JPH03689B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録方式の垂直磁化記録において
磁気記録媒体の膜面に信号を垂直方向に磁化し、
記録および再生するために使用される垂直磁化記
録用ヘツドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 第１図に代表的な垂直磁化記録ヘツドを示す。
有機フイルム１上に垂直異方性を有する磁性層２
が形成されている記録媒体７に対し、主磁極８お
よび補助磁極９が記録媒体７の両側から挟み込ん
で配置され、主磁極８の非磁性ブロツク５の中に
設置された高透磁率膜６の先端が記録媒体７に近
接して走行する。記録は補助磁極９の高透磁率ブ
ロツク３に巻かれたコイル４に流れた信号電流に
よつて補助磁極９から磁界が発生し、その磁界に
より主磁極８の高透磁率膜６が磁化し、その磁界
によつて記録媒体７に接した部分の磁性層２が磁
化し、記録される。再生は全くこの逆の過程を経
て、補助磁極９にあるコイル４より再生信号を得
る。このような機能を有する主磁極９の記録媒体
７側からみた断面図を第２図に示す。図において
５は非磁性ブロツクで、高透磁率膜６をエポキシ
系の接着剤１０で挟み込むような形状になつてい
る。しかしながら、上記のような主磁極は、記録
媒体７とのあたりをよくするため、表面を研磨す
る工程があるが、その工程で図のａで示すような
クラツクが高透磁率膜６と非磁性ブロツク５との
界面で発生する。さらにそれが高透磁率膜６のク
ラツクへと発展する。こういうクラツクが発生し
た場合、主磁極の磁気的特性を著しくそこなうこ
とは勿論のこと、主磁極の耐久性においても寿命
の短いものとなつていた。

発明の目的 本発明は以上のような欠点を解消するもので、
主磁極の高透磁率膜のクラツクを防止し、記録再
生時の出力や周波数特性を安定化すると同時に長
時間の使用に耐える主磁極を有する垂直磁化記録
用ヘツドを提供することを目的とする。

発明の構成 本発明による基本構成は、非磁性ブロツクの表
面に高透磁率膜を形成したいわゆる垂直磁化記録
用主磁極で、２個の非磁性ブロツクが接着剤を用
いて接着され、前記非磁性ブロツクの一方の接着
面側の表面に、高透磁率膜と非磁性膜とを有し、
非磁性膜が高透磁率膜の少なくとも端面をはさみ
こむ形で形成されていることを特徴とするもので
ある。本構成のヘツドでは、主磁極の研磨工程時
や、記録媒体との長時間の主磁極先端部の接触に
おいて、高透磁率膜にクラツクが入らないことを
実現できるようにしたもので、それによつて、良
好な磁気特性をもちながら、耐久性のある主磁極
を提供できるものである。

実施例の説明 以下本発明の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。第３図は本発明の一実施例におけ
る主磁極の記録媒体側からみた断面図を製造工程
順に示すものである。

第３図ａにおいてまずAl₂O₃やSiC等のセラミ
ツクの材料から２mm×11mm×１mmの角形に切り出
された非磁性ブロツク１１の表面をダイヤモンド
ペーストで研磨する。次に蒸着、スパツター法に
よつて高透磁率膜（この場合パーマロイ膜を実施
例とする）１２を前記非磁性ブロツク１１の研磨
面上に1μm厚みで形成する。次にホトレジスト１
３を塗布し、所定のパターンを露光、現像する。
次に塩化第一鉄の溶液中でパーマロイ膜をエツチ
ング除去する。この時ホトレジスト１３はそのま
ま残存させておく。この状態が第３図ａである。

次に第３図ｂに示すように、ホトレジスト１３
を含む非磁性ブロツク１１の表面全体にCr，Cu，
Ti，Al等の非磁性膜１４を蒸着し、スパツタ法
で1μm厚みで形成する。

次に、レジスト除去液でホトレジスト１３を除
去するとレジスト１３上の非磁性膜１４も同時に
除去される。この状態を第３図ｃに示す。

次に第３図ｄの如く、エポキシ系の樹脂１５を
表面に塗布した非磁性ブロツク１１′を、前述の
高透磁率膜１２および非磁性膜１４の表面に接着
する。

次にダイヤモンドペーストを主体とした研磨剤
で主磁極の表面を研磨する。

第３図ｄに示すような構成の本実施例によれば
高透磁率膜１２の非磁性ブロツク１１と接触して
いる部分にエポキシ系の樹脂１５が入らないよう
に非磁性膜１４が配置されているので、前述の主
磁極の研磨工程においても研磨剤の粒子が高透磁
率膜１２と非磁性ブロツク１１との界面から入る
ことがなく非磁性ブロツク１１と高透磁率膜１２
との間にハクリ現象やクラツクが入らない。それ
によつて主磁極の歩留りを向上できるのみなら
ず、長時間の耐久性テストに耐える主磁極を提供
することができる。

次に本発明の第２の実施例について図面を参照
しながら説明する。第４図は本発明の第２の実施
例における主磁極の記録媒体側からみた断面図を
製造工程順に示すものである。

第４図ａにおいてAl₂O₃やSiC等のセラミツク
の材料から２mm×11mm×１mmの角型に切り出され
た非磁性ブロツク１１の表面をダイヤモンドペー
ストで研磨した後、蒸着、スパツター法によつて
高透磁率膜１２を前記非磁性ブロツク１１の研磨
面上に1μm厚みで形成する。次にホトレジストを
塗布し、所定のパターンで露光、現像する。

次に高透磁率膜１２をエツチング除去する（第
４図ａ参照）。

次に第４図ｂに示すように、非磁性ブロツク１
１の表面で高透磁率膜１２の近傍のみに開口部
（たとえば高透磁率膜１２の側端面から50μm位の
大きさ）をもつホトレジスト１６を形成する（第
４図ｂ参照）。

次にその上に非磁性膜１７を蒸着又はスパツタ
法で1μm厚みで形成する（第４図ｃ参照）。

次に第４図ｄで示すように、レジスト除去液で
ホトレジスト１３およびホトレジスト１６を除去
すると、レジスト上の非磁性膜１７も同時に除去
されるが、高透磁率膜１２の近傍の開口部に形成
された非磁性膜１７のみが残存する（第４図ｄ参
照）。

次にエポキシ系の樹脂１８を表面に塗布した非
磁性ブロツク１１を、前述の高透磁率膜１２およ
び非磁性膜１７の表面に接着する（第４図ｅ参
照）。

次にダイヤモンドペーストを主体とした研磨剤
で主磁極の表面を研磨する。

本実施例によれば、第１の実施例と同様に高透
磁率膜１２の近傍に非磁性膜１７があるため高透
磁率膜１２にクラツクが入ることを防止できると
同時に、第１の実施例では接着剤が２つの非磁性
ブロツクを高透磁率膜１２や非磁性膜１７を介し
て接続させていたが、さらに直接的に非磁性ブロ
ツク１１，１１′間の接続を行なえる部分がある
ので、強度的に強い主磁極を提供することができ
る。なおこの場合においても磁気的特性は第１の
実施例と同様の特性が得られるのはいうまでもな
い。

次に本発明の第３の実施例について図面を参照
しながら説明する。第５図は本発明の第３の実施
例における主磁極の記録媒体側からみた断面図を
製造工程順に示すものである。

第５図ａにおいて実施例１や実施例２で示した
ように、表面が研磨剤で研磨されている非磁性ブ
ロツク２１の表面に1μm厚みの高透磁率膜２２を
形成後、所定のパターンで抜いたホトレジスト２
３を形成し高透磁率膜２２をエツチング除去した
ものを示している。次にホトレジスト２３をレジ
スト除去液で除去しその後、非磁性膜２４を1μm
厚みで形成する（第５図ｂ）。

次にエポキシ系の樹脂２６を表面に塗布した非
磁性ブロツク２１′を、前述の非磁性膜２４の表
面に接着する（第５図ｃ参照）。次に主磁極の表
面を前述した方法で研磨する。

本実施例によれば、高透磁率膜２２が非磁性膜
２４に完全に被覆されているので、前述したよう
な高透磁率膜２２にクラツクが入ることを完全に
防ぐことができる。

次に本発明の第４の実施例について図面を参照
しながら説明する。第６図は本発明の第４の実施
例における主磁極の記録媒体側からみた断面図を
製造工程順に示すものである。

第６図ａにおいて、第１の実施例で説明したよ
うに表面が研磨剤で研磨されている非磁性ブロツ
ク２１の表面に1μm厚みの高透磁率膜２２を形成
後、所定のパターンで抜いたホトレジスト２３を
形成し、高透磁率膜２２をエツチング除去したも
のを示している。次にホトレジスト２３をレジス
ト除去液で除去し、その後非磁性膜２４を1μm厚
みで形成する（第６図ｂ参照）。次に高透磁率膜
２２の上部とその近傍を被覆するようにホトレジ
スト２５を形成する（第６図ｃ参照）。

次に非磁性膜２４をプラズマエツチング法でエ
ツチング除去し、さらにホトレジスト２５もレジ
スト除去液で除去する（第６図ｄ参照）。

次にエポキシ系の樹脂２６を表面に塗布した非
磁性ブロツク２１′を、前述の非磁性膜２４およ
びもう一つの非磁性ブロツク２１に接着する（第
６図ｅ参照）。次に主磁極の表面研磨を行う。

本実施例によれば、高透磁率膜２２が非磁性膜
２４に完全に被覆されているので、高透磁率膜２
２が完全に保護されると同時に２つの非磁性ブロ
ツクが、接着剤で接続されているので主磁極とし
ての強度も強くなる。

次に本発明の第５の実施例について図面を参照
しながら説明する。第７図は本発明の第５の実施
例における主磁極の記録媒体側からみた断面図を
製造工程順に示すものである。

表面が研磨剤で研磨されている非磁性ブロツク
３１の表面に1μm厚みの非磁性膜３２を形成後、
さらにその上に高透磁率膜３３を形成する。そし
て次に所定のパターンで抜いたホトレジスト３４
を形成し、高透磁率膜３３および非磁性膜３２を
エツチング除去した後の断面形状を第７図ａで示
している。

次にホトレジスト３４をレジスト除去液で除去
後、非磁性膜３５をさらに1.5μm厚みで形成する
（第７図ｂ参照）。

その後エポキシ系の樹脂３７を表面に塗布した
非磁性ブロツク３１′を前述の非磁性膜３５の表
面に接着する（第７図ｃ参照）。次に主磁極の表
面研磨を行う。

第７図ｃに示す本実施例によれば高透磁率膜３
３が、非磁性ブロツク３１と完全に分離して形成
されるので、非磁性ブロツク３１のグラツクの影
響が全くおよばないので、高透磁率膜３３にクラ
ツクの入らない主磁極を提供できる。

次に本発明の第６の実施例について図面を参照
しながら説明する。第８図は本発明の第６の実施
例における主磁極の記録媒体側からみた断面図を
製造工程順に示すものである。

表面が研磨剤で研磨されている非磁性ブロツク
３１の表面に1μm厚みの非磁性膜３２を形成後、
さらにその上に高透磁率膜３３を形成する。そし
て次に所定のパターンで抜いたホトレジスト３４
を形成し高透磁率膜３３および非磁性膜３２をエ
ツチング除去した後の断面形状を第８図ａで示し
ている。

次にホトレジスト３４をレジスト除去液で除去
後、非磁性膜３５をさらに1.5μm厚みで形成する
（第８図ｂ参照）。

次に高透磁率膜３３の上部とその近傍を被覆す
るようにホトレジスト３６を形成する（第８図ｃ
参照）。

次に非磁性膜３５をプラズマエツチング法でエ
ツチング除去しさらにホトレジスト３６もレジス
ト除去液で除去する（第８図ｄ参照）。

次にエポキシ系の樹脂３７を表面に塗布した非
磁性ブロツク３１′を、前述の非磁性膜３３およ
びもう一つの非磁性ブロツク３１に接着する（第
８図ｅ参照）。次に主磁極の表面研磨を行う。

本実施例によれば、高透磁率膜３３が、非磁性
ブロツク３１と完全に分離して形成されるので、
非磁性ブロツク３１のクラツクの影響が全くおよ
ばないので、高透磁率膜３３にクラツクが入らな
いという効果があると同時に、２つの非磁性ブロ
ツクが接着剤で接続されているので主磁極として
の強度も強くなる。

発明の効果 以上のように本発明は、２個の非磁性ブロツク
が接着剤を用いて接着され、前記非磁性ブロツク
の一方の接着面側の表面に高透磁率膜と非磁性膜
とを有し、非磁性膜が高透磁率膜を一部又は全部
を被覆するように形成しているもので、主磁極の
研磨工程中に入る非磁性ブロツクのクラツクが直
接高透磁率膜を汚損させるというようなことがな
くなり、信頼性の高い、高歩留りの主磁極を提供
することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直磁化記録ヘツドの主磁極補
助磁極および記録媒体の模式図、第２図は従来の
主磁極の記録媒体側からみた断面図、第３図〜第
８図は本発明の実施例における垂直磁化記録用ヘ
ツドの主磁極を、製造工程順に示した断面図であ
る。 １１，１１′，２１，２１′，３１，３１′……
非磁性ブロツク、１２，２２，３３……高透磁率
膜、１４，１７，２４，３２，３５……非磁性
膜、１５，１８，２６，３７……接着剤、１３，
１６，２３，２５，３４，３６……ホトレジス
ト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ２個の非磁性ブロツクが接着剤で接着され、
   前記非磁性ブロツクの一方の接着面側の一部に高
   透磁率膜が形成され、前記高透磁率膜が形成され
   た前記非磁性ブロツク上に、前記高透磁率膜に少
   なくとも一部が接触して非磁性膜が形成されてい
   ることを特徴とする垂直磁化記録用へツド。 ２ 非磁性膜が少なくとも高透磁率膜表面を覆つ
   て設けられていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の垂直磁化記録用ヘツド。 ３ 非磁性膜が高透磁率膜をとり囲むように設け
   られていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の垂直磁化記録用ヘツド。