JPH036532A - 表示電極基板の製造方法 - Google Patents
表示電極基板の製造方法Info
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- JPH036532A JPH036532A JP1141505A JP14150589A JPH036532A JP H036532 A JPH036532 A JP H036532A JP 1141505 A JP1141505 A JP 1141505A JP 14150589 A JP14150589 A JP 14150589A JP H036532 A JPH036532 A JP H036532A
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- color filter
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アクティブマトリクス型カラー表示装置に用
いられる表示電極基板の製造方法に関する。
いられる表示電極基板の製造方法に関する。
従来の技術
ガラスなどの絶縁基板上に、薄膜トランジスタ（Ｔｂ１
ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ：以下ＴＰＴと
略称する）をマトリクス状に配列して形成した表示ＺＭ
基板を用いるアクティブマトリクス型の液晶表示装置の
渇き、液晶の応答速度が速く、また表示電極基板として
使用される絶縁基板の面積に制約がなく反射型、透過型
のいずれにも適用できるなどの利点を有するため、大容
量の表示装置として有望視されている。
ｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ：以下ＴＰＴと
略称する）をマトリクス状に配列して形成した表示ＺＭ
基板を用いるアクティブマトリクス型の液晶表示装置の
渇き、液晶の応答速度が速く、また表示電極基板として
使用される絶縁基板の面積に制約がなく反射型、透過型
のいずれにも適用できるなどの利点を有するため、大容
量の表示装置として有望視されている。
第４図は、そのようなアクティブマトリクス型のカラー
液晶表示装置の従来の構成を概略的に示す断面口である
。第４図において、透明絶縁基板１上には各絵素に対応
する複数の透明絵素電極２と、各透明絵素電極２に１対
１に対応付けて接続された複数のＴＦＴ３とがマトリク
ス状に配列して形成され、さらにその上全面に配向膜４
が形成されて表示電極基板５が構成されている。
液晶表示装置の従来の構成を概略的に示す断面口である
。第４図において、透明絶縁基板１上には各絵素に対応
する複数の透明絵素電極２と、各透明絵素電極２に１対
１に対応付けて接続された複数のＴＦＴ３とがマトリク
ス状に配列して形成され、さらにその上全面に配向膜４
が形成されて表示電極基板５が構成されている。
一方、上記透明絶縁基板１に対して対向配置されるもう
１つの透明絶縁基板６の相手方透明絶縁基板１と対向す
る表面側には、各透明絵素電極２と対向する位置にそれ
ぞれカラーフィルタ７が形成され、その上全面に透明対
向電極８が形成され、さらにその上全面に配向Ｍ９が形
成されて対向基板１０が構成されている。これら２つの
基板５゜１０間には液晶層１１が介在させてあり、その
液晶層１１はシール部材１２によって封止されている。
１つの透明絶縁基板６の相手方透明絶縁基板１と対向す
る表面側には、各透明絵素電極２と対向する位置にそれ
ぞれカラーフィルタ７が形成され、その上全面に透明対
向電極８が形成され、さらにその上全面に配向Ｍ９が形
成されて対向基板１０が構成されている。これら２つの
基板５゜１０間には液晶層１１が介在させてあり、その
液晶層１１はシール部材１２によって封止されている。
また、表示電極基板５の配向膜４形成表面とは反対側の
表面には偏光板１３が配置される一方、対向基板１０の
配向膜９形成表面とは反対側の表面にも偏光板１４が配
置されている。
表面には偏光板１３が配置される一方、対向基板１０の
配向膜９形成表面とは反対側の表面にも偏光板１４が配
置されている。
さらに、表面電極基板５の偏光板１３配置側には別にバ
ックライト光源１５が配置されている。
ックライト光源１５が配置されている。
上記カラー液晶表示装置において、ＴＦＴ３を介して各
透明絵素電極２に選択的に電圧を印加すると、透明絵素
電８ｉ！２と透明対向電極８とで挟まれた液晶層１１の
各部が選択的にオン・オフ駆動されて光学的特性が変わ
る。光透過可能な状態に変化した液晶層１１の各部では
バックライト光源１５から照射されるバックライトが透
過し、その液晶層１１の各部に対応するカラーフィルタ
フの色調に応じた色表示が行われている。
透明絵素電極２に選択的に電圧を印加すると、透明絵素
電８ｉ！２と透明対向電極８とで挟まれた液晶層１１の
各部が選択的にオン・オフ駆動されて光学的特性が変わ
る。光透過可能な状態に変化した液晶層１１の各部では
バックライト光源１５から照射されるバックライトが透
過し、その液晶層１１の各部に対応するカラーフィルタ
フの色調に応じた色表示が行われている。
上記カラー液晶表示装置の場き、液晶層１１を透過した
バックライトの一部が対向基板１０１１１において、隣
り会うカラーフィルタ７間の間隙部から透過してしまう
と、絵素部分に相当するカラーフィルタ７だけでなく、
その周辺部も発光してしまうことになってコント・ラス
ト比が低下する。そこで、このような事官を回避するた
めに、対向基板１０側では、第５図に拡大した平面図で
示すように各カラーフィルタ７ （Ｒ，Ｇ、Ｂは各カラ
ーフィルタフの色を示す）間の間隙部にＣｒなとの金属
１膜からなる遮光ＷＸ１６が形成され、これによって間
隙部でのバックライトの透過防止がはかられいる。
バックライトの一部が対向基板１０１１１において、隣
り会うカラーフィルタ７間の間隙部から透過してしまう
と、絵素部分に相当するカラーフィルタ７だけでなく、
その周辺部も発光してしまうことになってコント・ラス
ト比が低下する。そこで、このような事官を回避するた
めに、対向基板１０側では、第５図に拡大した平面図で
示すように各カラーフィルタ７ （Ｒ，Ｇ、Ｂは各カラ
ーフィルタフの色を示す）間の間隙部にＣｒなとの金属
１膜からなる遮光ＷＸ１６が形成され、これによって間
隙部でのバックライトの透過防止がはかられいる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記カラー液晶表示装置のように、対向
基板１０側多二おいて、カラーフィルタ７間の間隙部に
遮光膜１６を形成するのでは、以下に述べるように絵素
面積が減少して光透過率つまり輝度が低下するという問
題点を有する。
基板１０側多二おいて、カラーフィルタ７間の間隙部に
遮光膜１６を形成するのでは、以下に述べるように絵素
面積が減少して光透過率つまり輝度が低下するという問
題点を有する。
すなわち、透明絵素電極２およびＴＦＴ３が形成された
表示電極基板５とカラーフィルタ７が形成された対向基
板１０とを対向配置して貼り合わせる場合、通常両方の
基板５，１０の位置合わせ精度は約１０μｍ程度であり
、したがって遮光膜１６の線幅（隣り合うカラーフィル
タ７間を覆う部分の幅）は表示電極基板５側の隣り合う
透明絵素電極２間の間隙よりも上記位置合わせ精度分だ
け幅広く形成する必要がある。その結果、絵素面積がそ
れだけ減少し光透過率が低下してしまうのである。
表示電極基板５とカラーフィルタ７が形成された対向基
板１０とを対向配置して貼り合わせる場合、通常両方の
基板５，１０の位置合わせ精度は約１０μｍ程度であり
、したがって遮光膜１６の線幅（隣り合うカラーフィル
タ７間を覆う部分の幅）は表示電極基板５側の隣り合う
透明絵素電極２間の間隙よりも上記位置合わせ精度分だ
け幅広く形成する必要がある。その結果、絵素面積がそ
れだけ減少し光透過率が低下してしまうのである。
したがって、本発明の目的は、各絵素の光透過率が高く
、かつ良好な表示コントラストを得ることのできる表示
電極基板の製造方法を提供することである。
、かつ良好な表示コントラストを得ることのできる表示
電極基板の製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段
本発明は、アクティブマトリクス望カラー表示装置の各
絵素に対応する絵素電極およびカラーフィルタと、各絵
素電極に接続されたスイッチング素子とを絶縁基板上に
マトリクス状に配列した表示電極基板の製造方法におい
て、 絶縁基板上にスイッチング素子と絵素電極とを形成した
あと、電着法を用いて絵素電極上にカラーフィルタを析
出・形成し、さらに前記カラーフィルタの形成領域を避
けた絶縁基板上の残りの全領域に導電膜を析出・形成し
、この導電膜上に電着法を用いて遮光膜を形成すること
を特徴とする表示電極基板の製造方法である。
絵素に対応する絵素電極およびカラーフィルタと、各絵
素電極に接続されたスイッチング素子とを絶縁基板上に
マトリクス状に配列した表示電極基板の製造方法におい
て、 絶縁基板上にスイッチング素子と絵素電極とを形成した
あと、電着法を用いて絵素電極上にカラーフィルタを析
出・形成し、さらに前記カラーフィルタの形成領域を避
けた絶縁基板上の残りの全領域に導電膜を析出・形成し
、この導電膜上に電着法を用いて遮光膜を形成すること
を特徴とする表示電極基板の製造方法である。
作 用
本発明に従えば、絶縁基板上にスイッチング素子および
絵素電極が形成されたあと、電着法によって絵素電極上
にカラーフィルタが析出・形成される０次に、この絶縁
基板上のカラーフィルタ形成領域を避けた全領域に導ｔ
ａが形成され、この導電膜上に電着法によって遮光膜が
析出・形成される。絵素電極を電着用電極としてその上
にカラーフィルタが形成されるため、絵素電（至）とカ
ラーフィルタの位置きわせおよび絵素電極と遮光膜の位
置きわせの精度が向上し、カラーフィルタの領域にはみ
出させる遮光膜の割合つまりカラーフィルタと遮光膜と
の位置きわせのマージンをそれだけ小さく抑えることが
でき、したがって光透過率が大きくなる。また、カラー
フィルタ周辺部での光透過も十分遮られるので表示コン
トラストも向上する。
絵素電極が形成されたあと、電着法によって絵素電極上
にカラーフィルタが析出・形成される０次に、この絶縁
基板上のカラーフィルタ形成領域を避けた全領域に導ｔ
ａが形成され、この導電膜上に電着法によって遮光膜が
析出・形成される。絵素電極を電着用電極としてその上
にカラーフィルタが形成されるため、絵素電（至）とカ
ラーフィルタの位置きわせおよび絵素電極と遮光膜の位
置きわせの精度が向上し、カラーフィルタの領域にはみ
出させる遮光膜の割合つまりカラーフィルタと遮光膜と
の位置きわせのマージンをそれだけ小さく抑えることが
でき、したがって光透過率が大きくなる。また、カラー
フィルタ周辺部での光透過も十分遮られるので表示コン
トラストも向上する。
実施例
第１０は本発明の一実施例である表示電極基板の製造方
法を適用して得られるアクティブマトリクス型のカラー
液晶表示装置を部分的に拡大して示す断面図である。
法を適用して得られるアクティブマトリクス型のカラー
液晶表示装置を部分的に拡大して示す断面図である。
第１図において、表示電極基板１７を構成するガラス基
板１８上には、まず複数のＴＦＴ１９およびこのＴＦＴ
１９に１対１に対応付けて接続されたＩＴＯ（インジウ
ノ、朽酸化物）Ｍからなる複数の絵素電Ｆｆ１２０がマ
トリクス状に配列して形成される。すなわち、ガラス基
板１８上にＴＰＴ １つのゲート電極２１（走査線とな
るゲートパスラインも含めて）がまず形成され、さらに
その上にゲート絶縁膜２２が形成される。またゲー■・
絶縁膜２２上にはノンドープａ Ｓｉ２３、リンドー
プａ−３ｉ２４などの半導体層が形成され、さらにその
上にソース電極２５（データ線となるソースパスライン
ら含めて）とドレイ＞電Ｍ２６とが；π択的に形成され
、これによってＴＦＴ１９が構成される。ついで上記絵
素電＆２０が、その一部をドレイン’１１ＨＩ２６上に
重ねて形成される。
板１８上には、まず複数のＴＦＴ１９およびこのＴＦＴ
１９に１対１に対応付けて接続されたＩＴＯ（インジウ
ノ、朽酸化物）Ｍからなる複数の絵素電Ｆｆ１２０がマ
トリクス状に配列して形成される。すなわち、ガラス基
板１８上にＴＰＴ １つのゲート電極２１（走査線とな
るゲートパスラインも含めて）がまず形成され、さらに
その上にゲート絶縁膜２２が形成される。またゲー■・
絶縁膜２２上にはノンドープａ Ｓｉ２３、リンドー
プａ−３ｉ２４などの半導体層が形成され、さらにその
上にソース電極２５（データ線となるソースパスライン
ら含めて）とドレイ＞電Ｍ２６とが；π択的に形成され
、これによってＴＦＴ１９が構成される。ついで上記絵
素電＆２０が、その一部をドレイン’１１ＨＩ２６上に
重ねて形成される。
次に、上記ドレイン；堅２６の図示しないスルホール部
を７オトレジス１−によって被覆した半製品グ）表示電
極基板１７は、第２（２１に示す電着槽２７に満たされ
た電着液２８に浸漬され、電着法によるカラーフィルタ
２つの形成が行われる。すなわち、Ｔｈ電着液２８中は
別に対向電極３０が浸漬され、この対向電極３０と上記
表示’ｘｉ基板１７のＴＦＴ１９のソース電極２５との
間に直流電源３１を接続することによって、ソース電極
２５に正電圧くたとえば３０Ｖ）が印加される一方、Ｔ
ＦＴ１９めゲート絶縁膜２１には別の直流電源３２を接
続することによって、ＴＰＴ１９をオン状態にする正電
圧（たとえば２０■）がゲート電極２１に印加される。
を７オトレジス１−によって被覆した半製品グ）表示電
極基板１７は、第２（２１に示す電着槽２７に満たされ
た電着液２８に浸漬され、電着法によるカラーフィルタ
２つの形成が行われる。すなわち、Ｔｈ電着液２８中は
別に対向電極３０が浸漬され、この対向電極３０と上記
表示’ｘｉ基板１７のＴＦＴ１９のソース電極２５との
間に直流電源３１を接続することによって、ソース電極
２５に正電圧くたとえば３０Ｖ）が印加される一方、Ｔ
ＦＴ１９めゲート絶縁膜２１には別の直流電源３２を接
続することによって、ＴＰＴ１９をオン状態にする正電
圧（たとえば２０■）がゲート電極２１に印加される。
このとき、ソース；極２５に印加される正電圧がＴＦＴ
１９を経て絵素ｉ極２０に及び、電着液２８中の高分子
樹脂や顔料が絵素電極２０に引き寄せられ、その絵素電
極２０上に着色高分子樹脂膜からなるカラーフィルタ２
つが析出・形成される。この電着工程は赤、緑、青の各
色の電着液２８に分けて行われる。
１９を経て絵素ｉ極２０に及び、電着液２８中の高分子
樹脂や顔料が絵素電極２０に引き寄せられ、その絵素電
極２０上に着色高分子樹脂膜からなるカラーフィルタ２
つが析出・形成される。この電着工程は赤、緑、青の各
色の電着液２８に分けて行われる。
このようにしてカラーフィルタ２９の形成された表示電
極基板１７上の全面に、絶縁性透明樹脂あるいはＳｉｎ
、からなる絶縁膜３３が形成され、このあとその絶縁膜
３３上の全面にたとえばＩＴＯ膜からなる透明電極３４
が形成される。さらに、その透明電極３４上にはフォト
レジストが塗布され、各カラーフィルタ２９間の間隙部
を覆うパターンのマスクを用いて上記フォトレジストが
露光現像され（これにより、フォトレジストのうちカラ
ーフィルタ２９を覆う部分が除去される〉、このフォト
レジストをマスクとして上記透明電極３４が選択的にエ
ツチング除去される。すなわち、透明；極３４はカラー
フィルタ２９間の間隙部を覆う部分だけを残して除去さ
れる。
極基板１７上の全面に、絶縁性透明樹脂あるいはＳｉｎ
、からなる絶縁膜３３が形成され、このあとその絶縁膜
３３上の全面にたとえばＩＴＯ膜からなる透明電極３４
が形成される。さらに、その透明電極３４上にはフォト
レジストが塗布され、各カラーフィルタ２９間の間隙部
を覆うパターンのマスクを用いて上記フォトレジストが
露光現像され（これにより、フォトレジストのうちカラ
ーフィルタ２９を覆う部分が除去される〉、このフォト
レジストをマスクとして上記透明電極３４が選択的にエ
ツチング除去される。すなわち、透明；極３４はカラー
フィルタ２９間の間隙部を覆う部分だけを残して除去さ
れる。
このあと、上記透明電極３４を電着用電極として、先の
カラーフィルタ２９の形成とほぼ同様の工程により黒色
の遮光膜３５が形成される。この場６には、第２（２１
に示す電着液２８として黒色顔料を混入したアニオン型
の高分子樹脂を含む′Ｓ電着液用いられる。
カラーフィルタ２９の形成とほぼ同様の工程により黒色
の遮光膜３５が形成される。この場６には、第２（２１
に示す電着液２８として黒色顔料を混入したアニオン型
の高分子樹脂を含む′Ｓ電着液用いられる。
すなわち、このＩｇｊ会に電着液２８に溶融さぜるアニ
オン型の高分子樹脂はカルボキシル基を５く含んでいて
、上記電着作用の際、水溶液中で解離しているカルボキ
シルアニオンＲ−Ｃｏｏ−が次に示す反応式に従って透
明電極３４に引き寄仕られ上述した黒色の遮光膜３５が
形成される。
オン型の高分子樹脂はカルボキシル基を５く含んでいて
、上記電着作用の際、水溶液中で解離しているカルボキ
シルアニオンＲ−Ｃｏｏ−が次に示す反応式に従って透
明電極３４に引き寄仕られ上述した黒色の遮光膜３５が
形成される。
２Ｈ２０−４４８” ＋０２１＋４ｅ−・−１１）Ｒ・
ＣＯＯ−＋）ド − Ｒ−Ｃ０ＯＨ（析出） ・・
・（２）こＪ）場きの電着液２８は下記の組成からなる
ｉα体を含む。
ＣＯＯ−＋）ド − Ｒ−Ｃ０ＯＨ（析出） ・・
・（２）こＪ）場きの電着液２８は下記の組成からなる
ｉα体を含む。
水溶性ポリエステル樹脂
１６０ｗｔ％
水溶性メラミン樹脂
ブチルセロソルブ
）４０ｗｔ％
イソプロピルアルコール
さらに、黒色顔料は下記の重量比でエチルグリコール中
に分散させたあと、下記の重量比によって上述した液体
と水との溶液に混きされて電着液２８とされる。
に分散させたあと、下記の重量比によって上述した液体
と水との溶液に混きされて電着液２８とされる。
液体 ＝１０水
： １２
０エチレングリコール ＝２０第０図は、
このようにして遮光膜３５が形成された半製品の表示電
極基板１７の一部を拡大して示す平面図である。同口の
ｉ−を矢視断面が第１目に相当している。
： １２
０エチレングリコール ＝２０第０図は、
このようにして遮光膜３５が形成された半製品の表示電
極基板１７の一部を拡大して示す平面図である。同口の
ｉ−を矢視断面が第１目に相当している。
このようにして得られた表示電極基板１７は、さらにそ
の表面に保護膜３６および配向膜３７が積層形成された
あと、対向基板３８とで液晶層３９を扶んで液晶表示パ
ネル４０に組み立てられる。
の表面に保護膜３６および配向膜３７が積層形成された
あと、対向基板３８とで液晶層３９を扶んで液晶表示パ
ネル４０に組み立てられる。
対向基板３８は、ガラス基板４１の表面にＩＯＴ膜から
なる対向電極−１２を形成し、さらにその表面に配向膜
４３を形成して構成される。表示電極基板１７の配向膜
３７形成側表面とは反対側の表面および対向基板３８の
配向［４３形成側表面とは反対側の表面にそれぞれ清光
板が配置されることは先述した従来のカラー液晶表示装
置の場かと同様であり、上記液晶表示パネル４０の表示
電極基板１７側には図示しないバックライト光源が配置
される。
なる対向電極−１２を形成し、さらにその表面に配向膜
４３を形成して構成される。表示電極基板１７の配向膜
３７形成側表面とは反対側の表面および対向基板３８の
配向［４３形成側表面とは反対側の表面にそれぞれ清光
板が配置されることは先述した従来のカラー液晶表示装
置の場かと同様であり、上記液晶表示パネル４０の表示
電極基板１７側には図示しないバックライト光源が配置
される。
このカラー液晶表示装置も、従来の装置と同様にしてカ
ラー表示が行われる。
ラー表示が行われる。
すなわち、ＴＦＴ１９を介して各絵素電極２０に選択的
に電圧を印加すると、絵素電極２０と対向電極４２とで
挟まれた液晶層３つの各部が選択的にオン・オフ駆動さ
れて光学的特性が変わる。
に電圧を印加すると、絵素電極２０と対向電極４２とで
挟まれた液晶層３つの各部が選択的にオン・オフ駆動さ
れて光学的特性が変わる。
光透過可能な状態に変化した液晶層３９の、各部では、
バックライト光源からカラーフィルタ２つを経て照射さ
れるバックライトがそれぞれ透過し、その液晶層３９の
各部に対応するカラーフィルタ２９の色調に応じた色表
示が行われる。
バックライト光源からカラーフィルタ２つを経て照射さ
れるバックライトがそれぞれ透過し、その液晶層３９の
各部に対応するカラーフィルタ２９の色調に応じた色表
示が行われる。
発明の効果
以上のように、本発明の表示電極基板の製造方法によれ
ば、絶縁基板上にスイッチング素子および絵素Ｔ４極を
形成したあと、電着法によって絵素電極上にカラーフィ
ルタを析出・形成し、さらにその絶縁基板上のカラーフ
ィルタ形成頭載を避けた全領域に導電膜を形成し、この
導電膜上に電着法によって遮光膜な析出・形成するよう
にしたので、絵素電極とカラーフィルタの位置合わせお
よび絵素電極と遮光膜の位置きわせの精度が向上し、そ
れだけカラーフィルタと遮光膜の位ｉｉ！自わせの精度
が向上し、それだけカラーフィルタと遮光膜との間の位
Ｗ Ａｉわせのマージンを小さく抑えることができ、し
たがって絵素の光透過率が大きくなる。また、位置会わ
せ精度の向上によって、カラーフィルタ周辺部での光透
過も十分遮られ、表示コントラストも向上する。
ば、絶縁基板上にスイッチング素子および絵素Ｔ４極を
形成したあと、電着法によって絵素電極上にカラーフィ
ルタを析出・形成し、さらにその絶縁基板上のカラーフ
ィルタ形成頭載を避けた全領域に導電膜を形成し、この
導電膜上に電着法によって遮光膜な析出・形成するよう
にしたので、絵素電極とカラーフィルタの位置合わせお
よび絵素電極と遮光膜の位置きわせの精度が向上し、そ
れだけカラーフィルタと遮光膜の位ｉｉ！自わせの精度
が向上し、それだけカラーフィルタと遮光膜との間の位
Ｗ Ａｉわせのマージンを小さく抑えることができ、し
たがって絵素の光透過率が大きくなる。また、位置会わ
せ精度の向上によって、カラーフィルタ周辺部での光透
過も十分遮られ、表示コントラストも向上する。
第１図は本発明の一実施例である表示電極基板の製造方
法を適用したカラー液晶表示装置の一部を拡大して示す
断面図、第２図はその表示電極基板の製造方法における
ｔ着工程を示す説明口、第３１２１はその表示電極基板
の工程途中における一部を拡大して示す平面図、第４図
は従来のカラー液晶表示装置の機略的な構成を示す断面
図、第５図はそのカラー液晶表示装置における遮光膜の
パターンを示す平面図である。
法を適用したカラー液晶表示装置の一部を拡大して示す
断面図、第２図はその表示電極基板の製造方法における
ｔ着工程を示す説明口、第３１２１はその表示電極基板
の工程途中における一部を拡大して示す平面図、第４図
は従来のカラー液晶表示装置の機略的な構成を示す断面
図、第５図はそのカラー液晶表示装置における遮光膜の
パターンを示す平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アクティブマトリクス型カラー表示装置の各絵素に対応
する絵素電極およびカラーフィルタと、各絵素電極に接
続されたスイッチング素子とを絶縁基板上にマトリクス
状に配列した表示電極基板の製造方法において、 絶縁基板上にスイッチング素子と絵素電極とを形成した
あと、電着法を用いて絵素電極上にカラーフィルタを析
出・形成し、さらに前記カラーフィルタの形成領域を避
けた絶縁基板上の残りの全領域に導電膜を析出・形成し
、この導電膜上に電着法を用いて遮光膜を形成すること
を特徴とする表示電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141505A JPH036532A (ja) | 1989-06-03 | 1989-06-03 | 表示電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141505A JPH036532A (ja) | 1989-06-03 | 1989-06-03 | 表示電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036532A true JPH036532A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15293518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141505A Pending JPH036532A (ja) | 1989-06-03 | 1989-06-03 | 表示電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH052187A (ja) * | 1991-01-31 | 1993-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
-
1989
- 1989-06-03 JP JP1141505A patent/JPH036532A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH052187A (ja) * | 1991-01-31 | 1993-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
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