JPS61259235A - 光シフトレジスタ回路 - Google Patents
光シフトレジスタ回路Info
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- JPS61259235A JPS61259235A JP10059085A JP10059085A JPS61259235A JP S61259235 A JPS61259235 A JP S61259235A JP 10059085 A JP10059085 A JP 10059085A JP 10059085 A JP10059085 A JP 10059085A JP S61259235 A JPS61259235 A JP S61259235A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光シフトレジスタ回路に関し、特に光通信、光
情報処理、光交換の各システム及び光コンピュータに適
する光シフトレジスタ回路に関するものである。
情報処理、光交換の各システム及び光コンピュータに適
する光シフトレジスタ回路に関するものである。
近年光フアイバ技術及び光半導体技術等の光技術の発達
によって、基幹伝送を目的とする長距離光通信システム
、分散処理装置間を高効率で接続する光LANなどが実
用化されている。これらのシステムでは、光技術は主に
機能装置間の接続手段として使用され、機能装置自体は
専らLSIを中心とする電子回路によって構成されてい
た。
によって、基幹伝送を目的とする長距離光通信システム
、分散処理装置間を高効率で接続する光LANなどが実
用化されている。これらのシステムでは、光技術は主に
機能装置間の接続手段として使用され、機能装置自体は
専らLSIを中心とする電子回路によって構成されてい
た。
近い将来では処理情報の多様化及び大容量化が進み、そ
の処理速度の超高速化、処理の複雑化が要求され、この
要求に対処するためには、光技術を単に接続手段として
のみではなく論理処理手段として使用する必要が生じる
。すなわち、伝送されてきた光デイジタル信号を光のま
までディジタル演算処理し、その結果を光で出力し、他
の装置へ伝送できるという、光の有する高速性・広帯域
性・無誘導性等の特長を生かした光処理装置(光情報処
理システム、光交換システム等)が不可欠になる。
の処理速度の超高速化、処理の複雑化が要求され、この
要求に対処するためには、光技術を単に接続手段として
のみではなく論理処理手段として使用する必要が生じる
。すなわち、伝送されてきた光デイジタル信号を光のま
までディジタル演算処理し、その結果を光で出力し、他
の装置へ伝送できるという、光の有する高速性・広帯域
性・無誘導性等の特長を生かした光処理装置(光情報処
理システム、光交換システム等)が不可欠になる。
かかる光処理装置を実現するには、インバータ回路・O
R回路・AND回路・排他的OR回路等の各機能を有す
る光ゲート・光フリツプフロツプ回路・光シフトレジス
タ回路・光カウンタ等の光論理機能ブロックが構成され
なければならない。
R回路・AND回路・排他的OR回路等の各機能を有す
る光ゲート・光フリツプフロツプ回路・光シフトレジス
タ回路・光カウンタ等の光論理機能ブロックが構成され
なければならない。
しかしながら、従来においては実用に足る十分な光論理
機能ブロックが存在しなかった。
機能ブロックが存在しなかった。
本発明の目的は、光双安定半導体レーザを複数個用いて
実現される実用性に富んだ光シフトレジスタ回路を提供
するものである。
実現される実用性に富んだ光シフトレジスタ回路を提供
するものである。
本発明に係る光シフトレジスタ回路は、第1電極に第1
クロック信号を与え且つ第2電極に第2クロック信号を
与えることによって光Dフリップフロップ回路として動
作する光双安定半導体レーザを、複数個縦続に接続“し
、前記光双安定半導体レーザの各出力を各ビットの出力
として取り出すように構成したものである。
クロック信号を与え且つ第2電極に第2クロック信号を
与えることによって光Dフリップフロップ回路として動
作する光双安定半導体レーザを、複数個縦続に接続“し
、前記光双安定半導体レーザの各出力を各ビットの出力
として取り出すように構成したものである。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す光シフトレジスタ回路
であり、第2図はこの光シフトレジスタ回路の動作を説
明するためのタイミングチャートである。
であり、第2図はこの光シフトレジスタ回路の動作を説
明するためのタイミングチャートである。
光シフトレジスタ回路1はこの実施例においては4個の
光Dフリップフロップ回路2A、2B。
光Dフリップフロップ回路2A、2B。
2C,2Dから構成される。この光シフトレジスタ回路
1を説明する前に、まず光Dフリップフロップ回路2の
構成を明らかにする必要がある。光Dフリップフロップ
回路は、Dフリップフロップの機能を有する光回路であ
り、光双安定半導体レーザに下記の如き所定の値を有す
る2種の電流クロック信号を与えることによって実現さ
れるものであり、第3図、第4図、第5図に基づいて詳
述する。
1を説明する前に、まず光Dフリップフロップ回路2の
構成を明らかにする必要がある。光Dフリップフロップ
回路は、Dフリップフロップの機能を有する光回路であ
り、光双安定半導体レーザに下記の如き所定の値を有す
る2種の電流クロック信号を与えることによって実現さ
れるものであり、第3図、第4図、第5図に基づいて詳
述する。
第3図は本発明に係る駆動方法を適用して光Dフリップ
フロップ回路を実現する光双安定半導体レーザを示し、
第4図、第5図は光双安定半導体レーザの入出力間等の
各種の光双安定関係を示す特性図、第6図は光Dフリッ
プフロップ回路としての動作特性を説明するための波形
図及びその関係特性図を示す。
フロップ回路を実現する光双安定半導体レーザを示し、
第4図、第5図は光双安定半導体レーザの入出力間等の
各種の光双安定関係を示す特性図、第6図は光Dフリッ
プフロップ回路としての動作特性を説明するための波形
図及びその関係特性図を示す。
第3図において、光双安定半導体レーザ3は、ファベリ
ペロ共振器面4.5に対して平行に設けられたスリット
6により電気的に絶縁されたP側、電極7,8を備える
。電極7.8に与えられる電流をII、I2とするとき
、電流Itを所定の値に設定すると、電流■2と光出力
Poutの間において光双安定特性を持たせることがで
きる。
ペロ共振器面4.5に対して平行に設けられたスリット
6により電気的に絶縁されたP側、電極7,8を備える
。電極7.8に与えられる電流をII、I2とするとき
、電流Itを所定の値に設定すると、電流■2と光出力
Poutの間において光双安定特性を持たせることがで
きる。
第4図は電流I2と光出力PoutO間の光双安定特性
を示すものであり、I += ICI、 IC2(I
CI>IC2)の場合の2種類の光双安定特性9.10
を示している。図中横軸は電流工2、縦軸は光出力Po
utを表わすものとしている。光双安定特性9は、電流
■1を一定値Ic2に設定した場合に生じ、電流I2が
増加して閾値I th2に達すると光出力Poutが急
に増加し、点P1に到達する。その後電流I2を増加さ
てせも光出力Poutは漸増するのみでほぼ一定値をと
る。反対に、かかる高い値の状態において電流I2が減
少して閾値Ith+に達すると点P2で光出力Pou
tが急に減少する。このように電流I2のI tril
l I th2の2つの値に基づいて光出力Poutは
2つの安定状態をとる。
を示すものであり、I += ICI、 IC2(I
CI>IC2)の場合の2種類の光双安定特性9.10
を示している。図中横軸は電流工2、縦軸は光出力Po
utを表わすものとしている。光双安定特性9は、電流
■1を一定値Ic2に設定した場合に生じ、電流I2が
増加して閾値I th2に達すると光出力Poutが急
に増加し、点P1に到達する。その後電流I2を増加さ
てせも光出力Poutは漸増するのみでほぼ一定値をと
る。反対に、かかる高い値の状態において電流I2が減
少して閾値Ith+に達すると点P2で光出力Pou
tが急に減少する。このように電流I2のI tril
l I th2の2つの値に基づいて光出力Poutは
2つの安定状態をとる。
光双安定特性10は、電流11を一定値Ic2に設定し
た場合に生じるもので、電流I2における2つの閾値I
い。+Ith4に基づいて光出力Poutは2つの安定
状態をとる。この場合1c2<Ic+の関係にあり、且
つ閾値I ch3. I thaは前記閾値Ith++
I th2よりも大きい値をとる。
た場合に生じるもので、電流I2における2つの閾値I
い。+Ith4に基づいて光出力Poutは2つの安定
状態をとる。この場合1c2<Ic+の関係にあり、且
つ閾値I ch3. I thaは前記閾値Ith++
I th2よりも大きい値をとる。
次に第5図に基づき光双安定半導体レーザ3の光入力P
inと光出力Poutの間の光双安定特性について説明
する。この場合には電流11.I2は共に固定した値を
とる。まず光双安定特性11は、電流I、を前記ICI
に設定し、電流■2を前記閾値I thlよりも小さい
値rb+に設定したときに得られる特性である。この光
双安定特性11では、光入力Pinが点Q1から増大し
て閾値Pthlに達すると、光出力Poutが急に増大
し高い値PHをとる。その後光人力Pinが増加しても
光出力Poutはほぼ一定値P。
inと光出力Poutの間の光双安定特性について説明
する。この場合には電流11.I2は共に固定した値を
とる。まず光双安定特性11は、電流I、を前記ICI
に設定し、電流■2を前記閾値I thlよりも小さい
値rb+に設定したときに得られる特性である。この光
双安定特性11では、光入力Pinが点Q1から増大し
て閾値Pthlに達すると、光出力Poutが急に増大
し高い値PHをとる。その後光人力Pinが増加しても
光出力Poutはほぼ一定値P。
に保持される。反対に、かかる高い状態において光入力
Pinを減少させると、閾値Pthlより小さい閾値P
th2で急に光出力Poutが低い値PLをとる。
Pinを減少させると、閾値Pthlより小さい閾値P
th2で急に光出力Poutが低い値PLをとる。
また光双安定特性12は、電流11を前記工。2に設定
し、電流I2を前記閾値I th3とIい、の中間値I
b2に設定した時に得られる特性である。光双安定特性
12では、光入力Plnが増大して閾値P th3に到
達すると光出力Poutが急に高い値P)Iとなり、そ
の後はほぼ一定値P、Iを保持する。反対に、かかる高
い値PHをとる状態において光入力Pinを減少させる
と、この場合には、光入力Pinがゼロになっても光出
力Poutは点Q2に位置し、高い値Poに保持された
ままとなる。
し、電流I2を前記閾値I th3とIい、の中間値I
b2に設定した時に得られる特性である。光双安定特性
12では、光入力Plnが増大して閾値P th3に到
達すると光出力Poutが急に高い値P)Iとなり、そ
の後はほぼ一定値P、Iを保持する。反対に、かかる高
い値PHをとる状態において光入力Pinを減少させる
と、この場合には、光入力Pinがゼロになっても光出
力Poutは点Q2に位置し、高い値Poに保持された
ままとなる。
上記において、光双安定特性11の閾値Pthlは、光
双安定特性12の閾値P th3よりも小さい値となる
ように、前記各電流値I C+、’ IC2r Ib
l+ Ib2は設定される。
双安定特性12の閾値P th3よりも小さい値となる
ように、前記各電流値I C+、’ IC2r Ib
l+ Ib2は設定される。
次に上記の如く光双安定半導体レーザ3に生じる各種の
光双安定特性9 、10.11.12を利用して、人力
される光デイジタル信号を電流クロック信号の立上り時
に同期させて出力させ、これによって光双安定半導体レ
ーザ3を光Dフリップフロップ回路として機能させる駆
動方法について説明する。
光双安定特性9 、10.11.12を利用して、人力
される光デイジタル信号を電流クロック信号の立上り時
に同期させて出力させ、これによって光双安定半導体レ
ーザ3を光Dフリップフロップ回路として機能させる駆
動方法について説明する。
第6図において、振幅値A、を有する光デイジタル信号
り、を、光双安定半導体レーザ3の光入力Pinとして
入力させる。振幅値A、は光双安定特性11の閾値P
thlと光双安定特性12の閾値P th3との中間値
に設定される。電極5に与えられる電流I、は正の電流
クロック信号1.(第1クローツク信号)として使用さ
れ、論理値“0″には電流値I。2を、論理値“1”に
は電流値■。、を設定する。一方電極8に与えられる電
流■2は負の電流クロック信号Ig(第2クロック信号
)として使用され、論理値“0”には電流値Iblを、
論理値“1″には電流値Ib2を設定する。この負の電
流クロック信号Ikの位相には正の電流クロック信号■
2の位相と反転関係にある。上記の信号関係において、
光デイジタル信号り、は電流クロック信号I8によって
同期され、光出力Poutとして信号Loが得られる。
り、を、光双安定半導体レーザ3の光入力Pinとして
入力させる。振幅値A、は光双安定特性11の閾値P
thlと光双安定特性12の閾値P th3との中間値
に設定される。電極5に与えられる電流I、は正の電流
クロック信号1.(第1クローツク信号)として使用さ
れ、論理値“0″には電流値I。2を、論理値“1”に
は電流値■。、を設定する。一方電極8に与えられる電
流■2は負の電流クロック信号Ig(第2クロック信号
)として使用され、論理値“0”には電流値Iblを、
論理値“1″には電流値Ib2を設定する。この負の電
流クロック信号Ikの位相には正の電流クロック信号■
2の位相と反転関係にある。上記の信号関係において、
光デイジタル信号り、は電流クロック信号I8によって
同期され、光出力Poutとして信号Loが得られる。
時間tについてt、〜t、の順に従って、第6図を説明
する。まず時間1=1.より以前では、光デイジタル信
号り、の振幅値は0(論理値“0”)、電流クロック信
号IxはIC2、電流クロック信号IxはIb2である
。従って、光入力Pinと光出力poutの関係は光双
安定特性12で支配され、このため光出力Poutは低
い値PLに保持される。故に光出力信号し。は論理値“
0”をとる。
する。まず時間1=1.より以前では、光デイジタル信
号り、の振幅値は0(論理値“0”)、電流クロック信
号IxはIC2、電流クロック信号IxはIb2である
。従って、光入力Pinと光出力poutの関係は光双
安定特性12で支配され、このため光出力Poutは低
い値PLに保持される。故に光出力信号し。は論理値“
0”をとる。
時間1=1.では、光デイジタル信号Lnは振幅値がA
fl(論理値“1”)となる。このとき正の電流クロッ
ク信号IKと負の電流クロック信号下にはそのままIC
2、rb2のまま維持されているので、光双安定半導体
レーザ3は、光双安定特性12において点Q、に励振さ
れるが、光出力Poutは依然として低い値Pt、に保
持される。すなわち、光デイジタル信号L0が論理値“
1”となっても、光出力信号し、は論理値“0”のまま
である。
fl(論理値“1”)となる。このとき正の電流クロッ
ク信号IKと負の電流クロック信号下にはそのままIC
2、rb2のまま維持されているので、光双安定半導体
レーザ3は、光双安定特性12において点Q、に励振さ
れるが、光出力Poutは依然として低い値Pt、に保
持される。すなわち、光デイジタル信号L0が論理値“
1”となっても、光出力信号し、は論理値“0”のまま
である。
時間1=1.で、正の電流クロック信号IKがICIに
、負の電流クロック信号TつがIblに変化すると、光
双安定半導体レーザ3は光双安定特性11で支配される
。このため、光デイジタル信号り、の振幅値がAoであ
るで動作点は点Q4となり、光出力Poutは高い値P
□へ変化する。従って光出力信号Loは、この時点で論
理値“1”となる。このことは、正の電流クロック信号
IMの立上りclに光出力信号し。の立上りが同期した
ことを意味する。
、負の電流クロック信号TつがIblに変化すると、光
双安定半導体レーザ3は光双安定特性11で支配される
。このため、光デイジタル信号り、の振幅値がAoであ
るで動作点は点Q4となり、光出力Poutは高い値P
□へ変化する。従って光出力信号Loは、この時点で論
理値“1”となる。このことは、正の電流クロック信号
IMの立上りclに光出力信号し。の立上りが同期した
ことを意味する。
時間1=13では、正の電流クロック信号下、がIC2
に、負の電流クロック信号TイがIb2に変化する。こ
の結果、光双安定半導体レーザ3は光双安定特性12で
支配されることになり、光デイジタル信号り、は高い値
Anを保持したままであるので、その動作点は点Q4か
ら点Qsに変化するが、光出力poutは高い値Paに
保持される。
に、負の電流クロック信号TイがIb2に変化する。こ
の結果、光双安定半導体レーザ3は光双安定特性12で
支配されることになり、光デイジタル信号り、は高い値
Anを保持したままであるので、その動作点は点Q4か
ら点Qsに変化するが、光出力poutは高い値Paに
保持される。
従って、光出力信号し。は論理値“1”に保持される。
時間1=1.では、各電流クロック信号1*、Ixは上
記と同じ値に保たれ、光デイジタル信号Loのみがその
振幅値を0に変化する。しかし、光双安定半導体レーザ
3は光双安定特性12によって支配されているので、動
作点は点Q5から点Q2に移動し、光出力Poutは高
い値pHに保持される。このことは、光デイジタル信号
り。が論理値“0”に変化しても光出力信号り。は論理
値“1”に保持されることを意味する。
記と同じ値に保たれ、光デイジタル信号Loのみがその
振幅値を0に変化する。しかし、光双安定半導体レーザ
3は光双安定特性12によって支配されているので、動
作点は点Q5から点Q2に移動し、光出力Poutは高
い値pHに保持される。このことは、光デイジタル信号
り。が論理値“0”に変化しても光出力信号り。は論理
値“1”に保持されることを意味する。
時間t=tsでは、光デイジタル信号Loの振幅値が0
のままで正の電流クロック信号I8が工。1へ、負の電
流クロック信号T、がIb+へそれぞれ変化する。光双
安定半導体レーザ3は、これによって光双安定特性11
に支配されることになり、動作点は点Q2から点Q、に
変化する。従って、この時点で光出力信号し。は論理値
“1#から論理値″0”へと変化する。このことは、正
の電流クロック信号Iつの立上りC2に対応して、これ
に同期して光出力信号Loが論理値“0#になることを
意味する。
のままで正の電流クロック信号I8が工。1へ、負の電
流クロック信号T、がIb+へそれぞれ変化する。光双
安定半導体レーザ3は、これによって光双安定特性11
に支配されることになり、動作点は点Q2から点Q、に
変化する。従って、この時点で光出力信号し。は論理値
“1#から論理値″0”へと変化する。このことは、正
の電流クロック信号Iつの立上りC2に対応して、これ
に同期して光出力信号Loが論理値“0#になることを
意味する。
時間1=1.以降t7+ t、、 t9では上述の動作
が繰り返えされる。
が繰り返えされる。
上記動作によれば、光出力Poutである信号り。
は、光入力Pinである光デイジタル信号Lnが電流ク
ロック信号Igの立上りCIn C2+ C3+ C4
+ CS。
ロック信号Igの立上りCIn C2+ C3+ C4
+ CS。
・・・に同期して一定時間遅れることによって発生する
。従って光双安定半導体レーザ3は、所定の電流値を論
理値“1”、“0”と設定して電極7゜8に与えられた
電流I+ Hz)、I2 (Iつ)によって制御され、
且つ所定の振幅値Al11を有する光デイジタル信号り
。を光入力とすることによって、光Dフリップフロップ
回路、すなわちDフリップフロップの機能を有する光回
路として動作することができる。
。従って光双安定半導体レーザ3は、所定の電流値を論
理値“1”、“0”と設定して電極7゜8に与えられた
電流I+ Hz)、I2 (Iつ)によって制御され、
且つ所定の振幅値Al11を有する光デイジタル信号り
。を光入力とすることによって、光Dフリップフロップ
回路、すなわちDフリップフロップの機能を有する光回
路として動作することができる。
次に上記の如く実現される光Dフリップフロップ回路2
を4個用いて構成される4ビツトの光シフトレジスタ回
路を第1図に基づいて説明する。
を4個用いて構成される4ビツトの光シフトレジスタ回
路を第1図に基づいて説明する。
第1図において、光Dフリップフロップ回路は4個(図
中2A、2B、2C,2D)が導光路13゜14、15
を介して縦続に接続される。16は入光部である。また
導光路13.14.15. には光分岐部17゜18
、19が設けられ、分岐導光路20.21.22が形成
され、こうして出光部23.24.25.26が設けら
れる。光Dフリップフロップ回路2A、2B、2C。
中2A、2B、2C,2D)が導光路13゜14、15
を介して縦続に接続される。16は入光部である。また
導光路13.14.15. には光分岐部17゜18
、19が設けられ、分岐導光路20.21.22が形成
され、こうして出光部23.24.25.26が設けら
れる。光Dフリップフロップ回路2A、2B、2C。
2Dはそれぞれ電極7,8を有し、各電極7にはクロッ
ク電源27(電圧Ec)より増幅器28を介して正の電
流クロック信号■つが与えられ、また各電極8には反転
増幅器29を介して負の電流クロック信号T、が与えら
れ、このようにして光Dフリップフロップ回路2A、2
B、2C,2Dは正負の電流クロック信号IM、IMに
よって駆動される。
ク電源27(電圧Ec)より増幅器28を介して正の電
流クロック信号■つが与えられ、また各電極8には反転
増幅器29を介して負の電流クロック信号T、が与えら
れ、このようにして光Dフリップフロップ回路2A、2
B、2C,2Dは正負の電流クロック信号IM、IMに
よって駆動される。
光デイジタル信号Loは入光部16に入力され、第1段
目の光Dフリップフロップ回路2Aにおいて、第2図に
示すように電流クロック信号工。の立上り時C1に同期
して立上ることにより光出力信号し。1が得られる。こ
の光出力信号し。1は導光路13を介して第2段目の光
Dフリップフロップ回路2Bに入力されると共に、光分
岐部17を介して分岐導光路20へ導びかれ、出力部2
3より光出力信号り、とじて取り出される。第2段目の
光Dフリップフロップ回路2Bでは、光Dフリップフロ
ップ回路2Aから与えられる光信号し。1を入力信号と
して、第1段目の場合と同様に電流クロック信号Ifに
同期して光出力信号り。2を得ることができる。このよ
うにして順次に第3段目の光Dフリップフロップ回路2
Cでは光出力信号LO3、第4段目の光Dフリップフロ
ップ回路2Dでは光出力信号し、を得ることができる。
目の光Dフリップフロップ回路2Aにおいて、第2図に
示すように電流クロック信号工。の立上り時C1に同期
して立上ることにより光出力信号し。1が得られる。こ
の光出力信号し。1は導光路13を介して第2段目の光
Dフリップフロップ回路2Bに入力されると共に、光分
岐部17を介して分岐導光路20へ導びかれ、出力部2
3より光出力信号り、とじて取り出される。第2段目の
光Dフリップフロップ回路2Bでは、光Dフリップフロ
ップ回路2Aから与えられる光信号し。1を入力信号と
して、第1段目の場合と同様に電流クロック信号Ifに
同期して光出力信号り。2を得ることができる。このよ
うにして順次に第3段目の光Dフリップフロップ回路2
Cでは光出力信号LO3、第4段目の光Dフリップフロ
ップ回路2Dでは光出力信号し、を得ることができる。
この結果出力部23゜24、25.26には、第2図に
示すように入力される光デイジタル信号LIllに基づ
いて光出力信号L l +L 2. L !l、 L
4を得ることができることになる。この場合にふいて、
各段の光Dフリップフロップ回路2A、2B、2C,2
Dにおいては論理値“1”が確実に信号として得られる
ように各光Dフリップフロップ回路を成す光双安定半導
体レーザの光出力Poutのレベルは適当に調整されて
いるものとする。
示すように入力される光デイジタル信号LIllに基づ
いて光出力信号L l +L 2. L !l、 L
4を得ることができることになる。この場合にふいて、
各段の光Dフリップフロップ回路2A、2B、2C,2
Dにおいては論理値“1”が確実に信号として得られる
ように各光Dフリップフロップ回路を成す光双安定半導
体レーザの光出力Poutのレベルは適当に調整されて
いるものとする。
従って、上記説明及び第2図で明らかなように、第1図
に示された光回路は、光デイジタル信号LIllを基と
して1ビツト遅延、2ビツト遅延、3ビツト遅延、4ビ
ツト遅延させた光信号L l* L 21 L 3 r
L4を発生する機能を有しており、このようにして光シ
フトレジスタ回路lとして構成されるものである。
に示された光回路は、光デイジタル信号LIllを基と
して1ビツト遅延、2ビツト遅延、3ビツト遅延、4ビ
ツト遅延させた光信号L l* L 21 L 3 r
L4を発生する機能を有しており、このようにして光シ
フトレジスタ回路lとして構成されるものである。
以上の説明では光Dフリップフロップ回路2を構成する
光双安定半導体レーザ3と分岐部17.18゜19とは
便宜上別部品として取扱ったが、これらの機能を一枚の
基板上で集積化すれば、小型且つ経済的で、実用に富む
光シフトレジスタ回路を実現することができる。また光
分岐部17.18.19として方向性結合器を想定して
いるが、これに限定されることはなく、同様な機能を有
するものであれば任意の手段を用いることができる。更
に、上記実施例では4ビツトの光シフトレジスタ回路を
説明したが、これに限定されることなく任意の個数の光
Dフリップフロップ回路2を縦続接続すれば、任意のビ
ット数の光シフトレジスタ回路を実現することが可能で
ある。
光双安定半導体レーザ3と分岐部17.18゜19とは
便宜上別部品として取扱ったが、これらの機能を一枚の
基板上で集積化すれば、小型且つ経済的で、実用に富む
光シフトレジスタ回路を実現することができる。また光
分岐部17.18.19として方向性結合器を想定して
いるが、これに限定されることはなく、同様な機能を有
するものであれば任意の手段を用いることができる。更
に、上記実施例では4ビツトの光シフトレジスタ回路を
説明したが、これに限定されることなく任意の個数の光
Dフリップフロップ回路2を縦続接続すれば、任意のビ
ット数の光シフトレジスタ回路を実現することが可能で
ある。
以上の説明で明らかなように本発明によれば、光双安定
半導体レーザにおいて所定の2種の電流クロック信号を
与え且つ所定値の光入力を用いることによって光Dフリ
ップフロップ回路を構成し、この光Dフリップフロップ
回路を導光路、光分岐部を介して縦続的に接続すること
により、小型で、集積化に適した実用性に富む光シフト
レジスタ回路を実現することができる。
半導体レーザにおいて所定の2種の電流クロック信号を
与え且つ所定値の光入力を用いることによって光Dフリ
ップフロップ回路を構成し、この光Dフリップフロップ
回路を導光路、光分岐部を介して縦続的に接続すること
により、小型で、集積化に適した実用性に富む光シフト
レジスタ回路を実現することができる。
第1図は本発明に係る光シフトレジスタ回路の構成図、
第2図は光シフトレジスフ回路の動作を説明するタイミ
ングチャート、 第3図は光Dフリップフロップ回路を実現する光双安定
半導体レーザの斜視図、 第4図は電極に与えられる電流と光出力との間に生じる
光双安定特性を示す図、 第5図は光入力と光出力との間に生じる光双安定特性を
示す図、 第6図は光Dフリップフロップ回路としての動作特性を
説明するための波形図及びこれに関係する光双安定特性
図である。 1・・・光シフトレジスタ回路 2.2A、2B、2C,2D・・・光Dフリップフロッ
プ回路 3・・・光双安定半導体レーザ 7.8・・・電極 9、10.11.12・・・光双安定特性I、、I2・
・・電流 Pin・・・光入力 Pout・・・光出力 ■、・・・正の電流クロック信号(第1クロック号) T、・・・負の電流クロック信号(第2クロック号)
ングチャート、 第3図は光Dフリップフロップ回路を実現する光双安定
半導体レーザの斜視図、 第4図は電極に与えられる電流と光出力との間に生じる
光双安定特性を示す図、 第5図は光入力と光出力との間に生じる光双安定特性を
示す図、 第6図は光Dフリップフロップ回路としての動作特性を
説明するための波形図及びこれに関係する光双安定特性
図である。 1・・・光シフトレジスタ回路 2.2A、2B、2C,2D・・・光Dフリップフロッ
プ回路 3・・・光双安定半導体レーザ 7.8・・・電極 9、10.11.12・・・光双安定特性I、、I2・
・・電流 Pin・・・光入力 Pout・・・光出力 ■、・・・正の電流クロック信号(第1クロック号) T、・・・負の電流クロック信号(第2クロック号)
Claims (1)
- (1)第1電極に第1クロック信号を与え且つ第2電極
に第2クロック信号を与えることによって光Dフリップ
フロップ回路として動作する光双安定半導体レーザを、
複数個縦続に接続し、前記光双安定半導体レーザの各出
力を各ビットの出力として取り出したことを特徴とする
光シフトレジスタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10059085A JPS61259235A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 光シフトレジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10059085A JPS61259235A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 光シフトレジスタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259235A true JPS61259235A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0584492B2 JPH0584492B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=14278089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10059085A Granted JPS61259235A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 光シフトレジスタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259235A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0366098A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記憶装置 |
| WO2003077259A1 (fr) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Japan Science And Technology Agency | Procede relatif a une memoire optique a vitesse tres elevee et appareil mettant en oeuvre un laser semi-conducteur bistable |
| JP2008262122A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Nara Institute Of Science & Technology | シフトレジスタ型光メモリ装置 |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP10059085A patent/JPS61259235A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0366098A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記憶装置 |
| WO2003077259A1 (fr) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Japan Science And Technology Agency | Procede relatif a une memoire optique a vitesse tres elevee et appareil mettant en oeuvre un laser semi-conducteur bistable |
| JP2003337355A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Japan Science & Technology Corp | 双安定半導体レーザを用いた超高速光メモリー方法及びその装置 |
| JP2008262122A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Nara Institute Of Science & Technology | シフトレジスタ型光メモリ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0584492B2 (ja) | 1993-12-02 |
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