JPH0611024B2 - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH0611024B2 JPH0611024B2 JP61311167A JP31116786A JPH0611024B2 JP H0611024 B2 JPH0611024 B2 JP H0611024B2 JP 61311167 A JP61311167 A JP 61311167A JP 31116786 A JP31116786 A JP 31116786A JP H0611024 B2 JPH0611024 B2 JP H0611024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- developing
- developing solution
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の現像処理を行
なう現像方法に関する。
なう現像方法に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ等の被処理基板の現像処理を行な
う現像装置では、表面にフォトレジスト等の感光性膜が
形成された被処理基板が配置される処理室と、この処理
室内から排気する手段と、被処理基板と現像液とを所定
の現像時間の間接触させ、感光性膜に所定の化学変化を
生じさせて現像を行なう手段とを備えている。
う現像装置では、表面にフォトレジスト等の感光性膜が
形成された被処理基板が配置される処理室と、この処理
室内から排気する手段と、被処理基板と現像液とを所定
の現像時間の間接触させ、感光性膜に所定の化学変化を
生じさせて現像を行なう手段とを備えている。
そして、処理室内に配置された載置台上に半導体ウエハ
等の被処理基板を配置して、現像液、純水等のリンス液
を順次スプレーノズル等から被処理基板に供給して、現
像を行なう。
等の被処理基板を配置して、現像液、純水等のリンス液
を順次スプレーノズル等から被処理基板に供給して、現
像を行なう。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の従来の現像装置を用いた現像方法
では、多量の現像液を必要とするため、現像コストが高
くなるという問題がある。
では、多量の現像液を必要とするため、現像コストが高
くなるという問題がある。
本発明者等は、このような問題を解決するため、被処理
基板を現像液中に浸漬するようにして現像を行なうディ
ップ型の現像装置の開発を行なってきた。そしてディッ
プ型の現像装置では、例えば現像時間短縮のための現像
液の改良による現像の高速化、被処理基板の大型化等を
行なう場合、被処理基板面内で、現像状態が不均一とな
り、例えば精密写真技術を用いて、半導体ウエハ上に微
細パターンを形成する場合等では、半導体ウエハ面に形
成される線幅等が不均一になるという問題が発生するこ
とが判明した。
基板を現像液中に浸漬するようにして現像を行なうディ
ップ型の現像装置の開発を行なってきた。そしてディッ
プ型の現像装置では、例えば現像時間短縮のための現像
液の改良による現像の高速化、被処理基板の大型化等を
行なう場合、被処理基板面内で、現像状態が不均一とな
り、例えば精密写真技術を用いて、半導体ウエハ上に微
細パターンを形成する場合等では、半導体ウエハ面に形
成される線幅等が不均一になるという問題が発生するこ
とが判明した。
本発明は、上記問題に対処してなされたもので、少量の
現像液で現像処理を行なうことができ、現像コストの低
減および効率の向上を図ることができ、かつ、例えば高
速な現像液を用いて、大型の被処理基板の現像を行なう
場合でも面内の現像状態が均一となるように現像処理を
行なうことができ、半導体ウエハ面に形成される線幅等
を均一化することのできる現像方法を提供しようとする
ものである。
現像液で現像処理を行なうことができ、現像コストの低
減および効率の向上を図ることができ、かつ、例えば高
速な現像液を用いて、大型の被処理基板の現像を行なう
場合でも面内の現像状態が均一となるように現像処理を
行なうことができ、半導体ウエハ面に形成される線幅等
を均一化することのできる現像方法を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち、本発明の現像方法は、表面に感光性膜が形成
された被処理基板を、前記被処理基板の周囲を囲む容器
内に配置し、処理室内の排気を停止した状態で、前記容
器内に現像液を供給し、前記被処理基板を前記現像液に
接触させて現像する工程と、前記処理室内を所定の排気
量で排気し、前記容器内の現像液を排出すると共に、前
記被処理基板を回転載置台に保持させ、前記回転載置台
を第１の回転速度で回転させつつ、前記被処理基板表面
にリンス液を供給する工程と、前記処理室内の排気を行
いながら、前記回転載置台を前記第１の回転速度より速
い第２の回転速度で回転させ、前記被処理基板に付着し
た液体を遠心力により除去して乾燥させる工程と、前記
回転載置台の回転を停止させ、搬出機構により前記被処
理基板を前記処理室から搬出する工程とを有することを
特徴とする。
された被処理基板を、前記被処理基板の周囲を囲む容器
内に配置し、処理室内の排気を停止した状態で、前記容
器内に現像液を供給し、前記被処理基板を前記現像液に
接触させて現像する工程と、前記処理室内を所定の排気
量で排気し、前記容器内の現像液を排出すると共に、前
記被処理基板を回転載置台に保持させ、前記回転載置台
を第１の回転速度で回転させつつ、前記被処理基板表面
にリンス液を供給する工程と、前記処理室内の排気を行
いながら、前記回転載置台を前記第１の回転速度より速
い第２の回転速度で回転させ、前記被処理基板に付着し
た液体を遠心力により除去して乾燥させる工程と、前記
回転載置台の回転を停止させ、搬出機構により前記被処
理基板を前記処理室から搬出する工程とを有することを
特徴とする。
（作用） 本発明の現像方法では、被処理基板を容器内に供給した
現像液と接触させて現像した後、リンス液の供給と乾燥
とを、回転載置台の回転速度をそれぞれに見合った速度
で行っている。また、各工程に応じて、処理室内の排気
を行っている。したがって、少量の現像液で効率よく現
像処理を行なうことができ、かつ、例えば高速な現像液
を用いて、大型の被処理基板の現像を行なう場合でも面
内の現像状態が均一となるように現像処理を行なうこと
ができる。
現像液と接触させて現像した後、リンス液の供給と乾燥
とを、回転載置台の回転速度をそれぞれに見合った速度
で行っている。また、各工程に応じて、処理室内の排気
を行っている。したがって、少量の現像液で効率よく現
像処理を行なうことができ、かつ、例えば高速な現像液
を用いて、大型の被処理基板の現像を行なう場合でも面
内の現像状態が均一となるように現像処理を行なうこと
ができる。
（実施例） 以下本発明の現像方法を図面を参照して実施例について
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の現像方法を適用した一実施例の現像
装置１の構成を示している。この実施例における現像装
置１では、処理室２内には、半導体ウエハ等の被処理基
板３を吸着保持する真空チャックおよび回転機構４ａを
備えた載置台４が配置されている。
装置１の構成を示している。この実施例における現像装
置１では、処理室２内には、半導体ウエハ等の被処理基
板３を吸着保持する真空チャックおよび回転機構４ａを
備えた載置台４が配置されている。
また処理室２内には、第２図にも示すように、上下動可
能とされ、被処理基板３を真空チャック等により吸着保
持するとともに、被処理基板３の周囲を囲む環状の堰を
形成する環状部材５ａが配置されている。この環状部材
５ａには載置台４の周囲を囲むように配置され、被処理
基板３方向へ被処理基板３とほぼ平行する現像液流を形
成する複数の現像液供給口５ｂが配置されている。そし
て、環状部材５ａ上には、現像液供給口５ｂと間隔をも
って対向する対向部５ｃを形成し、現像液流を下方へ向
けるリング状部材５ｄが載置されており、現像液供給部
が形成されている。
能とされ、被処理基板３を真空チャック等により吸着保
持するとともに、被処理基板３の周囲を囲む環状の堰を
形成する環状部材５ａが配置されている。この環状部材
５ａには載置台４の周囲を囲むように配置され、被処理
基板３方向へ被処理基板３とほぼ平行する現像液流を形
成する複数の現像液供給口５ｂが配置されている。そし
て、環状部材５ａ上には、現像液供給口５ｂと間隔をも
って対向する対向部５ｃを形成し、現像液流を下方へ向
けるリング状部材５ｄが載置されており、現像液供給部
が形成されている。
そして、載置台４上方には、被処理基板３に純水等のリ
ンス液を供給するリンスノズル６が配置されている。
ンス液を供給するリンスノズル６が配置されている。
また、処理室２の下部には、廃液排出用開口７と、排気
装置８に接続された排気用開口９が配置されており、排
気装置８と排気用開口９との間には、排気路の開閉を行
なうシャッタ１０が介挿されている。
装置８に接続された排気用開口９が配置されており、排
気装置８と排気用開口９との間には、排気路の開閉を行
なうシャッタ１０が介挿されている。
上記構成のこの実施例の現像装置では、例えば図示しな
いマイクロコンピュータ等からなる制御部によって例え
ば以下のように制御され、現像処理を行なう。
いマイクロコンピュータ等からなる制御部によって例え
ば以下のように制御され、現像処理を行なう。
すなわち、まず、図示しない搬送装置等により被処理基
板３を載置台４上に載置され、載置台４の真空チャック
が作動され、被処理基板３が載置台４上に吸着保持され
る。
板３を載置台４上に載置され、載置台４の真空チャック
が作動され、被処理基板３が載置台４上に吸着保持され
る。
次に、環状部材５ａを上昇させ、被処理基板３を載置台
４から環状部材５ａに移動させ、現像液供給口５ｂか
ら、被処理基板３方向へ被処理基板３とほぼ平行する現
像液流を形成し、対向部５ｃによってこの現像液流を下
方へ向けて現像液を供給し、環状部材５ａ内に現像液を
貯留して、あらかじめ設定された例えば30秒等の所定の
現像時間、現像液を被処理基板３に接触させて、被処理
基板３表面に形成されたフォトレジスト等の感光性膜の
現像を行なう。この現像時間中は、シャッタ１１は閉塞
され、処理室２内からの排気は停止されている。
４から環状部材５ａに移動させ、現像液供給口５ｂか
ら、被処理基板３方向へ被処理基板３とほぼ平行する現
像液流を形成し、対向部５ｃによってこの現像液流を下
方へ向けて現像液を供給し、環状部材５ａ内に現像液を
貯留して、あらかじめ設定された例えば30秒等の所定の
現像時間、現像液を被処理基板３に接触させて、被処理
基板３表面に形成されたフォトレジスト等の感光性膜の
現像を行なう。この現像時間中は、シャッタ１１は閉塞
され、処理室２内からの排気は停止されている。
この後、環状部材５ａを下降させ、被処理基板３を環状
部材５ａから載置台４に移動させると共に、現像液を排
出し、回転機構４ａによって被処理基板３を例えば500r
pm〜2000rpm程度の第１の回転数で回転させ、リンスノ
ズル６から純水等のリンス液を被処理基板３表面に供給
する。この時は、シャッタ１０は開とされ、10〜20mmH2
O程度の排気量で処理室２からの排気が行なわれる。
部材５ａから載置台４に移動させると共に、現像液を排
出し、回転機構４ａによって被処理基板３を例えば500r
pm〜2000rpm程度の第１の回転数で回転させ、リンスノ
ズル６から純水等のリンス液を被処理基板３表面に供給
する。この時は、シャッタ１０は開とされ、10〜20mmH2
O程度の排気量で処理室２からの排気が行なわれる。
上記リンス操作が、例えば10秒〜20秒程度の所定時間行
なわれた後、リンスノズル６からのリンス液の供給を停
止して、被処理基板３の回転を例えば3000rpm〜5000rpm
程度の第２の回転数に上昇させて被処理基板３表面に付
着した液体を遠心力により除去し、被処理基板３を乾燥
させる。この間も、シャッタ１１は開とされ、10〜20mm
H2O程度の排気量で処理室２からの排気が行なわれる。
なわれた後、リンスノズル６からのリンス液の供給を停
止して、被処理基板３の回転を例えば3000rpm〜5000rpm
程度の第２の回転数に上昇させて被処理基板３表面に付
着した液体を遠心力により除去し、被処理基板３を乾燥
させる。この間も、シャッタ１１は開とされ、10〜20mm
H2O程度の排気量で処理室２からの排気が行なわれる。
被処理基板３の乾燥が終了すると、回転機構４ａが停止
され、図示しない搬送装置によって、被処理基板３が処
理室２内から搬出される。
され、図示しない搬送装置によって、被処理基板３が処
理室２内から搬出される。
すなわち、この実施例の現像方法では、被処理基板３
を、環状部材５ａと被処理基板３とで形成した容器内に
供給した現像液と接触させて現像した後、載置台４の回
転速度を切替えてリンス液の供給と乾燥とを行っている
ため、少量の現像液で効率よく、かつ均一に現像処理を
行なうことができる。
を、環状部材５ａと被処理基板３とで形成した容器内に
供給した現像液と接触させて現像した後、載置台４の回
転速度を切替えてリンス液の供給と乾燥とを行っている
ため、少量の現像液で効率よく、かつ均一に現像処理を
行なうことができる。
また、現像液供給口５ｂから被処理基板３方向へ被処理
基板３とほぼ平行する現像液流を形成し、リング状部材
５ｄの対向部５ｃによってこの現像液流を下方へ向けて
現像液を供給し、環状部材５ａ内に現像液を貯留して、
所定の現像時間、現像液を被処理基板３に接触させて、
被処理基板表面に形成されたフォトレジスト等の感光性
膜の現像を行なう。したがって、被処理基板表面全面に
渡って、高速かつ均一に現像液を供給することができ、
被処理基板３面内の現像状態が均一となるように現像処
理を行なうことができる。
基板３とほぼ平行する現像液流を形成し、リング状部材
５ｄの対向部５ｃによってこの現像液流を下方へ向けて
現像液を供給し、環状部材５ａ内に現像液を貯留して、
所定の現像時間、現像液を被処理基板３に接触させて、
被処理基板表面に形成されたフォトレジスト等の感光性
膜の現像を行なう。したがって、被処理基板表面全面に
渡って、高速かつ均一に現像液を供給することができ、
被処理基板３面内の現像状態が均一となるように現像処
理を行なうことができる。
［発明の効果］ 上述のように、本発明の現像方法では、少量の現像液で
効率よく現像処理を行なうことができ、現像コストの低
減を図ることができ、かつ、例えば高速な現像液を用い
て、大型の被処理基板の現像を行なう場合でも面内の現
像状態が均一となるように現像処理を行なうことがで
き、半導体ウエハ面に形成される線幅等を均一化するこ
とができる。
効率よく現像処理を行なうことができ、現像コストの低
減を図ることができ、かつ、例えば高速な現像液を用い
て、大型の被処理基板の現像を行なう場合でも面内の現
像状態が均一となるように現像処理を行なうことがで
き、半導体ウエハ面に形成される線幅等を均一化するこ
とができる。
第１図は本発明方法を適用した一実施例の現像装置の構
成を示す図、第２図は第１図に示す現像装置の要部を拡
大して示す縦断面図である。 １……現像装置、３……被処理基板、５ａ……環状部
材、５ｂ……現像液供給口、５ｃ……対向部、５ｄ……
リング状部材。
成を示す図、第２図は第１図に示す現像装置の要部を拡
大して示す縦断面図である。 １……現像装置、３……被処理基板、５ａ……環状部
材、５ｂ……現像液供給口、５ｃ……対向部、５ｄ……
リング状部材。
Claims (1)
- 【請求項１】表面に感光性膜が形成された被処理基板
を、前記被処理基板の周囲を囲む容器内に配置し、処理
室内の排気を停止した状態で、前記容器内に現像液を供
給し、前記被処理基板を前記現像液に接触させて現像す
る工程と、 前記処理室内を所定の排気量で排気し、前記容器内の現
像液を排出すると共に、前記被処理基板を回転載置台に
保持させ、前記回転載置台を第１の回転速度で回転させ
つつ、前記被処理基板表面にリンス液を供給する工程
と、 前記処理室内の排気を行いながら、前記回転載置台を前
記第１の回転速度より速い第２の回転速度で回転させ、
前記被処理基板に付着した液体を遠心力により除去して
乾燥させる工程と、 前記回転載置台の回転を停止させ、搬出機構により前記
被処理基板を前記処理室から搬出する工程と を有することを特徴とする現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311167A JPH0611024B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311167A JPH0611024B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011403A Division JP2588854B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 現像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168026A JPS63168026A (ja) | 1988-07-12 |
| JPH0611024B2 true JPH0611024B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=18013896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61311167A Expired - Lifetime JPH0611024B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611024B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425704Y2 (ja) * | 1988-12-30 | 1992-06-19 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745232A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for developing |
| JPS59104643A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Nec Corp | ホトレジストの現像方法 |
| JPS6053307A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Sony Corp | マイクロ波発振器 |
| JPH0241147B2 (ja) * | 1984-06-18 | 1990-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dengenpuragusetsuzokusochi |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61311167A patent/JPH0611024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63168026A (ja) | 1988-07-12 |
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