JPH0367113B2 - - Google Patents
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- JPH0367113B2 JPH0367113B2 JP58111109A JP11110983A JPH0367113B2 JP H0367113 B2 JPH0367113 B2 JP H0367113B2 JP 58111109 A JP58111109 A JP 58111109A JP 11110983 A JP11110983 A JP 11110983A JP H0367113 B2 JPH0367113 B2 JP H0367113B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0333—Organic insulating material consisting of one material containing S
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L81/06—Polysulfones; Polyethersulfones
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- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Description
本発明はポリ（エーテルスルホン）およびポリ
スルホンの混合物よりなる回路盤基板および電気
コネクタの製造用な組成物に関する。さらに、本
発明はこの様な組成物から製造された回路盤基板
およひ電気コネクタに関する。 米国特許第4281038号明細書には、ポリフエニ
ルオキシド、ポリフエニルスルフイド、ポリイミ
ドおよびポリエーテルスルホンから選択された熱
可塑性樹脂から製造されたプリント回路用の非導
電性基板（ボード）が記載されている。この熱可
塑性樹脂には、鉄、銅、鉄の化合物および銅の化
合物などの物質の微粒子が個々ばらばらに分散さ
れており、これら微粒子はシリコーン樹脂、有機
シランおよびシランエステルなどの結合助剤の被
膜を有している。 回路盤は、ラジオ、テレビジオン、コンピユー
タ、電気器具、工業および電子設備についての電
気工業に広く使用されている。プリント回路盤は
従来鋼クラツド（銅被）エポキシーグラス積層体
から製造されていた。この物質を用いて着手開始
するとき、プリント回路盤の形状は、まず溝をつ
け、そして構成成分（例えば、トランジスタ、抵
抗体、集積回路等）を取付けるために、個々に穿
孔しなければならない。次いで、回路盤をホトレ
ジストでマスクし、回路構成要素の像を造り、銅
を必要としない領域からエツチング除去する。こ
の手順の代案としては、回路盤を適所に孔を備え
て射出成型することにある。成型された基板は、
次いで種々の接着促進工程を経て、標準技術によ
り無電解銅メツキしてプリント回路盤を製造す
る。この場合、基板材料は流動はんだ付けを長持
ちさせるのに十分な熱安定性および化学特性を有
する熱可塑性樹脂に限定される。また、これら射
出成型回路盤基板では、溝付けおよび穿孔などの
ようなかなりの機械加工の省略に因り、節約が結
果として生じる。 プリント回路盤の不可決のパラメータは、半田
付けの観点からは、熱変形温度、環境応力耐亀裂
性および熱膨張係数である。半田に対する基板の
熱変形温度および環境応力耐亀裂性が高かければ
高いほど、基板は半田付け中ふくれまたは積層剥
離を生じなくなる。 ビスフエノールＡ系を基礎とするポリスルホン
を回路盤基板へ成型した場合、この回路盤基板は
流動はんだ付けにおいて出合うものなど半田付け
温度に対して一般にあまりにも低い熱変形温度を
有している。ポリ（エーテルスルホン）から成型
された回路盤基板は特定のエツチング溶液（例え
ば、クロム酸）に対して抵抗性があり、かくて、
メツキするのに適した表面を調製するためには比
較的硬い。さらに、ポリ（エーテルスルホン）か
ら成型された回路盤は多くの場合許容可能なメツ
キ性がない。許容可能なメツキ性としては、無電
解メツキされた銅が基板に対して良好な接着性を
必要とすることである。 ここに、本発明者は研究の結果、ポリスルホン
をポリ（エーテルスルホン）に添加した場合、生
成する組成物から成型した回路盤基板は、改良さ
れたメツキ性を有することを見出した。ポリスル
ホンおよびポリ（エーテルスルホン）の組合せに
より、適切な熱変形温度が生じ、かつこの組合せ
は回路盤基板を成型する際、個々の構成成分より
は良好なクロム酸エツチングに対する磁化率（帯
磁率）が生じる。 回路盤基板および電気コネクタを製造するのに
使用する組成物は、ポリ（エーテルスルホン）約
40〜約90重量％、好ましくは約50〜約85重量％、
およびポリスルホン約10〜約60重量％、好ましく
は約15〜約50重量％よりなる。 本発明に使用するのに好適なポリ（エーテルス
ルホン）は次式のくり返し単位より成る。 これらのポリマーは当業界で周知であり、例え
ば、米国特許第4175175号および第4008203号の各
明細書に記載されている。 本発明で使用するポリスルホンは、次式で表さ
れるくり返し単位より成る。 これらのポリマーは当業界で周知であり、例え
ば、米国特許第4175175号明細書に記載されてい
る。 本発明の組成物は、安定剤すなわち酸化亜鉛な
どの金属酸化物、酸化防止剤、難燃化剤、顔料、
繊維、無機充填剤などの他の成分を含有してもよ
い。好ましくは、本発明の組成物は繊維及び（ま
たは）無機充填剤を含有する。 強化繊維としては、フアイバーグラス、炭素繊
維等などおよびそれらの混合物が含まれる。使用
することのできる微粒状無機充填剤としては、珪
灰石、炭酸カルシウム、グラビーズ、タルク、雲
母等、およびそれらの混合物がある。 繊維強化剤、充填剤、またはそれらの組合せ
は、０〜約50重量％、好ましくは約10〜約35重量
％の量で利用される。 本発明の組成物は任意慣用の混合方法によつて
調製される。例えば、好ましい方法は、押出機に
おいてポリ（エーテルスルホン）、ポリスルホン
および他の任意の成分を粉末または粒状形態で混
合すること、この混合物を押出してストランドに
すること、このストランドを切断（チヨツプ）し
てペレツトにすること、およびこのペレツトを所
望の回路盤基板および電気コネクタへ成型するこ
とよりなる。 本発明の組成物は、従来の技術を使用して回路
盤基板および電気コネクタへ成型することができ
る。具体的には、本発明の組成物は従来の成型設
備を使用して回路盤基板へ成型することができ
る。次いで、成型された盤を、表面をざらざらと
なし、かつ酸化により化学物質を導入することに
よつて膨潤させかつエツチングして銅の接着を促
進させる。その後、回路構成要素を従来の付加ま
たは半付加法のいずれかによつて盤に貼付する。
どちらの場合にも、従来の如くして金属の析出に
対して表面を活性にする触媒を塗布した後、銅を
基板に無電解法で貼付する。 第１図は正割モジユラスに関し、温度と、組成
物中の成分割合との関係を示すグラフ図である。 実施例 次の諸実施例は本発明の実施について特定の説
明をするものであるが、どの点においても本発明
の範囲を制限しようとするものではない。 なお、数値及びデータに関しては、次のとおり
換算する。 psi＝0.07Kg／cm2 フート＝30.48cm インチ＝１フート×1/12＝2.54cm １ミル＝１インチ×1/1000＝0.0025cm ポンド＝453ｇ オンス＝28.35ｇ ℃＝（〓−32）×5/9 対照例 Ａ クロロホルム中で測定した場合、換算粘度0.43
（25℃で100ml中ポリマー0.2ｇ）を有する、式 で表わされるくり返し単位より成るポリスルホ
ンを、Newburg1/4オンスのスクリユー射出成型
機を使用してASTM試験用棒へ（270〜300℃で）
射出成型した。この試験用棒を次の特性について
測定した：ASTM Ｄ−638による引張強さおよ
びモジユラス；ASTM Ｄ−638による破壊時の
伸び率；ASTM Ｄ−256によるアイゾツト衝撃
強さ；ASTM Ｄ−1822による引張衝撃強さ；
ASTM Ｄ−638により厚さ1/8インチの未焼入れ
試験用棒について264psi下で測定の熱変形温度；
ASTM Ｄ−1238−73によるメルトフローおよび
次の手順による振子式衝撃強さ。 長さ１インチおよび幅1/8インチ（厚さ１〜30
ミリ）の試料を、振子の通路を横切り、かつ振り
の底部に位置するようにジヨー（ジヨーチヤツ
ク）に設ける。試料の1/8インチの面に、振子の
１／４インチ径の衝撃ヘツドで衝撃を与える。振子
を、試料なしに、その開始位置から放ち、そのサ
イクルにより振らせる。この様にして、エネルギ
損失ゼロの回復高さを測定する。試料を振子の通
路に設けてサイクルをくり返す。再び、回復高さ
を測定する、この場合、被検体の法は振子からエ
ネルギーを受けて破壊するので、同じ回復高さは
達成されない。この回復高さの差（すなわち、上
方振りの最高点での振子の位置エネルギーの差）
は、破壊の間に被検体によつて吸収されたエネル
ギーを表わす。フイートポンド／立方インチで表
わされる衝撃強さは、振子エネルギー損失値を被
検体の体積で割り算（除法）することによつて得
られる。５〜10種の被検体を、各材料について試
験した。結果を表に示す。 対照例 Ｂ 0.48の換算粘度（Ｎ−メチルピロリドン中25℃
で測定）を有する次式 で表わされるくり返し単位より成るポリ（エーテ
ルスルホン）を、対照例Ａにおいて記載の如く、
ASTM試験用棒へ射出成型して試験した。結果
を表に示す。 実施例 １ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）90重量％
および対照例Ａのポリスルホン10重量％よりなる
混合物を、単一スクリユーを有し、Ｌ／Ｄ＝36／
１で、かつ直径１インチの押出器において、300
〜320℃で押出し混合することによつて調製した。 押出物を切断（チヨツプ）してペレツトにし
た。このペレツトを対照例Ａに記載の如く
ASTM試験用棒へ射出成型して試験した。結果
を表に示す。 実施例 ２ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）70重量％
および対照例Ａのポリスルホン30重量％を使用し
た以外は、実施例１の手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 実施例 ３ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）50重量％
および対照例Ａのポリスルホン50重量％を使用し
た以外は、実施例１の手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 対照例 Ｃ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）30重量％
および対照例Ａのポリスルホン70重量％を使用し
た以外は、実施例１の手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。
スルホンの混合物よりなる回路盤基板および電気
コネクタの製造用な組成物に関する。さらに、本
発明はこの様な組成物から製造された回路盤基板
およひ電気コネクタに関する。 米国特許第4281038号明細書には、ポリフエニ
ルオキシド、ポリフエニルスルフイド、ポリイミ
ドおよびポリエーテルスルホンから選択された熱
可塑性樹脂から製造されたプリント回路用の非導
電性基板（ボード）が記載されている。この熱可
塑性樹脂には、鉄、銅、鉄の化合物および銅の化
合物などの物質の微粒子が個々ばらばらに分散さ
れており、これら微粒子はシリコーン樹脂、有機
シランおよびシランエステルなどの結合助剤の被
膜を有している。 回路盤は、ラジオ、テレビジオン、コンピユー
タ、電気器具、工業および電子設備についての電
気工業に広く使用されている。プリント回路盤は
従来鋼クラツド（銅被）エポキシーグラス積層体
から製造されていた。この物質を用いて着手開始
するとき、プリント回路盤の形状は、まず溝をつ
け、そして構成成分（例えば、トランジスタ、抵
抗体、集積回路等）を取付けるために、個々に穿
孔しなければならない。次いで、回路盤をホトレ
ジストでマスクし、回路構成要素の像を造り、銅
を必要としない領域からエツチング除去する。こ
の手順の代案としては、回路盤を適所に孔を備え
て射出成型することにある。成型された基板は、
次いで種々の接着促進工程を経て、標準技術によ
り無電解銅メツキしてプリント回路盤を製造す
る。この場合、基板材料は流動はんだ付けを長持
ちさせるのに十分な熱安定性および化学特性を有
する熱可塑性樹脂に限定される。また、これら射
出成型回路盤基板では、溝付けおよび穿孔などの
ようなかなりの機械加工の省略に因り、節約が結
果として生じる。 プリント回路盤の不可決のパラメータは、半田
付けの観点からは、熱変形温度、環境応力耐亀裂
性および熱膨張係数である。半田に対する基板の
熱変形温度および環境応力耐亀裂性が高かければ
高いほど、基板は半田付け中ふくれまたは積層剥
離を生じなくなる。 ビスフエノールＡ系を基礎とするポリスルホン
を回路盤基板へ成型した場合、この回路盤基板は
流動はんだ付けにおいて出合うものなど半田付け
温度に対して一般にあまりにも低い熱変形温度を
有している。ポリ（エーテルスルホン）から成型
された回路盤基板は特定のエツチング溶液（例え
ば、クロム酸）に対して抵抗性があり、かくて、
メツキするのに適した表面を調製するためには比
較的硬い。さらに、ポリ（エーテルスルホン）か
ら成型された回路盤は多くの場合許容可能なメツ
キ性がない。許容可能なメツキ性としては、無電
解メツキされた銅が基板に対して良好な接着性を
必要とすることである。 ここに、本発明者は研究の結果、ポリスルホン
をポリ（エーテルスルホン）に添加した場合、生
成する組成物から成型した回路盤基板は、改良さ
れたメツキ性を有することを見出した。ポリスル
ホンおよびポリ（エーテルスルホン）の組合せに
より、適切な熱変形温度が生じ、かつこの組合せ
は回路盤基板を成型する際、個々の構成成分より
は良好なクロム酸エツチングに対する磁化率（帯
磁率）が生じる。 回路盤基板および電気コネクタを製造するのに
使用する組成物は、ポリ（エーテルスルホン）約
40〜約90重量％、好ましくは約50〜約85重量％、
およびポリスルホン約10〜約60重量％、好ましく
は約15〜約50重量％よりなる。 本発明に使用するのに好適なポリ（エーテルス
ルホン）は次式のくり返し単位より成る。 これらのポリマーは当業界で周知であり、例え
ば、米国特許第4175175号および第4008203号の各
明細書に記載されている。 本発明で使用するポリスルホンは、次式で表さ
れるくり返し単位より成る。 これらのポリマーは当業界で周知であり、例え
ば、米国特許第4175175号明細書に記載されてい
る。 本発明の組成物は、安定剤すなわち酸化亜鉛な
どの金属酸化物、酸化防止剤、難燃化剤、顔料、
繊維、無機充填剤などの他の成分を含有してもよ
い。好ましくは、本発明の組成物は繊維及び（ま
たは）無機充填剤を含有する。 強化繊維としては、フアイバーグラス、炭素繊
維等などおよびそれらの混合物が含まれる。使用
することのできる微粒状無機充填剤としては、珪
灰石、炭酸カルシウム、グラビーズ、タルク、雲
母等、およびそれらの混合物がある。 繊維強化剤、充填剤、またはそれらの組合せ
は、０〜約50重量％、好ましくは約10〜約35重量
％の量で利用される。 本発明の組成物は任意慣用の混合方法によつて
調製される。例えば、好ましい方法は、押出機に
おいてポリ（エーテルスルホン）、ポリスルホン
および他の任意の成分を粉末または粒状形態で混
合すること、この混合物を押出してストランドに
すること、このストランドを切断（チヨツプ）し
てペレツトにすること、およびこのペレツトを所
望の回路盤基板および電気コネクタへ成型するこ
とよりなる。 本発明の組成物は、従来の技術を使用して回路
盤基板および電気コネクタへ成型することができ
る。具体的には、本発明の組成物は従来の成型設
備を使用して回路盤基板へ成型することができ
る。次いで、成型された盤を、表面をざらざらと
なし、かつ酸化により化学物質を導入することに
よつて膨潤させかつエツチングして銅の接着を促
進させる。その後、回路構成要素を従来の付加ま
たは半付加法のいずれかによつて盤に貼付する。
どちらの場合にも、従来の如くして金属の析出に
対して表面を活性にする触媒を塗布した後、銅を
基板に無電解法で貼付する。 第１図は正割モジユラスに関し、温度と、組成
物中の成分割合との関係を示すグラフ図である。 実施例 次の諸実施例は本発明の実施について特定の説
明をするものであるが、どの点においても本発明
の範囲を制限しようとするものではない。 なお、数値及びデータに関しては、次のとおり
換算する。 psi＝0.07Kg／cm2 フート＝30.48cm インチ＝１フート×1/12＝2.54cm １ミル＝１インチ×1/1000＝0.0025cm ポンド＝453ｇ オンス＝28.35ｇ ℃＝（〓−32）×5/9 対照例 Ａ クロロホルム中で測定した場合、換算粘度0.43
（25℃で100ml中ポリマー0.2ｇ）を有する、式 で表わされるくり返し単位より成るポリスルホ
ンを、Newburg1/4オンスのスクリユー射出成型
機を使用してASTM試験用棒へ（270〜300℃で）
射出成型した。この試験用棒を次の特性について
測定した：ASTM Ｄ−638による引張強さおよ
びモジユラス；ASTM Ｄ−638による破壊時の
伸び率；ASTM Ｄ−256によるアイゾツト衝撃
強さ；ASTM Ｄ−1822による引張衝撃強さ；
ASTM Ｄ−638により厚さ1/8インチの未焼入れ
試験用棒について264psi下で測定の熱変形温度；
ASTM Ｄ−1238−73によるメルトフローおよび
次の手順による振子式衝撃強さ。 長さ１インチおよび幅1/8インチ（厚さ１〜30
ミリ）の試料を、振子の通路を横切り、かつ振り
の底部に位置するようにジヨー（ジヨーチヤツ
ク）に設ける。試料の1/8インチの面に、振子の
１／４インチ径の衝撃ヘツドで衝撃を与える。振子
を、試料なしに、その開始位置から放ち、そのサ
イクルにより振らせる。この様にして、エネルギ
損失ゼロの回復高さを測定する。試料を振子の通
路に設けてサイクルをくり返す。再び、回復高さ
を測定する、この場合、被検体の法は振子からエ
ネルギーを受けて破壊するので、同じ回復高さは
達成されない。この回復高さの差（すなわち、上
方振りの最高点での振子の位置エネルギーの差）
は、破壊の間に被検体によつて吸収されたエネル
ギーを表わす。フイートポンド／立方インチで表
わされる衝撃強さは、振子エネルギー損失値を被
検体の体積で割り算（除法）することによつて得
られる。５〜10種の被検体を、各材料について試
験した。結果を表に示す。 対照例 Ｂ 0.48の換算粘度（Ｎ−メチルピロリドン中25℃
で測定）を有する次式 で表わされるくり返し単位より成るポリ（エーテ
ルスルホン）を、対照例Ａにおいて記載の如く、
ASTM試験用棒へ射出成型して試験した。結果
を表に示す。 実施例 １ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）90重量％
および対照例Ａのポリスルホン10重量％よりなる
混合物を、単一スクリユーを有し、Ｌ／Ｄ＝36／
１で、かつ直径１インチの押出器において、300
〜320℃で押出し混合することによつて調製した。 押出物を切断（チヨツプ）してペレツトにし
た。このペレツトを対照例Ａに記載の如く
ASTM試験用棒へ射出成型して試験した。結果
を表に示す。 実施例 ２ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）70重量％
および対照例Ａのポリスルホン30重量％を使用し
た以外は、実施例１の手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 実施例 ３ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）50重量％
および対照例Ａのポリスルホン50重量％を使用し
た以外は、実施例１の手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 対照例 Ｃ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）30重量％
および対照例Ａのポリスルホン70重量％を使用し
た以外は、実施例１の手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。
【表】
【表】
対照例 Ｄ
Ｌ／Ｄ＝24／１の１インチ押出機において、対
照例Ａのポリスルホン70重量％をフアイバグラス
（Owens Corning Fiberglass社製のOCF−197B）
30重量％と約300℃で混合した。押出物を切断し
てペレツトにした。ペレツトをASTM試験用棒
へ射出成型し、次の特性について試験した：
ASTM Ｄ−638による引張強さおよびモジユラ
ス；ASTM Ｄ−638による破壊時の伸び率；
ASTM Ｄ−256による切込みアイゾツト衝撃強
さ；ASTM Ｄ−1822による引張衝撃強さ；およ
びASTM Ｄ−638により、厚さ1/8の未アニール
（未なまし＝未焼きなまし）処理の試験用棒につ
いて264psi下で測定の熱変形温度。結果を表に
示す。 対照例 Ｅ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）70重量％
を、対照例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％
と混合した以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり
返した。結果を地に示す。 実施例 ４ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）50重量％
を、対照例Ａのポリスルホン20重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は対照例Ｄの手順を正確にくり返した。結
果を表に示す。 実施例 ５ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）40重量％
を、対照例Ａのポリスルホン30重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 実施例 ６ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）35重量％
を、対照例Ａのポリスルホン35重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 対照例 Ｆ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）20重量％
を、対照例Ａのポリスルホン50重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。
照例Ａのポリスルホン70重量％をフアイバグラス
（Owens Corning Fiberglass社製のOCF−197B）
30重量％と約300℃で混合した。押出物を切断し
てペレツトにした。ペレツトをASTM試験用棒
へ射出成型し、次の特性について試験した：
ASTM Ｄ−638による引張強さおよびモジユラ
ス；ASTM Ｄ−638による破壊時の伸び率；
ASTM Ｄ−256による切込みアイゾツト衝撃強
さ；ASTM Ｄ−1822による引張衝撃強さ；およ
びASTM Ｄ−638により、厚さ1/8の未アニール
（未なまし＝未焼きなまし）処理の試験用棒につ
いて264psi下で測定の熱変形温度。結果を表に
示す。 対照例 Ｅ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）70重量％
を、対照例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％
と混合した以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり
返した。結果を地に示す。 実施例 ４ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）50重量％
を、対照例Ａのポリスルホン20重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は対照例Ｄの手順を正確にくり返した。結
果を表に示す。 実施例 ５ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）40重量％
を、対照例Ａのポリスルホン30重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 実施例 ６ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）35重量％
を、対照例Ａのポリスルホン35重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。 対照例 Ｆ 対照例Ｂのポリ（エーテルスルホン）20重量％
を、対照例Ａのポリスルホン50重量％および対照
例Ｄに記載のフアイバーグラス30重量％と混合し
た以外は、対照例Ｄの手順を正確にくり返した。
結果を表に示す。
【表】
次の実施例７〜９は、ポリスルホン、ポリ（エ
ーテルスルホン）、充填剤および／または強化剤
よりなる混合物を説明するものである。 実施例 ７ 対照例Ａのポリスルホン40重量％を、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）30重量％および微粒
状珪灰石〔Nyeo（すなわちProcessed Minerals、
Inc.のデイヴイジヨン）により販売のNyed Ｎ−
400〕30重量％と、Ｌ／Ｄ＝24／１の押出機にお
いて300℃で混合した。この押出物の切断してペ
レツトにした。このペレツトをASTM試験用棒
へ射出成型し、対照例Ｄに記載のように試験し
た。結果を表に示す。 実施例 ８ 対照例Ａのポリスルホン35重量％を、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）35重量％および実施
例７に記載の珪灰石30重量％と混合した以外は、
実施例７の手順を正確にくり返した。結果を表
に示す。 実施例 ９ 対照例Ａのポリスルホン27重量％を、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）41重量％、実施例７
に記載の珪灰石15重量％、対照例Ｄに記載のフア
イバーグラス15重量％および酸化亜鉛安定剤２重
量％と混合した以外は、実施例７の手順を正確に
くり返した。結果を表に示す。
ーテルスルホン）、充填剤および／または強化剤
よりなる混合物を説明するものである。 実施例 ７ 対照例Ａのポリスルホン40重量％を、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）30重量％および微粒
状珪灰石〔Nyeo（すなわちProcessed Minerals、
Inc.のデイヴイジヨン）により販売のNyed Ｎ−
400〕30重量％と、Ｌ／Ｄ＝24／１の押出機にお
いて300℃で混合した。この押出物の切断してペ
レツトにした。このペレツトをASTM試験用棒
へ射出成型し、対照例Ｄに記載のように試験し
た。結果を表に示す。 実施例 ８ 対照例Ａのポリスルホン35重量％を、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）35重量％および実施
例７に記載の珪灰石30重量％と混合した以外は、
実施例７の手順を正確にくり返した。結果を表
に示す。 実施例 ９ 対照例Ａのポリスルホン27重量％を、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）41重量％、実施例７
に記載の珪灰石15重量％、対照例Ｄに記載のフア
イバーグラス15重量％および酸化亜鉛安定剤２重
量％と混合した以外は、実施例７の手順を正確に
くり返した。結果を表に示す。
【表】
対照例 Ｇ
対照例Ａのポリスルホン65重量％を、対照例Ｄ
のフアイバーグラス15重量％、実施例７の珪灰石
18重量％および酸化亜鉛安定剤２重量％と、
ZSK−53Werner Pfleider二軸押出機において
380℃で混練した。この押出物を切断してペレツ
トにした。回路基板用に使用する材料を次の特性
について試験した：ASTM Ｄ−638による引張
強さおよびモジユラス；ASTM Ｄ−790による
たわみ強さおよびモジユラス；ASTM Ｄ−638
による破壊時の伸び率；ASTM Ｄ−1822による
引張衝撃強さ。線熱膨張係数をASTM Ｄ−696
により測定した。結果を表に示す。 実施例 10 対照例Ａのポリスルホン26.4重量％、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）40重量％、対照例Ｄ
のフアイバーグラス15重量％、実施例７の珪灰石
16.6重量％、および酸化亜鉛２重量％を使用した
以外は、対照例Ｇの手順を正確にくり返した。結
果を表に示す。
のフアイバーグラス15重量％、実施例７の珪灰石
18重量％および酸化亜鉛安定剤２重量％と、
ZSK−53Werner Pfleider二軸押出機において
380℃で混練した。この押出物を切断してペレツ
トにした。回路基板用に使用する材料を次の特性
について試験した：ASTM Ｄ−638による引張
強さおよびモジユラス；ASTM Ｄ−790による
たわみ強さおよびモジユラス；ASTM Ｄ−638
による破壊時の伸び率；ASTM Ｄ−1822による
引張衝撃強さ。線熱膨張係数をASTM Ｄ−696
により測定した。結果を表に示す。 実施例 10 対照例Ａのポリスルホン26.4重量％、対照例Ｂ
のポリ（エーテルスルホン）40重量％、対照例Ｄ
のフアイバーグラス15重量％、実施例７の珪灰石
16.6重量％、および酸化亜鉛２重量％を使用した
以外は、対照例Ｇの手順を正確にくり返した。結
果を表に示す。
【表】
ーグラス
珪灰石 (18)
ZnO (2)
珪灰石 (18)
ZnO (2)
【表】
ーグラス
珪灰石 (16.6)
ZnO (2)
珪灰石 (16.6)
ZnO (2)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次式： で表わされるくり返し単位より成るポリ（エーテ
ルスルホン）40〜90重量％および次式： で表わされるくり返し単位より成るポリスルホン
10〜60重量％より成る回路盤基板および電気コネ
クタ製造用組成物。 ２ 強化用繊維を含有する特許請求の範囲第１項
に記載の組成物。 ３ 繊維がフアイバーグラスである特許請求の範
囲第２項に記載の組成物。 ４ 微粒状無機充填剤を含有する特許請求の範囲
第１項に記載の組成物。 ５ 充填剤が珪灰石である特許請求の範囲第４項
に記載の組成物。 ６ 強化用繊維および微粒状無機充填剤を含有す
る特許請求の範囲第１項に記載の組成物。 ７ フアイバーグラスおよび珪灰石を含有する特
許請求の範囲第６項に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39142282A | 1982-06-23 | 1982-06-23 | |
| US391422 | 1982-06-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911325A JPS5911325A (ja) | 1984-01-20 |
| JPH0367113B2 true JPH0367113B2 (ja) | 1991-10-21 |
Family
ID=23546521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111109A Granted JPS5911325A (ja) | 1982-06-23 | 1983-06-22 | 回路盤基板および電気コネクタ製造用組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0097370B2 (ja) |
| JP (1) | JPS5911325A (ja) |
| AT (1) | ATE20756T1 (ja) |
| CA (1) | CA1223389A (ja) |
| DE (1) | DE3364515D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1218782A (en) * | 1983-06-30 | 1987-03-03 | Solvay Advanced Polymers, Llc | Polyarylethersulfone containing blends |
| CA1258736A (en) * | 1985-10-29 | 1989-08-22 | National Research Council Of Canada | Preparation of substituted polysulfones by metalation |
| JPH0688382B2 (ja) * | 1986-02-04 | 1994-11-09 | 旭硝子株式会社 | 耐熱性樹脂複合材 |
| JPH01301756A (ja) * | 1987-03-24 | 1989-12-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | メツキ特性に優れた芳香族ポリスルフオン樹脂組成物 |
| US4818803A (en) * | 1987-07-27 | 1989-04-04 | Amoco Corporation | Poly(aryl ether sulfone) compositions having improved flow properties |
| DE3737889A1 (de) * | 1987-11-07 | 1989-05-18 | Basf Ag | Leiterplattensubstrate mit verbesserter waermeleitfaehigkeit |
| CA2020905A1 (en) * | 1989-10-27 | 1991-04-28 | Roy F. Wright | Thermoplastic resin compositions and methods |
| ATE387467T1 (de) * | 1999-08-26 | 2008-03-15 | Membrana Gmbh | Hydrophile polyethersulfone und verfahren zu ihrer herstellung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2606340C2 (de) * | 1976-02-18 | 1986-06-12 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verbundmaterial aus aromatischen Polysulfonen |
-
1983
- 1983-06-10 CA CA000430183A patent/CA1223389A/en not_active Expired
- 1983-06-22 DE DE8383106076T patent/DE3364515D1/de not_active Expired
- 1983-06-22 JP JP58111109A patent/JPS5911325A/ja active Granted
- 1983-06-22 EP EP83106076A patent/EP0097370B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-06-22 AT AT83106076T patent/ATE20756T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5911325A (ja) | 1984-01-20 |
| EP0097370B2 (en) | 1991-05-02 |
| EP0097370B1 (en) | 1986-07-16 |
| ATE20756T1 (de) | 1986-08-15 |
| DE3364515D1 (en) | 1986-08-21 |
| CA1223389A (en) | 1987-06-23 |
| EP0097370A1 (en) | 1984-01-04 |
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