JPH0366098A - 光記憶装置 - Google Patents
光記憶装置Info
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- JPH0366098A JPH0366098A JP20263889A JP20263889A JPH0366098A JP H0366098 A JPH0366098 A JP H0366098A JP 20263889 A JP20263889 A JP 20263889A JP 20263889 A JP20263889 A JP 20263889A JP H0366098 A JPH0366098 A JP H0366098A
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- waveguide
- tap
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- optical
- optical pulse
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は極めて高速なアクセスが可能な光記憶装置に
関するものである。
関するものである。
従来、光記憶装置としては、写真技術に立脚したマイク
ロフィッシュ技術のように情報を直接記録する方式、あ
るいはフーリエ変換像である回折像をホログラムの形で
記憶する方式など、種々の方式が提案されている。その
中で通信や情報処理用として、特に注目されているもの
としては、書き込み（記憶）および読み出しく再生）に
レーザビームを用いる光デイスク装置がある。この種の
光デイスク装置としては、コンパクトディスクやビデオ
ディスクなどのように民生用の装置として広く普及して
いるものから、大型計算機の大容量記憶媒体として開発
段階にあるものまで種々のものがある。その基本動作原
理は、 ■円盤上の特定箇所にレーザ光を照射することによって
、光損傷、光構造変化、磁気的転移などにより周囲とは
反射率が異なるスポットを生成し、このスポットの有無
、スポットの密度などによって情報を蓄積する。
ロフィッシュ技術のように情報を直接記録する方式、あ
るいはフーリエ変換像である回折像をホログラムの形で
記憶する方式など、種々の方式が提案されている。その
中で通信や情報処理用として、特に注目されているもの
としては、書き込み（記憶）および読み出しく再生）に
レーザビームを用いる光デイスク装置がある。この種の
光デイスク装置としては、コンパクトディスクやビデオ
ディスクなどのように民生用の装置として広く普及して
いるものから、大型計算機の大容量記憶媒体として開発
段階にあるものまで種々のものがある。その基本動作原
理は、 ■円盤上の特定箇所にレーザ光を照射することによって
、光損傷、光構造変化、磁気的転移などにより周囲とは
反射率が異なるスポットを生成し、このスポットの有無
、スポットの密度などによって情報を蓄積する。
■スポットあるいはスポットが存在すべき位置にレーザ
光を照射し、その反射光の強度変化により情報の読み出
しを行う。
光を照射し、その反射光の強度変化により情報の読み出
しを行う。
■アドレスに対応する情報の存在する空間の走査は、デ
ィスクの回転とヘッドの半径方向への移動という機械的
走査によって行われる。
ィスクの回転とヘッドの半径方向への移動という機械的
走査によって行われる。
■非可逆的な構造変化を伴う記憶方法の場合、読み出し
専用の記憶装置となるが、磁気的転移などを利用すると
書き換え可能な記憶装置となる。
専用の記憶装置となるが、磁気的転移などを利用すると
書き換え可能な記憶装置となる。
ところで、上述した従来の光記憶装置は、磁気記憶装置
に比べ、大容量、周辺回路の簡易化、非接触による長寿
命性など優れた特徴を有している。
に比べ、大容量、周辺回路の簡易化、非接触による長寿
命性など優れた特徴を有している。
しかしながら上述したように情報のアクセスには機械的
走査を伴うため、極めて低速なアクセスしか期待できな
い。すなわち従来の光記憶装置は、２次記憶媒体として
は有効であるものの、半導体のキャッシュメモリに代表
されるような高速アクセスを要する記憶装置としては到
底使用できるものではなかった。
走査を伴うため、極めて低速なアクセスしか期待できな
い。すなわち従来の光記憶装置は、２次記憶媒体として
は有効であるものの、半導体のキャッシュメモリに代表
されるような高速アクセスを要する記憶装置としては到
底使用できるものではなかった。
この発明は、従来のように機械的走査を一切必要とせず
、超高速アクセスが可能な光記憶装置を実現することを
目的としている。
、超高速アクセスが可能な光記憶装置を実現することを
目的としている。
この発明は、光信号を導く導波路と、前記導波路の記憶
すべき情報に対応した各位置から、該導波路内を伝播す
る光信号の一部を取り出すタップ用導波路と、前記導波
路に極短いパルス幅の光パルスを導入する光パルス発生
手段と、前記タップ用導波路で取り出された光信号を記
憶情報として検出する検出手段とを具備することを特徴
としている。
すべき情報に対応した各位置から、該導波路内を伝播す
る光信号の一部を取り出すタップ用導波路と、前記導波
路に極短いパルス幅の光パルスを導入する光パルス発生
手段と、前記タップ用導波路で取り出された光信号を記
憶情報として検出する検出手段とを具備することを特徴
としている。
また、前記導波路およびタップ用導波路を電気光学効果
の大きな材料によって構成すると共に、前記導波路と前
記タップ用導波路とが結合する部分に電極を設置し、こ
の電極に電圧を印加することによって、前記導波路と前
記タップ用導波路との間の結合効率を変化させることを
特徴している。
の大きな材料によって構成すると共に、前記導波路と前
記タップ用導波路とが結合する部分に電極を設置し、こ
の電極に電圧を印加することによって、前記導波路と前
記タップ用導波路との間の結合効率を変化させることを
特徴している。
上記構成によれば、情報蓄積領域である導波路に記憶す
べき情報に対応してタップ用導波路を設置することによ
って情報が書き込まれ、この情報の読み出しは、導波路
に極短光パルスを導入し、導波路内を伝播させ、各タッ
プ用導波路で取り出された光信号を検出することによっ
て行われる。
べき情報に対応してタップ用導波路を設置することによ
って情報が書き込まれ、この情報の読み出しは、導波路
に極短光パルスを導入し、導波路内を伝播させ、各タッ
プ用導波路で取り出された光信号を検出することによっ
て行われる。
以下、図面を参照し、この発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図はこの発明の第１実施例による読み出し専用光記
憶装置の構成を示すブロック図である。
憶装置の構成を示すブロック図である。
この図において、ｌは極短いパルス幅の光パルスを発生
する光パルス発生器であり、例えばモード同期型レーザ
、利得スイッチを有する半導体レーザ、あるいは光ゲー
トを用いた装置などのように、極短光あるいは超短光パ
ルスを発生できるものであればどの様なものでも構わな
い。２は例えば光ファイバ、あるいは平面導波路によっ
て構成され、光パルス発生器ｌから光パルスが導入され
る導波路であり、後述するタップＴ ｒ 、 Ｔ ＊
、・・・、Ｔｎが設置された箇所以外の部分において光
パルス信号を歪なくかつ低損失に伝播させることが可能
であればどの様なものでも構わない。３．３．・・・は
導波路２の記憶すべき情報に対応した位置に各々配置さ
れ、導波路２内を伝播する光信号の一部を取り出すタッ
プ用導波路、５．５．・・・は各タップ用導波路３．３
゜・・・によって取り出された光信号を各々検出する検
出器である。そして、導波路２に沿って一定間隔で設定
されたアドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・＋Ｐｎの内
、記憶すべき情報に対応した位置に、導波路２とタップ
用導波路３，３．・・・が結合するタップ’ｒ、、Ｔ、
、・・・Ｔｎが設置されている。すなわち、タップＴ
、、Ｔ ｔ＋・・・４ｎは、導波路２と、この導波路２
内を伝播する波動と弱い結合を持つタップ用導波路３と
によって構成され、例えば、光ファイバの場合、局所的
な曲げなどによる応力が加えられた部分から漏れ出す光
をタップ導波路３と結合させて実現することが可能であ
る。またニオブ酸リチウムにチタンを拡散して得られる
誘電体導波路や半導体ガイドなどの場合は、導波路２に
タップ用導波路３を隣接して配置し、これら２つの導波
路の結合モードを利用して実現すればよい。また、各タ
ップＴ１Ｔｘ、・・・、Ｔｎにおける結合係数は特に限
定するものでないが記憶容量を大きくとる場合できるだ
け小さい方がよい。
する光パルス発生器であり、例えばモード同期型レーザ
、利得スイッチを有する半導体レーザ、あるいは光ゲー
トを用いた装置などのように、極短光あるいは超短光パ
ルスを発生できるものであればどの様なものでも構わな
い。２は例えば光ファイバ、あるいは平面導波路によっ
て構成され、光パルス発生器ｌから光パルスが導入され
る導波路であり、後述するタップＴ ｒ 、 Ｔ ＊
、・・・、Ｔｎが設置された箇所以外の部分において光
パルス信号を歪なくかつ低損失に伝播させることが可能
であればどの様なものでも構わない。３．３．・・・は
導波路２の記憶すべき情報に対応した位置に各々配置さ
れ、導波路２内を伝播する光信号の一部を取り出すタッ
プ用導波路、５．５．・・・は各タップ用導波路３．３
゜・・・によって取り出された光信号を各々検出する検
出器である。そして、導波路２に沿って一定間隔で設定
されたアドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・＋Ｐｎの内
、記憶すべき情報に対応した位置に、導波路２とタップ
用導波路３，３．・・・が結合するタップ’ｒ、、Ｔ、
、・・・Ｔｎが設置されている。すなわち、タップＴ
、、Ｔ ｔ＋・・・４ｎは、導波路２と、この導波路２
内を伝播する波動と弱い結合を持つタップ用導波路３と
によって構成され、例えば、光ファイバの場合、局所的
な曲げなどによる応力が加えられた部分から漏れ出す光
をタップ導波路３と結合させて実現することが可能であ
る。またニオブ酸リチウムにチタンを拡散して得られる
誘電体導波路や半導体ガイドなどの場合は、導波路２に
タップ用導波路３を隣接して配置し、これら２つの導波
路の結合モードを利用して実現すればよい。また、各タ
ップＴ１Ｔｘ、・・・、Ｔｎにおける結合係数は特に限
定するものでないが記憶容量を大きくとる場合できるだ
け小さい方がよい。
次に、上述した第１実施例の動作について説明する。
「書き込み動作」
情報の書き込みは、導波路２に沿って一定間隔で設定さ
れた各アドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・＋Ｐｎの内
、記憶すべき情報に対応した位置に、導波路２とンツブ
用導波路３．３．・・・が結合するタップＴ１１Ｔｔｌ
・・・Ｔｎを設置することによって行う。この実施例で
は、導波路２の各アドレス位置Ｐｔ、Ｐｔ、・・・、Ｐ
ｎに、書き込むべき情報の“ｌ”または“０”に対応し
て、タップＴ１．Ｔ、・・・、Ｔｎを設置または不設置
とし、タップＴ 、、Ｔ 、、・・・＋Ｔｎが設置され
ていれば、後の読み出し動作の際に検出器５によって“
ｌ”が検出され、タップ’ｒｌ、’ｒｔ、・・・、Ｔｎ
が設置されていなければ、検出器５で“０″が検出され
る。アドレスは各タップＴ ＋ 、 Ｔ ｔ 、・・・
、Ｔｎが設置されたアドレス位置Ｐ１．Ｐａ、・・・、
Ｐｎによって決まり、各アドレス毎に！ビットの情報が
記憶される。
れた各アドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・＋Ｐｎの内
、記憶すべき情報に対応した位置に、導波路２とンツブ
用導波路３．３．・・・が結合するタップＴ１１Ｔｔｌ
・・・Ｔｎを設置することによって行う。この実施例で
は、導波路２の各アドレス位置Ｐｔ、Ｐｔ、・・・、Ｐ
ｎに、書き込むべき情報の“ｌ”または“０”に対応し
て、タップＴ１．Ｔ、・・・、Ｔｎを設置または不設置
とし、タップＴ 、、Ｔ 、、・・・＋Ｔｎが設置され
ていれば、後の読み出し動作の際に検出器５によって“
ｌ”が検出され、タップ’ｒｌ、’ｒｔ、・・・、Ｔｎ
が設置されていなければ、検出器５で“０″が検出され
る。アドレスは各タップＴ ＋ 、 Ｔ ｔ 、・・・
、Ｔｎが設置されたアドレス位置Ｐ１．Ｐａ、・・・、
Ｐｎによって決まり、各アドレス毎に！ビットの情報が
記憶される。
「読み出し動作」
情報の読み出しは、読み出しタイミングに応じて、光パ
ルス発生器ｌにトリガパルスを供給する。
ルス発生器ｌにトリガパルスを供給する。
このトリガパルスが供給された光パルス発生器ｌは極短
光パルスを発生し、この光パルスが導波路２に導入され
、導波路２内を伝播し、各タップＴ１１Ｔｔｌ・・・、
Ｔ ｎが設置された部分に達する。これらタップ’ｒ
ｌ、’Ｉ’！、・・・、Ｔｎが設置された部分では、透
過係数の小さいため、光パルス信号のエネルギのほとん
どはそのまま伝播するが、その一部はタップ用導波路３
に伝播することになる。この際、タップＴ ＋ 、 Ｔ
＊ 、・・・、Ｔｎの構造や伝播する光パルスの姿態
によっては若干の波形の乱れはあるが、入射した光パル
スはほとんどその形態を保ったまま２つに分かれ一方は
そのまま導波路２内を伝播し、他方はタップ用導波路３
に伝播する。導波路２内を伝播する光パルスは次々とタ
ップＴ 、、Ｔ ！、・・・、Ｔｎを通過し、各タップ
Ｔ ＋ 、 Ｔ ＊ 、・・・、Ｔｎで出力信号を発生
する。この場合、アドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・
ＰｎとタップＴｒ、Ｔｘ、・・・＋Ｔｎが各々対応して
いるので、光パルスが次々とタップＴ、Ｔ□・・・、Ｔ
ｎを通過し、タップＴ 、、Ｔ ｔ、・・・、Ｔｎが設
置された部分では検出器５によって“１”が検出され、
タップＴ、、Ｔ、、・・・、Ｔｎが設置されていない部
分では“Ｏ”が検出され、これにより、情報が読み出さ
れることになる。すなわち、トリガパルスの供給に応じ
て光パルス発生器ｌが光パルスを発生してから時間τ。
光パルスを発生し、この光パルスが導波路２に導入され
、導波路２内を伝播し、各タップＴ１１Ｔｔｌ・・・、
Ｔ ｎが設置された部分に達する。これらタップ’ｒ
ｌ、’Ｉ’！、・・・、Ｔｎが設置された部分では、透
過係数の小さいため、光パルス信号のエネルギのほとん
どはそのまま伝播するが、その一部はタップ用導波路３
に伝播することになる。この際、タップＴ ＋ 、 Ｔ
＊ 、・・・、Ｔｎの構造や伝播する光パルスの姿態
によっては若干の波形の乱れはあるが、入射した光パル
スはほとんどその形態を保ったまま２つに分かれ一方は
そのまま導波路２内を伝播し、他方はタップ用導波路３
に伝播する。導波路２内を伝播する光パルスは次々とタ
ップＴ 、、Ｔ ！、・・・、Ｔｎを通過し、各タップ
Ｔ ＋ 、 Ｔ ＊ 、・・・、Ｔｎで出力信号を発生
する。この場合、アドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・
ＰｎとタップＴｒ、Ｔｘ、・・・＋Ｔｎが各々対応して
いるので、光パルスが次々とタップＴ、Ｔ□・・・、Ｔ
ｎを通過し、タップＴ 、、Ｔ ｔ、・・・、Ｔｎが設
置された部分では検出器５によって“１”が検出され、
タップＴ、、Ｔ、、・・・、Ｔｎが設置されていない部
分では“Ｏ”が検出され、これにより、情報が読み出さ
れることになる。すなわち、トリガパルスの供給に応じ
て光パルス発生器ｌが光パルスを発生してから時間τ。
＋ｎτ（ただし、τ。は一定値、ｎはタップの順に対応
する整数、τ＝Ｌ／Ｃ，Ｌはアドレス位置間隔、Ｃは光
の導波路内伝播速度）が経過する毎に、各検出器５で光
パルスが存在するか否か検出される。そして、光パスル
の有無が、各タップＴｔ、’ｒ ｔ、・・・、Ｔｎの有
無、すなわ１ち情報の“夏”、“０”に対応しているの
で、上述した動作によって情報の読み出しが行われたこ
とになる。
する整数、τ＝Ｌ／Ｃ，Ｌはアドレス位置間隔、Ｃは光
の導波路内伝播速度）が経過する毎に、各検出器５で光
パルスが存在するか否か検出される。そして、光パスル
の有無が、各タップＴｔ、’ｒ ｔ、・・・、Ｔｎの有
無、すなわ１ち情報の“夏”、“０”に対応しているの
で、上述した動作によって情報の読み出しが行われたこ
とになる。
二二で１上記読み出し動作に要する時間は、光パルスが
導波路２の入力端に導入されてから一番遠いタップＴ、
まで伝播する時間に略等しい。つまり、入力端側のアド
レスは即座に読み出されるが、他端例の読み出しは最後
になるので、これが読み出されるまでの時間が全体の読
み出し時間となる。この読み出し時間は、例えば、入力
される光パルス信号としてフェムトセカンド程度の短光
パルスを用いるものとし、アドレス位置間隔をｌＯμ鋼
程度とすると、τ＝ ｔｏ−’ ＝±ｘ １０−Ｉ３
３ｘｌＯ＠３ であるから、τ−０、１ｐｓ程度となる。記憶容量をｌ
Ｋｂとすると、アドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・、
Ｐｎの数は１０００であるから、アクセス時間は、１０
００ｘＯ，Ｉ＝１００ρ８程度という高速なものとなる
。
導波路２の入力端に導入されてから一番遠いタップＴ、
まで伝播する時間に略等しい。つまり、入力端側のアド
レスは即座に読み出されるが、他端例の読み出しは最後
になるので、これが読み出されるまでの時間が全体の読
み出し時間となる。この読み出し時間は、例えば、入力
される光パルス信号としてフェムトセカンド程度の短光
パルスを用いるものとし、アドレス位置間隔をｌＯμ鋼
程度とすると、τ＝ ｔｏ−’ ＝±ｘ １０−Ｉ３
３ｘｌＯ＠３ であるから、τ−０、１ｐｓ程度となる。記憶容量をｌ
Ｋｂとすると、アドレス位置Ｐ 、、Ｐ 、、・・・、
Ｐｎの数は１０００であるから、アクセス時間は、１０
００ｘＯ，Ｉ＝１００ρ８程度という高速なものとなる
。
次に、第２図はこの発明の第２実施例による読み出し専
用光記憶装置の構成を示すブロック図である。
用光記憶装置の構成を示すブロック図である。
上述した第１実施例においては、情咋の読み出しを全て
並列に処理する構成としたが、この第２実施例において
は、一部あるいは全ての情報を直列に検出するようにし
た。すなわち、全てのタップ’ｒ 、、Ｔ 、、・・・
、Ｔｎが単一のタップ用導波路１０に結合された構造、
言い換えると、導波路２とタップ用導波路３が複数の箇
所で互いに結合された構造となっている。この場合、第
１実施例とは異なり、検出器１５は１個で済む。
並列に処理する構成としたが、この第２実施例において
は、一部あるいは全ての情報を直列に検出するようにし
た。すなわち、全てのタップ’ｒ 、、Ｔ 、、・・・
、Ｔｎが単一のタップ用導波路１０に結合された構造、
言い換えると、導波路２とタップ用導波路３が複数の箇
所で互いに結合された構造となっている。この場合、第
１実施例とは異なり、検出器１５は１個で済む。
このような構造では、例えばタップＴ、に到達した光パ
ルスは、導波路２とタップ用導波路３の各タップＴ ｒ
、 Ｔ ｔ 、・・・、Ｔｎ間の距離の差ΔＬを伝播
するに要する時間差ΔＬ／Ｃが経過した時点で次のタッ
プＴ、に到達する。すなわち、検出器１５は各タップＴ
＋ 、 Ｔ ｘ 、・・・、Ｔｎからのパルス列を検
出することになる。導波路２とタップ用導波路３が結合
されているタップＴ 、、Ｔ 、、・・・、’ｒｎから
は“ｌ”が検出され、その他の結合されていないところ
からは“０”が検出され、検出器１５においては、各ア
ドレス位置Ｐ＋、Ｐｔ、・・・、りｎからの光パルス信
号がｉｌＩ 列内に届くので、これらを順次検出すれば
よい。ただし、実際には基準となる同期信号が必要とな
る。この第２実施例における読み出し時間は導波路２を
伝播するのに要する時間によって略決定され、従って、
第１実施例と同様に、極めて高速なアクセスが可能であ
る。
ルスは、導波路２とタップ用導波路３の各タップＴ ｒ
、 Ｔ ｔ 、・・・、Ｔｎ間の距離の差ΔＬを伝播
するに要する時間差ΔＬ／Ｃが経過した時点で次のタッ
プＴ、に到達する。すなわち、検出器１５は各タップＴ
＋ 、 Ｔ ｘ 、・・・、Ｔｎからのパルス列を検
出することになる。導波路２とタップ用導波路３が結合
されているタップＴ 、、Ｔ 、、・・・、’ｒｎから
は“ｌ”が検出され、その他の結合されていないところ
からは“０”が検出され、検出器１５においては、各ア
ドレス位置Ｐ＋、Ｐｔ、・・・、りｎからの光パルス信
号がｉｌＩ 列内に届くので、これらを順次検出すれば
よい。ただし、実際には基準となる同期信号が必要とな
る。この第２実施例における読み出し時間は導波路２を
伝播するのに要する時間によって略決定され、従って、
第１実施例と同様に、極めて高速なアクセスが可能であ
る。
次に、第３図はこの発明の第３実施例による書き換え可
能な光記憶装置の要部の構成を示す図である。
能な光記憶装置の要部の構成を示す図である。
上述した第！および第２実施例においては、情報の“ｌ
”０”に対応してタップＴ ｔ 、 Ｔ ＊ 、・・・
、Ｔｎを設置するか、しないかによって情報を書き込む
構成であったので、読み出し専用であったが、各タップ
Ｔ、Ｔｔ、・・・、Ｔｎの結合効率を可変にできる方向
性結合器を用いることによって書き換え可能な光記憶装
置を実現することができる。すなわち、第３図において
、導波路２およびタップ用導波路３としてはＬｉＮｂＯ
５にＴｉをドープしたものを用い、導波路２に隣接して
タップ用導波路３を設け、これら導波路２とタップ用導
波路３とが結合する部分に、電極Ｅと接地電極ＧＮＤを
設けた構造となっている。そして、これらの電極Ｅと接
地電極ＧＮＤに電圧を印加し、導波路２および３に電界
を印加することにより、電気光学効果による屈折率変化
を生じさせ、一方の導波路の伝播常数を変化せしめる。
”０”に対応してタップＴ ｔ 、 Ｔ ＊ 、・・・
、Ｔｎを設置するか、しないかによって情報を書き込む
構成であったので、読み出し専用であったが、各タップ
Ｔ、Ｔｔ、・・・、Ｔｎの結合効率を可変にできる方向
性結合器を用いることによって書き換え可能な光記憶装
置を実現することができる。すなわち、第３図において
、導波路２およびタップ用導波路３としてはＬｉＮｂＯ
５にＴｉをドープしたものを用い、導波路２に隣接して
タップ用導波路３を設け、これら導波路２とタップ用導
波路３とが結合する部分に、電極Ｅと接地電極ＧＮＤを
設けた構造となっている。そして、これらの電極Ｅと接
地電極ＧＮＤに電圧を印加し、導波路２および３に電界
を印加することにより、電気光学効果による屈折率変化
を生じさせ、一方の導波路の伝播常数を変化せしめる。
この場合、隣接する導波路の結合係数（一方の導波路内
を伝播してい光信号が結合している他方の導波路に移る
割合）は、結合長または伝播常数の差に依存して変化す
る。したがって、光信号の波長、素子の寸法および電界
強度を適宜設定することにより、電界を印加しないとき
には結合係数がＯとなり、電界を印加したときには小さ
な結合効率を持たせ、あるいはその逆に電界を印加した
ときには結合係数が０となるようにすることは容易に実
現できる。
を伝播してい光信号が結合している他方の導波路に移る
割合）は、結合長または伝播常数の差に依存して変化す
る。したがって、光信号の波長、素子の寸法および電界
強度を適宜設定することにより、電界を印加しないとき
には結合係数がＯとなり、電界を印加したときには小さ
な結合効率を持たせ、あるいはその逆に電界を印加した
ときには結合係数が０となるようにすることは容易に実
現できる。
この第３実施例においては、情報の“１”０”に応じて
、電界を印加するか、あるいはしないかによって情報の
書き込みを行うことができる。屈折率は電界をかけると
変化するが、電界をかけるのをやめると元に戻る。従っ
てこの第３実施例では冑換え可能な光記憶装置が実現で
きる。情報の書き込みは全ビットを並列に、従って高速
に書き込むことが可能になる。情報の読み出し動作は第
１実施例と全く同じであり、高速アクセスが可能である
。
、電界を印加するか、あるいはしないかによって情報の
書き込みを行うことができる。屈折率は電界をかけると
変化するが、電界をかけるのをやめると元に戻る。従っ
てこの第３実施例では冑換え可能な光記憶装置が実現で
きる。情報の書き込みは全ビットを並列に、従って高速
に書き込むことが可能になる。情報の読み出し動作は第
１実施例と全く同じであり、高速アクセスが可能である
。
なお、装置の構成、基本動作が略同様なので詳細は省略
するが、半導体の導波路を用いても上述した各実施例と
同様の構造で同様の装置を実現することができる。また
半導体ガイドを用いた場合は、モノリシックに駆動回路
などの周辺回路を構成することができる。
するが、半導体の導波路を用いても上述した各実施例と
同様の構造で同様の装置を実現することができる。また
半導体ガイドを用いた場合は、モノリシックに駆動回路
などの周辺回路を構成することができる。
以上説明したように、この発明によれば、従来のような
機械的走査を一切必要とせず、導波路内における光の伝
播速度に応じて決まる極めて高速なアクセスが可能な光
記憶装置を実現することができるという効果が得られる
。
機械的走査を一切必要とせず、導波路内における光の伝
播速度に応じて決まる極めて高速なアクセスが可能な光
記憶装置を実現することができるという効果が得られる
。
第１図はこの発明の第１実施例の構成を示すブロック図
、第２図はこの発明の第２実施例の構成を示すブロック
図、第３図はこの発明の第３実施例の要部の構成を示す
図である。 ｌ・・・・・・光パルス発生器、 ２・・・・・・導波路、 ３・・・・・・タップ用導波路、 ＴＩＴ！、・・・、Ｔｎ・・・・・・タップ、Ｐ 、、
Ｐ ！、・・・、Ｐｎ・・・・・・アドレス位置、５．
１５・・・・・・検出器、 Ｅ・・・・・・電極、ＧＮＤ・・・・−・・接地電極。
、第２図はこの発明の第２実施例の構成を示すブロック
図、第３図はこの発明の第３実施例の要部の構成を示す
図である。 ｌ・・・・・・光パルス発生器、 ２・・・・・・導波路、 ３・・・・・・タップ用導波路、 ＴＩＴ！、・・・、Ｔｎ・・・・・・タップ、Ｐ 、、
Ｐ ！、・・・、Ｐｎ・・・・・・アドレス位置、５．
１５・・・・・・検出器、 Ｅ・・・・・・電極、ＧＮＤ・・・・−・・接地電極。
Claims (2)
- （１）光信号を導く導波路と、前記導波路の記憶すべき
情報に対応した各位置から、該導波路内を伝播する光信
号の一部を取り出すタップ用導波路と、前記導波路に極
短いパルス幅の光パルスを導入する光パルス発生手段と
、前記タップ用導波路で取り出された光信号を記憶情報
として検出する検出手段とを具備することを特徴とする
光記憶装置。 - （２）前記導波路およびタップ用導波路を電気光学効果
の大きな材料によって構成すると共に、前記導波路と前
記タップ用導波路とが結合する部分に電極を設置し、こ
の電極に電圧を印加することによって、前記導波路と前
記タップ用導波路との間の結合効率を変化させることを
特徴とする請求項１記載の光記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20263889A JPH0366098A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 光記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20263889A JPH0366098A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 光記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366098A true JPH0366098A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16460653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20263889A Pending JPH0366098A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 光記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366098A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259235A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Nec Corp | 光シフトレジスタ回路 |
| JPS62232625A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Nec Corp | 光デイジタル信号一致検出回路 |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP20263889A patent/JPH0366098A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259235A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Nec Corp | 光シフトレジスタ回路 |
| JPS62232625A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Nec Corp | 光デイジタル信号一致検出回路 |
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