JPH0368529A - 光学活性なビフェニル誘導体、その製造法、それを有効成分とする液晶組成物およびそれを用いてなる液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規な有機化合物、その製造法、それを有効成
分とする液晶ｍ、ａ物およびそれを用いてなる液晶素子
に関し、さらに詳しくは、強誘電性液晶組成物の配合成
分として有用な、光学活性なビフェニル誘導体、その製
造法、それを有効成分とする液晶組成物およびそれを用
いてなる液晶素子に関する。

〈従来の技術〉 現在、液晶表示素子としてＴＮ（ねしれネマチック）型
表示方弐が最も広範に使用されている。

このＴＮ？ＦＩｊ、高表示は、駆動電圧が低い、消費電
力が少ないなど、多くの利点を持っている。しかしなが
ら、応答速度の点においては、陰極管、エレクトロルミ
ネノセンス、プラズマデイスプレィ等の発光型表示素子
に劣っている。ねしれ角を１８０〜２７０°にした新し
いＴＮ型表示素子も開発されているが、応答速度は依然
十分ではない。このように種々の改善の努力は行われて
いるが、応答速度の速いＴＮ型表示素子は実現に至って
いない。しかしながら、最近、盛んに研究が進められて
いる強誘電性液晶を用いる新しい表示方式においては、
著しい応答速度の改善の可能性がある（Ｃ１ａｒｋら；
　　Ａｐｐｌｉｄ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、　３６
．８９９（１９８０））。この方式は強誘電性を示すカ
イラルスメクチックＣ相（以下、ＳＣ率と略称する）等
のカイラルスメクチック相を利用する方法である。強誘
電性を示す相はＳＣ＊相のみではなく、カイラルスメク
チックＦ、Ｇ、Ｈ，Ｉ等の相が強誘電性を示すことが知
られている。

実際に利用される強誘電性液晶素子に使用される強誘電
性液晶材料には多くの特性が要求されるが、それらを満
たすには現在のところ、１つの化合物では応じられず、
いくつかの液晶化合物または非液晶化合物を混合して得
られる強誘電性液晶組成物を使用する必要がある。

また、強誘電性液晶化合物のみからなる強誘電性液晶組
成物ばかりではなく、特開昭６１−１９５１８７号公報
には非カイラルなスメクチックＣＦ、Ｇ、Ｈ，１等の相
（以下、Ｓｃ等の相と略称する）を呈する化合物および
組成物を基本物質として、これに強誘電性液晶相を呈す
る１種または複数の化合物を混合して全体を強誘電性液
晶組成物として得ることが報告されている。さらにＳＣ
等の相を呈する化合物および組成物を基本物質として、
光学活性ではあるが強ｍ　Ｂ性液晶相は呈しない１種あ
るいは複数の化合物を混合して全体を強誘電性液晶組成
物とする報告も見受けられる（Ｍｏ１．　　Ｃｒｙｓｔ
、　　Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、、　　８９．　３２７（１
９Ｂ２））　。

これらのことを総合すると強誘電性液晶相を呈するか否
かに関わらず光学活性である化合物の１種または複数を
基本物質として強誘電性液晶組成物を構成できることが
わかる。しかしながら、光学活性勧賞は、望むらくは液
晶相を呈することが好ましく、液晶相を呈しない場合で
も、その構造が液晶化合物に類似したもの、いわば疑似
液晶物質であることが望ましい、しかしながら、これま
でのところ高速応答に必要な自発分極を有し、低粘性で
かつ室温域を含む広い温度領域で強誘電性液晶相を呈す
る液晶材料は見い出されていない。

本化合物のいくつかは特開昭６４−４９号公報の概念に
含まれるが、同公報中には該化合物の概念的な製造法の
記載があるのみで、該化合物の物性、さらにはその有用
性についても何ら記載されていない、また、該化合物の
概念的な製造法に関しても、煩雑な保護、脱保護工程を
含んでいたり、不斉炭素原子の導入法として不斉炭素原
子を有する化合物を原料として用いているため汎用性に
欠ける等、工業的有利な製造法とは言い難い。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は、充分な自発分極を有し、かつ高速応答可能で
、しかも室温付近の温度領域で強誘電性液晶相を呈する
強誘電性液晶材料およびその成分として有用な光学活性
なビフェニル誘導体およびその製造法を提供するもので
ある。

く課題を解決するための手段〉 すなわち、本発明は、−数式（１） （式中、Ｒ１は炭素数３〜２０のアルキル基をＲ２はハ
ロゲン原子で置換されていでもよい炭素数１〜２０のア
ルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。Ｘは一〇
−−ＣＯＯ−または−０ＣＯ−を示す。ｍはＯまたはｌ
を、ｎは１〜６までの整数を、ｐはＯまたは１を示す。

＊印は不斉炭素原子を示す、） で示される光学活性なビフェニル誘導体、その製造法、
それを有効成分とする液晶組成物およびそれを用いてな
る液晶素子に関する。

本発明の光学活性なビフェニル誘導体のうち、ｍが１で
かつＸが一〇〇〇−である化合物は、次に示すような２
通りの方法で製造することができる。

第一の方法は、−数式（ｎ） （式中、Ｒ”ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を表わ
し、Ｒ゛は水酸基またはハロゲン原子を示す、） で示される光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体と一
般式（ＩＩＩ） Ｒ−一　〇　Ｈ（ＩＩ［） （式中、Ｒ１は前記と同じ意味を表わす、）で示される
アルコール類とを反応させる方法である。

ここで、アルコール類（ＩＩＩ）の置換基Ｒ１として具
体的には、以下のものがあげられる。

プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリ
デシル、テトラデシル、ペンクデシル、ヘキサデシル、
ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシルおよびエイコ
シル、　これらのアルコール類（ｆｉｒ）は、金属アル
コラードとして前記の光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体（ＩＩ）と反応させることもできる。

もう一方の原料である光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体（ｆｆ）としては、例えば、４″（２−アルコキ
シプロピル）−４−ビフェニルカルボン酸、４’−（３
−アルコキシブチル）−４−ビフェニルカルボン酸、４
’−（４−アルコキシペンチル）−４−ビフェニルカル
ボン酸　４１−（５−アルコキシヘキシル）−４−ビフ
ェニルカルボン酸、４°−（６−アルコキシヘプチル）
−４−ビフェニルカルボン酸、４”−（７−アルコキシ
オクチル）−４−ビフェニルカルボン酸、４’−（２−
アルコキシアルコキシプロピル）−４−ビフェニルカル
ボン酸、４″＝（３−アルコキシアルコキシブチル）−
４−ビフェニルカルボン酸、４’−（４−アルコキシア
ルコキシペンチル）−４−ビフェニルカルボン酸、　４
°−（５−アルコキシアルコキシヘキシル）−４−ビフ
ェニルカルボン酸、４°−（６−アルコキシアルコキシ
へブチル）−４−ビフェニルカルボン酸、４−（マーア
ルコキシアルコキシオクチル）−４−ビフェニルカルボ
ン酸、４”−（２−アルカノイルオキシプロピル）−４
−ビフェニルカルボン酸、４″−（３−アルカノイルオ
キシブチル）−４−ビフェニルカルボン酸、４’−（４
−アルカノイルオキシペンチル）−４−ビフェニルカル
ボン酸、４°−（５−アルカノイルオキシへキシル）−
４−ビフェニルカルボン酸、４’−（６−アルカノイル
オキシヘプチル）−４−ビフェニルカルボン酸、４’−
（７−アルカノイルオキシオクチル）−４−ビフェニル
カルボン酸、４’−（２−アルコキシアルカノイルオキ
シプロピル）−４−ビフェニルカルボン酸、４”−（３
−アルコキシアルカノイルオキシブチル）−４−ビフェ
ニルカルボン酸、４’−（４−アルコキシアルカノイル
オキシペンチル）−４−ビフェニルカルボン酸４”−（
５−アルコキシアルカノイルオキシヘキシル）−４−ビ
フェニルカルボン１．４’−（６−アルコキシアルカノ
イルオキシへブチル）−４−ビフェニルカルボン酸、４
’−（７−アルコキシアルカノイルオキシオクチル）−
４−ビフェニルカルボン酸等があげられ、これらは、酸
クロリド、酸プロミド等の酸ハライドとしても使用する
ことができる。

上記の例示中、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、ア
ルカノイルオキシおよびアルコキシアル２０のアルキル
基またはアルコキシアルキル基であって、これらのアル
キル基またはアルコキシアルキル基は直鎖状または分岐
状であり、分岐状の場合は光学活性基であってもよい。

前記−数式（ｎ）におけるｐがＯの場合、上記のアルキ
ル基またはアルコキシアルキル基として具体的には、メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、
ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、
ヘキサデシルヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル
、エイコシル、メトキシメチル、メトキシエチル、メト
キシプロピル、メトキシブチル、メトキシペンチル、メ
トキシヘキシル、メトキシヘプチル、メトキシオクチル
、メトキシノニル、メトキシデシル、エトキシメチル、
エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキシブチル、
エトキシペンチル、エトキシヘキシル、エトキシヘプチ
ル、エトキシオクチル、エトキシノニル、エトキシデシ
ル、プロポキシメチル、プロポキシエチル、プロポキシ
プロビル、プロポキシブチル、プロポキシペンチル、プ
ロポキシヘキシル、プロポキシヘプチル、プロポキシオ
クチル、プロポキシノニル、プロポキシデシル、ブトキ
シメチル、ブトキシエチル、ブトキシプロビル、ブトキ
シブチル、ブトキシペンチル、ブトキシヘキシル、ブト
キシへブチル、ブトキシオクチル、ブトキシノニル、ブ
トキシデシル、ペンチルオキシメチル、ペンチルオキシ
エチル、ペンチルオキシプロピル、ペンチルオキシブチ
ル、ペンチルオキシペンチル、ペンチルオキシヘキシル
、ペンチルオキシヘプチル、ペンチルオキシオクチル、
ペンチルオキシノニル、ペンチルオキシデシル、ヘキシ
ルオキシメチル、ヘキシルオキシエチル、ヘキシルオキ
シプロピル、ヘキシルオキシブチル、ヘキシルオキシペ
ンチル、ヘキシルオキシヘキシル、ヘキシルオキシへブ
チルへキシルオキシオクチル、ヘキシルオキシノニル、
ヘキシルオキシデシル、ヘプチルオキシメチル、ヘプチ
ルオキシエチル、ヘプチルオキシプロピル、ヘプチルオ
キシブチル、ヘプチルオキシペンチル、オクチルオキシ
メチル、オクチルオキシエチル、オクチルオキシプロピ
ル、デシルオキシメチル、デシルオキシエチル、デシル
オキシブロピル、１−メチルエチル、１−メチルプロピ
ル、ｌ−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチ
ルヘキシル、１−メチルヘプチル、ｌ−メチルオクチル
、２−メチルエチル、２−メチルブチル２．３−ジメチ
ルブチル、２，３．３−トリメチルブチル、２−メチル
ペンチル、３−メチルペンチル、２．３−ジメチルペン
チル、２，４−ジメチルペンチル、２．３，３．４−テ
トラメチルペンチル、２−メチルヘキシル、３−メチル
ヘキシル、４−メチルヘキシル、２．５−ジメチルへキ
シル、２−メチルヘプチル、２−メチルオクチル、２−
１−　’Ｊハロメチルペンチル、２−）ＩＪハロメチル
ヘキシル、２−トリハロメチルヘプチル、２−ハロエチ
ル、２−ハロプロピル、３−ハロプロピル、３−ハロー
２−メチルプロピル、２３ジハロプロピル、２−へロブ
チル、３−ハロブチル、４−ハロブチル、２１３−ジハ
ロブチル、２．４−ジハロブチル、３．４−ジハロブチ
ル、２−ハロー３−メチルブチル、２−ハロー３．３ジ
メヂルブチル、２−ハロペンチル、３−ハロペンチル、
４−ハロペンチル、５−ハロペンチル２．４−ジハロペ
ンチル、２．　５−’；ハロペンチル、２−ハロー３−
メチルペンチル、２−へロー４−メチルペンチル、２−
ハロー３−　モ／　ハＯメチルー４−メチルペンチル、
２−ハロヘキシル３−ハロヘキシル、４−ハロヘキシル
、５−ハロヘキシル、６−ハロヘキシル、２−ハロペン
チル、２−ハロオクチル（但し、上記例示中ハロとは、
フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を表わす。）などがあ
げられる。

さらにｐが１の場合には、上記例示の他、ハロブチル、
１−ハロエチル、１−ハロプロピル、１−ハロブチル、
１−ハロペンチル、１−ハロヘキシル、■−ハロヘプチ
ル、１−ハロオクチルナトがあげられる。

光学活性なビフェニルカルボン酸Ｐ導体（Ｕ）とアルコ
ールｉ　（Ｉ［［）との反応は、通常のエステル化法を
適用することができ、溶媒の存在下あるいは非存在下に
触媒もしくは縮合剤を用いて反応させることにより行う
ことができる。この反応において溶媒を使用する場合、
その溶媒としては例エバ、テトラヒドロフラン、エチル
エーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、
ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロル
エタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルムア
ミド、ヘキサンまたはピリジン等の脂肪族もしくは芳香
族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水素、有機アミ
ン等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげら
れる。このような溶媒の使用量については、特に制限な
く使用することができる。

この反応においては、光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体（Ｉｆ）が比較的高価であるため、これを有効に
使用するためにもう一方の原料であるアルコールｉ　（
Ｉ［Ｉ）を過剰量用いて反応を行うことが好ましく、通
常１〜４当量倍、好ましくは１〜２当量倍用いて反応を
行う。

触媒を用いる場合、かかる触媒としては、例えば、ジメ
チルアミノピリジン、トリーｎ−ブチルアミン、ピリジ
ン、リジン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウ
ムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機または無機塩
基性物質があげられる。

また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸等
の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることもでき
る。

触媒の使用量は、使用する各原料の種類と使用する触媒
の組み合わせ等によっても異なり、必ずしも特定できな
いが、例えば酸ハライドを使用する場合には当該酸ハラ
イドに対して１当量倍以上の塩基性物質が使用される。

さらには、光学活性なビフェニルカルボン酸誘Ｉ体（ｎ
）が光学活性なビフェニルカルボン酸である場合には、
Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド、Ｎ−シク
ロへキシル−Ｎ’−（４−ジエチルアミノ）シクロへキ
シルカルボジイミド等のカルボシイくド類が縮合剤とし
て好ましく使用され、必要により４−ピロリジノピリジ
ン、ピリジン、トリエチルアくン等の有機塩基を併用す
ることもできる。

この場合の縮合剤の使用量は光学活性なビフェニルカル
ボン酸に対して通常１〜１．２当量倍であり、有機塩基
を併用する場合、有機塩基の使用量は、縮合剤に対して
０．０１〜０．２当量倍である。

光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（Ｉ［）とアル
コール１（ＩＩＩ）との反応における反応温度は通常−
３０〜１００″Ｃであり、好ましくは−２５”Ｃ〜８０
　’Ｃである。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なビフェニ
ルカルボン酸誘導体（ｎ）の消失をもって反応終了とす
ることができる。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（Ｉ）
で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍが１
でかつＸが一〇〇〇−）を単離することができ、必要に
よりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
ことができる。

本発明の光学活性なビフェニル誘導体のうち、ｍが１で
かつＸが一〇〇〇−である化合物の第二の製造方法は、
前記−数式（ｎ）で示される光学活性なビフェニルカル
ボン酸誘導体のうち置換基Ｒｏが水酸基である化合物と
一般式（ＴＶ）Ｒ’−Ｚ　　　　　　　　　　　　　（
ＩＶ）（式中、Ｒ’は前記と同し意味を表わし、Ｚはハ
ロゲン原子を示す。） で示されるハロゲン化アルキル類とを溶媒中、塩基性物
質の存在下に反応させる方法である。

ハロゲン化アルキル類（ｒＶ）として、具体的には、ヨ
ウ化アルキル、臭化アルキル、塩化アルキル等があげら
れ、その置換基Ｒ１としては前記例示のものがあげられ
る。かかるハロゲン化アルキルの使用量は、通常、光学
活性なビフェニルカルボン酸誘導体（Ｉｔ）のうち置換
基Ｒ゛が水酸基である化合物に対して１〜５当量倍、好
ましくは１〜３当量倍の範囲である。

溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ジメチ
ルホルムアミド、アセトニトリル等の芳香族または脂肪
族炭化水素、非プロトン性極性溶媒等の単独もしく（よ
混合物があげられる。これらの溶媒の使用量は、特に制
限されない。

塩基性物質としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素ナトリウム、１，５−ジアザビシクロ［
３，４，Ｏ］　５−ノネン、１．　８−ジアザビシクロ
［５，４，Ｏ］７−ウンデセン等の無機または有機塩基
があげられ、これらの塩基性物質の使用量は、光学活性
なビフェニルカルボン酸誘導体（ｎ）のうち置換基Ｒ゛
が水酸基である化合物に対して１当量以上必要であり、
上限については特に制限されないが、通常５当景倍であ
る。

反応温度は、通常、−２０〜１２０”Ｃ１好ましくは０
〜１００°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なビフェニ
ルカルボン酸誘導体（ｎ）のうち置換基Ｒ“が水酸基で
ある化合物の消失をもって反応終了とすることができる
。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（１）
で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍが１
でかつＸが−○Ｃ０−）を単離することができ、必要に
よりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
こともできる。

次に、本発明の光学活性なビフェニル誘導体（１）のう
ちｍが１でかつＸが一〇〇〇−である化合物についての
製造法を説明する。

すなわち、光学活性なビフェニル誘導体（１）のうちｍ
がｌでかつＸが−Ｃ○〇−である化合物は、−数式（Ｖ
） （式中、Ｒ”ｎ、ｐおよび＊印は前記と同じ意味を表わ
す。） で示される光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体と一
般式（Ｖｌ） Ｒ’ＣＯＲ（Ｖｒ） （式中、Ｒ１およびＲｏは前記と同じ意味を表わす。） で示される°カルボン酸類とを反応させることにより得
られる。

ここでカルボン酸［（Ｖｌ）としては、先に例示した置
換基Ｒ１を有するカルボン酸があげられ、これらのカル
ボン酸は、酸ハライド、すなわち酸クロリド、酸プロミ
ド等としても使用される。

もう一方の原料である光学活性なヒドロキシビフェニル
誘導体（Ｖ）としては、例えば、　４′（２−アルコキ
シプロピル）−４−ヒドロキシビフェニル、４’−（３
−アルコキシブチル）−４−ヒドロキシビフェニル、４
’−（４−アルコキシペンチル）−４−ヒドロキシビフ
ェニル、４−（５−アルコキシヘキシル）−４−ヒドロ
キシビフェニル、４’−（６−アルコキシヘプチル）−
４−ヒドロキシビフェニル、４°−（７−アルコキシオ
クチル）−４−ヒドロキシビフェニル、４’−（２−ア
ルコキシアルコキシプロピル）−４−ヒドロキシビフェ
ニル、４’−（３−アルコキシアルコキシブチル）−４
−ヒドロキシビフェニル、４’−（４−アルコキシアル
コキシペンチル）−４−ヒドロキシビフェニル、４’−
（５−アルコキシアルコキシヘキシル）−４−ヒドロキ
シビフェニル、４°−（６−アルコキシアルコキシヘプ
チル）−４−ヒドロキシビフェニル、４−（７−アルコ
キシアルコキシオクチル）−４−ヒドロキシビフェニル
、４°−（２−アルカノイルオキシプロピル）−４−ヒ
ドロキシビフェニル、４°−（３−アルカノイルオキシ
ブチル）−４−ヒドロキシビフェニル、４°−（４−フ
ルカノイルオキシペンチル）−４−ヒドロキシビフェニ
ル、４’−（５−アルカノイルオキシヘキシル）−４−
ヒドロキシビフェニル、４’−（６−アルカノイルオキ
シへブチル）−４−ヒドロキシビフェニル、４′−（７
−アルカノイルオキシオクチル）−４−ヒドロキシビフ
ェニル、４°−（２−アルコキシアルカノイルオキシプ
ロピル）−４＝ヒドロキシビフエニル、４’−（３−ア
ルコキシアルカノイルオキシブチル）−４−ヒドロキシ
ビフェニル、４″−（４−アルコキシアルカノイルオキ
シペンチル）−４−ヒドロキシビフェニル４’−（５−
アルコキシアルカノイルオキシヘキシル）−４−ヒドロ
キシビフェニル、４’−（６−アルコキシアルカノイル
オキシヘプチル）４−ヒドロキシビフェニル、４’−（
７−アルコキシアルカノイルオキシオクチル）−４−ヒ
ドロキシビフェニル等があげられる。

上記の例示中、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、ア
ルカノイルオキシおよびアルコキシアルカノイルオキシ
は前記−数式（Ｖ）における八 当量倍、より好ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う
。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（Ｉ）
で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍが１
でかつＸが一〇〇〇−）を単離することができ、必要に
まりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製する
こともできる既述した前記−数式（ＩＩ）におけるＲ２
として例示したものがあげられる。

光学活性なヒドロキシビフェニル＝導体（Ｖ）とカルボ
ン酸類（Ｖｌ）との反応は、前述した光学活性なビフェ
ニル誘導体（Ｉ）（但し、ｍが１でかつＸが一〇〇〇−
）の第１の製造法と同様にして行うことができる。

ただし、比較的高価な光学活性なヒドロキシビフェニル
誘導体（Ｖ）を有効に使用するため、これらの相手原料
であるカルボン酸１　（Ｖｌ）を過剰量用いて反応を行
うことが好ましく、通常１〜４次に、本発明の光学活性
なビフェニル誘導体（１）のうちｍが１でかつＸが−Ｏ
−である化合物についての製造法を説明する。

すなわち、光学活性なビフェニル誘導体（１）のうちｍ
が１でかつＸが一〇−である化合物は、前記−数式（Ｖ
）で示される光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体と
一般式（■） Ｒ’−Ｙ　　　　　　　　　　　　　（■）（式中、Ｒ
１は前記と同し意味を表わし、Ｙはハロゲン原子または
一０３Ｏ□Ｒ”を示す、　ここでＲ”は低級アルキル基
または置換されていてもよいフェニル基を示す、） で示されるアルキル化剤とを溶媒中、塩基性物質の存在
下に反応させることにより製造することができる。

アルキル化剤（■）は、その大部分が公知化合物であり
、文献記載の方法に準じて製造することができる。なお
、その置換基だとしては先に例示したものがあげられる
。

かかるアルキル化剤（■）の使用量は、光学活性なヒド
ロキシビフェニル誘導体（Ｖ）に対して１当量以上任意
であるが、通常は１〜５当量の範囲である。　反応溶媒
としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼ
ン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン
、クロロホルム、四塩化炭素、ヘキサン、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
リルアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪族もしくは
芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水素、非プ
ロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒の単独もしく
は混合物があげられる。

かかる溶媒の使用量については特に制限されない。

塩基性物質としては、例えば、水素化ナトリウム、水素
化カリウム等のアルカリ金属水素化物、リチウム、ナト
リウム、カリウム等のアルカリ金属、ナトリウムエチラ
ート、ナトリウムメチラート等のアルカリ金属アルコラ
ード、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ
金属、ブチルリチウム等があげられる。

かかる塩基性物質は、光学活性なヒドロキシビフェニル
誘導体（Ｖ）に対してｌ当量以上必要であり、上限につ
いては特に制限されないが、通常は５当量倍である。

反応温度は、通常、−５０〜１２０°Ｃ１好ましくは一
３０〜１００″Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロキ
シビフェニル誘導体（Ｖ）の消失をもって反応終了とす
ることができる。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（１）
で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍが１
でかつＸが一〇−）を単離することができ、必要にまり
カラムクロマトグラフィー、再結晶などで精製すること
もできる。

また、本発明の光学活性なビフェニル誘導体（＋）のう
ちｍが１でかつＸが一〇−である化合物において、ｐが
ｌである場合には、上記の方法に代えて以下に示す方法
によっても製造することができる。

すなわち、光学活性なビフェニル誘導体（１）のうちｍ
が１でかつＸが一〇−でかつｐが１である化合物は、−
数式（■） （式中、Ｒ’ｎ、＊印は前記と同し意味を表わす、） で示される光学活性なアルコキシビフェニルアルカノー
ル誘導体と一般式（ＩＸ） Ｒ”ＣＯＲ’　　　　　　　　　　　　（ＩＸ）（式中
、Ｒ２およびＲｏは前記と同じ意味を表わす、） で示されるカルボン酸類とを反応させることにより得ら
れる。

ここでカルボン酸！　（ＩＸ）としては、先に例示した
置換基Ｒ２を有するカルボン酸があげられ、これらのカ
ルボン酸は、酸ハライド、すなわち酸クロリド、酸プロ
ミド等としても使用される。

もう一方の原料である光学活性なアルコキシビフェニル
アルカノール誘導体（■）としては、例えば、４−アル
コキシ−４°−（２−ヒドロキシプロピル）ビフェニル
、４−アルコキシ−４′（３−ヒドロキシブチル）ビフ
ェニル、４−アルコキシ−４’−（４−ヒドロキシペン
チル）ビフェニル、４−アルコキシ−４’−（５−ヒド
ロキシヘキシル）ビフェニル、４−アルコキシ−４“−
（６−ヒドロキシヘプチル）ビフェニル、４−アルコキ
シ−４’−（７−ヒドロキシオクチル）ビフェニル等が
あげられる。

光学活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘導体（
■）とカルボン酸Ｍ　（ＩＸ）との反応は前述した光学
活性なビフェニル誘導体（Ｉ）（但し、ｍが１でかつＸ
が一〇Ｃ〇−）の第１の製造法と同様にして行うことが
できる。

すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もしく
は縮合剤を用いて光学活性なアルコキシビフェニルアル
カノール誘導体（■）とカルボン酸ｉ　（ＩＸ）を反応
させることにより製造することができる。

ただし、比較的高価な光学活性なアルコキシビフェニル
アルカノール誘導体（■）を有効に使用するため、これ
らの相手原料であるカルボン酸類（ＩＸ）を過剰量用い
て反応を行うことが好ましく、通常１〜４当量倍、より
好ましくは１〜２当量倍用いて反応を行う。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とすルｊｐ’；、　
式（１）で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し
、ｍが１でかつＸが一〇−でかつｐが１）を単離するこ
とができ、必要によりカラムクロマトグラフィー、再結
晶などで精製することもできる。

先に製造法を説明した本発明の光学活性なビフェニル誘
導体（１）のうちｍが１でかつＸが一〇−である化合物
において、Ｐが０である場合には、前記の方法に代えて
以下に示す方法によっても製造することができる。

すなわち、光学活性なビフェニルｍ　１体（１）のうち
ｍが１でかつＸが一〇−でかつｐがＯである化合物は、
前記−数式（■）で示される光学活性なアルコキシビフ
ェニルアルカノール誘導体と一般式（Ｘ） Ｒ”−Ｙ　　　　　　　　　　　　　　（Ｘ）（式中、
Ｒ２およびＹは前記と同じ意味を表わす。） で示されるアルキル化剤とを反応させることにより製造
することができる。

ここでアルキル化剤（Ｘ）とは、先に例示した置換基Ｒ
２を有するハロゲン化物もしくはスルホン酸エステルで
あり、対応するアルコールより公知の方法によって製造
することができる。　なお、アルキル化剤（Ｘ）におけ
る置換基Ｒ２は光学活性基であってもよく、このような
アルキル化剤、すなわちハロゲン化物もしくはスルホン
酸エステルは、対応する光学活性なアルコールより公知
の方法によって容易に製造することができる。

該光学活性なアルコールのうちあるものは、対応するケ
トンの不斉金属触媒または微生物もしくは酵素による不
斉還元により得られる。また、あるものは天然に存在す
るか、または光学分割により得られる次のような光学活
性アごノ酸または光学活性オキシ酸から誘導することが
できる。

バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、
スレオニン、アロスレオニン、ホモセリン、アロイソロ
イシン、ｔｅｒｔ−ロイシン、２−アミノ酪酸、ノルバ
リン、ノルロイシン、オルニチン、リジン、ヒドロキシ
リジン、フェニルグリシン、アスパラギン酸、グルタミ
ン酸、マンデル酸トロバ酸、３−ヒドロキシ酪酸、リン
ゴ酸、酒石酸またはイソプロピルリンゴＭ等。

光学活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘導体（
■）とアルキル化剤（Ｘ）との反応は前述した光学活性
なビフェニル誘導体（Ｉ）（但し、ｍが１でかつＸが一
〇−）の製造法と同様にして行うことができる。

すなわち、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性なア
ルコキシビフェニルアルカノール誘導体（■）とアルキ
ル化剤（Ｘ）とを反応させることにより製造することが
できる。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする一般式（１）
で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍが１
でかつＸが一〇−でかつＰが０）を単離することができ
、必要にまりカラムクロマトグラフィー、再結晶などで
精製することもできる。

次に、本発明の光学活性なビフェニル誘導体（Ｉ）のう
ちｍが０でかつｐが１である化合物についての製造法を
説明する。

すなわち、光学活性なビフェニル誘導体（Ｉ）のうちｍ
が０でかつＰが１である化合物は一般式（） （式中、Ｒ’　　ｎおよび＊印は前記と同じ意味を表わ
す。） で示される光学活性なアルキルビフェニルアルカノール
誘導体と前記−数式（ＩＸ）で示されるカルボンＭ類と
反応させることにより得られる。　原料である光学活性
なアルキルビフェニルアルカノール誘導体（ＸＩ）とし
ては、例えば、４−アルキル−４°−（２−ヒドロキシ
プロピル）ビフェニル、４−アルキル−４’−（３−ヒ
ドロキシブチル）ビフェニル、４−アルキル−４’−（
４−ヒドロキシペンチル）ビフェニル、４−アルキル−
４’−（５−ヒドロキシヘキシル）ビフェニル４−アル
キル−４’−（６−ヒドロキシヘプチル）ビフェニル、
４−アルキル−４’−（７−ヒドロキシオクチル）ビフ
ェニル等があげられる。

光学活性なアルキルビフェニルアルカノ−／Ｌ、Ｐ導体
（ＸＩ）とカルボン酸類（ＩＸ）との反応は前述した光
学活性なビフェニル誘導体（Ｉ）（但し、ｍが１でかつ
Ｘが一〇Ｃ○−）の第１の製造法と同様にして行うこと
ができる。

すなわち９．溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もし
くは縮合剤を用いて光学活性なアルキルビフェニルアル
カノール誘導体（ＸＩ）とカルボン酸Ｒ（ＩＸ）を反応
させることにより製造することができる。

ただし、比較的高価な光学活性なアルキルビフェニルア
ルカノール誘導体（Ｘｌ）を有効に使用するため、これ
らの相手原料であるカルボン酸類（ＩＸ）を過剰量用い
て反応を行うことが好ましく、通常１〜４当量倍、より
好ましくは１〜２当景倍用いて反応を行う。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応虚合物から目的とする一般式（１）
で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍがＯ
でかつｐが１）を単離することができ、必要にまりカラ
ムクロマトグラフィ、再結晶などで精製することもでき
る。

次に、本発明の光学活性なビフェニル誘導体（１）のう
ちｍが０でかつＰがＯである化合物についての製造法を
説明する。

すなわち、光学活性なビフェニル誘導体（１）のうちｍ
が０でかつｐが０である化合物は前記−数式（ＸＩ）で
示される光学活性なアルキルビフェニルアルカノール誘
導体と前記−数式（Ｘ）で示されるアルキル化剤とを反
応させることにより製造することができる。

この反応は前述した光学活性なビフェニル誘導体（Ｉ）
（但し、ｍがｌでかつＸが−０−）の製造法と同様にし
て、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活性なアルコキ
シビフェニルアルカノール誘導体（ＸＩ）とアルキル化
剤（Ｘ）とを反応させることにより行うことができる。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、ｆｉ
縮等の操作により反応混合物から目的とする一般式（１
）で示される光学活性なビフェニル誘導体（但し、ｍが
０でかつＰが０）を単離することができ、必要にまりカ
ラムクロマトグラフィ、再結晶などで精製することもで
きる。

以上の製造法により得られる本発明の光学活性なビフェ
ニル誘導体（１）として具体的には以下に示す化合物が
あげられる。

（１）　　ｍが１でかつＸが一〇〇〇−である場ノに ４’−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシプロ
ピル１−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３
〜２０の）エステル、 ４゛〜［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチ
ル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３〜
２０の）エステル、 ４’−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペン
チル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３
〜２０の）エステル、 ４“−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキ
シル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３
〜２０の）エステル、 ４’−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプ
チル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３
〜２０の）エステル、 ４’−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオク
チル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３
〜２０の）エステル、 ４°−［２−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシプロピル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル
（炭素数３〜２０の）エステル、２０の）オキシヘキシ
ル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３〜
２０の）エステル、４°−［６−アルコキシアルキル（
炭素数１〜２０の）オキシヘプチル］−４−ビフェニル
カルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、４
°−［７−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）オ
キシオクチル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、４’−［３−アルコキシ
アルキル（炭素数１〜　　　４″−［２−アルキル（炭
素数１〜２０の）力２０の）オキシブチル］−４−ビフ
ェニルカルボ　　ルボニルオキシプロビル］−４−ビフ
ェニルカルン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル
、　　　　ボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステ
ル、４’−［４−アルコキシアルキル（炭素数１〜　　
　４′−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）力２０の
）オキシペンチル］−４−ビフェニルカル　　ルボニル
オキシブチル１−４−ビフェニルカルボボン酸アルキル
（炭素数３〜２０の）エステル、　　　ン酸アルキル（
炭素数３〜２０の）エステル、４°−［５−アルコキシ
アルキル（炭素数１〜４°−［４−アルキル（炭素数１
〜２０の）カルボニルオキシペンチル］−４−ビフェニ
ルカルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、
４°−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシヘキシル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル
（炭素数３〜２０の）エステル、４°−［６−アルキル
（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシヘプチル］−４
−ビフェニルカルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）
エステル、４°−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシオクチル］−４−ビフェニルカルボン
酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、４°−［２
−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシプロピル］−４−ビフェニルカルボン酸アルキル
（炭素数３〜２０の）エステル、 ２０の）カルボニルオキシブチル］−４−ビフェニルカ
ルボン酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ４°−［４−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシペンチル］−４−ビフェニルカルボン
酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ４°−［５−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシヘキシル］−４−ビフェニルカルボン
酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ４°−［６−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシへブチル］−４−ビフェニルカルボン
酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル、 ４’−（７−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシオクチル］−４−ビフェニルカルボン
酸アルキル（炭素数３〜２０の）エステル。

４°−［３−アルコキシアルキル（炭素数１〜（２）　
ｍが１でかつＸが−ＣＯＯ−である場アルキル（炭素数
３〜２０の）カルボン酸　４−［２−アルキル（炭素数
１〜２０の）オキシプロピル］−４−ビフェニリルエス
テル、アルキル（炭素数３〜・２０の）カルボン酸　４
−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチル］
−４−ビフェニリルエステル、アルキル（炭素数３〜２
０の）カルボン酸　４−［４−アルキル（炭素数１〜２
０の）オキシペンチル１−４−ビフェニリルエステル、
アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［５−
アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキシル］−４−
ビフェニリルエステル、アルキル（炭素数３〜２０の）
カルボン酸　４−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）
オキシヘプチル］−４−ビフェニリルエステル、アルキ
ル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［７−アルキ
ル（炭素数１〜２０の）オキシオクチル］−４−ビフェ
ニリルエステル、アルキル（炭素数３〜２０の）カルボ
ン酸　４−［２−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０
の）オキシブロビルコー４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［３−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチル
ツー４−ビフエニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［４−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）オキシペンチ
ル〕−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［５−
アルコキシアルキル（炭素数１〜　２０の）オキシヘキ
シル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２Ｑの）カルボン酸　４−〔６−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプチ
ル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−〔７−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）オキシオクチ
ル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［２−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシプロピ
ル〕−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［３−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシブチル
］−４−ビフェニリルエステル、アルキル（炭素数３〜
２０の）カルボン酸　４−［４−アルキル（炭素数１〜
２０の）カルボニルオキシペンチル］−４−ビフェニリ
ルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［５−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシへキシ
ル］−４−ビフェニリルエステＪし、 −［６−アルキル（炭素数１〜２ｏの）カルボニルオキ
シヘプチル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［７−
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシオクチ
ル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４［２−ア
ルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキ
シプロピル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［３−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシブチル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４［４−ア
ルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキ
シペンチルＪ−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４アルキル
（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［５−アルコキ
シアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシヘキ
シル］−４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［６−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシへブチルコー４−ビフェニリルエステル、 アルキル（炭素数３〜２０の）カルボン酸　４−［７−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−４−ビフェニリルエステル。

（３）　ｍがｌでかつＸが−０−である場合４°−［２
−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシプロピル］−４
−アルキルＣ炭素数３〜２０の）オキシビフェニル、 ４°−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチ
ル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビフェ
ニル、 ４’−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペン
チル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビフ
ェニル、 ４’−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキ
シル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビフ
ェニル、 ４°−〔６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプ
チル１−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビフ
ェニル、 ４’−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシオク
チル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビフ
ェニル、 ４’−［２−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシプロピル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４°−［３−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシブチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシビフェニル、 ４’−［４−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシペンチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４’−［５−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシヘキシル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４’−［６−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシヘプチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４”−［７−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシオクチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４°−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシプロピル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４’−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシブチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシビフェニル、 ４’−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシペンチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４’−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシヘキシル〕−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４’−［６−アルキル（炭素数１〜２ｏの）カルボニル
オキシへブチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４″−［７−アルキル（炭素数１〜２ｏの）カルボニル
オキシオクチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
オキシビフェニル、 ４’−［２−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシプロピル］−４−アルキル（炭素数３
〜２０の）オキシビフェニル、４’−［３−アルコキシ
アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシブチル
１−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビフェニ
ル、４’−［４−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０
の）カルボニルオキシペンチル］−４−アルキル（炭素
数１〜２０の）オキシビフェニル、４”−［５−アルコ
キシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシへ
キシル】−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オキシビ
フェニル、４°−［６−アルコキシアルキル（炭素数１
〜２０の）カルボニルオキシへブチル］−４−アルキル
（炭素数３〜２０の）オキシビフェニル、４’−［７−
アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボニルオ
キシオクチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）オ
キシビフェニル。

（４）　ｍが０である場合 ４“−〔２−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシプロ
ピル〕−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル
、 ４’−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシブチ
ル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル、 ４’−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシペン
チル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル
、 ４°−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘキ
シル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル
、 ４°−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）オキシヘプ
チル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル
、 ４″−［７−アルキル（炭素数１〜２ｏの）オキシオク
チル］−４−アルキル（炭素数３〜２゜の）ビフェニル
、 ４°−〔２−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシプロピルＪ−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４’−［３−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシブチル１−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビ
フェニル、 ４′−［４−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシペンチル１−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４’−［５−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシヘキシル〕−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４“−［６−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシヘプチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４’−［７−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
オキシオクチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４°−［２−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシプロピル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４′−［３−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシブチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビ
フェニル、 ４°−［４−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシペンチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４°−［５−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシヘキシル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４”−［６−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシへブチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４°−［７−アルキル（炭素数１〜２０の）カルボニル
オキシオクチルツー４−アルキル（炭素数３〜２０の）
ビフェニル、 ４°−〔２−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシプロピル〕−４−アルキル（炭素数３
〜２０の）ビフェニル、４°−［３−アルコキシアルキ
ル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシブチル］−４
−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル、 ４’−［４−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）
カルボニルオキシペンチル］−４−アルキル（炭素数３
〜２０の）ビフェニル、４″−［５−アルコキシアルキ
ル（炭素数１〜２０の）カルボニルオキシヘキシル］−
４−アルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル、４°−
［６−アルコキシアルキル（炭素数１〜２０の）カルボ
ニルオキシヘプチル］−４−アルキル（炭素数３〜２０
の）ビフェニル、４’−［７−アルコキシアルキル（炭
素数１〜２０の）カルボニルオキシオクチル］−４−ア
ルキル（炭素数３〜２０の）ビフェニル。

なお、上記例示において、アルキル（炭素数１〜２０の
もしくは炭素数３〜２０の）およびアルコキシアルキル
（炭素数１〜２０の）は、先に例示したものがあげられ
る。

次に、本発明の光学活性なビフェニル誘導体（Ｉ）の原
料化合物のうち光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体
（■）、光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）
および光学活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘
導体（■）の製造法について説明する。

光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（ＩＩ）、光学
活性なヒドロキシビフェニルｇ　１体（Ｖ）および光学
活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘導体（■）
は、−数式（ＸＩ［）体（ｎ）の製造法 （１−ａ）ｐが０の場合 光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（ＩＩ）におい
てＰがＯである場合には以下に示した方法により該化合
物を製造することができる。

■１ １　エステル化 ↓　フリーデルクラフト反応 （式中、ｎは前記と同じ意味を表わす、）で示されるア
ルコール化合物を共通の原料として製造することができ
る。以下、順にその製造法を説明する。

（１）　光学活性なビフェニルカルボン酸誘導↓ ■　不斉加水分解 ！　アルキル化 Ｊｒｌｉ化（必要により酸ハ ライド化） （上記反応式中、Ｒ”　　Ｒ’　　ｎおよび＊印は前記
と同じ意味を表わし、Ｒ″は低級アルキル基を示す、） 以下、各工程について詳細に説明する。

上記−数式（ＸＩ［Ｉ）で示される低級アルキルエステ
ル類はアルコール化合物（ＸＩＩ）を、−数式Ｒ１ＣＯ
Ｒ’（） （式中、♂は前記と同じ意味を表わす、）で示されるカ
ルボン酸もしくはその誘導体でエステル化することによ
り製造される。

カルボン酸（Ｘ■）もしくはその誘導体としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、無水酢酸、無水プロピオン酸
、酢酸クロリドもしくはプロミド、プロピオン酸クロリ
ドもしくはプロミド、ブチリルクロリドもしくはプロミ
ド、バレロイルクロリドもしくはプロミド等があげられ
る。

これらは、アルコール化合物（ＸＩＩ）に対して１当量
倍以上必要であり、上限については特に制限されないが
、好ましくは４当量倍である。

エステル化は、通常、触媒の存在下に行われ、該触媒と
しては、例えば、ジメチルアミノピリジン、トリエチル
アくン、トリーｎ−ブチルアミンピリジン、リジン、イ
ミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウムメチラート、
炭酸水素カリウム等の有機または無機塩基性物質があげ
られる。また、トルエンスルホン酸、メタンスルホンＨ
１硫酸等の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いるこ
ともできる。その使用量は特に制限されないが、通常、
アルコール化合＠ＩＪ（Ｘｎ）に対して１〜５当量倍の
範囲である。

このエステル化反応において溶媒を使用する場合、その
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチルエ
ーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、ベ
ンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエ
タン、クロロホルム、四塩化炭素、ジメチルホルムアミ
ド、ヘキサンまたはピリジン等の脂肪族もしくは芳香族
炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水素、有機アミン
等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげられ
る。このような溶媒の使用量については、特に制限なく
使用することができる。

反応は通常、−３０〜１００″Ｃ１好ましくは−２０〜
９０　’Ｃで行う。　反応時間は特に制限されず、原料
のアルコール化合物（ＸＩ［）の消失した時点を反応の
終点とすることができる。

低級アルキルエステル１（ＸＩ［［）の反応混合物から
の取り出しは、反応混合物に通常の分離手段、例えば抽
出、分液、濃縮等の操作を加えることにより行われる。

前記−数式（ＸＩ”１１’）で示されるアセチルビフェ
ニル類は、上で得た低級アルキルエステルＭ（ＸＩ［［
）をアセチル化することにより製造することができる。

このアセチル化は通常のフリーデルタラット反応が適用
される。アセチル化剤としては、６Ｍ、アセチルクロリ
ドおよびアセチルプロミド等があげられ、これらの使用
量は、原料の低級アルキルエステル類（ＸＩ［［）に対
して１当量以上必要であり、その上限は特に制限されな
いが好ましくは３当量倍以下である。このフリーデルタ
ラット反応には通常、触媒が使用され、かかる触媒とし
ては、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、塩化亜鉛
、臭化亜鉛、四塩化チタン、ポリリン酸、三フッ化ホウ
素等が例示され、これらの触媒は低級アルキルエステル
１（ＸＩ［Ｉ）に対して０．３〜３当量倍の範囲で使用
される。

また、この反応は通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒と
しては塩化メチレン、１．２−ジクロルエタン等のハロ
ゲン化炭化水素類があげられる。

反応温度は通常、−３０〜１５０℃、好ましくは一１０
〜１００″Ｃである。反応時間は特に制限されないが、
通常、１−１０時間である。

アセチルビフェニル！（ＸＴＶ）の反応混合物からの取
り出しは、反応混合物に通常の分離手段、例えば抽出、
分液、！縮等の操作を加えることにより行われる。

前記−数式（ＸＶ）で示される光学活性なアルカノール
類および前記−数式（ＸＶＩ）で示される光学活性な低
級アルキルエステル類は、上で得たアセチルビフェニル
類ｆ（ＸＩＶ）を、該アセチルビフェニル類の光学異性
体のうちいずれか一方のみを優先的に加水分解する能力
を有するエステラーゼを用いて不斉加水分解することに
より製造することができる。

この不斉加水分解反応で用いられるエステラーゼとして
は、動物、植物、微生物から得られた酵素があげられ、
その使用形態としては、精製酵素、粗酵素、酵素含有物
、微生物培養液、培養物、菌体、培養濾液およびそれら
を処理したもの等、種々の形態で必要に応して用いるこ
とができ、酵素と微生物を組み合わせて用いることもで
きる。

あるいは、樹脂等に固定化した固定化酵素、固定化菌体
としても用いることができる。

なお、ここで言うエステラーゼとはリパーゼを含む広義
のエステラーゼを意味する。

この不斉加水分解反応で用いられるエステラーゼを生産
する微生物としては、アセチルビフェニルｉ　（ＸＩＶ
）を不斉加水分解する能力を有するエステラーゼを生産
する微生物であればよく、特に限定されるものではない
。

このような微生物の具体例としては、例えば、エンテロ
バクタ−属、アルスロバクタ−属、ブレビバクテリウム
属、シュードモナス属、アルカリ土類金属、ξクロコツ
カス属、クロモバクテリウム属、ミクロバクテリウム属
、コリネバクテリウム属、バシルス属、ラクトバシル金
属、トリコデルマ属、キャンディダ属、サツカロミセス
属、ロドトルラ属、クリプトコツカス属、トルロプシス
属、ヒヒア属、ペニシリウム属、アスペルギルス属、リ
ゾプス属、ムコール属、オーレオパシディウム属、アク
チノムコール属、ノカルデイア属、ストレプトミセス属
、ハンゼヌラ属、アクロモバクタ−属に属する微生物が
あげられる。

上記微生物の培養は、通常、常法に従って行われ、液体
培養を行うことにより培養液を得ることができる。

例えば、滅菌した液体培地［かび類、酵母頻用には麦芽
エキス・酵母エキス培地（水ＩＬににペプトン５ｇ、グ
ルコース１０ｇ、麦芽エキス３ｇ、酵母エキス３ｇを溶
解し、ｐＨ６，５とする）、細菌用には加糖ブイヨン培
地（水　１４にグルコース１０ｇ、ペプトン５ｇ、肉エ
キス５ｇ、塩化ナトリウム３ｇを溶解し、Ｐ　Ｈ７，２
とする）］に微生物を接種し、通常２０〜４０゛Ｃで１
〜３日間往復振とう培養をすることにより行われ、また
必要に応して固体培養を行ってもよい。

また、これらの微生物起源のエステラーゼのなかには市
販されているものがあり、容易に入手することができる
。市販エステラーゼの具体例としては、例えば以下のも
のがあげられる。　シノートモナス属のリパーゼ［リパ
ーゼＰ（天野製薬製）］、アスペルギルス属のリパーゼ
［リパーゼＡＰ（天野製薬製）］、ムコール属のリパー
ゼ［リパーゼサイケン　（天野製薬　製）１、キャンデ
ィダ・シリンドラッセのリパーゼ［リパーゼＭＹ（名糖
産業製）］、アルカリ土土類層のリパーゼ［リパーゼＰ
Ｌ（名糖産業製）］、アクロモバククー属のリパーゼ［
リパーゼＡＬ（名糖産業製）コ、アルスロバクタ−属の
リパーゼ［リパーゼ合同ＢＳＬ　（合同酒精型）］、ク
ロモバクテリウム属のリパーゼ（東洋醸造型）、リゾプ
ス・デレマーのリパーゼ［タリパーゼ（田辺製薬型）］
、リゾプス属のリパーゼ［リパーゼサイケン（大阪細菌
研究所）］。

また、動物・植物のエステラーゼを用いることもでき、
これらの具体的なエステラーゼとしては以下のものをあ
げることができる。

ステアプシン、バンクレアチン、ブタ肝臓エステラーゼ
、Ｗｈｅａｔ　Ｇｅｒｍエステラーゼ。

不斉加水分解反応は、原料のアセチルビフェニル類（Ｘ
ＩＶ）と上記酵素もしくは微生物の混合物を、通常、緩
衝液中で激しく撹拌することによって行われる。　緩衝
液としては、通常用いられるリン酸ナトリウム、リン酸
カリウムのごとき無機酸塩の緩衝液、酢酸ナトリウム、
クエン酸ナトリウムのごとき有機酸塩の緩衝液等が用い
られ、その　ｐＨは、好アルカリ性菌の培養液やアルカ
リ性エステラーゼではｐＨ８〜１１、好アルカリ性でな
い微生物の培養液や耐アルカリ性を有しないエステラー
ゼではｐＨ５〜８が好ましい。緩衝液の濃度は通常０．
０５〜２Ｍ、好ましくは０，０５〜０．５Ｍの範囲であ
る。

反応温度は通常１０〜６０°Ｃであり、反応時間は一般
的にはｌ０〜７０時間であるが、これに限定されること
はない。

なお、この不斉加水分解反応でエステラーゼとしてシュ
ードモナス属あるいはアルスロバクタ−属に属するリパ
ーゼを用いる場合には、比較的高い光学純度で光学活性
なアルカノール類（Ｘ　Ｖ　）および光学活性な低級ア
ルキルエステルｉ　（ＸＶＩ）を得ることができる。

また、この不斉加水分解反応を行うにあたって、緩衝液
に加えてトルエン、クロロホルム、メチルイソブチルケ
トン、ジクロルメタン等の反応に不活性な有機溶媒を使
用することもでき、これらを使用することによって不斉
加水分解反応を有利に行うことができる。

かかる不斉加水分解反応により、原料のアセチルビフェ
ニル＠　（ＸＩＶ）の光学異性体のうちいずれか一方の
みが優先的に不斉加水分解されて、光学活性なアルカノ
ールＩ　（ＸＶ）が生成し、一方、他方の光学異性体、
すなわち光学活性な低級アルキルエステル類（ＸＶＩ）
は不斉加水分解残として残存することになる。

このような光学活性なアルカノール類（ＸＶ）および光
学活性な低級アルキルエステル類（ＸＶＩ）の反応混合
物からの取り出しおよび分離は、反応混合物に通常の後
処理、例えば、酢酸エチル等の溶媒により抽出処理し、
得られた有機層から溶媒を留去した後、濃縮残さをカラ
ムクロマトグラフィーで処理する等の方法により行われ
る。

また、このようにして得られた光学活性な低級アルキル
エステルｉ　（ＸＶＩ）は、必要に応じて更に加水分解
することにより、光学活性なアルカノ−ルミＮ　（ＸＶ
）を得ることができる。ここで得られる光学活性なアル
カノールｉ　（ＸＶ）は、先に不斉加水分解反応により
得た光学活性なアルカノール類（ＸＶ）とは対字体の関
係にある。

なお、光学活性な低級アルキルエステル類（ＸＶＩ）の
加水分解は、−Ｉｎ的なエステル化合物の加水分解反応
の条件が適用され、特に限定されるものではない。

前記−数式（Ｘ■）で示される光学活性なエーテル類は
、上で得た光学活性なアルカノール類（ＸＶ）と前記−
数式（Ｘ）で示されるアルキル化剤とを反応させること
により製造することができる。

このアルキル化反応は、通常、塩基性物質の存在下に行
われる。かかる塩基性物質としては、具体的には、水素
化ナトリウム、水素化カリウム等のアルカリ金属水素化
物、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属
、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチラート等のア
ルカリ金属アルコラード、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸アルカリ金属、ブチルリチウム等があげられ
る。

かかる塩基性物質は、光学活性なアルカノール’Ｆ４　
ＣＸＶ）に対して１当量以上必要であり、上限について
は特に制限されないが、通常は５当量倍である。

また、アルキル化剤（Ｘ）の使用量は、光学活性なアル
カノールＩ　（ＸＶ）に対して１当量以上任意であるが
、通常は１〜５当量の範囲である。

反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン
、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ヘキサン、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪族
もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ハロゲン化炭化水
素、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒の単
独もしくは混合物があげられる。かかる溶媒の使用量に
ついては特に制限されない。

反応温度は、通常、−５０〜１２０　’Ｃ１好ましくは
一３０〜１００°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカノ
ール類（ＸＶ）の消失をもって反応終了とすることがで
きる。

光学活性なエーテル類（ｘ■）の反応混合物からの取り
出しは、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操
作を加えることにより行われる。

また、該アルキル化反応において、アルキル化剤（Ｘ）
の置換基Ｙがヨウ素原子である場合には、前記の塩基性
物質に代えて、酸化銀を用いることもできる。

この場合、かかる酸化銀は、光学活性なアルカノールｌ
　（ＸＶ）に対して１当量倍以上必要であり、上限につ
いては特に制限されないが、好ましくは５当量倍である
。

酸化銀の存在下にアルキル化反応を行う場合、アルキル
化剤（×）　（但し、置換基Ｙがヨウ素原子）の使用量
は、光学活性なアルカノール類（ＸＶ）に対して１当量
倍以上任意であるが、好ましくは２〜１０当量倍である
。

反応溶媒としては、過剰のアルキル化剤（Ｘ）（但し、
置換基Ｙがヨウ素原子）を溶媒として用いることができ
る他、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等のエーテル、ケトンあるいは炭化水素系
溶媒等の反応に不活性な溶媒の単独または混合物を使用
してもよい。

反応温度は、通常、０〜１５０°Ｃ１好ましくは２０〜
１００°Ｃの範囲である。　反応時間は、通常、１時間
〜２０日間である。

光学活性なエーテル類（Ｘ■）の反応混合物からの取り
出しは、濾過により錫塩を除去したのち、例えば、抽出
、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることにより
行われる。

目的化合物である光学活性なビフェニルカルボン酸誘導
体（■）（但し、ｐが０）は、上で得た光学活性なエー
テルＭ（Ｘ■）を水の存在下に酸化することにより製造
することができる。　この酸化反応において用いられる
酸化剤としては、アセチル基を酸化してカルボン酸とす
るものであれば特に制限なく用いることができる。かか
る酸化剤としては、例えば、重クロム酸カリウム、重ク
ロム酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム、過マンガン
酸ナトリウム、次亜塩素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリ
ウム、次亜臭素酸カリウム、次亜臭素酸ナトリウム等が
あげられる。

かかる酸化剤は光学活性なエーテルｉ（Ｘ■）に対して
１当量倍以上必要であり、上限については特に制限され
ないが、好ましくは１０当量倍以下の使用量である。

この反応においては、水が必須であるが、有機溶媒を併
用することもでき、かかる溶媒としては、例えば、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン等
の反応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物があげられ
る。これらの溶媒の使用量は、特に制限されない。

反応温度は、通常、−２０〜１３０　’Ｃ１好ましくは
一１０〜ｉｏｏ″Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なエーテル
類（Ｘ■）の消失をもって反応終了とすることができる
。

目的化合物である光学活性なビフェニルカルボン酸誘導
体（■）（但し、ｐが０）の反応混合物からの取り出し
は、例えば、濾過、酸析、抽出、分液、ｅ４縮等の後処
理操作を加えることにより行われる。

なお、ここで得られた光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体（■）（但し、ｐが０）は、−数式（ｎ）におけ
る置換基Ｒｏが水酸基である化合物であり、このものは
さらに必要に応じて公知の方法により酸ハライド化して
一般式（ＩＩ）における置換基Ｒｏがハロゲン原子であ
る化合物へ誘導することができる。

（１−ｂ）ｐがＩの場合 光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（ＩＩ）におい
てｐがｌである場合には以下に示した方法により、前述
した光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（ＩＩ）の
製造法（１−ａ）で得た光学活性なアルカノール類（ｘ
ｖ）から誘導することができる。

↓　エステル化（必要によ り酸ハライド化） ■ 水酸基の田謹 ↓ 酸　１ヒ 脱保護 （上記反応式中、Ｒ２、Ｒ’　　ｎおよび＊印は前記と
同じ意味を表わし、Ａは水酸基の保護基を示す、） 以下、各工程について詳細に説明する。

上記−数式（ＸＩＸ）で示される光学活性なアセチルビ
フェニル類は、光学活性なアルカノール類（ＸＶ）の水
酸基を保護することにより製造することができる。

この保ｇＩ　Ｍ　？ｉ人反応は、光学活性なアルカノー
ル１ｍ（ＸＶ）と水酸基の保護化剤とを触媒の存在下に
反応させることにより行われる、 水酸基の保護基としては、例えば、メチル基、ベンジル
基、トリチル基のごときアルキルまたはアラアルキル基
１、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、エ
トキシエチル基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロ
ピラニル基のごときアルコキシアルキル基、さらには、
トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基のご
ときシリル基があげられ。

この反応で用いられる触媒は、用いる保護化剤により異
なるが、例えば、水酸基の保護基がアルキル、アラアル
キルまたは一部のアルコキシアルキル基の場合には、塩
基性物質が好ましく用いられる。かかる塩基性物質とし
ては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエ
チラート、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−ブ
チルリチウム、５ｅｃ−ブチルリチウム等の無機あるい
は有機塩基性物質があげられる。

この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、ヨ
ウ化メチル、臭化メチル、ベンジルクロリド、ベンジル
プロミド、トリチルクロリド、クロロメチルメチルエー
テル、クロロメチルメトキシエトキシエーテル等があげ
られる。　これらの保護化剤および触媒の使用量は、使
用する保護化剤によって異なり、必ずしも特定できない
が、通常、原料の光学活性なアルカノール類（ＸＶ）に
対して、保護化剤１〜５当量倍、触媒１〜４当量倍の範
囲である。

この反応は、通常、溶媒の存在下に行われ、かかる溶媒
としては、例えば、エチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、トル
エン、ベンゼン、クロルベンゼン、ジクロルメタン、１
．２−ジクロルエタン、クロロホルム、四塩化炭素、酢
酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホリルトリアミド、アセトニトリ
ル、ヘキサン、ヘプタン等のエーテル、ハロゲン化炭化
水素、エステル、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活
性な溶媒の単独もしくは混合物があげられ、その使用量
については特に制限されない反応温度は、使用する保護
化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通常、
−２０℃〜１５０°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカノ
ール類（ＸＶ）の消失をもって反応終了とすることがで
きる。

また、水酸基の保護基がアルコキシアルキル基の場合に
は、触媒としては、酸性物質が好ましく用いられる。か
かる酸性物質としては、ベンゼンスルホン酸、Ｐ−トル
エンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫酸水素カ
リウム、塩酸、リン酸、酢酸、塩化アンモニウム等の無
機あるいは有機酸性物質があげられる。

この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、ジ
メトキシメクン、エチルビニルエーテル、ジヒドロフラ
ン、ジヒドロピラン等があげられる。

これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保護
化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通常、
原料の光学活性なアルカノール類（ＸＶ）に対して、保
護化剤は１〜５当景倍、触媒はｏ、ｏｏｓ〜１当量倍の
範囲である。

反応溶媒、反応温度及び反応時間は前述の塩基性物質を
触媒とする保護基導入反応の場合と同様である。

水酸基の保護基がシリル基の場合、触媒としては塩基性
物質が好ましく用いられる。かかる塩基性物質としては
、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水
素カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラ
ート、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−ブチル
リチウム、５ｅｃ−ブチルリチウム、イミダゾール、ピ
リジン、４−ジメチルアミノピリジン等の無機あるいは
有機塩基性物質があげられる。

この場合用いられる保護化剤としては、具体的には、ト
リメチルシリルクロリド、トリメチルシリルプロミド、
ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド等があげられる。

これらの保護化剤および触媒の使用量は、使用する保護
化剤によって異なり、必ずしも特定できないが、通常、
原料の光学活性なアルカノール類（ＸＶ）に対して、保
護化剤１〜５当量倍、触媒１〜４当量倍の範囲である。

反応溶媒、反応温度及び反応時間は前述の塩基性物質を
触媒とする保護基導入反応の場合と同様である。

以上の様にして得られる光学活性なアセチルビフェニル
Ｉ（Ｘｌｘ）の反応混合物からの取り出しは、例えば、
抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることに
より行われる。

前記−形式（ＸＸ）で示される光学活性なビフェニルカ
ルボン酸類は、上で得た光学活性なアセチルビフェニル
類（ＸＩＸ）を水の存在下に酸化することにより製造す
ることができる。

この酸化反応は、前述した光学活性なビフェニルカルボ
ン酸誘導体（ｎ）の製造法（１−ａ）における光学活性
なエーテル類（ｘ■）から光学活性なビフェニルカルボ
ン酸誘導体（■）（但し、ｐがＯ）を製造する反応と同
様にして行うことができる。

すなわち、光学活性なアセチルビフェニル類（ＸＩＸ）
を水の存在下に前述したアセチル基をカルボン酸とする
能力を有する酸化剤により酸化することにより、光学活
性なビフェニルカルボン酸ＩＮ　（ＸＸ）を得ることが
できる。

光学活性なビフェニルカルボン酸１（ＸＸ）の反応混合
物からの取り出しは、例えば、濾過、酸析、抽出、分液
、濃縮等の後処理操作を加えることにより行われる。

前記−形式（ＸＸＩ）で示される光学活性なヒドロキシ
カルボン酸類は、上で得た光学活性なビフェニルカルボ
ン酸類（ＸＸ）の水酸基の保護基を脱保護剤を用いて脱
保護することにより製造することができる。

この脱保護反応は、−形式（ＸＸ）における水酸基の保
護基Ａの種類により方法が異なる。以下、その方法につ
いて説明する。

水酸基の保護基Ａがアルキルまたはアラアルキル基の場
合には、脱保護剤としては、ルイス酸が好ましく用いら
れる。かかるルイス酸としては、例えば、三臭化リン、
三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム等があげられる。こ
のようなルイス酸の使用量は、通常、原料の光学活性な
ビフェニルカルボン酸類（ＸＸ）に対して１〜５当量倍
の範囲である。

この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジクロ
ルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の
炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒
の単独もしくは混合物があげられ、その使用量について
は特に制限されない。

反応温度は、通常、−２０〜１５０″Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なビフェニ
ルカルボン酸＊　（ＸＸ）の消失をもって反応終了とす
ることができる。

また、水酸基の保護基Ａがアラアルキル基の場合、特に
ベンジル基もしくはトリチル基の場合には、水添触媒の
存在下、接触水素添加することにより脱保護を行うこと
もできる。

この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移金
属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒として
は、例えば、酸化白金、ｐｃ−ｃ等の白金系、Ｐｄ−Ｃ
，、Ｐｄ−Ｂａ５Ｏｐ、パラジウム黒等のパラジウム系
、Ｒｈ−Ｃ，、Ｒｈ−ＡＩｚＯｔ等のロジウム系、酸化
ルテニウム、Ｒｕ−Ｃ等のルテニウム系もしくはラネニ
ッケル等のニッケル系触媒があげられるが、これらの中
でもパラジウム系触媒が特に好ましく用いられる。

これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性なビフェ
ニルカルボン酸１（ＸＸ）に対して通常、ｏ、ｏｉ〜１
００重量％、好ましくは、０．１〜５０重量％の範囲で
ある。

反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアルコ
ール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン
性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反応
に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これ
らの使用量は特に制限されない。

反応時の水素圧は、通常、１〜２００気圧の範囲である
。

反応温度は、通常、０〜２００°Ｃ１好ましくは２０〜
１８０　’Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なビフェニ
ルカルボン酸類（ＸＸ）の消失もしくは水素吸収の停止
をもって反応終了とすることができる。

次に、水酸基の保護基Ａがアルコキシアルキル基もしく
はシリル基である場合の脱保護法について説明する。

この場合の脱保護剤としては、酸触媒が好ましく用いら
れる。かかる酸触媒としては、ベンゼンスルホン酸、ｐ
−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫酸
水素カリウム、塩酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸
等の無機あるいは有機酸性物質があげられる。

このような酸触媒の使用量は、通常、原料の光学活性な
ビフェニルカルボン酸Ｍ　（ＸＸ）に対して、ｏ、ｏｏ
ｉ〜１当量倍の範囲である。

この反応に際しては、反応系内に水、メタノールもしく
はエタノール等のプロトン性溶媒の存在が必要である。

反応溶媒としては、水、メタノールもしくはエタノール
等のプロトン性溶媒の単独もしくは混合物があげられる
他、これらのプロトン性溶媒と以下に示す溶媒の単独も
しくは混合物を併用して用いることもできる。

ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニ
トリル、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、ベンゼン
、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジクロルメタン、１
．２−ジクロルエタン、クロロホルム等。

反応温度は、通常、−２０〜１５０°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なビフェニ
ルカルボン酸類（ＸＸ）の消失をもって反応終了とする
ことができる。

また、特に水酸基の保３ｉ基Ａがシリル基である場合に
は、ツノ素イオンの存在下、脱保護反応を行うこともで
きる。

この反応におけるフン素イオンの発生源としては、テト
ラブチルアンモニウムフルオライド、フン化水素、リチ
ウムテトラフルオロボレート等があげられ、その使用量
は、通常、原料の光学活性なビフェニルカルボン酸類（
ＸＸ）に対して、１〜５当量倍の範囲である。

反応溶媒としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
アセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、酢
酸エチル、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、
ジクロルメタン、■、２−ジクロｌレエタン、クロロホ
ルム等のエーテル、ケトン、エステル、非プロトン性極
性溶媒、炭化水素、ハロゲン化炭化水素等の反応に不活
性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これらの使
用量は特に制限されない。

反応温度は、通常、−２０〜１５０°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なビフェニ
ルカルボン酸１（ＸＸ）の消失をもって反応終了とする
ことができる。

以上の様にして得られる光学活性なヒドロキシカルボン
酸類（Ｘ　ＸＩ）の反応混合物からの取り出しは、例え
ば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えるこ
とにより行われる。

目的化合物である光学活性なビフェニルカルボン酸誘導
体（■）（但し、ｐが１）は、上で得た光学活性なヒド
ロキシカルボン酸１（ＸＸＩ）を−形式 ％式％） （式中、Ｒ２前記と同し意味を表わし、Ｒ４はハロゲン
原子またはＲ”ＣＯＯを示す。）で示される酸ハライド
もしくは酸無水物と反応させることにより製造すること
ができる。

ここで酸ハライドもしくは酸無水物（ＸＸｎ）における
置換基Ｒ２としては、先に例示したものがあげられる。

この反応は、通常のエステル化法を通用することができ
、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒を用いて反応さ
せることにより行うことができる。

この反応で用いられる触媒としては、例えば、ジメチル
アミノピリジン、トリーｎ−ブチルアミン、ピリジン、
リジン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナトリウムメ
チラート、炭酸水素カリウム等の有機または無機塩基性
物質があげられる。

また、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸等
の有機酸あるいは無機酸を触媒として用いることもでき
る。

触媒の使用量は、使用する各原料の種類と使用する触媒
の組み合わせ等によっても異なり、必ずしも特定できな
いが、例えば、触媒として塩基性物質を使用する場合に
は、通常、酸ハライドもしくは酸無水物（ＸＸＩ［）に
対してｌ当量倍以上使用される。

酸ハライドもしくは酸無水物（ＸＸＵ）の使用量は、原
料の光学活性なヒドロキシカルボンＭ類（ＸＸＩ）に対
して、通常、１〜４当量倍、好ましくは１〜２当量倍の
範囲である。

この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒として
は例えば、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセ
トン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、クロ
ルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ジメチルホルア旦ド、ヘキサンま
たはピリジン等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エー
テル、ハロゲン化炭化水素、有機アごン等の反応に不活
性な溶媒の単独または混合物があげられる。このような
溶媒の使用量については、特に制限されない 反応温度は通常−３０〜１００°Ｃであり、好ましくは
一２５〜８０″Ｃである。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロキ
シカルボン酸１（ＸＸＩ）の消失をもって反応終了とす
ることができる。

目的化合物である光学活性なビフェニルカルボン酸誘導
体（■）（但し、ｐが１）の反応混合物からの取り出し
は、例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を
加えることにより行われる。

なお、ここで得られた光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体（■）（但し、ｐが１）は、−ｉ式（ｎ）におけ
る置換基Ｒ′が水酸基である化合物であり、このものは
さらに必要に応じて公知の方法により酸ハライド化して
一般式（ＩＩ）における置換基Ｒ゛がハロゲン原子であ
る化合物へ誘導することができる。

（２）　光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）
の製造法 （２−ａ）ｐがＯの場合 光学活性なヒドロキシビフェニル誘２１体（Ｖ）におい
てｐがＯである場合には、以下に示した方法により、前
述した光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（ｎ）の
製造法（１＝ａ）で得た光学活性なエーテルｉ（Ｘ■）
から誘導することができる。

１　　　ハ′イヤー仁′Ｖカ゛−収化 ↓　加水分解 （上記反応式中、Ｒ”　　ｎおよび＊印は前記と同じ意
味を表わす。） 以下、各工程について詳細に説明する。

上記−形式（ＸＸＩ［Ｉ）で示される光学活性なアセト
キシビフェニル類は、光学活性なエーテル類（Ｘ■）を
バイヤービリガー酸化することにより製造することがで
きる。

このバイヤービリガー酸化反応に用いられる酸化剤とし
ては、例えば、過酢酸、過ギ酸、メタクロル過安息香酸
、過安息香酸等の過酸が例示される。かかる過酸は、例
えば、対応するカルボン酸と過酸化水素から生じせしめ
ることもでき、反応系中で過酸を合成しながら、該反応
を行うこともできる。

かかる過酸は、通常、原料の光学活性なエーテル類（Ｘ
■）に対して１当量倍以上必要であり、上限については
特に制限されないが、好ましくは２当量倍以下である。

この反応は、通常、溶媒中で行われ、かかる溶媒として
は、例えば、ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン
、クロロホルム、クロルベンゼン、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン等のハロゲン化
炭化水素、芳香族もしくは脂肪族炭化水素等の反応に不
活性な溶媒の単独もしくは混合物があげられる。

反応温度は、通常、−２０〜１３０°Ｃ１好ましくは、
−１０〜１００　’Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なエーテル
ＩＮ（Ｘ■）の消失をもって反応終了とすることができ
る。

光学活性なアセトキシビフェニル類Ｊ（（ＸＸＩ［［）
の反応混合物からの取り出しは、通常、過剰の過酸の除
去、抽出、分液、濃縮等の後処理操作を加えることによ
り行われる。

目的化合物である光学活性なヒドロキシビフェニル誘導
体（Ｖ）（但し、ｐが０）は、上で得た光学活性なアセ
トキシビフェニルｉ　（ＸＸＩ［Ｉ）　を加水分解する
ことにより製造することができる。

この加水分解反応は、水の存在下に、酸もしくはアルカ
リを用いて行われる。

ここで用いられる酸としては、例えば、硫酸、リン酸、
塩酸のごとき無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、メタンスルホン酸のごとき有機酸があげ
られる。また、アルカリとしては、例えば、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カ
リウム１．８−ジアザヒ；シクロ［５，４，Ｏ］　７−
ウンデセン等の無機または有機塩基があげられる。

かかる酸およびアルカリの使用量は、酸を使用する場合
には、原料の光学活性なアセトキシビフェニル類（ＸＸ
Ｉ［［）に対して、通常、０．０２〜１０当量倍の範囲
で使用され、アルカリを使用する場合には、原料の光学
活性なアセトキシビフェニル類（ＸＸＩ［［）に対して
、１当量倍以上、好ましくは１０当量倍以下が使用され
る。

この反応は、水中で行ってもかまわないが、通常は、水
と有機溶媒の共存下で反応を行う。かかる有機溶媒とし
ては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール
、アセトン、メチルエチルケトン、クロロホルム、ジク
ロルメタン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン
、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂肪
族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、アルコール、ケ
トン、非プロトン性極性溶媒あるいはハロゲン化炭化水
素等の反応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物があげ
られる。

反応温度は、通常、−３０〜ｌ　５０　”Ｃ１好ましく
は、−２０〜１００°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアセトキ
シビフェニル！！！　（ＸＸＩＩｌ［）の消失をもって
反応終了とすることができる。

目的化合物である光学活性なヒドロキシビフェニル誘導
体（Ｖ）（但し、ｐが０）の反応製合物からの取り出し
は、例えば、酸析、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理
操作を加えることにより行われる。

また、光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）（
但し、ｐがＯ）は、前述した光学活性なビフェニルカル
ボン酸誘導体（ｎ）の製造法（１−ａ）で得た光学活性
なアルカノール１　（ＸＶ）または光学活性な低級アル
キルエステルＩ（ＸＶＩ）から製造することもできる。

１ アルキル化 （ＸＶ） ７リ一チ１ルクブ７ト反応 ↓ （ＸＶｆ） ■ 脱ベンジル化 〈Ｘス■） （ＸＸＶ） ↓ 加水分解 Ｃｔ（３ ↓ ベンジル化 （上記反応式中、Ｒ”　　ｎおよび＊印は前記と同じ意
味を表わす。） 以下、各工程について詳細に説明する。

上記−形式（ＸＸＩＶ）で示される光学活性なアルカノ
ール類および上記−形式（ＸＸＶ）で示される光学活性
な低級アルキルエステル類は、それぞれ対応する光学活
性なアルカノール類（ＸＶ）または光学活性な低級アル
キルエステルＩ　（ＸＶＩ）をバイヤービリガー酸化す
ることにより製造することができる。

この反応は、前述した光学活性なエーテル類（Ｘ■）か
ら光学活性なアセトキシビフェニル類（ＸＸＩＩ［）を
得る反応と同様の反応であり、該反応と同様の反応、後
処理条件を光学活性なアルカノール類（ＸＶ）または光
学活性な低級アルキルエステルｉ　（ＸＶＩ）に適用す
ることにより、それぞれ対応する光学活性なアルカノー
ル類（ＸＸｒＶ）または光学活性な低級アルキルエステ
ル類（ＸＸＶ）を得ることができる。

前記−形式（ＸＸＶＩ）で示される光学活性なジオール
類は、上で得た光学活性なアルカノール類（ＸＸＩＶ）
または光学活性な低級アルキルエステルＩＩ　（ＸＸＶ
）を加水分解することにより製造することができる。

この加水分解反応は、水の存在下に、酸もしくはアルカ
リを用いて行われる。　ここで用いられる酸としては、
例えば、硫酸、リン酸、塩酸のごとき＝ｉ酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン
酸のごとき有機酸があげられる。また、アルカリとして
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化バリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム、１，８−ジアザビシク
ロ［５，４，Ｏ］　７−ウンデセン等の無機または有機
塩基があげられる。

かかる酸およびアルカリの使用量は、以下に示すとおり
である。酸を使用する場合には、原料の光学活性なアル
カノール１（ＸＸｒＶ）または光学活性な低級アルキル
エステル＠　（ＸＸＶ）に対して、通常、０．０２〜１
０当量倍の範囲で使用される。

また、アルカリを使用する場合には、原料が光学活性な
アルカノール類（ＸＸＩＶ）であるときは１当量倍以上
、原料が光学活性な低級アルキルエステル類（ＸＸＶ）
であるときは２当量倍以上必要であり、上限については
特に制限されないが、通常、１０当量倍である。

この反応は、水中で行ってもかまわないが、通常は、水
と有機溶媒の共存下で反応を行う。かかる有機溶媒とし
ては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール
、アセトン、メチルエチルケトン、クロロホルム、ジク
ロルメタン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン
、エチルエーテル１．テトラヒドロフラン、ジオキサン
、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の脂
肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、アルコール、
ケトン、非プロトン性極性溶媒あるいはハロゲン化炭化
水素等の反応に不活性な溶媒の単独もしくは混合物があ
げられる。　反応温度は、通常３０〜１５０　’Ｃ１好
ましくは、−２０〜ｉ　ｏ　ｏ　’ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なアルカノ
ール類（ＸＸｒＶ）または光学活性な低級アルキルエス
テルＩ　（ＸＸＶ）の消失をもって反応終了とすること
ができる。

光学活性なジオールＩ　（ＸＸＶＩ）の反応混合物から
の取り出しは、例えば、酸析、抽出、分液、濃縮等の通
常の後処理操作を加えることにより行われる。

なお、光学活性なアルカノール類（ＸＸＴＶ）から得ら
れる光学活性なジオール１ｆ　（ＸＸＶＩ）と光学活性
な低級アルキルエステル類（ＸＸＶ）から得られる光学
活性なジオール１ｆ（ＸＸＶＴ）とは、対掌体の関係に
ある。

前記−形式（ＸＸ■）で示される光学活性なベンジルオ
キシビフェニルアルカノール類は、上で得た光学活性な
ジオール類（ＸＸＶＩ）を−形式（式中、Ｚは前記と同
じ意味を表わす。）で示されるハロゲン化ベンジル類と
反応させ、光学活性なジオールｉ　（ＸＸＶＩ）のフェ
ノール性水酸基のみを選択的にベンジル化することによ
り製造することができる。

このベンジル化反応では、触媒として塩基が使用される
。かかる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム等の炭酸アルカリ金属、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、ナトリウムメチ
ラート、ナｉ・リウムエチラート等のアルカリ金属アル
コラード等があげられる。

このような塩基は、原料の光学活性なジオール１　（Ｘ
ＸＶＴ）に対してｌ当量倍以上必要であり、通常、１〜
５当量倍用いられる。

反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチルエーテル、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルビロリドン等の
エーテル、ケトンまたは非プロトン性極性溶媒等の反応
に不活性な溶媒の単独または混合物が用いられる。

１式（ＸＸＩＸ）で示されるハロゲン化ベンジル類とし
ては、具体的には、ベンジルクロリド、ベンジルプロミ
ド等が例示され、これらは原料の光学活性なジオールｉ
　（ＸＸＶＩ）に対して１当量倍以上必要であり、上限
については特に制限されないが、通常、１〜５当量倍用
いられる。

反応温度は、通常、−２０−１５０’Ｃ１好ましくは、
０〜１３０　”Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なジオール
Ｍ　（ＸＸＶＩ）の消失をもって反応終了とすることが
できる。

光学活性なベンジルオキシビフェニルアルカノールＨ（
ＸＸ■）の反応混合物からの取り出しは、例えば、抽出
、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加えることにより
行われる。

前記−形式（ＸＸ■）で示される光学活性なベンジルオ
キシビフェニル類は、上で得た光学活性なベンジルオキ
シビフェニルアルカノール類（ＸＸ■））を前記−形式
（Ｘ）で示されるアルキル化剤と反応させることにより
製造することができる。

この反応は、前述した光学活性なビフェニル誘導体（Ｉ
）（但し、ｍが１でかっＸが一〇−）の製造法と同様に
して行うことができる。

すなわち、溶媒中、塩基性物質の存在下に光学活１生な
ベンジルオキシビフェニルアルカノール類（ＸＸ■）と
アルキル化剤（Ｘ）とを反応させることにより製造する
ことができる。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする光学活性なベ
ンジルオキシビフェニル類（ＸＸ側）を単離することが
できる。

目的化合物である光学活性なヒドロキシビフェニル誘導
体（Ｖ）（但し、ＰがＯ）は、上で得た光学活性なベン
ジルオキシビフェニルｌ　（ＸＸ側）を水添触媒の存在
下、接触水素添加して脱ベンジル化することにより製造
することができる。

この接触水素添加反応において水添触媒としては遷移金
属触媒が好ましく用いられ、かかる遷移金属触媒・とし
ては、例えば、酸化白金、ｐｔ−ｃ等の白金系、Ｐｄ−
Ｃ，Ｐｄ−ＢａＳＯ４、パラジウム黒等のパラジウム系
、Ｒｈ−Ｃ，Ｒｈ−Ａｌｔｏｓ等のロジウム系、酸化ル
テニウム、Ｒｕ−Ｃ等のルテニウム系もしくはラネニッ
ケル等のニッケル系触媒があげられるが、これらの中で
もパラジウム系触媒が特に好ましく用いられる。

これらの水添触媒の使用量は、原料の光学活性なベンジ
ルオキシビフェニル類（ＸＸ側）に対して通常、０．０
１〜１００重量％、好ましくは、０．１〜５０重量％の
範囲である。

反応溶媒としては、メタノール、エタノール等のアルコ
ール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸エチル
等のエステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン
性極性溶媒類、酢酸等の脂肪酸類もしくは水などの反応
に不活性な溶媒の単独もしくは混合物が例示され、これ
らの使用量は特に制限されない。

反応時の水素圧は、通常、１〜２００気圧の範囲である
。

反応温度は、通常、０〜２００°Ｃ１好ましくは２０〜
１８０°Ｃの範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なベンジル
オキシビフェニル＠（ＸＸ側）の消失もしくは水素吸収
の停止を、もって反応終了とすることができる。

目的化合物である光学活性なヒドロキシビフェニル誘導
体（■）（但し、ｐがＯ）の反応混合物からの取り出し
は、例えば、濾過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理
操作を加えることにより行われる。

（２−ｂ）ｐが１の場合 光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）において
ｐが１である場合には、以下に示した方法により、前述
した光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）の製
造法（２−ａ）で得た光学活性なベンジルオキシビフェ
ニルアルカノール類（ＸＸ側）から誘導することができ
る。

／１１４１ ↓ エステル化 ↓ 脱ベンジル化 （上記反応式中、Ｒ”　　ｎおよび＊印は前記と同じ意
味を表わす、） 以下、各工程について詳細に説明する。

上記−形式（ＸＸＩＸ）で示されるベンジルオキシビフ
ェニル類は、光学活性なベンジルオキシビフェニルアル
カノールｌ　（ＸＸ側）を前記−形式（ＩＸ）で示され
るカルボン酸類と反応させることにより製造することが
できる。

この反応は、前述した光学活性なビフェニル誘導体（■
）（但し、ｍが１でかつＸが一〇〇〇−）の第１の製造
法と同様にして行うことができる。

すなわち、溶媒の存在下あるいは非存在下に触媒もしく
は縮合剤を用いて光学活性なベンジルオキシビフェニル
アルカノール？Ｊ？（ＸＸ側）とカルボン酸類（ＩＸ）
を反応させることにより製造することができる。

反応終了後、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮
等の操作により反応混合物から目的とする光学活性なベ
ンジルオキシビフェニル１　（ＸＸＩＸ）を単離するこ
とができる。

目的化合物である光学活性なヒドロキシビフェニル誘導
体（■）（但し、Ｐが１）は、上で得た光学活性なベン
ジルオキシビフェニルＩ　（ＸＸＩＸ）を水添触媒の存
在下、接触水素添加して脱ベンジル化することにより製
造することができる。　この反応は、前述した光学活性
なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）の製造法（２−ａ
）における光学活性なベンジルオキシビフェニルＩ（Ｘ
Ｘ■）から光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ
）（但し、ｐがＯ）を得る反応と同様にして行うことが
できる。

反応混合物からの目的化合物である光学活性なヒドロキ
シビフェニル誘導体（■〉　（但し、ｐが１）の取り出
しは、例えば、濾過、抽出、分液、濃縮等の通常の後処
理操作を加えることにより行われる。

（３）　光学活性なアルコキシビフェニルアルカノール
ＢｇＨ体（■）の製造法 光学活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘導体（
■）は、以下に示した方法により前述した光学活性なヒ
ドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）の製造法（２−ａ）で
得た光学活性なジオール類（ＸＸＶＩ）から誘導するこ
とができる。

↓　アルキル化 （上記反応式中、Ｒ’　　ｎおよび＊印は前記と同じ意
味を表わす、） 以下、詳細に説明する。

目的化合物である光学活性なアルコキシビフェニルアル
カノール誘導体（■）は、光学活性なジオール類（ＸＸ
ＶＩ）を前記−形式（■）で示されるアルキル化剤と反
応させ、光学活性なジオール１１　（ＸＸ■）のフェノ
ール性水酸基のみを選択的にアルキル化することにより
製造することができる。

このアルキル化反応では、触媒として塩基が使用される
。かかる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム等の炭酸アルカリ金属、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、ナトリウムメチ
ラート、ナトリウムエチラート等のアルカリ金属アルコ
ラード等があげられる。

このような塩基は、原料の光学活性なジオール１　（Ｘ
ＸＶＩ）に対して１当量倍以上必要であり、通常、１〜
５当量倍用いられる。

反応溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチルエーテル、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の
エーテル、ケトンまたは非プロトン性極性溶媒等の反応
に不活性な溶媒の単独または混合物が用いられる。

アルキル化剤（■）の使用量は、原料の光学活性なジオ
ール類（ＸＸＶＩ）に対して１当量倍以上任意であるが
、通常、１〜５当量倍の範囲である反応温度は、通常、
−２０〜１５０°Ｃ５好ましくは、０〜１３０　’Ｃの
範囲である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なジオール
類（ＸＸＶＩ）の消失をもって反応終了とすることがで
きる。

目的化合物である光学活性なアルコキシビフェニルアル
カノール誘導体（■）の反応混合物からの取り出しは、
例えば、抽出、分液、濃縮等の通常の後処理操作を加え
ることにより行われる。

次に、光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（■）、
光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（Ｖ）および光
学活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘導体（■
）の共通の原料化合物であるアルコール化合物（ＸＩ）
の製造法について説明する。

アルコール化合物（ＸＩＩ）は、種々の方法により製造
することができるが、以下にその主な製造法を示す。

［製造法１］ アルコール化合物（ＸＩＩ）は、−形式（ＸＸＸ）（式
中、Ｚおよびｎは前記と同し意味を表わす。）で示され
るハロアルキルビフェニル類をマグネシウムと反応させ
てグリニヤール試薬を製造し、このグリニヤール試薬を
アセトアルデヒドと反応させることにより製造すること
ができる。

この反応は、一般的なグリニヤール反応の条件が適用さ
れ、特に制限されない。

なお、原料となるハロアルキルビフェニル類（ＸＸＸ）
は、以下に示すような方法で得ることができる。

ｎがＩから３の場合には、−形式（ＸＸＸＩ）（式中、
Ｚは前記と同し意味を表わす。）で示されるハロゲン化
ビフェニル類をマグネシウムと反応させてグリニヤール
試薬を製造し、このグリニヤール試薬をホルムアルデヒ
ド、酸化エチレンまたはオキセタンと反応させて、ハロ
アルキルＩ＝−フェニルｌ　（ＸＸＸ）に対応するヒド
ロキシアルキルビフェニル類を得、さらにこのヒドロキ
シアルキルビフェニル類の水酸基を公知の方法により、
ハロゲン原子に置換することにより製造することができ
る。

また、ｎが３から６の場合には、ハロゲン化ビフェニル
ｎｃＸＸＸＩ）とマグネシウムから製造されるグリニヤ
ール試薬をＪ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、９６．７１
０１　（１９７４）に記載の方法に準じて、テトラクロ
ロ銅（ｎ）ジリチウムを触媒として、−形式（ＸＸＸＩ
Ｔ）（式中、Ｚおよびｎは前記と同じ意味を表わす。）
で示されるジハロアルカン類とカップリング反応させる
ことにより製造することができる。

［製造法２］ アルコール化合物（Ｘｌｌ）は、−形式（ＸＸＸＩＩＩ
）ニル［（ＸＸＸ）と同様にして得ることができる。

［製造法３コ アルコール化合物（ＸＩ［）は、以下に示す方法によっ
ても製造することができる。

すなわち、前記−形式（ＸＸＸ　ｌ　）で示されるハロ
ゲン化ビフェニル類をニッケル触媒の存在下−形式（Ｘ
ＸＸＲ／） （式中、Ｚおよびｎは前記と同し意味を表わす。）で示
されるハロアルキルビフェニルｉをマグネシウムと反応
させてグリニヤール試薬を製造し、このグリニヤール試
薬を酸化プロピレンと反応させることにより製造するこ
とができる。

この反応は、一般的なグリニヤール反応の条件が適用さ
れ、特に制限されない。

なお、原料となるハロアルキルビフェニル類（ＸＸＸＩ
ＩＩ）は、先に説明したハロアルキルビフェ（式中、Ｚ
および○は前記と同し意味を表わし、ｋは１または２を
示す。） で示される環状ケクール化合物とマグネシウムから調製
されるグリニヤール試薬と反応させて一般式（ＸＸＸＶ
） （式中、ｋおよびｎは前記と同じ意味を表わす、）で示
される環状ケタール類を得、次いで、該環状ケタール類
を加水分解して、−形式（ＸＸＸＶＩ）（式中、ｎは前
記と同し意味を表わす。）で示されるケトン類を得、さ
らに該ケトン類を還元することにより、目的とするアル
コール化合物（Ｘｌｌ）を製造することができる。

第一段目のグリニヤール反応において用いられるグリニ
ヤール試薬は、環状ケクール化合物（ＸＸＸｒＶ）とマ
グネシウムから公知の方法によって製造することができ
、該グリニヤール試薬は、原料のハロゲン化ビフェニル
１（ＸＸＸＩ）に対してｌ当量倍以上、好ましくは、１
〜３当量倍使用される。

ニッケル触媒としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、
ヨウ化ニッケル、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル
、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、
ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］ニッケル、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）プロパン］ニッケルまたはジクロロ［１，４
−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］ニッケル等カ
例示され、これらの中でもジフェニルホスフィノ基また
はトリフェニルホスフィン基を有するニッケル触媒が好
ましく使用される。該ニッケル触媒は、通常、原料のハ
ロゲン化ビフェニル類（ＸＸＸＩ）に対して０．０１〜
５０モル％、好ましくは、０．１〜１０モル％使用され
る。

反応溶媒としては、エチルエーテルまたはテトラヒドロ
フラン等のエーテル類あるいはベンゼントルエンもしく
はキシレン等の芳香族炭化水素類等の単独もしくは混合
物があげられ、これらの溶媒の使用量は特に制限されな
い。

反応は、通常、−１００〜８０’Ｃ１好ましくは８０〜
５０°Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。

反応混合物からの環状ケタール類（ＸＸＸＶ）の取り出
しは、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮
等の操作を加えることにより行われ、必要に応して再結
晶またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法
により、精製することもできるが、精製せずに第二段目
の加水分解反応に供することもできる。

第二段目の加水分解反応は、ケタール基を加水分解して
ケトン基とする反応である。この反応は、通常、水溶媒
中、酸触媒の存在下で行われ、かかる酸触媒としては塩
酸、硫酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、ケイ酸
、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が例
示される。

反応は、水溶媒中で行われるが、原料のハロゲン化ビフ
ェニルＩＩ（ＸＸＸＩ）と水との相溶性を向上させるた
めにしばしば有機溶媒が併用され、このような有＠溶媒
としては、メタノール、エタノールもしくはイソプロピ
ルアルコール等のアルコール類、テトラヒドロフランも
しくはジオキサン等のエーテル類、アセトンもしくはメ
チルイソブチルケトン等のケトン類、ベンゼンもしくは
トルエン等の芳香族炭化水素類またはジクロルメタンモ
ジ＜はクロロホルム等のハロゲン化炭化水素類が等が例
示される。

反応は、通常、−３０〜１００°Ｃ１好ましくは一２０
〜８０゛Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。

反応混合物からのケトンＩ　（ＸＸＸＶＩ）の取り出し
は、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮等
の操作を加えることにより行われ、必要に応じて再結晶
またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法に
より、精製することもできる。

第三段目の還元反応は、ケトン類（ＸＸＸＶｒ）を還元
してアルコール化合物（×■）を得る反応である。この
反応では、ケトンをアルコールに還元する還元剤が用い
られ、かかる還元剤としては、水素化アルミニウムリチ
ウム、水素化ホウ素ナトリウムあるいは水素化ホウ素等
が例示され、これらの還元剤は原料のケトン１　（ＸＸ
ＸＶＩ）に対して１当量倍以上、通常、１〜１０当量倍
使用される。　この反応は、溶媒中で行われ、かかる溶
媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチル
エーテル等のエーテル類、メタノール、エタ／−／Ｌ／
、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等
のアルコール類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水
素類、クロロホルム、ジクロルメタン等のハロゲン化炭
化水素類等の単独もしくは混合物が例示される。

反応は、通常、−３０〜１００°Ｃ５好ましくは一２０
〜９０°Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。

反応混合物からのアルコール化合物（ＸＩＩ）の取り出
しは、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃縮
等の操作を加えることにより行われ、必要に応じて再結
晶またはシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の方法
により、精製することもできる。

［製造法４］ アルコール化合物（ＸＩ［）のうちｎが２〜６の場合に
は、以下に示す方法によっても製造することができる。

すなわち、前記−形式（ＸＸＸＩ［Ｉ）で示されるハロ
アルキルビフェニル類を塩基性物質の存在下に、−形式
（ＸＸＸ側） （式中、Ｒ３は前記と同し意味を表わす。）で示される
アセト酢酸エステル類と反応させて、−形式（ＸＸＸ側
） （式中、Ｒ３およびｎは前記と同じ意味を表わす。）で
示されるケトエステル類を得、次いで該ケトエステル類
を塩基性条件下で加水分解し、さらに酸性条件下で脱炭
酸させて、−形式（ＸＸＸＩＸ）Ｃ式中、ｎ′は２〜６
までの整数を示す。）で示されるケトン類を得、次いで
該ケトン類を還元することにより、目的とするアルコー
ル化合物（Ｘｌｌ）（但し、ｎが２〜６までの整数）を
得ることができる。

第一段目のアルキル化反応において使用される塩基性物
質としては、具体的には、ナトリウム、カリウム、水素
化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリウムメチラート
、ナトリウムエチラート、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウム等が例示さ
れ、これらの塩基性物質は、原料のハロアルキルビフェ
ニル類（ＸＸＸＩ［［）に対して１当量倍以上必要であ
り、通常、１〜５当量倍使用される。

反応溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール等
のアルコール類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル
等のエーテル類、アセトン、メチルイソブチルケトン等
のケトン類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類
、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類もし
くはジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
非プロトン性極性溶媒等の単独もしくは混合物があげら
れ、その使用量は特に制限されない。

反応は、通常、−２０〜１２０°Ｃ１好ましくは０〜１
００°Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。

反応混合物からのケトエステルｉ　（ＸＸＸ側）の取り
出しは、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃
縮等の操作を加えることにより行われる。　第二段目の
加水分解および脱炭酸反応のうち加水分解反応は、水溶
媒中、塩基性物質の存在下に行われる。

この反応で用いられる塩基性物質としては、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属などが
例示され、該塩基性物質は、原料のケトエステル類（Ｘ
ＸＸ■）に対して１当量倍以上、通常、１〜１０当量倍
使用される。

この反応では、水に加えて、メタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール等のアルコール類、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル類等の有機溶媒を使
用することもでき、これらの有機溶媒の使用により、加
水分解反応を有利に行うことができる。

反応は、通常、０〜１２０°Ｃ１好ましくは、２０〜１
００　’Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。

反応終了後、通常は反応混合物から加水分解生成物の取
り出しを行うことなく、続く脱炭酸反応に供する。

この脱炭酸反応は、硫酸、塩酸、酢酸等の酸の存在下に
行われ、核酸は先に得た加水分解生成物に対して１当量
倍以上、通常、１〜１０当量倍使用される。　反応は、
通常、−２０〜１００　’Ｃ１好ましくは、０〜８０　
’Ｃで行い、反応時間は特に制限されない。

反応混合物からのケトンＩ！！　（ＸＸＸＩＸ）の取り
出しは、通常の後処理、例えば、抽出、分液もしくは濃
縮等の操作を加えることにより行われる。

第三段目の還元反応は、先に、アルコール化合物（ＸＩ
［）の製造法３において説明したケトン類（ＸＸＸＶＮ
からアルコール化合物（Ｘｆｆ）を得る反応と全く同様
の反応であり、ケトンｌ　（ＸＸＸＩＸ）を還元剤によ
り還元することにより、目的とするアルコール化合物（
Ｘｎ）（但し、ｎが２〜６までの整数）を得ることがで
きる。

つぎに、本発明の光学活性なビフェニル誘導体（１）の
原料化合物の１つである光学活性なアルキルビフェニル
アルカノール誘導体（ＸＩ）の製造法について説明する
。

光学活性なアルキルビフェニルアルカノール誘導体（Ｘ
Ｉ）は、−形式（ＸＬ） （式中、Ｒ’および２は前記と同し意味を表わす。）で
示されるハロゲン化ビフェニル類を先に説明したアルコ
ール化合物（Ｘｌｌ）の製造法において原料として用い
たハロゲン化ビフェニル１（ＸＸＸＩ）に代えて原料と
して用い、アルコール化合物（ＸＩＩ）の製造法１〜４
に記載のいずれか１つの方法に準じて反応を行って、−
形式（ＸＬＩ） （式中、Ｒ’およびｎは前記と同じ意味を表わす、） で示されるアルコール化合物を得、次いでこのアルコー
ル化合物を既述した光学活性なビフェニルカルボン酸誘
導体（ｆｆ）の製造法（１−ａ）におけるアルコール化
合物（ＸＩＩ）から低級アルキルエステル＠　（ＸＩＩ
［）を得る方法に準してエステル化して、−形式（ＸＬ
ＩＩ） （式中、ＲＩ　　Ｒｆｆおよびｎは前記と同じ意味を表
わす、） で示される低級アルキルエステル類を得、さらに、該低
級アルキルエステル類を既述した光学活性なビフェニル
カルボン酸誘導体（ＩＩ）の製造法（１−ａ）における
アセチルビフェニル＠　（ＸＩＶ）から光学活性なアル
カノール類（ＸＶ）および光学活性な低級アルキルエス
テル類（ＸＶＩ）を得る方法に準じて不斉加水分解する
ことにより製造することができる。

以上説明した製造法により、−１式（１）で示される光
学活性なビフェニル誘導体が得られるが、該誘導体を液
晶の構成成分、特に強誘電性液晶の構成成分として利用
する場合には、−形式（１）における置換基Ｒ２がハロ
ゲン原子を含まないアルキル基またはアルコキシアルキ
ル基であるものが好ましく、また、実用化に際し、より
好ましい諸物性を示すものとして、ｎが４または５であ
る化合物があげられる。

本発明のうち、液晶組成物は、前記−形式（１）で示さ
れる光学活性なビフェニル誘導体を少なくとも１種類配
合成分として含有するものである。

該液晶Ｍｉ戒物は光学活性なビフェニル誘導体（１）を
得られる液晶Ｍｉ或物の０．１〜９９．９１ｉ量％、特
に好ましくは１〜９９重量％含有する。

また、かかる液晶組成物を用いることにより液晶素子、
例えば、光スイツチング素子として有効に利用すること
ができるが、この場合の液晶組成物の使用方法は、公知
の方法がそのまま適用でき、特に制限されない。

〈発明の効果〉 一般式（１）で示される光学活性なビフェニル誘導体は
、液晶化合物として非常に優れた特性を有しており、中
でもＳｃ＊相を有する化合物は、液晶組成物の１戒分と
して用いることにより、ＳＣ＊相の温度範囲を広めるこ
とに有効である。また、単独ではＳｃ＊相を示さない化
合物においても、液晶組成物の自発分極を誘起させる成
分として有効に使用することができる。　また、本発明
の光学活性なビフェニル誘導体（Ｉ）は、粘性係数が小
さく、液晶素子の応答速度を速めるのに有効である。

以上の優れた特性により、本発明の光学活性なビフェニ
ル誘導体Ｎ）は、液晶組成物として、さらには、それを
用いた液晶素子として有効に利用することができる。

さらに、本発明の方法によれば、光学活性なビフェニル
誘導体（Ｉ）が好収率かつ容易に得られ、工業的に有利
である。

〈実施例〉 以下、製造例および実施例により、本発明を説明する。

〔アルコール化合物（Ｘ［）の製造例〕製造例１ 温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装着した四つロフ
ラスコにマグネシウム片２．４ｇ（０，１モル）および
無水テトラヒドロフラン２ｏ−を仕込み、４−ブロモビ
フェニル２．８ｆ（１０ｔリモル）と無水テトラヒドロ
フラン１ｏ−の混合物および少量のヨウ素を加えた。

この混合物を昇温しで、溶媒を還流させた後、４−ブロ
モビフェニル２１．０ｆ（９０ミリモル）と無水テトラ
ヒドロフラン９０−の混合物を滴下した。滴下終了後、
還流下で２時間撹拌した後、室温まで冷却した。

この混合物を、０〜５°Ｃで酸化プロピレン６．４１　
（０，１１モル）および無水テトラヒドロフラン５０ｒ
！Ｌｔの混合物中に滴下した。滴下終了後、同温で２時
間撹拌し、さらに室温で１時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を０〜５°Ｃに冷却し、ＩＮ塩
酸１００−を加えた後、エチルエーテル３００−を加え
抽出、分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、飽
和食塩水の順に洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥して、その後、減圧下に濃縮した。

得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出［：トルエン／酢酸エチル＝２０／ｌ）に供し、４
−（２−ヒドロキシプロピル）ビフェニル（ＸＩ−１）
１７．５ｙ（収率８２，５％）を得た。

製造例２ 温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装着した４ツロフ
ラスコにアセｌ−酢酸エチル１７９ｇ（１，８７５モル
）およびエタノール（５００＋ｎｔ）を仕込み、ここに
ナトリウム８１．５１　（１，８７５モル）を少量づつ
加え、溶解させた。この溶液に４−クロロメチルビフェ
ニル２５８．５　’！　（１，２５モル）のエタノール
１００ｏｒｎｔ溶液を室温テ２時間かけて滴下した。滴
下終了後、６５°Ｃまで昇温し、同温度で６時間撹拌し
た。反応終了後、減圧下にエタノールを留去し、得られ
た残故にトルエン（１５００ｍＡ）を加えて抽出し有機
層を分液した。有機層を１０％塩酸、水、５％重曹水、
水の順で洗浄し、その後、減圧濃縮して４−（２−エト
キシカルボニル−３−オキソブチル）ビフェニル８６Ｂ
、５ｆを粗生成物として得た。

このものをイソプロピルアルコール１００〇−に溶解し
、水酸化カリウム１４０．５Ｆ（２，５モル）の１００
０ｄ水溶液を加え、８０°Ｃに昇温して８時間保温した
。保温終了後、０〜５°Ｃに冷却し、同温度で５０％硫
酸５４ＯＮを１時間かけて滴下した。滴下終了後、室温
で１時間撹拌した。反応混合物にトルエン１５００ｍを
加え、抽出し有機層を分液した。有機層を５％Ｔｉ曹水
、水の順で洗浄し、その後、減圧濃縮して黄褐色固体２
７５ｆを得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝２０／１）
に付して４−（３−オキソブチル）ビフェニル（■−１
）１２９１（４−クロロメチルビフェニルからの通算収
率４６．０％、融点７６〜７７°Ｃ）を淡黄色固体とし
て得た。

次に、エタノール１０００−に（■−１）１１２Ｆ（０
，５モル）を懸濁させ、ここに水素化ホウ素ナトリウム
９．５　’！　（０，２５モル）を仕込み、室温で５時
間撹拌した。反応終了後、トルエン１５００−および水
５００１ｎｔを加えて抽出して分液後、有機層を水で洗
浄し、その後、濃縮して４−（８−ヒドロキシブチル）
ビフェニル（ＩＶ−１）１１ｆＭ（収率１００％、融点
７４〜７５℃ンを白色固体として得た。

製造例３ 温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装着した四つ目フ
ラスコにマグネシウム片２．６１　（１０５ミリモル）
、無水エチルエーテル２０ｍ／および無水テトラヒドロ
フラン２０−を仕込み、２（８−クロロプロピル）−２
−メチル−１，３−ジオキソラン１７．８９　（１０，
５ミリモル）と少Δのヨウ素を加えた。

この混合物を昇温しで、溶媒を還流させた後、Ｌ５．５
７ｆ（９４，５′ｉ、リモル）の２−（３−クロロプロ
ピル）−２−メチル−１，８−ジオキソランを滴下した
。滴下終了後、還流下で１２時間撹拌し、その後、室温
まで冷却した。

この混合物を、０〜５“Ｃで４−ブロモビフェニル２８
．８Ｎ（１００ミリモル）、ジクロ〔１゜８−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）プロパン〕ニッケル０．４８ｇ（
０，８ミリモル）およびジエチルエーテル１５０ｔＩＬ
ｔの混合物中に滴下した。

滴下終了後、室温まで昇温し、同温度で２０時間撹拌し
た。

反応終了後、ＩＮ塩酸２００ｄ中に反応混合物を注ぎ入
れ、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、その後、減圧下に
濃縮した。

得られた残渣をテトラヒドロフラン８０−に溶解させ、
この溶液にＩＮ塩酸１５０−を加え、室温で１２時間撹
拌した。

反応終了後、反応混合物に酢酸エチル３００−を加えて
抽出しｔこ。得られた有機層を５％水酸化ナトリウム水
溶液、水、飽和食塩水の順に洗浄し）無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。

得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／酢酸エチル＝ｔｏ／１）に供して４
−（４−オキソペンチル）ビフェニル１２．５ｙ（Ｍ−
５）（４−ブロモビ７　＝　＝　ルＩＣ対する収率５２
．４形、ｎ　ｏ　＝Ｌ　５６７６　）を無色液体として
得た。

ここで得た（Ｖｌ−５）１１．９ノ（５０ミリモル）を
エタノール１００−に溶かした後、水素化ホウ素ナトリ
ウム０．９５Ｆ（２５Ｅリモル）を加えて室温で８時間
撹拌した。

反応終了後、酢酸エチル２００−および水１００　ｍｌ
を加えて抽出、分液後、得られた有機層を水で洗浄し、
有機層をさらに減圧濃縮して４−（４−ヒドロキシペン
チル）ビフェニル製造例４ 温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装着した４つ目フ
ラスコにマグネシウム片４．９Ｎ（０，２モル）および
無水テトラヒドロフラン５０−を仕込み、４−ゾロ上ビ
フェニル９．８ｇ（０，０４モル）の無水テトラヒドロ
フラン（１０ｔ／）溶液を加えた。この混合物に少量の
ヨウ素を加え、３０分放置した後、撹拌下に４−ブロモ
ビフェニル８７．８１　（０，１６モル）の無水テトラ
ヒドロフラン（４０，＋ｔ／）溶液を滴下した。滴下終
了後、反応混合物を昇温しで２時間還流した。その後、
室温まで冷却した。

この混合物を、０〜５“Ｃでオキセタン１８，９ｆ（０
，２４モル）および無水テトラヒドロフラン５Ｑｍｔの
混合物中に滴下し、滴下終了後、室温まで昇温しで同温
度で１０時間撹拌した。

反応終了後、ＩＮ塩酸２０Ｏ１ｎｔ中に反応混合物を注
ぎ入れ、エーテル８００ｍ１で抽出処理した。得られた
有機層を水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥の後、得られたエーテル溶液
を減圧濃縮した。

得られた濃縮残渣をトルエン−ヘキサン混合液から再結
晶して　４−（３−ヒドロキシプロピル）ビフェニル２
８．９９（収率６８９６）を得た。

次に、４−（８−ヒドロキシプロピル）ビフェニル２５
．５ｇ（０，１２モル）を四塩化炭素１５０−に溶かし
、この溶液に０〜５°Ｃで三臭化リン１６、２１！　（
０，０６モル）を滴下した。滴下終了後、室温まで昇温
し、同温度で５時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、分液後、
得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮した。得られた残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ト
ルエン／酢酸エチル＝２０／１）に供して４−（８−ブ
ロモプロピル）ビフェニル２フ、フｙ（収率８４％）を
白色固体として得た。

ここで得た４−（８−ブロモプロピル）ビフェニル２７
．５　ｆｌを製造例２で原料として用いた４−クロロメ
チルビフヱニルに代えて原料とする以外は製造例２と同
様にして以下の反応を行い、４−（５−ヒドロキシヘキ
シル）ビフェニル１８．８１４−（８−ブロモプロピル
）ビフェニルからの通算収率７２％）を得た。

製造例５ 温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装着した四つロフ
ラスコにマグネシウム片４．９ｙ（０，２モル）および
無水テトラヒドロフラン５０Ｉ！！／を仕込み、４−ブ
ロモビフェニル４．６ｆ（２０ｔノモル）と無水テトラ
ヒドロフラン５−の混合物および少量のヨウ素を加えた
。

この混合物を昇温しで、溶媒を還流させた後、４−ブロ
モビフェニル４２．（１’（１８０ミリモル）と無水テ
トラヒドロフラン４５ｔＲ１の混合物を滴下した。滴下
終了後、還流下で２時間撹拌した後、０〜５°Ｃに冷却
した。

得られた混合物に１．４−ジブロモブタン５４．０１０
．２５モル）および無水テトラヒドロフラン８０−を加
えた後、さらに塩化リチウム０．Ｌ７ｆ、塩化第二銅０
．２７１および無水テトラヒドロフラン２０ｒｎｔの混
合物を加えた。

得られた混合物を０〜５°Ｃで２時間撹拌した後、室温
まで昇温し、さらに５時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を０〜５“Ｃに冷却し、ＩＮ塩
酸２００−を加えた後、トルエン６０〇−を加え、抽出
、分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、飽和食
塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、
減圧濃縮して、４−（４−ブロモブチル）ビフェニル５
９．８１を粗生成物として得た。

次に、温度計、滴下ロートおよび撹拌装置を装置した四
つ目フラスコにアセト酢酸エチル７８．１Ｆ（０，６モ
ル）およびエタノール４００−を仕込み、ここにナトリ
ウム１８．８１　（０，６モル）を少量ずつ加え、溶解
させた。

得られた溶液に先に得た粗４−（４−ブロモブチル）ビ
フェニル５９．８１を室温で滴下した。

滴下終了後、昇温し、溶媒還流下で５時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、濾過した。

得られた枦液を減圧下に濃縮し、残渣にトルエン５００
ｒｎ１．を加え、これを水、１０％塩酸、水、５％重曹
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥の後、減圧Ｂ縮して４−（５−エトキシカルボニル
−６−オキソヘプチル）ビフェニル８Ｂ、５ｆを粗生成
物として得た。

ここで得た４−（５−エトキシカルボニル−６−オキソ
ヘプチル）ビフェニルをさらに精製することなく、イソ
プロピルアルコール２００−に溶解させ、２０％水酸化
カリウム水溶液２５０ｔｎｔを加え、８０°Ｃに昇温し
で５時間撹拌した。その後、０〜５°Ｃまで冷却し、同
温で濃塩酸をｐｆ（１〜２となるまで加えた。その後、
室温まで昇温して１時間撹拌した後、反応混合物にトル
エン５００−を加え、抽出した。得られた有機層を水、
５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥の後、減圧濃縮した。

得うれた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出ｉ：トルエン／酢酸エエチ＝２０／１）に供して、
４−（６−オキソヘプチル）ビフェニル２８．２＆（４
−ブロモビフェニルからの通算収率５８％）を得た。

次にここで得た４−（６−オキソヘプチル）ビフェニル
２６．６ｙ（０，１モル）をエタノール２００−に溶解
させ、０〜５°Ｃで水素化ホウ素ナトリウム１．９ｆ（
５０ミリモル）を加え、同温でＩ時間撹拌し、さらに室
温まで昇温しで２時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエン
３００−で抽出した。得られた有機層を水３よび飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧
濃縮して、４−（６−ヒドロキシへブチル）ビフェニル
２６．８１１（収率１００％）を得た。融点４７〜４８
°Ｃ製造例６ 製造例５で用いた１、４−ジブロモブタンに代工て１．
５−ジブロモペンタンを用いる以外は製造例５と同様に
して反応および後処理を行い、４−（７−ヒドロキシオ
クチル）ビフェニル８６．０９（４−ブロモビフェニル
からの通算収率６２％）を得た。融点７１−７３°Ｃ〔
光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体（ＩＤの製造例
〕 製造例７ 温度計および撹拌装置を装置した４つ目フラスコに製造
例１で得た（　ＸＩ　−１）　１７．０　ｙ（０，０８
モル）、トルエン５０ｍ１およびピリジン２０ｍ１を仕
込み、その後、無水酢酸１０．２ノ（０，１モル）およ
び４−ジメチルアミノピリジン０．ＩＦを加えて、４０
〜５０°Ｃで４時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を４Ｎ塩酸５０−中に注ぎ出し
、抽出および分液した後、得られた有機層をＩＮ塩酸、
水、５９６重曹水、水の順に洗浄した。有機層を減圧下
に濃縮して、４−（２−アセトキシプロピル）ビフェニ
ル（□−１）２０、　Ｏｆ　（収率９８．５％）を得た
。ｎ乳’＝　１．８４０５次に、無水ジクロルメタン８
ｏ１ｎｔ１塩化アセチル１１．８Ｎ（０，１５モル）お
よび塩化アルミニウム２０．０１　（０，１５モル）の
混合物を室温で８０分間撹拌し、塩化アルミニウムをほ
とんど溶解させた。この溶液を０〜５°Ｃに冷却し、上
で得た（１１１−１　）　１９．１１のジクロルメタン
５〇−溶液を同温で滴下した。滴下終了後、同温度で２
時間保温した後、反応混合物を水５０〇−に注ぎ入れ、
抽出して有機層を分液した。有機層を水で洗浄した後、
減圧下に濃縮して黄色固体を得た。これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチ
ル−１０／１　）により精製して４−（２−アセトキシ
プロピル）−４’−アセチルビフェニル（貨−１）　２
０．１９　（収率９０，８％）を得た。

融点６０〜６１℃ 上で得た（亜−１）１７．８ｙ（６０ミリモル）をクロ
ロホルム２０ｄに溶解させ、０．８Ｍリン酸バッファー
４００−およびリパーゼ（「アマノＰＪ）１．８ｙを加
えて、３６±２°Ｃで４８時間激しく撹拌した。

反応終了後、反応混合物に酢酸エチル３０〇−を加え、
濾過した後、抽出、分液した。有機層を水で洗浄した後
、減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸エチル−
１０／１）に供し、（ハ）−４−（２−アセトキシプロ
ピル）−４′−アセチルビフェニル（ＸＶＩ　−１）　
９．８９〔収率５５．１％、〔α）　２Ｇ　＝９．９°
（（＝ｌ、Ｑ。

ＣＨＣｌ８）、融点６０〜６１°Ｃ〕と（−３−４−（
２−ヒドロキシプロピル）−４’−アセチルビフェニル ニル（ＸＶ−１）　６．４９　（：収率４２．１％、〔
ａ〕。

＝−１１，０°（Ｃ＝　１．０　、　ＣＨＣｌ５　）、
融点１３９〜１４０°Ｃ〕を得た。

次に、撹拌装置および温度計を装置した４つ目フラスコ
に、上記の方法により得られた（ＸＶ−１）　２５，４
　ｆ　（０，１モル）、酸化銀６９５ｙ（０，３モル）
およびヨウ化プロピル２５５ｆＩ（１，５モル）を仕込
み、室温で１５０間撹拌した。その後、反応混合物をク
ロロホルム８００−で希釈し、銀塩を炉別した後、減圧
濃縮した。

得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー＜
溶出液：トルエン／酢酸エチル−１０／１）に供してｆ
＠−４−アセチル−４’−（２−プロポキシプロビル）
ビフェニル（ｎＩ−１）９、ＯｆＣ収率８０．５９６）
（（α）、−−１０，２°（Ｃ−１、ＣＨＣｌｇ　）、
融点５８〜５５°Ｃ〕および原料（ＸＶ−１）　１７．
４　ｆ　（回収率６８．５９６）を得た。

上で得た（ＤＩ−１）　１．９１　（６，４ミリモル）
のジオキサン８０ｍ１溶液を、２０９６水酸化ナトリウ
ム水溶液８０−および臭素８．２１　（５１，５ミリモ
ル）より調製した次亜臭素酸ナトリウム水溶液中に加え
て室温で８時間撹拌した。この反応混合物に亜硫酸水素
ナトリウム４．０９を加え８０分間撹拌した後、塩酸を
加えてｐＨ１〜２に調整した。この混合物をエーテル１
００ｍＡで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、その
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧下
に留去してＨ−４’−（２−プロポキシプロビル）−４
−ビフェニルカルボン酸（Ｉ［−１ｔ、９Ｎ（収率９９
％、〔α）”−−１１，，６゜（Ｃ＝１　、　ＣＨａＯ
Ｈ））を得た。

製造例８〜１９ 製造例７で原料として用いた（ＸＩ−１）に代えて、製
造例２〜６で製造した（ＸＩ−２）から（ＸＩ−６）の
うちいずれかｌ化合物を原料とし、さらに製造例７にお
いてアルキル化剤として用いたヨウ化プロピルに代えて
表−■に記載のアルキル化剤を用いる以外は、製造例７
に準拠して反応および後処理を行った。

各工程の反応収率および生成物の物性値を表−１に示す
。

−２５乏 製造例２０ 製造例７に記載の方法により得られた（ＸＶ−１）２５
．４１（０，１モル）を無水ジメチルホルムアミド１０
０−に溶かし、イミダゾール７．１５ｙ（０，１０５モ
ル）とｔ−ブチルジメチルシリルクロリドｔ５．５ｆ（
０，１０５モル）を加え、２５〜８０°Ｃで６時間撹拌
した。

反応終了後、水中に注ぎ入れ、トルエン４００ｄを加え
、さらに塩酸を加えて水層のｐＨを１〜２とし、抽出、
分液した。得られた有機層を水、５％重曹水、水の順に
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧濃縮し
て、（→−４−（２−（ｔ−ブチル−ジメチルシロキシ
）プロピル）−４′−アセチルビフェニル（ＸＩＸ−１
）８５．８１＜収率９７％、〔α）、＝−７，５°（ｃ
＝１　、　ＣＨＣ，５ｇ　）　）を得た。

上で得た（ｎＸ−１）１８゜４　Ｑ　（５０Ｅ　リモル
）をジオキサン２００−に溶かし、２０％水酸化ナトリ
ウム水溶液６００ｍと臭素３０−ｄから調製した次亜臭
素酸ナトリウム溶液に加え、室温で一昼夜撹拌した。

反応終了後、反応混合物に水５００−および亜硫酸ナト
リウム５０ダを加えて撹拌した後、塩酸でｐＨ１〜２と
し、トルエンで抽出した。

得られた有機層を水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸＝２０／
Ｌ）に供し、（１−４−（２−（ｔ−ブチルジメチルシ
ロキシ）プロピル）−４’−ビフェニルカルボン酸（Ｘ
Ｘ　−１，）１５．９Ｆ（収率８６％、〔α’）”　＝
　−１２，１°（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｌａ　）　）を
得た。

上で得た（ＸＸ−１）１４．８ｆ（４０ミリモル）をテ
トラヒドロフランｌ　ＯＯｍｔに溶かし、テトラブチル
アンモニウムフルオリドのＩＭＴＨＦ溶Ｗ　ｓ　ｏ　ｒ
ａｔを加え、室温で１２時間撹拌した。

反応終了後、水中に注ぎ入れ、塩酸でｐＨ１〜２とした
後、トルエンで抽出した。得られた有機層を飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃
縮して、に）−４−（２−ヒドロキシプロピル）−４’
−ビフェニルカルボン酸（ｆｆ　−１）　９．７　ｙ　
（収率９５９６゜（ａ〕”　＝　−９，６°（Ｃ＝　１
　、　ＣＨＣｌａ　）　）　’ｘｑ’Ｊｆニー。

上で得た（ＩＸＩ−１）０．７７ｙ（８ミリモル）をピ
リジン１０−に溶かし、ｎ−ブチリルクロリド０．８２
ｙ（ＢＥリモル）を加えて室温で１時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、塩酸でｐＨ
１〜２とした後、トルエンで抽出した。得られた有機層
を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出液：トルエン／酢酸＝４０／１
　）ノ に供し、（−１−）−４−（２−ブタウィルオキシプロ
ピル）−４’−ビフェニルカルボン酸（ＩＩ−２）０、
７８９　（収率７５％、〔α’）、＝＋４．８°（ｃ＝
１　、　ＣＨＣｌ９　）　）を得た。

製造例２１〜２８ 製造例２０で原料として用いた（ＩＴ−１）に代えて表
−２に記載の光学活性なアルカノール類（ＭＶ）を用い
る以外は、製造例２０と同様にして、反応および後処理
を行った。

各工程の反応収率および生成物の物性値を表２に示す。

〔光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（ｖ）の製造例〕

製造例２４ 製造例７で中間体として得た（ｎｌ−１）８．０ｙ（１
０ミリモル）を無水ジクロルメタン５０−に溶かした後
、ｍ−クロロ過安息香酸２．１ノ（１２ミリモル）を加
えて室温で２４時間撹拌した。反応終了後、１０％亜硫
酸水素ナトリウム水溶液を加え、過剰のｍ−クロロ過安
息香酸を分解した後、有機層をｌＯ％重曹水、水の順に
洗浄した。有機層を減圧下に濃縮してＨ−４−アセドキ
シー４’−（２−プロポキシプロピル）ビフェニル（ｌ
ｍ−１）　２．９９　（収率９４％）Ｃ（ａ）”　＝　
−９，８°（Ｃ＝１、ＣＨＣｌａ　）、ｎＨｏ＝１．５
５０５）を得た。

次に、ここで得た（　Ｘ］Ｉ−１）　２．５　ｆ　（８
ミリモル）をメタノール８０−に溶かした後、２０％水
酸化ナトリウム水溶液１０−を加えて室温で２時間撹拌
した。反応終了後、ＩＮ塩酸を加えてｐＨ２〜８とした
後、酢酸エチル１００ｄを加えて抽出処理した。有機層
を水で洗浄後、減圧濃縮して（→−４−ヒドロキシー４
’−（２−プロポキシプロピル）ビフェニル（Ｙ−１）
２．２１（収率１００％）〔〔α〕「＝−８，８°（Ｃ
＝１、ＣＨＣ４ｓ　）　、融点５２〜５４°Ｃ〕を得た
。

製造例２５〜８９ 製造例２４で原料として用いた（ＸＶＩ−１）に代えて
、表−８に記載の光学活性なエーテル類（Ｘｖ［）を用
いる以外は、製造例２４と同様にして、バイヤービリガ
ー酸化、加水分解反応および後処理を行った。

各工程の反応収率および生成物の物性値を表−３に示す
。

製造例４０ 製造例７における不斉加水分解反応で得られり（ＸＭ　
　１　）　２９．６９　（０，１モル）を温度計、撹拌
装置を装置した四つ目フラスコに仕込み、ジクロルメタ
ン２００−を加えて溶解させた。

この溶液にｍ−クロロ過安息香酸２０．７９（０，１２
モル）を加えて還流下に８時間撹拌した。

反応混合物に１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え
て過剰のｍ−クロロ過安息香酸を分解した後、有機層を
１０％Ｍ’Ｗ水、水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。得られたジクロルメタン溶液を減圧濃縮
してＨ−４アセトキシ−４’−（２−アセトキシプロピ
ル）ビ７工、ニー＃（Ｘｌｖ−１）８０．２ｙ（収率９
７％）（〔α〕賃＝　−９，０°（Ｃ−１、ＣＨＣ７ａ
））を得た。

次に上で得た（■Ｖ−１）　２８．１　！　（９０ミリ
モル）をメタノール２００　ｒＩＬｔ、に溶かし、２０
９６水酸化ナトリウム水溶液５０！ｄを加えて室温で２
時間撹拌した。

反応混合物に１０％塩酸を加えてｐＨ１〜２とした後、
メタノールの大部分を減圧留去した。

得られた残渣を酢酸エチルで抽出した。得られた有機層
を５％重曹水、水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮して←
）−４−ヒドロキシ４−（２−ヒドロキシプロピル）ピ
フェニル（ｍｔ−１）　２０．５　ｆ　（収率１００％
）（〔ａ〕２０＋９．６°（Ｃ＝１、ＣＨａＯＨ）　）
を得た。

次に上で得た（ＩＸＭ−１）１８゜８　ｆ　（８０Ｚ　
’）モル）をジメチルホルムアミド１００−に溶かし、
これに塩化ベンジル１２．２ｙ（９６ｊリモル）および
炭酸カリウム２２．１９　（０，１６モル）を加えて５
０〜６０℃で５時間撹拌した。

反応混合物を水２０〇−中に注加し、酢酸エチルで抽出
した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、得られた酢酸エチ
ル溶液を減圧濃縮した。得られた黄色固体をエタノール
より再結晶して（＋）−４−ベンジルオキシ−４’−（
２−ヒドロキシプロピル）ビフェニル（、ｎ１ＶＩ−１
）　１．９．１ｙ（収率７５％）　（（ａ）２０−＋７
．７°（ｃ＝１、ＣＨＣｄａ　）　Ｊを得た。

次に上で得た（ＸＸｖＩ−１）　８．２　ｆ　（１０’
ｉ、　’）モル）および１−ブロモプロパン８．７Ｆ（
３０ミリモル）をジメチルスルホキシド８０−に溶解し
、６０％水素化ナトリウム０．８９Ｃ２０ミリモル）を
加えて８０°Ｃで１２時間撹拌した。反応混合物を水５
０ｔＲ１中に圧加し、トルエンで抽出処理した。有機層
を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した後、得られたトルエン溶液を減圧濃縮した。

得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーｃ
ｇ出ｉ：　トルエン／ヘキサン＝５／１　）に供し、（
＋１−４−ベンジルオキシ−４’−（２−プロポキシプ
ロビル）ビフェニル（ｎＮ１１−１）２．５ｙ（収率６
８％）を得た。

（Ｃ（１）言＝＋　５．８°（Ｃ−１、ＣＨＣ４ｇ　）
）次に上で得た（　ＨＶＴＩ　　１　）　１．８ｙ（５
Ｅ　’Ｊ−Ｅニル）ヲ酸酸エチル５−に溶かし、さらに
エタノールＰｄ／ｃ ８０ｍｌで希釈した後、１０％−イカ０．３１を加え、
水素圧１〜１．２気圧下で１０時間激しく撹て、（＋）
−４−ヒドロキシ−４’−（２−プロポキシプロビル）
ビフェニル（Ｖ−２）１．４ｙ（収率１００％）（（α
’）ニー＋９．１°（ｃ　＝　１　、ＣＨＣｌｇ）融点
８８−９０℃）を得た。

製造例４１〜５９ 製造例４０において原料とし、て用いた（川−１）に代
えて表−４に記載の光学活性な低級アルキルエステル類
（川）を用い、さらに製造例４０でアルキル化剤として
用いた１−ブロモプロパンに代えて表−４に記載のアル
キル化剤を用いる以外は製造例４０と同様にして反応お
よび後処理を行い、光学活性なヒドロキシビフェニル誘
導体（Ｖ）（但し、ｐが０）を得た。

各工程の反応収率および生成物の物性値を表−４に示す
。

製造例６０ 製造例７における不斉加水分解反応により得られる（ｎ
−１）２５゜４１　（０，１モル）を温度計、撹拌装置
を装置した四つロフラスコに仕込み、ジクロルメタン２
００−を加えて溶解させた後、ｍ−りｏｏ過安息香酸２
０．７Ｆ（０，１２モル）を加え、室温で２４時間撹拌
した。

反応混合物を１０％亜硫酸水素ナトリウム、５％重曹水
、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。

得られたジクロルメタン溶液を減圧濃縮してＨ−４−ア
セトキシ−４’−（２−ヒドロキシプロピル）ビフェニ
ル（ｒＸＨ−■）２６．７ｇ（収率９９％）　（ｃａ〕
言＝　−１０，３°（Ｃ＝１、ＣＨＣｄ８））を得た。

次に上で得た（ＸＸＩＹ−１）２４．８９　（９０Ｆ、
リモル）をメタノール１５０−に溶解させた後、２０％
水酸化ナトリウム水溶液８０−を加えて室温で２時間撹
拌した。

反応混合物に１０％塩酸を加えてｐＨ１〜２とした後、
酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水、５％重げ
水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮してＨ−
４−ヒドロキシ−４’−（２−ヒドロキシプロピル）ビ
フェニル（則−２）２０．！Ｍ（収率１００％）（〔α
〕２０＝−９，７°（Ｃ＝１、ＣＨｇ０Ｈ）　）を得た
。

次に上で得た（ｎＭ−２）　１８．３１　（８０ミリモ
ル）をジメチルホルムアミド１００−に溶解させ、これ
に塩化ベンジル１２．２ｇ（９６Ｅリモル）および炭酸
カリウム２２．１１　（０，１６モル）を加えて５０〜
６０°Ｃで８時間撹拌した。

反応混合物を水２００−に圧加し、酢酸エチルで抽出し
た。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた酢酸エチル溶
液を減圧濃縮した。

得られた残渣をシリカゲルシラムクロマトグラフィー（
溶ｆ［：トルエン／酢酸エチル＝５／１）に供してＨ−
４−ベンジルオキシ−４′−（２−ヒドロキシプロピル
）ビフェニル（Ｉｎｌ　−２）２５．８ｙ（収率９５％
）（〔α〕茗＝　−８，００（Ｃ−１、ｃＨｃｌｓ　）
　）を得た。

次に上で得た（則−２）８．２１！（１０ミリモル）を
ジメチルホルムアミド２０ｍ１に溶かし、６０９６水素
化ナトリウム０．８１！（２０ミリモル）を加えて室温
で１時間撹拌した後、ｐ−トルエンスルホン酸３−エト
キシプロピル７．７９＜８０ミリモル）の１０−ジメチ
ルホルムアミド溶液を滴下した。滴下終了後、５０〜６
０°Ｃに昇温し、同温度で２４時間撹拌した。

反応混合物を水５０ｔｎｔ中に圧加し、酢酸エチルで抽
出処理した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順に洗
浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後
、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝１０／１　）に供し
て日−４−ペン・ジルオキシ−４’−（２−（８−エト
キシプロボキシ〕プロピル）ビフェニル（Ｗ−２）２．
８ｙ（収率５９９６）（（α）”＝−１０，２°（ＣＤ ＝１．Ｃｆ（Ｃ５ｇ））を得た。

ｌを加えて水素圧Ｉ〜１．２気圧下で１０時間激を濃縮
して（−３〜４−ヒドロキシ−４’−（２−（８−エト
キシプロポキシ）プロピル）ビフェ０ ニル（Ｖ−８）１．６Ｆ（収率１００％）（〔α〕０＝
−１１，４°（Ｃ２０、ＣＤＣｄａ）、融点５３〜５５
”Ｃ）を得た。

製造例６１〜６８ 製造例６０において得た（ＸＸＶＩ−２）を原料とし、
製造例６０においてアルキル化剤として用いたＩ）−ト
ルエンスルホン酸８−エトキシプロビルに代えて、表−
５に記載のアルキル化剤を用いる以外は製造例６０に準
拠してアルキル化反応、脱ベンジル化反応および後処理
を行い光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体（ｖ〉（
但し、ｐが０）を得た。

各工程の反応収率および生成物の物性値を表−５に示す
。

製造例６４ 製造例４０で得ｊ：　（ｍｌ−１＞　８．２９　（１０
ミノモル）をピリジン８０ｒｎｔに溶解させ、０〜５°
Ｃに冷却した。同温度でこの溶液にプロピオン酸クロリ
ド１１ｇ（１２ミリモル）を滴下し、その後、室温まで
昇温しで５時間撹拌した。

反応混合物を水５０．ｄ中に圧加し、酢酸エチルで抽出
した。得られた有機層を１０％塩酸、水、５％重ｄ水、
飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。得られた酢酸エチル溶液を減圧濃縮してＨ−４−
ベンジルオキシ−４’−（２−プロパノイルオキシプロ
ビル）ビフェニル（頷−１）３．７ｙ（収率１００９６
）（〔α）　２０−７．　ｏｏ（Ｃ＝１、ＣＬ（Ｃｇ８
））を得た。

次に上で得た（ＨＩＫ−１）　１．９９　（５ミリモル
）を減圧濃縮して（→−４−ヒドロキシー４’−（２−
プロパノイルオキシプロビル）ビフェニル（Ｖ−４）１
．４ｙ＜収率９８９６）（（α〕０＝−１１，５°（Ｃ
＝１、ＣＨ（Ｊ’ｓ）、ｎ”　＝　１．５４６２１を得
た。

製造例６５〜７２ 製造例６４において原料として用いた（角１１）に代え
て表−６に記載の光学活性なベンジルオキシビフェニル
アルカノール類（ＸＸＶ［）を用い、さらに製造例６４
で用いたプロピオン酸クロリドに代えて表−６に記載の
カルボン酸類を用いる以外は製造例６４と同様にして反
応および後処理を行い、光学活性なヒドロキシビフェニ
ル誘導体（Ｖ）（但し、ｐがｌ）を得た。

各工程の反応収率および生成物の物性値を表−６に示す
。

水素圧１〜１．２気圧下で１２時間激しく撹拌し”　　
　　　ｐｄ／Ｃ 反応終了後、声峻珈を濾別し、得られた濾液製造例７８ 製造例４５において得られる（ト）−４−ヒドロキシ−
４’−（８−ヒドロキシブチル）ビフェニル（ＸＸ’％
１−３）１．２ノ（５ミリモル）と１−ブロモデカン１
．８ｙ（６Ｅリモル）を温度計および撹拌装置を装着し
た四つ目フラスコに仕込み、ジメチルホルムアミド２０
−を加え溶解させた。

この混合物に炭酸カリウム１．４Ｎ（１０ｊリモル）を
加え、５０〜６０″Ｃで８時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、酢酸エチル
で抽出処理した。得られた有機層を水、飽和食塩水の順
に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、得られた
酢酸エチル溶液を減圧下に濃縮した。得られた濃縮残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トル
エン）に供し、（＋）−４−デシルオキシ−４′−（３
−ヒドロキシブチル）ビフェニル（■−１）１．９ｙ（
収率９８％）（融点８７〜８９°Ｃ１ＣＤ〕２０＝　＋
　７．９°（ｃ＝　１　、０ＨＣｌｓ）　）　ｌｘ得た
。

製造例７４〜９５ 製造例７８において原料として用いた（へＭ−８）に代
えて表−７に記載の光学活性なジオール類（ｎＷ）を用
い、さらに製造例７８でアルキル化剤として用いた１−
ブロモデカンに代えて表−７に記載のアルキル化剤を用
いる以外は製造例７８と同様にして反応および後処理を
行い、光学活性なアルコキシビフェニルアルカノール誘
導体（■）を得た。

反応収率および生成物の物性値を表−７にボす。

＼、 ＼ 〔光学活性なアルキルビフェニルアルカノール誘導体（
Ｘ［）の製造例〕 製造例９６ 製造例１において原料として用いた４−ブロモビフェニ
ルに代えて４−ブロモ−４′−へブチルビフェニルを用
いる以外は、製造例１と同様にして反応および後処理を
行い、４−（２−ヒドロキシプロピル）　−４’−へブ
チルビフェニル（ＩＬＩ−１）　１８．１９　（収率６
１％）を得た。

上で得た（ｒＬｌ−１）１４．８１５０ミリモル）をピ
リジン１００−に溶解させ、０〜５℃で塩化アセチル４
．７ｙ（６０Ｅリモル）を加え、同温で３時間撹拌した
。

反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン２
００ｄを加え、抽出した。得られた有機層を１０％塩酸
、水、５％重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮して、４−（２−
アセトキシプロピル）−４’−へブチルビフェニル（Ｉ
ｌｌｌ−１）１６．６Ｆ（収率９８％）を得た。

上で得り（ＸＬＩＩ　　１　）　１　Ｂ、５　ｆ　（４
０ｉ　’Ｊモ／ｌ／）をクロロホルム２０−に溶解させ
、０．３Ｍリン酸バッフｙ　−８００ｍｌおよびリパー
ゼ（「アマノル」）１．４１を加えて、３６±２°Ｃで
６０時間激しく撹拌した。

反応終了後、反応混合物に酢酸エチル２００−を加え、
胛過した後、炉液を分液した。

得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、減圧濃縮し
た。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（溶出液：トルエン／酢酸エチル＝２０／１）に供し
、Ｈ−４−（２−アセトキシプロピル）　−４’−へブ
チルビフェニル７、１１　（収率５２．５％、〔α〕２
０＝−７．１°（ｃ＝Ｉ、ＣＨＣｌ５　）　）および（
へ）−４−（２−ヒドロキシプロピル”）　−４’−へ
ブチルビフェニル（Ｘ［−１）５．６１収率４７％、〔
α）、＝−８，５°（Ｃ＝１、ＣＨ（４７ｇ））を得た
。

製造例９７ 製造例３において原料として用いた４−ブロモビフェニ
ルに代えて４−ブロモ−４′−へプチルビフェニルを用
いる以外は、製造例３と同様にして反応および後処理を
行い、４−（４−ヒドロキシペンチル）　−４’−ペプ
チルビフェニル（Ｘ：Ｌｌ−２）　１６．５　ｆ　（４
−ブロモ−４′−へブチルビフェニルからの通算収率５
１％）を得た。

上で得た（ＩＬｌ、−２）を製造例９６における（ＩＬ
Ｉ−１）に代えて原料とする以外は、製造例９６に準じ
てエステル化反応、不斉加水分解反応および後処理を行
い、（へ）−４−（４−アセトキシペンチル）−４−へ
ブチルビフェニル７．８９　（（α）：’　＝　−４，
９°（Ｃ＝１、ＣＨＣｌａ　）　）　オＪ：び（ハ）−
４−（４−ヒドロキシペンチル）−４’−０ ヘプチルビフェニル（Ｘｌ−２）５．８ｙ（（α〕０＝
−６．１°（Ｃ＝１、ＣＨＣｌａ　）　）を得た。

実施例１ 撹拌装置、温度計を装着した四つ目フラスコに製造例７
で得た（へ）−４’−（２−プロポキシプロピル）−４
−ビフェニルカルボン酸（Ｉ［−１）０．６０ＩＣ２ミ
リモル）とｌ−オクタノール０．２９ｙ（２，２ｔリモ
ル）を仕込み、無水ジクロルメタン１０−を加え、溶解
させた。この混合物に、Ｎ　、　Ｎ’−ジシクロへキシ
ルカルボジイミド０．５０ｆＣ２，４ミリモル）と４−
ピロリジノピリジン２０巧を加え、室温で２４時間撹拌
した。

反応終了後、生じた沈殿を炉別し、Ｐ液をトルエン５０
−で希釈し、水、５％酢酸、水、５％重曹水、飽和食塩
水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減
圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝２／１　）
に供シ、（へ）−４’−（２−プロポキシプロピル）−
４−ビフェニルカルボン酸１−オクチル（Ｉ−１）０．
７９Ｎ（収率９６％）を得た。

実施例２ 撹拌装置、温度計を装着した四つロフラスコに製造例７
で得たＨ−４’−（２−プロポキシプロピル）−４−ビ
フェニルカルボン酸（ＩＩ−１）０．６０１２ミリモル
）と１−ブロモペンタン０１８６Ｆ（２，４ミリモル）
を仕込み、アセトニトリル１ｏ、／を加え、溶解させた
。この混合物に１．８−ジアザビシクロ（５，４，０）
−７ウンデセン０．８７１（２，４ミリモル）を加え、
室温で１２時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン５
０−で抽出しｔこ。得られた有機層をＩＮ塩酸、水、５
％ＭｖＩ水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後、減圧調縮した。得られた残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘ
キサン＝２／１）に供し、Ｈ−４′〜（２−プロポキシ
プロピル）−４−ビフェニルカルボン酸１−ペンチル（
Ｉ−２）０．７０１（収率９５％）を得　ｔこ　。

実施例８〜１６ 表−８に記載の光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体
（…を原料とし、表−８に記載のアルコール類（■）ま
たはハロゲン化アルキルＭ　ＧＶ）　ヲ実姉例１または
２に記載の方法に準拠して反応させ、光学活性なビフェ
ニル誘導体（Ｉ）（但し、Ｘが０ＣＯ）を得た。

結果を表−８に示す。

実施例１７ 撹拌装置、温度計を装着した四つロフラスコに製造例２
４で得た（＠−４−ヒドロキシー４′−（２−プロポキ
シプロビル）ビフェニル（Ｖｌ）０．５４１！（２ミリ
モル）および１−ブロモデカン０．５８ノ（２，４ミリ
モル）を仕込み、ジメチルホルムアミド１Ｏ１ｎｔを加
え、溶解させた。

この混合物に炭酸カリウム０．４１ｙ（ＢＥリモル）を
加え、５０〜６０°Ｃで５時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を水中に注ぎ入れ、トルエン５
０ｆｎ！で抽出した。得られた有機層を水および飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥の後、減圧
下、濃縮した。

得られた残液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶出液：トルエン／ヘキサン＝２／１）に供し、（−）
−４−デシルオキシ−４’−（２−プロポキシプロビル
）ビフェニル（Ｉ−１７）０．８０ノ（収率９８％）を
得た。

実施例１８ 撹拌装置、温度計を装着した四つ目フラスコに製造例２
４で得た（＠−４−ヒドロキシー４・（２−プロポキシ
プロビル）ビフェニル（Ｖ−１）０．５４１２ミリモル
）を仕込み、ピリジン５−を加え、溶解させた。

この混合物に０〜５°Ｃでヘキサノイルクロリド０．８
０ｙ（２，２ミリモル）を加え、同温で１時間、さらに
室温で１時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエン
５０ｆｎｔで抽出した。得られた有機層をＩＮ塩酸、水
、５％重重水水飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥の後、減圧濃縮した。得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶Ｌ［：トルエン
／ヘキサン＝２／１）に供し、に）−４−ヘキサノイル
オキシ−４’−（２−プロポキシプロビル）ビフェニル
（Ｉ−１８）０．７８ｇ（収率９９％）をｊ辱　ｔこ　
。

実施例１９〜６４ 表−９に記載の光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体
（Ｖ）を原料とし、表−９に記載のアルキル化剤（■）
またはカルボン酸類（■）を実施例１７または１８に記
載の方法に準拠して反応させ、光学活性なσフェニル誘
導体（Ｉ）を得た。

結果を表−９に示す。

実施例６５ 撹拌装置および温度計を装着した四つ目フラスコに製造
例７８において得られた（−）−）−４−デシルオキシ
−４−（８−ヒドロキシブチル）ビフェニル（■−１）
０．７７ｆＩ（２ミリモル）を仕込み、ピリジン５−を
加え、溶解させた。

この混合物に０〜５°Ｃでプロピオン酸クロリド０．２
０ｆ（２，２ミリモル）を加え、同温で２時間撹拌した
。

反応終了後、反応混合物を氷水中に注ぎ入れ、トルエン
５０−で抽出した。得られた有機層をＩＮ塩酸、水、６
％重ｑ水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥の後、減圧下、濃縮した。得られた残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン
／ヘキサン＝２／１　）に供し、（ハ）タデシルオキシ
−４’−（８−プロパノイルオキシブチル）ビフ！＝ル
（Ｉ−６５）０．８８Ｆ（収率１００％）を得た。

実権例６６ 撹拌装置および温度計を装着した四つロフラスコに水素
化カリウム（含ｆｆ１８５％）０゜８４１（８ミリモル
）および無水テトラヒドロフラン５−を仕込み、さらに
製造例７８で得た（−１−）−４−デシルオキシ−４’
−（８−ヒドロキシブチル）ビ７ｚ二ＪＬ’（ｆｆ−１
）　０．７７１　（２Ｅ　’Ｊモル）を加え、室温で１
時間撹拌した。

得られた混合物に１−ヨードブタンＯ，’７４ｆ（４ミ
リモル）を加え、４０〜５０゛Ｃで８時間撹拌した。

反応終了後、反応混合物に少量の氷を加えて過剰の水素
化カリウムを分解した後、トルエン５０１ａｌを加え抽
出した。得られた有機層をＩＮ塩酸、水、５％重曹水、
飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
の後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝２
／１）に供し、（−１−）−４−デシルオキシ−４′−
（８−ブトキシブチル）ビフェニル（Ｉ　−６６）０、
７５１　（収率８５９６）を得た。

実施例６７〜１０４ 表−１０に記載の光学活性なアルキルビフェニルアルカ
ノール誘導体（［）または光学活性なアルキルビフェニ
ルアルカノール誘導体（ＸＩ）を原料とし、表−１０に
記載のカルボン酸類■またはアルキル化剤α）を実施例
６５または６６に記載の方法に準拠して反応させ、光学
活性なビフェニル誘導体（Ｉ）を得た。

結果を表−１０に示す。

＼ 実施例１０５〜１０７ 液晶化合物を用いて、表−１１に示す液晶組成物を調整
した。調整は所定の化合物を所定の重量だけ試料ビン中
に秤量しｔコものを加熱溶融しながら混合することによ
り行った。

このようにして調整した液晶組成物を酸化インジウム透
明ｖＩＬ極が設けられているガラス基板板にポリイミド
系高分子膜を設け、一定方向にラビング処理し、２板の
基板のラビング方向が平行になるようにガラスファイバ
ー（径６μｍ）をスペーサーとして組立てた液晶セル内
に真空封入して液晶素子を得た。

液晶組成物の相系列、チルト角および自発分極値を表−
１１に示す。

実施例１０８〜１１７ 本発明の化合物のうち単独でＳｃ　　相を示しｔニル合
物のうち、表−１２に記載の化合物単体を実施例１０５
〜１０７で用いナコ液晶組成物に代えて液晶素子を製造
した。

これらの液晶素子を偏光子と組み合せ、框界を２０Ｖに
印加したところ、透過光強度の変化が観察された。この
透過光強度の変化より応答時間を測定し、表−１２に示
す結果を得た。

表−１２ 手続補正書（自発） １．事件の表示 平ｙｆｃ２年特許願第０４０５３９号 ２、発明の名称 光学活性なビフェニル誘導体、その製造法、それを有効
成分とする液晶組成物およびそれを用いてなる液晶素子
３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 大阪市中央区北浜四丁目５番３３号 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。

（２）明細書の第１２真下から第６行目のｒまたは」と
「アルフキシア１との間にｒハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数２〜２０の１を挿入する。

（３）同第５４頁第７行目〜第５５頁第４行目にｒ（炭
素数１〜２０の）１とあるを「（炭素数２〜２０の）Ｊ
と補正する。

（４）同第５６頁第５行目〜第５７頁第１行目にｒ（炭
素数１〜２０の）１とあるをｒ（炭素数２〜２０の）」
と補正する。

（５）同第５８頁第１行目〜第５９頁第１行目にｒ（炭
素数■〜２０の）ｊとあるをｒ（炭素数２〜２０の〉」
と補正する。

（６）同第１３７頁第９行目にｒジクロＪとあるをｒジ
クロロ」と補正する。

（７）同第１６９頁ｉｃ＋行目ニｒｃｏｃｔ　　Ｊ　ト
アルヲｒｃＨｔ、ｌ、　Ｊと補正する。

（８）同第１８９　真裏９　ノ実施例２３（７）　Ｒ’
　（７）　欄ニ’　Ｃｌｔ　ＨｚｙＪとあるを’ＣＩＩ
Ｈ！：ＩＪと補正する。

連絡先　Ｔａ　（０６）２２０−３４０４（９）同第１
９０頁〜１９１頁表−９の実施例２７．３０及び３５の
Ｒ１の欄に’ＣＩＩＨ□１とあるを’Ｃ＋＋ＨｔｓＪと
補正する。

ＧＯ）同第１９４頁最下行に’　Ｓ　＋およびＳｚｌと
あるを’Ｓｔ、ＳｔおよびＳｓＪと補正する。

（１０同第２０１頁表−１０の実施例８９のカルボン酸
１１（ＩＸ）またはアルキル化剤（Ｘ）の欄に１１−ブ
ロモペンチル」とあるをｒｌ−ブロモペンタンｊと補正
する。

以上 特許請求の範囲 （１）　−数式 （式中、Ｒ１は炭素数３〜２０のアルキル基をＲｔはハ
ロゲン原子で置換されていてもよい炭ジアルキル基を示
す、Ｘは　−ｏ−−ｃｏｏ−または−０ＣＯ−を示す６
ｍは０または１を、ｎは１〜６までの整数を、ｐはＯま
たは１を示す。

本　印は不斉炭素原子を示す、） で示される光学活性なビフェニル誘導体。

（２）ＰがＯである請求項１記載の光学活性なビフェニ
ル誘導体。

（３）ｎが４または５である請求項１記載の光学活性な
ビフェニル誘導体。

（４） 一般式 （式中、Ｒｚはハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数Ｉ〜２０のアルキル基またはハロゲアルコキシアル
キル基を示す、ｎは１〜６までの整数を、ｐはＯまたは
１を示す。　＊印は不斉炭素原子を示す、） で示される光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体。

（６）　−数式 アルコキシアルキル基を、Ｒ”は水酸基またはハロゲン
原子を示す、ｎは１〜６までの整数を、ｐは０または１
を示す、＊印は不斉炭素原子を示す。） で示される光学活性なビフェニルカルボン酸誘導体。

（５）　−数式 （式中、Ｒ１は炭素数３〜２０のアルキル基を示す、ｎ
は１〜６までの整数を示す、＊印は不斉炭素原子を示す
、） で示される光学活性なアルコキシビフェニルアルカノー
ル誘導体。

（７）　−数式 （式中、Ｒ２はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基またはハロゲ（式中、Ｒ−は
炭素数３〜２０のアルキル基を示す、ｎは１〜６までの
整数を示す、＊印は不斉炭素原子を示す、） で示される光学活性なアルキルビフェニルアルカノール
誘導体。

（８）請求項４記載の光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体と一般式 （式中、Ｒ’は炭素数３〜２０のアルキル基を示す、） で示されるアルコール類とを反応させることを特徴とす
る請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸが一〇Ｃ
Ｏ−である化合物の製造法。

（９）請求項４記載の光学活性なビフェニルカルボン酸
誘導体のうちＲｏが水酸基である化合物と一般式 （式中、Ｒ１は炭素数３〜２０のアルキル基をＺはハロ
ゲン原子を示す、） で示されるハロゲン化アルキ°ル頻とを反応させること
を特徴とする請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつ
Ｘが一〇〇〇−である化合物の製造法。

（１０）請求項５記載の光学活性なヒドロキシビフェニ
ル誘導体と一般式 ％式％ （式中、Ｒ’は炭素数３〜２０のアルキル基をＲｏは水
酸基またはハロゲン原子を示す。）で示されるカルボン
酸類とを反応させることを特徴とする請求項１記載の化
合物のうちｍがｌでかつＸが−ＣＯ〇−である化合物の
製造法。

（１１）請求項５記載の光学活性なヒドロキシビェニル
誘導体と一般式 （式中、Ｒ１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｙはハ
ロゲン原子または一０３ＯｔＲ″を示す、ここでＲｏは
低級アルキル基または置換されていてもよいフェニル基
を示す、−） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
る請求項ｌに記載の化合物のうちｍが１でかつＸが一〇
−である化合物の製造法。

（１２）請求項６記載の光学活性なアルコキシビフェニ
ルアルカノール誘導体と一般式 ％式％ （式中、Ｒｚはハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基またはハロゲアルコキシアル
キル基を、Ｒｏは水酸基またはハロゲン原子を示す、） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
る請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸが一〇−
でかつＰが１である化合物の製造法。

（１３）請求項６記載の光学活性なアルコキシビフェニ
ルアルカノール誘導体と一般式 （式中、Ｒ２はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基またはハロゲアルコキシアル
キル基を、Ｙはハロゲン原子または　−ＯＳ　Ｏ，Ｒ’
を示す、ここでＲ“は低級アルキル基または置換されて
いてもよいフェニル基を示す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
る請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸが一〇−
でかつｐが０である化合物の製造法。

（１４）請求項７記載の光学活性なアルキルビフェニル
アルカノール誘導体と一般式 ％式％ （式中、Ｒ２はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基またはハロゲアルコキシアル
キル基を、Ｒｏは水酸基またはハロゲン原子を示す、） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
る請求項１記載の化合物のうちｍがＯでかつｐが１であ
る化合物の製造法。

（１５）請求項７記載の光学活性なアルキルビフェニル
アルカノール誘導体と一般式 （式中、Ｒ２はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基またはハロゲン原子で置換さ
れていてもよい炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基
を、Ｙはハロゲン原子または−ｏ　ｓ　Ｏ，Ｒｏを示す
、ここでＲｏは低級アルキル基または置換されていても
よいフェニル基を示す、） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
る請求項１記載の化合物のうちｍが０でかつｐがＯであ
る化合物の製造法。

（１６）請求項１記載の光学活性なビフェニル誘導体を
少なくとも１種類配合成分として含有することを特徴と
する液晶組成物。

（１７）請求項１記載の光学活性なビフェニル誘導体を
少なくとも１種類配合成分として含有する液晶組成物を
用いてなる液晶素子。

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｒ＾
   ２はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜２
   ０のアルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。Ｘ
   は−Ｏ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−を示す。ｍは０
   または１を、ｎは１〜６までの整数を、ｐは０または１
   を示す。＊印は不斉炭素原子を示す。） で示される光学活性なビフェニル誘導体。
2. （２）ｐが０である請求項１記載の光学活性なビフェニ
   ル誘導体。
3. （３）ｎが４または５である請求項１記載の光学活性な
   ビフェニル誘導体。
4. （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾２はハロゲン原子で置換されていてもよい
   炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシアルキル
   基を、Ｒ＾１は水酸基またはハロゲン原子を示す。ｎは
   １〜６までの整数を、ｐは０または１を示す。＊印は不
   斉炭素原子を示す。）で示される光学活性なビフェニル
   カルボン酸誘導体。
5. （５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ２はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
   素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシアルキル基
   を示す。ｎは１〜６までの整数を、ｐは０または１を示
   す。＊印は不斉炭素原子を示す。） で示される光学活性なヒドロキシビフェニル誘導体。
6. （６）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を示す。 ｎは１〜６までの整数を示す。＊印は不斉炭素原子を示
   す。） で示される光学活性なアルコキシビフェニルアルカノー
   ル誘導体。
7. （７）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を示す。 ｎは１〜６までの整数を示す。＊印は不斉炭素原子を示
   す。） で示される光学活性なアルキルビフェニルアルカノール
   誘導体。
8. （８）請求項２記載の光学活性なビフェニルカルボン酸
   誘導体と一般式 Ｒ＾１−ＯＨ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を示す。 ） で示されるアルコール類とを反応させることを特徴とす
   る請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸが−ＯＣ
   Ｏ−である化合物の製造法。
9. （９）請求項２記載の光学活性なビフェニルカルボン酸
   誘導体のうちＲ＾１が水酸基である化合物と一般式 Ｒ＾１−Ｚ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｚは
   ハロゲン原子を示す。） で示されるハロゲン化アルキル類とを反応させることを
   特徴とする請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸ
   が−ＯＣＯ−である化合物の製造法。
10. （１０）請求項３記載の光学活性なヒドロキシビフェニ
    ル誘導体と一般式 Ｒ＾１ＣＯＲ’ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｒ’
    は水酸基またはハロゲン原子を示す。）で示されるカル
    ボン酸類とを反応させることを特徴とする請求項１記載
    の化合物のうちｍが１でかつＸが−ＣＯＯ−である化合
    物の製造法。
11. （１１）請求項３記載の光学活性なヒドロキシビェニル
    誘導体と一般式 Ｒ＾１−Ｙ （式中、Ｒ＾１は炭素数３〜２０のアルキル基を、Ｙは
    ハロゲン原子または−ＯＳＯ＿２Ｒ”を示す。ここでＲ
    ”は低級アルキル基または置換されていてもよいフェニ
    ル基を示す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１に記載の化合物のうちｍが１でかつＸが−Ｏ
    −である化合物の製造法。
12. （１２）請求項４記載の光学活性なアルコキシビフェニ
    ルアルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２ＣＯＲ’ （式中、Ｒ＾２はハロゲン原子で置換されていてもよい
    炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシアルキル
    基を、Ｒ’は水酸基またはハロゲン原子を示す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸが−Ｏ−
    でかつｐが１である化合物の製造法。
13. （１３）請求項４記載の光学活性なアルコキシビフェニ
    ルアルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２−Ｙ （式中、Ｒ＾２はハロゲン原子で置換されていてもよい
    炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシアルキル
    基を、Ｙはハロゲン原子または−ＯＳＯ＿２Ｒ”を示す
    。ここでＲ”は低級アルキル基または置換されていても
    よいフェニル基を示す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１記載の化合物のうちｍが１でかつＸが−Ｏ−
    でかつｐが０である化合物の製造法。
14. （１４）請求項５記載の光学活性なアルキルビフェニル
    アルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２ＣＯＲ’ （式中、Ｒ＾２はハロゲン原子で置換されていてもよい
    炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシアルキル
    基を、Ｒ’は水酸基またはハロゲン原子を示す。） で示されるカルボン酸類とを反応させることを特徴とす
    る請求項１記載の化合物のうちｍが０でかつｐが１であ
    る化合物の製造法。
15. （１５）請求項５記載の光学活性なアルキルビフェニル
    アルカノール誘導体と一般式 Ｒ＾２−Ｙ （式中、Ｒ＾２はハロゲン原子で置換されていてもよい
    炭素数１〜２０のアルキル基またはアルコキシアルキル
    基を、Ｙはハロゲン原子または−ＯＳＯ＿２Ｒ”を示す
    。ここでＲ”は低級アルキル基または置換されていても
    よいフェニル基を示す。） で示されるアルキル化剤とを反応させることを特徴とす
    る請求項１記載の化合物のうちｍが０でかつｐが０であ
    る化合物の製造法。
16. （１６）請求項１記載の光学活性なビフェニル誘導体を
    少なくとも１種類配合成分として含有することを特徴と
    する液晶組成物。
17. （１７）請求項１記載の光学活性なビフェニル誘導体を
    少なくとも１種類配合成分として含有する液晶組成物を
    用いてなる液晶素子。