JPH03685B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 利用分野 本発明は、垂直磁気記録再生に適した垂直型磁
気ヘツドの製造方法に関するものである。

一般に、垂直磁気記録再生方式は高密度記録に
適しており、その応用として磁気デイスクやフロ
ツピーデイスク等の電子計算機の端末装置や民生
用のビデオシステム及びオーデイオ用磁気記録再
生装置等へ利用することにより、装置の小型化、
高忠実度化が期待されている。そして、斯る垂直
磁気記録再生方式に用いられる垂直型磁気ヘツド
は、第１図に一例を示す如く、高透磁率の磁性薄
膜（例えば、パーマロイ、センダスト、非晶質磁
性体等）からなる主磁極１と該主磁極１に対向し
て配される高透磁率磁性材（例えば、フエライト
等）からなる補助磁極２とより構成され、従来で
は斯る主磁極１の先端部を記録媒体３（例えば、
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有するC_pC_r薄膜
３ａがポリエステル等のベース３ｂ上に高周波ス
パツタ法により形成されている）の膜面に対向せ
しめると共に補助磁極２をその反対側（即ち、ベ
ース側）に対向せしめ、斯る補助磁極２に巻装さ
れた記録再生コイル４に信号電流を流すことによ
つて主磁極１の先端部近傍に鋭い垂直磁界を発生
せしめて記録媒体３（この場合、矢印Ａ方向に移
動されている）に垂直記録を行なうようにしてい
る。

(ロ) 従来技術 そして、従来では斯る主磁極の具体的構造とし
て第２図に示す如く、パーマロイ、センダスト、
非晶質磁性体等からなる高透磁率の主磁性薄膜１
を、一対の補助部材５，５′の一方の接合面側に
形成した後、この接合面に他方の補助部材５′の
接合面を対向せしめて、斯る主磁性薄膜１を挟み
込むように接着剤（例えば、エポキシ系樹脂）に
て接合接着して主磁極６を構成していた。ここ
で、前記補助部材５，５′はその先端部のみが例
えばガラス等の非磁性材７，７′で構成され、残
りの部分は主磁極６の磁気的な抵抗を減じて記録
再生効率を向上させるために高透磁率磁性材８，
８′（例えば、フエライト）にて構成されている。

(ハ) 問題点 然し乍ら、この様な構造の主磁極においても、
その記録トラツク密度を向上させるべく記録媒体
のトラツク幅を狭くすると、磁性薄膜１の幅Ｗが
トラツク幅に対応して設定されていることから、
斯るトラツク幅を狭くするに伴なつて主磁極６の
幅も全体的に狭くなり、従つて磁気的な抵抗が次
第に増大していた。そのため、狭トラツク化に伴
なう記録再生効率の低下が問題になつていた。

(ニ) 解決策 そこで、出願人は狭トラツク化においても記録
再生効率の良い垂直型磁気ヘツドの主磁極を特願
昭57−45438号として既に提案しており、具体的
には第３図に示す如く高透磁率の主磁性薄膜１の
先端部の幅Ｗ（即ち、トラツク幅に対応）に対し
て後部の幅W′をトラツク幅よりも十分広く設定
すると共に、斯る主磁性薄膜１を挟み込んでいる
前記補助部材５，５′においても主磁性薄膜１と
同様に高透磁率磁性材８，８′よりなる後端部の
幅をトラツク幅よりも十分広い幅W′に設定し、
且つその上面の一部を細く絞つた突出形状にして
非磁性材７，７′と共にその先端部の幅がトラツ
ク幅に対応する幅Ｗになるような構造にして主磁
極９を構成したものである。この様に主磁性薄膜
１と高透磁率磁性材８，８′よりなる補助部材５，
５′の後端部の幅をトラツク幅よりも十分広くし
て、磁気的な抵抗を減じた構造にすれば、記録ト
ラツク密度の向上に伴なつて記録媒体のトラツク
幅の狭小化が計られても、磁気的な抵抗の小さい
即ち記録再生効率の良い垂直型磁気ヘツドを容易
に得ることが出来る。

(ホ) 発明の目的 本発明はこの様な垂直型磁気ヘツドの量産に適
した製造方法を提案するもので、以下その製造方
法について第４図乃至第９図を参照にしながら説
明する。

(ヘ) 実施例 先ず、第４図に示すように一側面側に例えば、
ガラス、セラツク等の非磁性材１０が接合（例え
ば、ガラス溶着法、ガラス浸透法、有機含浸接着
法等により接合）された直方体形状の高透磁率磁
性材１１をダイヤモンドカツター等により鎖線に
て示す個所から、即ちその接合面を斜めに横断す
るように間隔ｔごとに切断して所要厚みｔの切断
ブロツク１２を得る。前記切断ブロツク１２は両
側に切断面１２ａ，１２ｂを備え、そのうち一方
の切断面１２ａは非磁性材１０の先端鋭角部分１
０ａを有し、他方の切断面１２ｂは非磁性材１０
の先端鈍角部分１０ｂを有する。そして、この切
断ブロツク１２の一方の切断面１２ａ側を鏡面研
磨して第１の半割ブロツク１３を得る（第５図参
照）。更に、斯る第１の半割ブロツク１３の鏡面
研磨が施こされた接合面としての切断面１２ａ上
にパーマロイ、センダスト、非晶質磁性体等から
なる高透磁率の磁性薄膜１４を高周波スパツタ、
蒸着等の方法で形成して、第６図に示す如き第２
の半割ブロツク１５を得る。そして、この様にし
て得られた第２の半割ブロツク１５に、第５図に
示す如き磁性薄膜の形成されていない第１の半割
ブロツク１３をその接合面１２ａ側から突合わせ
て接合し、第７図に示す如き接合ブロツク１６を
得る。そして、斯る接合ブロツク１６の底部を鎖
線にて示す個所からダイヤモンドカツター等によ
り切断して後、その先端部である非磁性材１０側
を所要のトラツク幅Ｗに相当する部分を残して溝
１７加工（例えば、ダイヤモンド、超音波ホーン
等による加工）し、第８図に示す如き本体ブロツ
ク１８を得る。その後、斯る本体ブロツク１８を
第８図に鎖線にて示す個所から、即ちその溝１７
部分にて所要のヘツド幅W′で切断した後、第９
図に示す如く鎖線個所での側部切削加工とテープ
対接面側の切削加工所謂外形加工を施せば、第３
図に示す様な主磁極９が得られる。

(ト) 応用例 尚、本実施例では第８図に示す位置にて溝加工
しているが、第１０図に示す位置にて溝加工して
も良く、この様にすると生産性が良くなる。また
外形加工時に第９図に示す如く側部切削を行なつ
ているが、切断ブロツクを得る工程でその切断厚
ｔをうまく設定すれば、省くことが出来る。

(チ) 効果 上述した如く本発明の製造方法に依れば、少な
くとも先端部が非磁性材からなる一対の補助部材
にて磁性薄膜を挟み込み、この補助部材の先端部
の幅を磁性薄膜と共に記録媒体のトラツク幅に対
応させ、その後端部の幅を磁性薄膜と共にトラツ
ク幅より広く構成してなる垂直型磁気ヘツドを、
量産性良く製造することが出来、産業上優れたも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は垂直磁気記録再生方式の原理図、第２
図は従来の垂直型磁気ヘツドの主磁極の具体的構
成を示す斜視図、第３図は本発明に関する垂直型
磁気ヘツドの主磁極を示す斜視図、第４図乃至第
９図は夫々その製造工程を示し、第４図はその切
断ブロツクを得る工程を示す斜視図、第５図はそ
の第１の半割ブロツクを示す斜視図、第６図はそ
の第２の半割ブロツクを示す斜視図、第７図はそ
の接合ブロツクを示す斜視図、第８図はその本体
ブロツクを示す斜視図、第９図はその外形加工の
工程を示す斜視図、第１０図は他の態様の本体ブ
ロツクを示す斜視図である。 １２……切断ブロツク、１３……第１の半割ブ
ロツク、１４……磁性薄膜、１５……第２の半割
ブロツク、１８……本体ブロツク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 少なくとも先端部が非磁性材からなる一対の
   補助部材にて磁性薄膜を挟み込み、この補助部材
   の先端部の幅を磁性薄膜と共に記録媒体のトラツ
   ク幅に対応させ、その後端部の幅を磁性薄膜と共
   にトラツク幅より広くして主磁極を構成してなる
   垂直型磁気ヘツドの製造方法において、一側面側
   に非磁性材が接合された磁性材をその接合面を斜
   めに横断するように所定の間隔ごとに切断するこ
   とにより両側の切断面のうち一方の切断面が非磁
   性材の先端鋭角部分を有する切断ブロツクを得る
   工程と、該切断ブロツクの前記一方の切断面側を
   鏡面研磨して第１の半割ブロツクを得る工程と、
   該第１の半割ブロツクの鏡面研磨が施された接合
   面としての切断面上に磁性薄膜を形成して第２の
   半割ブロツクを得る工程と、前記第１、第２の半
   割ブロツクの接合面同志を突き合わせて接合した
   後その先端部である非磁性材側を所要のトラツク
   幅に相当する部分を残して溝加工して本体ブロツ
   クを得る工程と、該本体ブロツクをその溝部分に
   て所要のヘツド幅に切断した後外形加工する工程
   とを含む垂直型磁気ヘツドの製造方法。