド2.0 重量％水溶液で現像してポジ型パターン
を得た。露光量と残膜率との特性曲線から感度を求めた
ところ、40mJ／cm2 （254nm 、残膜率90％での露光量）
であった。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察した
ところ、0.8 μｍの微細パターンを解像しており、プロ
ファイルも良好であった。
【００５３】実施例７ α−フェニルスルホニルアセトフェノンに代えてジフェ
ニルジスルホン5.0 重量部を用いる以外は実施例６と同
様に行った。12mJ／cm2 （254nm ）の感度が得られた。
又、0.8 μｍの微細パターンを解像しており、プロファ
イルも良好であった。
ニルジスルホン5.0 重量部を用いる以外は実施例６と同
様に行った。12mJ／cm2 （254nm ）の感度が得られた。
又、0.8 μｍの微細パターンを解像しており、プロファ
イルも良好であった。
【００５４】実施例８ 樹脂Ａに代えてポリビニルフェノール（マルカリンカー
Ｍ、丸善石油製）21.52 重量部を用い、且つ式（５）で
示される化合物６重量部を用いる以外は実施例６と同様
に行った。実施例６と同様な微細パターンが得られた。
又、感度及びプロファイルも良好であった。
Ｍ、丸善石油製）21.52 重量部を用い、且つ式（５）で
示される化合物６重量部を用いる以外は実施例６と同様
に行った。実施例６と同様な微細パターンが得られた。
又、感度及びプロファイルも良好であった。
【００５５】実施例９ α−フェニルスルホニルアセトフェノンに代えて下式
（６）
（６）
【００５６】
【化２１】
【００５７】で示されるオニウム塩2.5 重量部を用いる
以外は実施例６と同様に行った。実施例６と同様な微細
パターンが得られた。又、感度及びプロファイルも良好
であった。
以外は実施例６と同様に行った。実施例６と同様な微細
パターンが得られた。又、感度及びプロファイルも良好
であった。
【００５８】比較例１ 樹脂Ａに代えてポリビニルフェノール（マルカリンカー
Ｍ、丸善石油製）21.52 重量部を用い、且つ、式（５）
で示される化合物及びα−フェニルスルホニルアセトフ
ェノンに代えて、各々、下式（７）
Ｍ、丸善石油製）21.52 重量部を用い、且つ、式（５）
で示される化合物及びα−フェニルスルホニルアセトフ
ェノンに代えて、各々、下式（７）
【００５９】
【化２２】
【００６０】で示される化合物５重量部及び下式（８）
【００６１】
【化２３】
【００６２】で示されるオニウム塩1.2 重量部を用いる
以外は、実施例６と同様に行った。感度は85mJ／cm
2 （254nm ）であり、0.8 μｍのパターンは形成されな
かった。
以外は、実施例６と同様に行った。感度は85mJ／cm
2 （254nm ）であり、0.8 μｍのパターンは形成されな
かった。
【００６３】比較例２ ポリビニルフェノール（マルカリンカーＭ、丸善石油
製）に代えて、該樹脂のフェノール性−ＯＨ基の数の１
／４を−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−Ｃ（ＣＨ3 ）3 基にしたものを
用いる以外は比較例１と同様に行った。0.8 μｍのパタ
ーンは解像されたが、現像残さ（スカム）が有った。
製）に代えて、該樹脂のフェノール性−ＯＨ基の数の１
／４を−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−Ｃ（ＣＨ3 ）3 基にしたものを
用いる以外は比較例１と同様に行った。0.8 μｍのパタ
ーンは解像されたが、現像残さ（スカム）が有った。
【図１】実施例１で得られた式（５）で示される化合物
の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 楠本 武宏 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番98 号 住友化学工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ9 は各々独立して水素もしくはハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル又はアルケニル基、ｔ−ブトキシカルボニルオキ
シ基或いはアセチル基を表わす。但し、Ｒ1 〜Ｒ4 の中
少なくとも１つはｔ−ブトキシカルボニルオキシ基であ
り、且つＲ5 〜Ｒ9 の中少なくとも１つはｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ基である。）で示される炭酸エステル
環状化合物。 - 【請求項２】前記一般式（Ｉ）で示される溶解阻止剤。
- 【請求項３】一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｚ1 〜Ｚ9 は各々独立して水素もしくはハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル又はアルケニル基、−ＯＨ基或いはアセチル基を
表わす。但し、Ｚ1 〜Ｚ4 の中少なくとも１つは−ＯＨ
基であり、且つＺ 5 〜Ｚ9 の中少なくとも１つは−ＯＨ
基である。）で示される化合物とジ−ｔ−ブチルジカー
ボネートとを、塩基性触媒の存在下に反応させることを
特徴とする請求項１に記載の炭酸エステル環状化合物の
製造方法。 - 【請求項４】請求項１に記載の炭酸エステル環状化合
物、アルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有してなるポ
ジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項５】アルカリ可溶性樹脂がポリビニルフェノー
ル、又は、一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｙ1 〜Ｙ9 は各々独立して水素もしくはハロゲ
ン原子、置換されていてもよい直鎖もしくは分岐状のア
ルキル又はアルケニル基、−ＯＨ基或いはアセチル基を
表わす。但し、Ｙ1 〜Ｙ9 の中少なくとも１つは−ＯＨ
基であり、且つ、該−ＯＨ基に対してｏ−又はｐ−位に
少なくとも２つの水素原子を有する。）で示される化合
物を含むフェノール類とアルデヒド類とを縮合させて得
られるノボラック樹脂である請求項４に記載のポジ型フ
ォトレジスト組成物。 - 【請求項６】酸発生剤が一般式（ＩＶ） 【化４】 （式中、Ｒ10は置換されていてもよいアリーレン、アル
キレンもしくはアルケニレン基を表わし、Ｒ11は置換さ
れていてもよいアルキルもしくはアリール基を表わ
す。）で示されるＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホ
ン酸エステルである請求項４又は５に記載のポジ型フォ
トレジスト組成物。 - 【請求項７】酸発生剤が一般式（Ｖ） 【化５】 （式中、Ｒ12は置換されていてもよいアルキルもしくは
アリール基を表わし、ｎは１〜３の整数を表わす。）で
示されるエステルである請求項４又は５に記載のポジ型
フォトレジスト組成物。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5005792A JPH0692909A (ja) | 1992-04-10 | 1993-01-18 | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 |
| CA002092783A CA2092783A1 (en) | 1992-04-10 | 1993-03-26 | Cyclic carbonate compounds, method for producing the same and positive photoresist composition using the same |
| KR1019930005314A KR930021602A (ko) | 1992-04-10 | 1993-03-31 | 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물 |
| MX9302019A MX9302019A (es) | 1992-04-10 | 1993-04-07 | Compuestos de carbonato ciclicos, proceso para su produccion y composicion de capa fotosensible que comprende tales compuestos. |
| EP93105822A EP0569707B1 (en) | 1992-04-10 | 1993-04-08 | Cyclic carbonate compounds, method for producing the same and positive photoresist composition using the same |
| DE69303973T DE69303973T2 (de) | 1992-04-10 | 1993-04-08 | Cyklische Carbonatverbindung, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltende positive-arbeitende Photoresistzusammensetzung |
| TW082102615A TW268107B (ja) | 1992-04-10 | 1993-04-08 | |
| US08/044,482 US5397679A (en) | 1992-04-10 | 1993-04-09 | Cyclic carbonate compounds, method for producing the same and positive photoresist composition using the same |
| US08/223,115 US5420331A (en) | 1992-04-10 | 1994-04-05 | Cyclic carbonate compounds, method for producing the same and positive photoresist composition using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077092 | 1992-04-10 | ||
| JP4-90770 | 1992-04-10 | ||
| JP5005792A JPH0692909A (ja) | 1992-04-10 | 1993-01-18 | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692909A true JPH0692909A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=26339792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5005792A Pending JPH0692909A (ja) | 1992-04-10 | 1993-01-18 | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5397679A (ja) |
| EP (1) | EP0569707B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0692909A (ja) |
| KR (1) | KR930021602A (ja) |
| CA (1) | CA2092783A1 (ja) |
| DE (1) | DE69303973T2 (ja) |
| MX (1) | MX9302019A (ja) |
| TW (1) | TW268107B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244378A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| EP0779552A2 (en) | 1995-12-15 | 1997-06-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
| US5846688A (en) * | 1995-05-12 | 1998-12-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0537524A1 (en) | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
| KR100302651B1 (ko) * | 1992-10-21 | 2001-11-22 | 무네유키 가코우 | 양성감광성조성물 |
| US5876895A (en) * | 1992-12-24 | 1999-03-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photosensitive resin composition for color filter |
| JPH06214395A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| KR960015081A (ko) * | 1993-07-15 | 1996-05-22 | 마쯔모또 에이이찌 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| US5824451A (en) * | 1994-07-04 | 1998-10-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
| JP3382081B2 (ja) * | 1995-06-01 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | レジストおよびこれを用いたパターン形成方法 |
| JPH0962005A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型感光性組成物 |
| US6200725B1 (en) | 1995-06-28 | 2001-03-13 | Fujitsu Limited | Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns |
| US5821345A (en) * | 1996-03-12 | 1998-10-13 | Shipley Company, L.L.C. | Thermodynamically stable photoactive compound |
| JP3376222B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2003-02-10 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
| JP3353292B2 (ja) * | 1999-03-29 | 2002-12-03 | 日本電気株式会社 | 化学増幅系レジスト |
| US8158329B2 (en) * | 2008-12-11 | 2012-04-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound and chemically amplified resist composition containing the same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0388343B1 (en) * | 1989-03-14 | 1996-07-17 | International Business Machines Corporation | Chemically amplified photoresist |
| JP2715327B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1998-02-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| JPH04230754A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-08-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト用組成物 |
| US5130225A (en) * | 1990-05-24 | 1992-07-14 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Positive resist composition comprising a cyclic dimer of isopropenyl phenol, also known as a 1,1,3 trimethyl-3-hydroxyphenyl indane |
| JP2961947B2 (ja) * | 1990-06-05 | 1999-10-12 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH0534914A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP2655384B2 (ja) * | 1991-11-08 | 1997-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| US5242734A (en) * | 1991-11-19 | 1993-09-07 | Rubin Richard J | Information-conveying protective strip assembly |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5005792A patent/JPH0692909A/ja active Pending
- 1993-03-26 CA CA002092783A patent/CA2092783A1/en not_active Abandoned
- 1993-03-31 KR KR1019930005314A patent/KR930021602A/ko not_active Abandoned
- 1993-04-07 MX MX9302019A patent/MX9302019A/es not_active IP Right Cessation
- 1993-04-08 DE DE69303973T patent/DE69303973T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-08 TW TW082102615A patent/TW268107B/zh active
- 1993-04-08 EP EP93105822A patent/EP0569707B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-09 US US08/044,482 patent/US5397679A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-05 US US08/223,115 patent/US5420331A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244378A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| US5846688A (en) * | 1995-05-12 | 1998-12-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
| EP0779552A2 (en) | 1995-12-15 | 1997-06-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5420331A (en) | 1995-05-30 |
| US5397679A (en) | 1995-03-14 |
| EP0569707B1 (en) | 1996-08-14 |
| DE69303973T2 (de) | 1997-03-27 |
| MX9302019A (es) | 1994-06-30 |
| EP0569707A3 (ja) | 1994-01-05 |
| EP0569707A2 (en) | 1993-11-18 |
| TW268107B (ja) | 1996-01-11 |
| DE69303973D1 (de) | 1996-09-19 |
| KR930021602A (ko) | 1993-11-22 |
| CA2092783A1 (en) | 1993-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5585218A (en) | Photoresist composition containing alkyletherified polyvinylphenol | |
| KR100275019B1 (ko) | 단파장 광선용 네거티브형 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성법 | |
| EP0881539B1 (en) | Photoresist composition | |
| JPH0692909A (ja) | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 | |
| EP0541112A1 (en) | Positive type light-senstitive composition | |
| KR100239185B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
| JP3290234B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| KR19980078080A (ko) | 포지티브형 광감성 조성물 | |
| EP0881540B1 (en) | Photoresist composition | |
| KR100190809B1 (ko) | 비중합성화합물,이를함유하는조성물그리고포지티브및네가티브상의형성방법 | |
| JPH06266109A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| EP0589451B1 (en) | Photoresist Compositiom | |
| JP2875239B2 (ja) | アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物 | |
| Liu et al. | Single-component chemically amplified i-line molecular glass photoresist based on calix [4] resorcinarenes | |
| JP3279059B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| KR19980018953A (ko) | 너 거티브형 레지스트 조성물 (negative resist composition) | |
| EP0564997B1 (en) | Positive photoresist composition | |
| JPH0934112A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP2607870B2 (ja) | 画像形成方法 | |
| TWI862734B (zh) | 無光酸產生劑(pag)之正型化學增幅光阻組合物及其使用方法 | |
| JPH05194365A (ja) | 酸開裂性感放射線化合物、これらを含有する感放射線混合物、およびこの混合物を使用して製造された感放射線記録材料 | |
| JP2655369B2 (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH06266107A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JPH09211865A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| EP0886182A1 (en) | Positive photoresist composition |