JPS61240237A - 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物 - Google Patents
遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61240237A JPS61240237A JP61085220A JP8522086A JPS61240237A JP S61240237 A JPS61240237 A JP S61240237A JP 61085220 A JP61085220 A JP 61085220A JP 8522086 A JP8522086 A JP 8522086A JP S61240237 A JPS61240237 A JP S61240237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- formula
- solubilizer
- hydrogen
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 59
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 title 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 68
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical group COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- MYEPYYIILKNOGS-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-ethoxycarbonyl-3-oxo-4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-4h-naphthalen-1-olate Chemical group C1CCCC2C([O-])=C([N+]#N)C(=O)C(C(=O)OCC)C21 MYEPYYIILKNOGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 3
- GHCHCJJMJCKBPD-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-6-ethoxycarbonyl-5,5-dimethyl-3-oxocyclohexen-1-olate Chemical group CCOC(=O)C1C([O-])=C([N+]#N)C(=O)CC1(C)C GHCHCJJMJCKBPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 claims 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 3
- NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N tosyl azide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)[N-][N+]#N)C=C1 NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APDHCQLDDVMXRK-NKWVEPMBSA-N (4as,8ar)-2-diazonio-3-oxo-4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-4h-naphthalen-1-olate Chemical compound C1CCC[C@H]2C([O-])=C([N+]#N)C(=O)C[C@@H]21 APDHCQLDDVMXRK-NKWVEPMBSA-N 0.000 description 1
- SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethoxyethane Chemical compound COC(C)OC SPEUIVXLLWOEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHMIKDWRCOBYRY-UHFFFAOYSA-N 4a,5,6,7,8,8a-hexahydro-4h-naphthalene-1,3-dione Chemical group C1CCCC2C(=O)CC(=O)CC21 QHMIKDWRCOBYRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019502 Orange oil Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004904 UV filter Substances 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000003818 flash chromatography Methods 0.000 description 1
- VOOLKNUJNPZAHE-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;2-methylphenol Chemical compound O=C.CC1=CC=CC=C1O VOOLKNUJNPZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010502 orange oil Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 1
- HSVFKFNNMLUVEY-UHFFFAOYSA-N sulfuryl diazide Chemical compound [N-]=[N+]=NS(=O)(=O)N=[N+]=[N-] HSVFKFNNMLUVEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N trans-decahydronaphthalene Natural products C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/492—Photosoluble emulsions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
- G03F7/0163—Non ionic diazonium compounds, e.g. diazosulphonates; Precursors thereof, e.g. triazenes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/52—Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の属する技術分野]
本発明は樹脂と感光性可溶化剤とを含有する遠に関する
。
。
[先行技術及び問題点]
投射焼付は又は平版印刷の分野での進歩した技術水準の
ため、2ミクロンより小さい画像平面図形と非常に高度
なデバイス集積密度を提供できるようにすることが強く
望まれるものとなった。これを最も有利に得るためには
、約300 nmより低い遠紫外(UV)領域の焼付は
画像形成波長を使用することが非常に望ましいものとな
った。従って遠uv領域の画像形成波長によって使用す
るのに適した遠uvレジスト組成物を利用できるのが望
ましい。
ため、2ミクロンより小さい画像平面図形と非常に高度
なデバイス集積密度を提供できるようにすることが強く
望まれるものとなった。これを最も有利に得るためには
、約300 nmより低い遠紫外(UV)領域の焼付は
画像形成波長を使用することが非常に望ましいものとな
った。従って遠uv領域の画像形成波長によって使用す
るのに適した遠uvレジスト組成物を利用できるのが望
ましい。
1982年1月13日交付されインターナショナル・ビ
ジネス・マシンズ・コーポレーションに譲渡されたアー
ル・バラムソン(R,Balamson)らの合衆国特
許第4.339.522号は最近、メルドラムの酸ジア
ゾ又はその同族体で感受性化したフェノール−アルデヒ
ド樹脂を含むこのような遠uvレジスト組成物を明らか
にした。
ジネス・マシンズ・コーポレーションに譲渡されたアー
ル・バラムソン(R,Balamson)らの合衆国特
許第4.339.522号は最近、メルドラムの酸ジア
ゾ又はその同族体で感受性化したフェノール−アルデヒ
ド樹脂を含むこのような遠uvレジスト組成物を明らか
にした。
他のこのような遠uvレジスト、及び特に改良された解
像特性を提供する遠uvレジストが必要とされている。
像特性を提供する遠uvレジストが必要とされている。
0.75ミクロン以下の線の良好な解像を提供する遠υ
Vレジスト組成物類は、特に有用であろう。
Vレジスト組成物類は、特に有用であろう。
[問題点を解決する手段]
約240−300 nn+の遠Uv範囲で感光し塩基可
溶性であるような陽画の遠uvフォトレジストは、塩基
可溶性重合体と、次式の化合物類からなる群から選ばれ
る感光性可溶化剤とを含むレジスト類によって提供され
る。
溶性であるような陽画の遠uvフォトレジストは、塩基
可溶性重合体と、次式の化合物類からなる群から選ばれ
る感光性可溶化剤とを含むレジスト類によって提供され
る。
B Rg
式中R4は水素又は−〇(0)R5であり、ここでR5
は1ないし約20個の炭素原子のアルコキシ基である。
は1ないし約20個の炭素原子のアルコキシ基である。
RG、、R7、R8及びR$は各々同じもの又は異なる
ものであって、R4が一〇(0)R5の時には水素と1
ないし約6個の炭素原子のアルキルである。
ものであって、R4が一〇(0)R5の時には水素と1
ないし約6個の炭素原子のアルキルである。
R4が水素又は−〇(0)R5の時には、a) R6
又はR7のいずれか一方とR8とR9の・いずれか一方
は水素であり、水素でない方のR6又はR7の他方とR
8又はR9の他方は、−緒に1ないし約6周の炭素原子
のアルキレン基を形成するか。
又はR7のいずれか一方とR8とR9の・いずれか一方
は水素であり、水素でない方のR6又はR7の他方とR
8又はR9の他方は、−緒に1ないし約6周の炭素原子
のアルキレン基を形成するか。
b)又は、R6とR7の組又はR8とR9の組のいずれ
か一方が4ないし8個の炭素原子のシクロアルキル基で
゛ありて、シクロアルキルでない方のR6とR7,又は
RP、とR9の他方の組は各々水素である。
か一方が4ないし8個の炭素原子のシクロアルキル基で
゛ありて、シクロアルキルでない方のR6とR7,又は
RP、とR9の他方の組は各々水素である。
上の式Iで、 R5がアルコキシ基の時には、アルコキ
シ基は1ないし約20個の炭素原子、好ましくは1″q
いし約6個の炭素原子をもち、最も好ましくはエトキシ
である。
シ基は1ないし約20個の炭素原子、好ましくは1″q
いし約6個の炭素原子をもち、最も好ましくはエトキシ
である。
式Iの可溶化剤は次の式の化合物類を包含している。
式中R4,R5,R6、R7、R8及びR9は式Iにつ
いて定義されたとおりであり、nは1−6の数1mは4
−8の数である。
いて定義されたとおりであり、nは1−6の数1mは4
−8の数である。
本発明の可溶化剤として好ましいのは1式■化合物類(
R5はエトキシ基、 R6とR7は各々水素、及びR8
とR9は各々メチル基):式■化合物類(R4は水素又
はカルベトキシ基で、nは4に等しい):及び式■とV
の化合物類(R4は水素又はカルベトキシ基で、mは5
に等しい)である。
R5はエトキシ基、 R6とR7は各々水素、及びR8
とR9は各々メチル基):式■化合物類(R4は水素又
はカルベトキシ基で、nは4に等しい):及び式■とV
の化合物類(R4は水素又はカルベトキシ基で、mは5
に等しい)である。
このような可溶化剤の例として1例えば以下のものを挙
げることができる。
げることができる。
トランス−2−ジアゾデカリン−1,3−ジオン、エチ
ル3−ジアゾ−2,4−ジオキソデカリンカルボキシレ
ート、 エチル5−ジアゾ−2,2−ジメチル−4,6−ジオキ
ソシクロへ主サンカルボキシレート、及び2−ジアゾ−
5,5−ペンタメチレンシクロヘキサン−1,3−ジオ
ン。
ル3−ジアゾ−2,4−ジオキソデカリンカルボキシレ
ート、 エチル5−ジアゾ−2,2−ジメチル−4,6−ジオキ
ソシクロへ主サンカルボキシレート、及び2−ジアゾ−
5,5−ペンタメチレンシクロヘキサン−1,3−ジオ
ン。
本発明に従って可溶化剤として有用な化合物類は、既知
のものか、又は容易につくることができる。例えば、式
T(R4は水素又は−〇(0)R5で、R5はアルボキ
シ基)のβ−ジアゾ−α、γ−ジケトン化合物類は、乾
燥トリエチルアミンのような触媒と、エタノール、ベン
ゼン又はアセトニトリル等のような任意適当な溶媒の存
在下、p−トルエンスルホニルアジド(TSA)やナフ
チレンスルホニルアジド(NSA)のような任意適当な
スルホニルアジドを入手の容易なα、γ−ジケトンと反
応させることによってつくられる。一般には、約3時間
ないし約5時間かけて反応させてから、沈澱するスルホ
ンアミドを除くために反応混合物をろ過し。
のものか、又は容易につくることができる。例えば、式
T(R4は水素又は−〇(0)R5で、R5はアルボキ
シ基)のβ−ジアゾ−α、γ−ジケトン化合物類は、乾
燥トリエチルアミンのような触媒と、エタノール、ベン
ゼン又はアセトニトリル等のような任意適当な溶媒の存
在下、p−トルエンスルホニルアジド(TSA)やナフ
チレンスルホニルアジド(NSA)のような任意適当な
スルホニルアジドを入手の容易なα、γ−ジケトンと反
応させることによってつくられる。一般には、約3時間
ないし約5時間かけて反応させてから、沈澱するスルホ
ンアミドを除くために反応混合物をろ過し。
製する。生成物が固体ならば再結晶により、また生成物
が油ならばシリカゲル上のフラッシュ・クロマトグラフ
ィのようなりロマトグラフィにより残留物を精製する。
が油ならばシリカゲル上のフラッシュ・クロマトグラフ
ィのようなりロマトグラフィにより残留物を精製する。
以下の調製例は本発明に従って可溶化剤として使用され
る式I化合物類の調製について例示したものである。
る式I化合物類の調製について例示したものである。
調製例1 トランス−2−ジアゾデカリン−1,3−ジ
オン 乾燥エタノール31中のデカリン−1,3−ジオン、0
6 (](6,38ミリモル)の溶液を水浴中で冷却し
トリエチルアミン0.89. n+I(6,4ミリモル
)に続いてp−トルエンスルホニルアジド、128 o
(6,50ミリモル)で処理した。混合物を水浴中で4
時間かきまぜてから、真空中(40℃未満)で濃縮した
。残留物をエーテル451に溶解し、エーテルを水30
m、中のKOI O,42fJの溶液で洗い、乾燥(N
a2SO4)し、ろ過してオレンジ色の油、220に濃
縮した。
オン 乾燥エタノール31中のデカリン−1,3−ジオン、0
6 (](6,38ミリモル)の溶液を水浴中で冷却し
トリエチルアミン0.89. n+I(6,4ミリモル
)に続いてp−トルエンスルホニルアジド、128 o
(6,50ミリモル)で処理した。混合物を水浴中で4
時間かきまぜてから、真空中(40℃未満)で濃縮した
。残留物をエーテル451に溶解し、エーテルを水30
m、中のKOI O,42fJの溶液で洗い、乾燥(N
a2SO4)し、ろ過してオレンジ色の油、220に濃
縮した。
これを40ミクロンのシリカゲル上のクロマトグラフィ
にかけると、トランス−2−ジアゾデカリン−1,3−
ジオン0.4511を生じた。融点81−3℃。
にかけると、トランス−2−ジアゾデカリン−1,3−
ジオン0.4511を生じた。融点81−3℃。
調製例2 エチル3−ジアゾ−2,4−ジオキンデカリ
ンカルボキシレート 調製例1に記述した方法で本化合物をつくったが、但し
出発の古疵襲としてデカリン−1,3−ジオンの代わり
に工、チル2,4−ジオキソデカリンカルボキシレート
を使用した。反応生成物のクロマトグラフィは望んでい
る生成物を薄黄色の油として生じた。
ンカルボキシレート 調製例1に記述した方法で本化合物をつくったが、但し
出発の古疵襲としてデカリン−1,3−ジオンの代わり
に工、チル2,4−ジオキソデカリンカルボキシレート
を使用した。反応生成物のクロマトグラフィは望んでい
る生成物を薄黄色の油として生じた。
元素分析 C1コ川GN204
測定値:C,58,75,H,5,915: N、 1
0.40゜計算値:C,59,08,H,6,10,N
、 10.60゜調製例3 エチル5−ジアゾ−2,2
−ジメチル−4,6−シオキソシクロヘキサンカルポキ
シレ ード 調製例1に記述した方法で本化合物をつくったが、但し
出発反応体としてデカリン−1,3−ジオングラフィは
、望んでいる生成物を薄黄色の油として生じた。
0.40゜計算値:C,59,08,H,6,10,N
、 10.60゜調製例3 エチル5−ジアゾ−2,2
−ジメチル−4,6−シオキソシクロヘキサンカルポキ
シレ ード 調製例1に記述した方法で本化合物をつくったが、但し
出発反応体としてデカリン−1,3−ジオングラフィは
、望んでいる生成物を薄黄色の油として生じた。
元素分析 CIl HI38204
測定値:C,55,32: H,5,84,N、 12
.12゜計算値:C,55,46,H2S、92: N
、 1、76゜調製例42−ジアゾー5.5−ペンタメ
チレンシクロヘキサン−1,3−ジオン エム争しギッツ(H,Regitz)及びディー・シュ
タラトラ−(D、 5tacller)、 Ann、
Chem、678巻214頁(1965年)に記述され
たとおりに本化合物をつくった。得られた本生成物は8
8.5−89.5℃の融点を有していた。
.12゜計算値:C,55,46,H2S、92: N
、 1、76゜調製例42−ジアゾー5.5−ペンタメ
チレンシクロヘキサン−1,3−ジオン エム争しギッツ(H,Regitz)及びディー・シュ
タラトラ−(D、 5tacller)、 Ann、
Chem、678巻214頁(1965年)に記述され
たとおりに本化合物をつくった。得られた本生成物は8
8.5−89.5℃の融点を有していた。
本発明の可溶化剤を塩基に可溶な重合体に加えて、生ず
るフォトレジスト組成物を基材上にフィルムとして流延
すると、可溶化剤は遠uv光に露光されないフィルム部
分に比べ、遠uv光に露光された部分では現像液中で重
合体フィルムの溶解度を高める。遠uv光に露光された
フィルム部分で、木発明の可溶化剤は露光されたパター
ン部分で現像液に対する重合体フィルムの溶解度を高め
る。
るフォトレジスト組成物を基材上にフィルムとして流延
すると、可溶化剤は遠uv光に露光されないフィルム部
分に比べ、遠uv光に露光された部分では現像液中で重
合体フィルムの溶解度を高める。遠uv光に露光された
フィルム部分で、木発明の可溶化剤は露光されたパター
ン部分で現像液に対する重合体フィルムの溶解度を高め
る。
市販のフェノール−ホルムアルデヒド樹脂、クレゾール
−ホルムアルデヒド樹脂、ポリ(ビニルフェノール)、
ポリ(メチルメタクリレート−メタクリル酸)樹脂等の
任意適当な塩基可溶性フォトレジスト重合体を、本発明
のフォトレジスト組成物に使用できる。メタクリル酸含
有量的20ないし30z、好ましくは約25重量X1分
子量(ゲル浸透クロマトグラフィ)約20,000ない
し120,0()C1好ましくは約go、 ooo、及
び狭い多分散度をもつポリ(メチルメタクリレート−メ
タクリル酸)が特に好ましい樹脂である。このような樹
脂は次の方法に従ってつくられる樹脂である。適当量の
メチルメタクリレート及びメタクリル酸(2@量体計1
、5モル)の溶液4.9リツトルを80+2℃で窒素下
にかきまぜながら、、2−ジメトキシエタン21001
中の適当量の2.2−シア・ゾビス(2−メチルプロピ
オニトリル)(分子量80.000の重合体で3.sr
J又は分子量20,000の重合体で16.50>の溶
液を30分間隔で300 mlずつ添加する。添加完了
後1反応混合物を更に16時間、80+2℃でかきまぜ
てから乾固まで蒸発させる。残留物をジクロ0メタン1
5・Lで24時間洗い、次に洗浄液を傾斜させて捨てる
。
−ホルムアルデヒド樹脂、ポリ(ビニルフェノール)、
ポリ(メチルメタクリレート−メタクリル酸)樹脂等の
任意適当な塩基可溶性フォトレジスト重合体を、本発明
のフォトレジスト組成物に使用できる。メタクリル酸含
有量的20ないし30z、好ましくは約25重量X1分
子量(ゲル浸透クロマトグラフィ)約20,000ない
し120,0()C1好ましくは約go、 ooo、及
び狭い多分散度をもつポリ(メチルメタクリレート−メ
タクリル酸)が特に好ましい樹脂である。このような樹
脂は次の方法に従ってつくられる樹脂である。適当量の
メチルメタクリレート及びメタクリル酸(2@量体計1
、5モル)の溶液4.9リツトルを80+2℃で窒素下
にかきまぜながら、、2−ジメトキシエタン21001
中の適当量の2.2−シア・ゾビス(2−メチルプロピ
オニトリル)(分子量80.000の重合体で3.sr
J又は分子量20,000の重合体で16.50>の溶
液を30分間隔で300 mlずつ添加する。添加完了
後1反応混合物を更に16時間、80+2℃でかきまぜ
てから乾固まで蒸発させる。残留物をジクロ0メタン1
5・Lで24時間洗い、次に洗浄液を傾斜させて捨てる
。
不溶性重合体をメタノール15リツトルに溶解し。
溶液をろ過する。ろ液を乾固まで蒸発させると重合体生
成物を生ずる。本発明のフォトレジストは約50ないし
85重量%の塩基可溶性重合体と約15ないし約50重
量Xの木発明の可溶化剤、好ましくは約70%の塩基可
溶性重合体と約30%の可溶化剤を含む。レジストは、
普通の溶媒中に重合体と可溶化剤を溶解し、フィルムを
適当な基材上に流延することによって容易に形成される
。任意適当なフィルム形成溶媒を使用できるが、一般に
は例えばジグライム、メチルイソブチルケトン、2−エ
トキシエタノール、2−メトキシエチルアセテート、γ
−ブチロラクトン等のような約120ないし210℃の
沸点をもつフィルム形成溶媒を使用できる。レジスト形
成組成物は概して約50ないし、約95重量%の溶媒と
約5ないし約50重量%の固体(すなわち塩基可溶性重
合体と可溶化剤を合わせたもの)を含む。溶媒が約80
ないし85重量%を占め、固体が約15ないし20重量
%を占めるのが好ましい。使用固体量は、レジスト形成
組成物の望んでいる粘度に依存しており、厚さ約1ミク
ロンのレジストの流延を可能とするような量である。
成物を生ずる。本発明のフォトレジストは約50ないし
85重量%の塩基可溶性重合体と約15ないし約50重
量Xの木発明の可溶化剤、好ましくは約70%の塩基可
溶性重合体と約30%の可溶化剤を含む。レジストは、
普通の溶媒中に重合体と可溶化剤を溶解し、フィルムを
適当な基材上に流延することによって容易に形成される
。任意適当なフィルム形成溶媒を使用できるが、一般に
は例えばジグライム、メチルイソブチルケトン、2−エ
トキシエタノール、2−メトキシエチルアセテート、γ
−ブチロラクトン等のような約120ないし210℃の
沸点をもつフィルム形成溶媒を使用できる。レジスト形
成組成物は概して約50ないし、約95重量%の溶媒と
約5ないし約50重量%の固体(すなわち塩基可溶性重
合体と可溶化剤を合わせたもの)を含む。溶媒が約80
ないし85重量%を占め、固体が約15ないし20重量
%を占めるのが好ましい。使用固体量は、レジスト形成
組成物の望んでいる粘度に依存しており、厚さ約1ミク
ロンのレジストの流延を可能とするような量である。
本発明の特に好ましいレジスト組成物は、約86重量%
の2−メトキシエチルアセテート溶媒と約14重量%の
固体を含み、この固体は(a)約go、oooの分子量
のポリ(メチルメタクリレート−メタクリル酸)(メチ
ルメタクリレートとメタクリル酸との比は75/25
)と、(b)エチル3−ジアゾ−2,4−ジオキソデカ
リンカルボキシレート(重合体とジオン可溶化剤との重
量比は70/30)との混合物である。
の2−メトキシエチルアセテート溶媒と約14重量%の
固体を含み、この固体は(a)約go、oooの分子量
のポリ(メチルメタクリレート−メタクリル酸)(メチ
ルメタクリレートとメタクリル酸との比は75/25
)と、(b)エチル3−ジアゾ−2,4−ジオキソデカ
リンカルボキシレート(重合体とジオン可溶化剤との重
量比は70/30)との混合物である。
本発明の可溶化剤は、このような用途にこれまで提案さ
れた化合物類に比べ、改良された熱安定性とより低い揮
発性をもっている。フィルム形成重合体及び適当なフィ
ルム形成溶媒と共に流延可能なレジスト組成物中に取り
入れられ、基材上に7オトレジストを硬化させるための
プレベーキングにかける時、これらの可溶化剤の低揮発
性のたゞ めに可溶化剤のロスが少なくて硬化
フォトレジス1〜が得られ、その結果、露光フォトレジ
ストと未露光フォトレジストと、の間の溶解度の差が改
良される。
れた化合物類に比べ、改良された熱安定性とより低い揮
発性をもっている。フィルム形成重合体及び適当なフィ
ルム形成溶媒と共に流延可能なレジスト組成物中に取り
入れられ、基材上に7オトレジストを硬化させるための
プレベーキングにかける時、これらの可溶化剤の低揮発
性のたゞ めに可溶化剤のロスが少なくて硬化
フォトレジス1〜が得られ、その結果、露光フォトレジ
ストと未露光フォトレジストと、の間の溶解度の差が改
良される。
以上のバラグラフに述べた平版印刷用レジスト組成物を
つくり、適当なウェハー基材上にフィルムとして流延し
、溶媒のほとんどを追出すために約56ないし約126
℃、好ましくは約56ないし約85℃の温度で約30分
ないし約45分のプレベーキングにかけ、次に下の手順
に述べるように遠uvレジストとしての有用性について
試験した。
つくり、適当なウェハー基材上にフィルムとして流延し
、溶媒のほとんどを追出すために約56ないし約126
℃、好ましくは約56ないし約85℃の温度で約30分
ないし約45分のプレベーキングにかけ、次に下の手順
に述べるように遠uvレジストとしての有用性について
試験した。
高圧水銀キセノン灯と240−300 nmを透過する
遠UV7 イルター ヲ使用し、厚す150なイL/
1050 rillのレジストフィルムをもつ3インチ
、のウェハーを70 am x 150 ms+の穴か
ら種々の時間に露光した。
遠UV7 イルター ヲ使用し、厚す150なイL/
1050 rillのレジストフィルムをもつ3インチ
、のウェハーを70 am x 150 ms+の穴か
ら種々の時間に露光した。
アルカリ現像液1例えばアンモニア水溶液、トリエタノ
ールアミン水溶液、酢酸アンモニウム水溶液、トリス(
ヒドロキシメチル)アミノメタン水溶液等で約5−12
00秒間現像後、レジストに画像が形成された。少なく
ともt5G mJ/dの放射に露光された部分ではレジ
ストの完全な除去が生じた。
ールアミン水溶液、酢酸アンモニウム水溶液、トリス(
ヒドロキシメチル)アミノメタン水溶液等で約5−12
00秒間現像後、レジストに画像が形成された。少なく
ともt5G mJ/dの放射に露光された部分ではレジ
ストの完全な除去が生じた。
こうして調製・試験されたレジスト組成物は、実施例の
以下の表に記載されたとおりである。
以下の表に記載されたとおりである。
実施例1−4
実施例 可溶他剤調製 可溶化 重合体”監蔓−Pi
411JR物f)Ha If(7)I f)11
11@ !all
1 0.39g 0.910 2−エト*シ
エ9/−JLt &、6112 2
5.51a 12.890 2−メトキシエチルアセ
112 mlテート 3 3 t、ooa 2.33a
2−エトキシエタノール 22 II実施例1 調製側化合物1からの処方剤をシリコンウェハー上に展
開し、熱対流炉で65℃、30分焼くと、厚さ774
nmのレジストフィルムを生じた。このフィルムの75
X 150 、+111の面を、240−300 nm
を透過させろ遠uvフィルターに通してろ過した高圧水
銀キセノン灯からの光に露出した。0.4% トリエタ
ノールアミン水溶液で30秒間現像することにより、露
光レジストの完全な除去が達成された。露光されない部
分は652 nmレジスト層を保持していた(現像後の
厚さ[TAD]=84%)。
411JR物f)Ha If(7)I f)11
11@ !all
1 0.39g 0.910 2−エト*シ
エ9/−JLt &、6112 2
5.51a 12.890 2−メトキシエチルアセ
112 mlテート 3 3 t、ooa 2.33a
2−エトキシエタノール 22 II実施例1 調製側化合物1からの処方剤をシリコンウェハー上に展
開し、熱対流炉で65℃、30分焼くと、厚さ774
nmのレジストフィルムを生じた。このフィルムの75
X 150 、+111の面を、240−300 nm
を透過させろ遠uvフィルターに通してろ過した高圧水
銀キセノン灯からの光に露出した。0.4% トリエタ
ノールアミン水溶液で30秒間現像することにより、露
光レジストの完全な除去が達成された。露光されない部
分は652 nmレジスト層を保持していた(現像後の
厚さ[TAD]=84%)。
実施例2
手順は実施例1と同様であったが、調製側化合物2から
の処方剤を使用した。ベーキングは83℃で30分であ
り、厚さ1039 n11’のフィルムを得た。
の処方剤を使用した。ベーキングは83℃で30分であ
り、厚さ1039 n11’のフィルムを得た。
80秒の現像で露光部分のレジストが除去された。
未露光部分は895 nmのレジスト層を保持していた
( TAD=86%)。
( TAD=86%)。
実施例3
手順は実施6例1と同様であったが、調製側化合物3か
らの処方剤を使用した。ベーキングは78℃で30分で
あり、厚さ723 nmのフィルムを生じた。
らの処方剤を使用した。ベーキングは78℃で30分で
あり、厚さ723 nmのフィルムを生じた。
150秒の現像で露光部分のレジストが除去された。
未露光部分は416 nmのレジスト層を保持していた
( TAD=58電、)。
( TAD=58電、)。
実施例4
手順は実施例1と同様であったが、調製側化合物4から
の処方剤を使用した。ベーキングは79℃で30分であ
り、厚さ800 nmのフィルムを生じた。
の処方剤を使用した。ベーキングは79℃で30分であ
り、厚さ800 nmのフィルムを生じた。
1%トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン水溶液中
で10秒現像すると、露光部分のレジストが除去された
。未露光部分は474 nn+のレジスト層を保持しテ
ィた( TAD=591)。
で10秒現像すると、露光部分のレジストが除去された
。未露光部分は474 nn+のレジスト層を保持しテ
ィた( TAD=591)。
実施例5
レジストで被覆されたウェハーを露光するために、uv
■モードでパーキン◆エルマー争コーポレーションのマ
イクラライン(Hicralign) 500投射アラ
イナ−を使用して、同様な実験を行なった。
■モードでパーキン◆エルマー争コーポレーションのマ
イクラライン(Hicralign) 500投射アラ
イナ−を使用して、同様な実験を行なった。
約1000 nniの厚さに実施例2のレジスト組成物
で被覆し、70℃で30分プレベーキングした5インチ
・ウェハーを使用した。露光したウェハーを0.4xト
リエタノールアミン水溶液で120秒間現像した。
で被覆し、70℃で30分プレベーキングした5インチ
・ウェハーを使用した。露光したウェハーを0.4xト
リエタノールアミン水溶液で120秒間現像した。
走査電子顕微鏡での観察は、0.75マイクロメートル
の線と空間がこのやり方で印刷できることを示した。
の線と空間がこのやり方で印刷できることを示した。
出願人ニジエイ ティー ベーカー
ケミカル カンパニー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、塩基可溶性フィルム形成重合体と、これに混合され
る式 ▲数式、化学式、表等があります▼式 I [式中R_4は水素と−C(O)R_5からなる群から
選ばれ(ここでR_5は1ないし約20個の炭素原子を
もつアルコキシ基である)、R_6、R_7、R_8及
びR_9は各々同じもの又は異なるものであって、R_
4が−C(O)R_5の時には水素と1ないし約6個の
炭素原子のアルキルからなる群から選ばれるか、或いは
R_4が水素又は−C(O)R_5の時には、 a)R_6又はR_7のいずれか一方とR_8とR_9
のいずれか一方は水素であり、水素でない方のR_6又
はR_7の他方とR_8又はR_9の他方は、一緒に1
ないし約6個の炭素原子のアルキレン基を形成し、又は
b)R_6とR_7の組又はR_8とR_9の組のいず
れか一方が4ないし8個の炭素原子のシクロアルキル基
であって、シクロアルキルでない方のR_6とR_7、
又はR_8とR_9の他方の組は各々水素である]の感
光性可溶化剤化合物とを含み、遠UV放射への露光時に
露光された組成物がアルカリ性現像液にいっそう可溶性
となる、300nm未満の遠UV光によって使用する平
版印刷用レジスト組成物。 2、塩基可溶性フィルム形成重合体がフェノール−ホル
ムアルデヒド、クレゾール−ホルムアルデヒド、ポリ(
ビニルフェノール)及びポリ(メチルメタクリレート−
メタクリル酸)樹脂類からなる群から選ばれる樹脂であ
る、特許請求の範囲第1項の組成物。 3、可溶化剤が重合体と可溶化剤を合わせた重量に基づ
いて、約15ないし約50重量%の量で存在する、特許
請求の範囲第1項の組成物。 4、可溶化剤が、重合体と可溶化剤を合わせた重量に基
づいて、約15ないし約50重量%の量で存在する、特
許請求の範囲第2項の組成物。 5、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R_5、R_6、R_7、R_8及びR_9は特
許請求の範囲第1項で定義されたとおり]の化合物であ
る、特許請求の範囲第1項の組成物。 6、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中nは1−6の数であり、R_4は特許請求の範囲
第1項で定義されたとおり]の化合物である、特許請求
の範囲第1項の組成物。 7、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中mは4−8の数であり、R_4は特許請求の範囲
第1項で定義されたとおり]の化合物である、特許請求
の範囲第1項の組成物。 8、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中mは4−8の数であり、R_4は特許請求の範囲
第1項で定義されたとおり]の化合物である、特許請求
の範囲第1項の組成物。 9、可溶化剤がトランス−2−ジアゾデカリン−1,3
−ジオンである、特許請求の範囲第6項の組成物。 10、可溶化剤がエチル3−ジアゾ−2,4−ジオキソ
デカリンカルボキシレートである、特許請求の範囲第6
項の組成物。 11、可溶化剤がエチル5−ジアゾ−2,2−ジメチル
−4,6−ジオキソシクロヘキサンカルボキシレートで
ある、特許請求の範囲第5項の組成物。 12、可溶化剤が2−ジアゾ−5,5−ペンタメチレン
シクロヘキサン−1,3−ジオンである、特許請求の範
囲第8項の組成物。 13、可溶化剤がエチル3−ジアゾ−2,4−ジオキソ
デカリンカルボキシレートである、特許請求の範囲第4
項の組成物。 14、可溶化剤がエチル5−ジアゾ−2,2−ジメチル
−4,6−ジオキソシクロヘキサンカルボキシレートで
ある、特許請求の範囲第4項の組成物。 15、重合体がポリ(メチルメタクリレート−メタクリ
ル酸)である、特許請求の範囲第10項の組成物。 16、可溶化剤が重合体と可溶化剤を合わせた重量に基
づいて約15ないし約50重量%の量で存在しポリ(メ
チルメタクリレート−メタクリル酸)が約80,000
の分子量をもち、メタクリレートとメタクリル酸との比
が75/25である、特許請求の範囲第15項の組成物
。 17、可溶化剤が約30重量%の量で存在する、特許請
求の範囲第16項の組成物。 18、塩基可溶性フィルム形成重合体と、これに混合さ
れる式 ▲数式、化学式、表等があります▼式 I [式中R_4は水素と−C(O)R_5からなる群から
選ばれ(ここでR_5は 1ないし約20個の炭素原子
をもつアルコキシ基である)、R_6、R_7、R_8
及びR_9は各々同じもの又は異なるものであって、R
_4が−C(O)R_5の時には水素と1ないし約6個
の炭素原子のアルキルからなる群から選ばれるか、或い
はR_4が水素又は−C(O)R_5の時には、 a)R_6又はR_7のいずれか一方とR_8とR_9
のいずれか一方は水素であり、水素でない方のR_6又
はR_7の他方とR_8又はR_9の他方は、一緒に1
ないし約6個の炭素原子のアルキレン基を形成し、又は
b)R_6とR_7の組又はR_8とR_9の組のいず
れか一方が4ないし8個の炭素原子のシクロアルキル基
であって、シクロアルキルでない方のR_6とR_7、
又はR_8とR_9の他方の組は各々水素である]の感
光性可溶化剤化合物とを含み、遠UV放射への露光時に
露光された組成物がアルカリ性現像液にいっそう可溶性
となるような、300nm未満の遠UV光によって使用
する平版 印刷用レジスト組成物を、約120ないし210℃の沸
点のフィルム形成溶媒中に含んでいる流延可能なレジス
ト組成物。 19、溶媒が流延可能な組成物の約50ないし約95重
量%を占めている、特許請求の範囲第18項の流延可能
なレジスト組成物。 20、溶媒がジグライム、メチルイソブチルケトン、2
−エトキシエタノール、2−メトキシエチルアセテート
及びγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれる特許請
求の範囲第19項の流延可能なレジスト組成物。 21、可溶化剤がエチル3−ジアゾ−2,4−ジオキソ
デカリンカルボキシレートである、特許請求の範囲第2
0項の流延可能なレジスト組成物。 22、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R_4、R_6、R_7、R_8及びR_9は特
許請求の範囲第18項で定義されたとおり]の化合物で
ある場合の平版印刷用レジスト組成 物を、約120ないし210℃の沸点のフィルム形成溶
媒中に含み、この溶媒が流延可能な組成物の約50ない
し約95重量%を占めており、ジグライム、メチルイソ
ブチルケトン、2−エトキシエタノール、2−メトキシ
エチルアセテート及びγ−ブチロラクトンからなる群か
ら選ばれる場合の特許請求の範囲第18項に記載の流延
可能なレジスト組成物。 23、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中nは1−6の数であり、R_4は特許請求の範囲
第18項で定義されたとおり]の化合物である、特許請
求の範囲第22項の流延可能なレジスト組成物24、可
溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中mは4−8の数であり、R_4は特許請求の範囲
第18項で定義されたとおり]の化合物である、特許請
求の範囲第22項の流延可能なレジスト組成物。 25、可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中mは4−8の数であり、R_4は特許請求の範囲
第18項で定義されたとおり]の化合物である、特許請
求の範囲第22項の流延可能なレジスト組成物26、基
材上に流延されたフィルムを約300nm未満の遠UV
光に画像形成的に露光してからフィルムの露光部分を塩
基性溶液で溶解することを含む平版印刷用レジストの画
像形成法であって、基材上に流延されるフィルムが、流
延可能なレジスト組成物から流延されるフィルムを包含
し、この流延可能なレジスト組成物が塩基可溶性のフィ
ルム形成重合体と、これに混合される式 ▲数式、化学式、表等があります▼式 I [式中R_4は水素と−C(O)R_5からなる群から
選ばれ(ここでR_5は1ないし約20個の炭素原子を
もつアルコキシ基である)、R_6、R_7、R_8及
びR_9は各々同じもの又は異なるものであって、R_
4が−C(O)R_5の時には水素と1ないし約6個の
炭素原子のアルキルからなる群から選ばれるか、或いは
R_4が水素又は−C(O)R_5の時には、 a)R_6又はR_7のいずれか一方とR_8とR_9
のいずれか一方は水素であり、水素でない方のR_6又
はR_7の他方とR_8又はR_9の他方は、一緒に1
ないし約6個の炭素原子のアルキレン基を形成し、又は
b)R_6とR_7の組又はR_8とR_9の組のいず
れか一方が4ないし8個の炭素原子のシクロアルキル基
であって、シクロアルキルでない方のR_6とR_7、
又はR_8とR_9の他方の組は各々水素である]の感
光性可溶化剤化合物とを含み、遠UV放射への露光時に
露光された組成物がアルカリ性現像液にいっそう可溶性
となるような、300nm未満の遠UV光によって使用
する平版印刷用レジスト組成物を、約120ないし21
0℃の沸点のフィルム形成溶媒中に含むものである、平
版印刷用レジストの画像形成法。 27、溶媒が流延可能な組成物の約50ないし約95重
量%を占めている、特許請求の範囲第26項の平版印刷
用レジストの画像形成法。 28、溶媒がジグライム、メチルイソブチルケトン、2
−エトキシエタノール、2−メトキシエチルアセテート
及びγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれる、特許
請求の範囲第26項の平版印刷用レジストの画像形成法
。 29、可溶化剤がエチル3−ジアゾ−2,4−ジオキソ
デカリンカルボキシレートである、特許請求の範囲第2
6項の平版印刷用レジストの画像形成法。 30、溶媒が流延可能な組成物の約50ないし約95重
量%を占めており、ジグライム、メチルイソブチルケト
ン、2−エトキシエタノール、2−メトキシエチルアセ
テート及びγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれ、
また可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔式中R_5〜R_
9は 特許請求の範囲第 26項で定義の通り〕の、特許請求の範囲第26項の平
版印刷用レジストの画像形成法。 31、溶媒が流延可能な組成物の約50ないし約95重
量%を占めており、ジグライム、メチルイソブチルケト
ン、2−エトキシエタノール、2−メトキシエチルアセ
テート及びγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれ、
また可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中nは1−6の数であり、R_4は特許請求の範囲
第26項で定義されたとおり]の化合物である、特許請
求の範囲第26項の平版印刷用レジストの画像形成法。 32、溶媒が流延可能な組成物の約50ないし約95重
量%を占めており、ジグライム、メチルイソブチルケト
ン、2−エトキシエタノール、2−メトキシエチルアセ
テート及びγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれ、
また可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中mは4−8の数であり、R_4は特許請求の範囲
第1項で定義されたとおり]の化合物である、特許請求
の範囲第26項の平版印刷用レジストの画像形成法。 33、溶媒が流延可能な組成物の約50ないし約95重
量%を占めており、ジグライム、メチルイソブチルケト
ン、2−エトキシエタノール、2−メトキシエチルアセ
テート及びγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれ、
また可溶化剤が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中mは4−8の数であり、R_4は特許請求の範囲
第1項で定義されたとおり]の化合物である、特許請求
の範囲第26項の平版印刷用レジストの画像形成法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/723,273 US4624908A (en) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using |
| US723273 | 2000-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240237A true JPS61240237A (ja) | 1986-10-25 |
| JPH036495B2 JPH036495B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=24905568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61085220A Granted JPS61240237A (ja) | 1985-04-15 | 1986-04-15 | 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4624908A (ja) |
| EP (1) | EP0198674A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61240237A (ja) |
| KR (1) | KR900000863B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03213864A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-09-19 | Hoechst Celanese Corp | 多環式シクロペンタン‐2‐ジアゾ‐1,3‐ジオンを含有する深紫外フォトレジスト組成物 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4808512A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | J. T. Baker Inc. | Process of deep ultra-violet imaging lithographic resist compositions |
| US4752551A (en) * | 1986-10-02 | 1988-06-21 | J. T. Baker Inc. | Photosensitive solubilization inhibition agents, and deep ultra-violet lithographic resist compositions |
| DE3751642T2 (de) * | 1986-10-17 | 1996-09-05 | Amdahl Corp | Verwaltung von getrennten Befehls- und Operanden-Cachespeichern |
| US5158855A (en) * | 1987-09-24 | 1992-10-27 | Hitachi, Ltd. | α-diazoacetoacetates and photosensitive resin compositions containing the same |
| EP0319325A3 (en) * | 1987-12-04 | 1990-12-27 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Photosensitive material and process for forming pattern using the same |
| US5169741A (en) * | 1988-10-11 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming high sensitivity positive patterns employing a material containing a photosensitive compound having a diazo group, an alkaline-soluble polymer, a compound capable of adjusting the pH to 4 or less and a solvent |
| US4959293A (en) * | 1988-10-28 | 1990-09-25 | J. T. Baker, Inc. | Deep UV photoresist with alkyl 2-diazo-1-ones as solubility modification agents |
| DE3837513A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-10 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3837438A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-10 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3900735A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-26 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
| US5182185A (en) * | 1989-06-29 | 1993-01-26 | Hoechst Celanese Corporation | Deep u.v. photoresist compositions containing 4-tert-butylstyrene/maleimide copolymer and polycyclic cyclopentane-2-diazo-1,3-dione and elements utilizing the compositions |
| EP0410256A1 (de) * | 1989-07-26 | 1991-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Lichtempfindliches Gemisch |
| DE4014649A1 (de) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle verbindungen mit (alpha)-diazo-ss-ketoester- und sulfonsaeureester-einheiten, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
| DE4014648A1 (de) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindiches gemisch und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer die belichtung mit duv-strahlung |
| GB9407511D0 (en) * | 1994-04-15 | 1994-06-08 | Smithkline Beecham Corp | Compounds |
| US5876897A (en) * | 1997-03-07 | 1999-03-02 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive photoresists containing novel photoactive compounds |
| US7022452B2 (en) * | 2002-09-04 | 2006-04-04 | Agilent Technologies, Inc. | Contrast enhanced photolithography |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL247406A (ja) * | 1959-01-17 | |||
| US4207107A (en) * | 1978-08-23 | 1980-06-10 | Rca Corporation | Novel ortho-quinone diazide photoresist sensitizers |
| US4339522A (en) * | 1979-06-18 | 1982-07-13 | International Business Machines Corporation | Ultra-violet lithographic resist composition and process |
| US4284706A (en) * | 1979-12-03 | 1981-08-18 | International Business Machines Corporation | Lithographic resist composition for a lift-off process |
| US4522911A (en) * | 1983-06-28 | 1985-06-11 | International Business Machines Corporation | Deep ultra-violet lithographic resists with diazohomotetramic acid compounds |
-
1985
- 1985-04-15 US US06/723,273 patent/US4624908A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-03-31 KR KR1019860002420A patent/KR900000863B1/ko not_active Expired
- 1986-04-10 EP EP86302677A patent/EP0198674A3/en not_active Ceased
- 1986-04-15 JP JP61085220A patent/JPS61240237A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03213864A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-09-19 | Hoechst Celanese Corp | 多環式シクロペンタン‐2‐ジアゾ‐1,3‐ジオンを含有する深紫外フォトレジスト組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4624908A (en) | 1986-11-25 |
| EP0198674A2 (en) | 1986-10-22 |
| JPH036495B2 (ja) | 1991-01-30 |
| EP0198674A3 (en) | 1987-09-02 |
| KR900000863B1 (ko) | 1990-02-17 |
| KR860008476A (ko) | 1986-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4883740A (en) | Radiation-sensitive mixture for photosensitive coating materials | |
| JP2582578B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS61240237A (ja) | 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物 | |
| CN102225924B (zh) | 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂 | |
| US5585220A (en) | Resist composition with radiation sensitive acid generator | |
| EP1113334A1 (en) | Sulfonium salt compound, resist composition comprising the same and pattern forming method using the composition | |
| US6235448B1 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same | |
| JPH07333834A (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料 | |
| JP3290234B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| EP1516230B1 (en) | Photosensitive compositions | |
| EP0698230A1 (en) | Chemically amplified photoresist | |
| WO1994010608A9 (en) | Chemically amplified photoresist | |
| US4622283A (en) | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using | |
| US5298364A (en) | Radiation-sensitive sulfonic acid esters and their use | |
| JPH0692909A (ja) | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 | |
| US4626491A (en) | Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using | |
| JPH04217250A (ja) | ノボラックフォトレジストとカルボジイミドを用いた二色調像 | |
| US5273856A (en) | Positive working photoresist composition containing mid or near UV radiation sensitive quinone diazide and sulfonic acid ester of imide or oxime which does not absorb mid or near UV radiation | |
| US4959293A (en) | Deep UV photoresist with alkyl 2-diazo-1-ones as solubility modification agents | |
| KR100520180B1 (ko) | 포토레지스트의 노광후 지연 안정성을 확보하기 위한 첨가제 | |
| US4808512A (en) | Process of deep ultra-violet imaging lithographic resist compositions | |
| US4752551A (en) | Photosensitive solubilization inhibition agents, and deep ultra-violet lithographic resist compositions | |
| JPH0684343B2 (ja) | 第二ジアミンのビス―1,2―ナフトキノン―2―ジアジド―スルホン酸アミド及びこれを含有する複写材料用放射線感性混合物 | |
| KR0183950B1 (ko) | 화학증폭형 레지스트 조성물 | |
| JPH04314055A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 |